JPS6113245A - スピンキヤスタブルレジスト組成物およびその使用方法 - Google Patents
スピンキヤスタブルレジスト組成物およびその使用方法Info
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- JPS6113245A JPS6113245A JP60119915A JP11991585A JPS6113245A JP S6113245 A JPS6113245 A JP S6113245A JP 60119915 A JP60119915 A JP 60119915A JP 11991585 A JP11991585 A JP 11991585A JP S6113245 A JPS6113245 A JP S6113245A
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- polyalkylene
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
本発明以前には、Ｃｈｅｎ らの米国特許第６３乙２
？０９号「吸光性染料を用いた多層フォトレジスト法」
に示されているように、吸光性染料としてクマリンを含
有するポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ ）フォト
レジスト組成物が半導体装置エツチング用のフォトレジ
ストとして用いられてきた。 Ｃｈｅｎ らのクマリ
ン含有ＰＭＭＡ組成物が、上部のポータプル番コンフォ
ーマプル・マスク（ｐｏｒｔａｂｌｅ ｃｏｎｆｏｒｍ
ａｂｌｅ ｍａｓｋ ＝ ＰＣＭ ）を用いる多層フォ
トレジスト法を実施するのに有用であることが確認され
ているが、クマリンが後の約２２０〜２夕θｎｍの範囲
の紫外線（ＵＶ）露光中に下部のＰＭＭＡレジスト層の
図形描写に干渉することが見出された。 その結果１．
２２θ〜２．３−Ｏｎｍ 領域のクマリン吸収に打ち
勝つために、ＰＭＭＡ層の紫外線霧光時間の長さを２倍
以上増す必要があることが見出された。
？０９号「吸光性染料を用いた多層フォトレジスト法」
に示されているように、吸光性染料としてクマリンを含
有するポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ ）フォト
レジスト組成物が半導体装置エツチング用のフォトレジ
ストとして用いられてきた。 Ｃｈｅｎ らのクマリ
ン含有ＰＭＭＡ組成物が、上部のポータプル番コンフォ
ーマプル・マスク（ｐｏｒｔａｂｌｅ ｃｏｎｆｏｒｍ
ａｂｌｅ ｍａｓｋ ＝ ＰＣＭ ）を用いる多層フォ
トレジスト法を実施するのに有用であることが確認され
ているが、クマリンが後の約２２０〜２夕θｎｍの範囲
の紫外線（ＵＶ）露光中に下部のＰＭＭＡレジスト層の
図形描写に干渉することが見出された。 その結果１．
２２θ〜２．３−Ｏｎｍ 領域のクマリン吸収に打ち
勝つために、ＰＭＭＡ層の紫外線霧光時間の長さを２倍
以上増す必要があることが見出された。
従って、ポータブル・コンフォーマブル・マスクを用い
る多層フォトレジスト法において満足に働く吸光性染料
を含むＰＭＭＡフォトレジスト組成物を得るのが望まし
い。 満足に働くためには、染料がＰＭＭＡに可溶でか
つ十分に非揮発性であり、従ってＰＭＭＡの基体表面へ
の塗布時に、染料が最初のスピンおよび焼付は工程の後
も変化なく残っていることが必要であろう。 ＰＣＭ
を形成するための上部ポジレジスト層の初期露光中に染
料が約グ３乙ｎｍの放射線を吸光することも必要であろ
う。 そうすれば、このよりなＵＶ露光中にＰＭＭＡレ
ジスト−基体界面からの望ましくない反射を実質的に最
小限にできる。 吸光性染料のもう一つの要件は、約２
２０〜２３０ｎｍの範囲で実質的に非吸収性でなければ
ならないことで、そうすればＰＣＭを介して深い紫外ブ
ランケットによりＰＭＭＡ層の図形描写を行うことがで
きる。
る多層フォトレジスト法において満足に働く吸光性染料
を含むＰＭＭＡフォトレジスト組成物を得るのが望まし
い。 満足に働くためには、染料がＰＭＭＡに可溶でか
つ十分に非揮発性であり、従ってＰＭＭＡの基体表面へ
の塗布時に、染料が最初のスピンおよび焼付は工程の後
も変化なく残っていることが必要であろう。 ＰＣＭ
を形成するための上部ポジレジスト層の初期露光中に染
料が約グ３乙ｎｍの放射線を吸光することも必要であろ
う。 そうすれば、このよりなＵＶ露光中にＰＭＭＡレ
ジスト−基体界面からの望ましくない反射を実質的に最
小限にできる。 吸光性染料のもう一つの要件は、約２
２０〜２３０ｎｍの範囲で実質的に非吸収性でなければ
ならないことで、そうすればＰＣＭを介して深い紫外ブ
ランケットによりＰＭＭＡ層の図形描写を行うことがで
きる。
本発明は、次式：
（式中のＲおよびＲは水素またはｃ（＋’−ａ）アルキ
ルであり、Ｑは一〇−または−・Ｎ−であり、Ｘはハロ
ゲンまたはニトリルであり、Ｒ２は、ポリアルキレンゲ
リコール、ポリアルキレンアミドおよびポリアルキレン
エステルから選ばれる一価の基であり、Ｒ３はＣ（ｔ−
ａ）アルキレレ基または”（６−１３）アリーレン基で
ある）で表わされる桂皮酸の誘導体が、約グ０θ〜グ乙
ｊｎｍで吸光性で、約２．２θ〜２！Ｏｎｍ の範囲で
実質的に透明であり、ＰＭＭＡの有機溶剤溶液に可溶で
かつスピンキャストおよび焼付は後にＰＭＭＡに可溶で
あることを見出して、なされたものである。 添付図面
に、メチル（ｐ−ジエチルアミノ−α−シアノ）桂皮酸
の／、３−プロパンジオールジエステルおよびクマリン
の吸光係数を示す。 これらのスペクトルはエタノール
溶液としてｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ ３３０紫外線分
光光度計で測定した。
ルであり、Ｑは一〇−または−・Ｎ−であり、Ｘはハロ
ゲンまたはニトリルであり、Ｒ２は、ポリアルキレンゲ
リコール、ポリアルキレンアミドおよびポリアルキレン
エステルから選ばれる一価の基であり、Ｒ３はＣ（ｔ−
ａ）アルキレレ基または”（６−１３）アリーレン基で
ある）で表わされる桂皮酸の誘導体が、約グ０θ〜グ乙
ｊｎｍで吸光性で、約２．２θ〜２！Ｏｎｍ の範囲で
実質的に透明であり、ＰＭＭＡの有機溶剤溶液に可溶で
かつスピンキャストおよび焼付は後にＰＭＭＡに可溶で
あることを見出して、なされたものである。 添付図面
に、メチル（ｐ−ジエチルアミノ−α−シアノ）桂皮酸
の／、３−プロパンジオールジエステルおよびクマリン
の吸光係数を示す。 これらのスペクトルはエタノール
溶液としてｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ ３３０紫外線分
光光度計で測定した。
式（Ｉ）の桂皮酸誘導体は、好ましくは約３５０〜１０
０θの範囲の分子量をもち、約１００〜２００℃の範囲
の温度で実質的に不揮発性でもある。
０θの範囲の分子量をもち、約１００〜２００℃の範囲
の温度で実質的に不揮発性でもある。
その結果、￥３１．ｎｍ領域で吸光性でかつ２，２０〜
２ｊＯｎｍ領域で実質的に透過性であるスピンキャスト
可能なＰＭＭＡ組成物が得られる。 その結果、これら
のフォトレジストは、２６２０〜．、ｚｔｏｎｍ領域で
の高レベルの吸収のために過剰な露光時間を要する従来
技術の欠点がなく、多層フォトレジスト法の使用に有利
である。
２ｊＯｎｍ領域で実質的に透過性であるスピンキャスト
可能なＰＭＭＡ組成物が得られる。 その結果、これら
のフォトレジストは、２６２０〜．、ｚｔｏｎｍ領域で
の高レベルの吸収のために過剰な露光時間を要する従来
技術の欠点がなく、多層フォトレジスト法の使用に有利
である。
発明の開示
本発明によれば、
（Ａ）７００部の不活性有機溶剤、
（Ｂ）１〜７５部のポリメチルメタクリレートおよび
（Ｃ）９０１〜１０部の式（１）の桂皮酸誘導体を含有
するスピンキャスタブルフォトレジスト組成物が提供さ
れる。
するスピンキャスタブルフォトレジスト組成物が提供さ
れる。
本発明の別の観点によれば、
（１） （Ａ） １００部の不活性有機溶剤、（Ｂ）
／〜／オ部のポリメチルメタクリレートおよび （Ｃ）００１〜１０部の式（１）の桂皮酸誘導体を含有
するポリメチルメタクリレートレジスト組成物を珪素基
体にスピンキャストし、 （２）工程（１）で塗布したレジスト組成物を／ｌＡ０
〜ＳＯＯ℃の温度で焼付けて厚さ１〜３μｍのポリメチ
ルメタクリレートレジスト層を形成し、（３）工程（２
７の層上に厚さ約０２〜１０μｍのポリノボラックレジ
ストを塗布し、 （４）工程（３）のレジスト層を約７０〜／１０℃の温
度で焼付け、 （５）工程（４）のレジスト上部層を約３！θ〜４４０
ｎｍの紫外光パターンに露出して同レジストにポジ潜像
を生成し、 （６）工程（５）のレジストを現像し、次いで得られた
ポータプル・コンフォーマプル・÷スフを焼付け、 （７） このポータプル・コンフォーマプル拳マスフ
とポリメチルメタクリレートレジスト層との複合体を７
９θ〜２！θｎｍ の範囲の紫外光に露出して、上記ポ
ータプルやコンフォーマプル・マスクのポジ像を生成し
、 （８）得られたポリメチルメタクリレートレジストを現
像する 工程を含む、珪素基体上のポリメチルメタクリレートレ
ジストをフォトパターニングする方法が提供される。
／〜／オ部のポリメチルメタクリレートおよび （Ｃ）００１〜１０部の式（１）の桂皮酸誘導体を含有
するポリメチルメタクリレートレジスト組成物を珪素基
体にスピンキャストし、 （２）工程（１）で塗布したレジスト組成物を／ｌＡ０
〜ＳＯＯ℃の温度で焼付けて厚さ１〜３μｍのポリメチ
ルメタクリレートレジスト層を形成し、（３）工程（２
７の層上に厚さ約０２〜１０μｍのポリノボラックレジ
ストを塗布し、 （４）工程（３）のレジスト層を約７０〜／１０℃の温
度で焼付け、 （５）工程（４）のレジスト上部層を約３！θ〜４４０
ｎｍの紫外光パターンに露出して同レジストにポジ潜像
を生成し、 （６）工程（５）のレジストを現像し、次いで得られた
ポータプル・コンフォーマプル・÷スフを焼付け、 （７） このポータプル・コンフォーマプル拳マスフ
とポリメチルメタクリレートレジスト層との複合体を７
９θ〜２！θｎｍ の範囲の紫外光に露出して、上記ポ
ータプルやコンフォーマプル・マスクのポジ像を生成し
、 （８）得られたポリメチルメタクリレートレジストを現
像する 工程を含む、珪素基体上のポリメチルメタクリレートレ
ジストをフォトパターニングする方法が提供される。
物が含まれる。
本発明の実施にあたって使用できるポリメチルメタクリ
レートレジストは、例えば、Ｄｕｐｏｎｔｄｅ Ｎｅｍ
ｏｕｒｓ Ｃｏｍｐａｎｙ （米国１）ｅｌａｗａｒｅ
州Ｗｉ１ｍｉｎｇｔｏｎ所在）のＥｌｖａｃｉｔｅ■、
２０４ｔ ／および２０１０、 ＫＴ ／標準ＰＭＭＡ
レジスト、などである。
レートレジストは、例えば、Ｄｕｐｏｎｔｄｅ Ｎｅｍ
ｏｕｒｓ Ｃｏｍｐａｎｙ （米国１）ｅｌａｗａｒｅ
州Ｗｉ１ｍｉｎｇｔｏｎ所在）のＥｌｖａｃｉｔｅ■、
２０４ｔ ／および２０１０、 ＫＴ ／標準ＰＭＭＡ
レジスト、などである。
ＰＭＭＡ ２０ １０は、平均分子量が低いので、厚さ
２ミクロンのフィルムを７回のスピンコーティングによ
り形成することができる。 Ｐ ＭＭＡ２０１０および
ＰＭＭＡ、、２θグ／の他の特性を次表に示す。
２ミクロンのフィルムを７回のスピンコーティングによ
り形成することができる。 Ｐ ＭＭＡ２０１０および
ＰＭＭＡ、、２θグ／の他の特性を次表に示す。
ＰＭＭＡ２θ１０ ＰＭＭＡ、２０グ／平均分子量
／３０，０００ ３００，０００ｒ／ｒｏの
範囲、 ＭＩＢＫ中 −〇〜／２θ ２θ〜２θθクロロ
ベンゼン中 ２０〜と０ ３０〜／−〇トルエン中
２θ〜７２０ ２０〜２θθ〃 クロロベ
ンゼン中 ３と／ 乙３〃 ト
ルエン中 ７３ ２９ＰＣＭ（ポ
ータブル・コンフォーマブル・マスク）の製造に使用で
きるポジフォトレジスト組成物の中には、Ｊｅｆｆｒｅ
ｙ Ｃ，５ｔｒｅｅｔｅｒ、 ＥａｓｔｍａｎＫｏｄａ
ｋ Ｃｏｍｐａｎｙ、 Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ
ｔｈｅＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｓｅｍ１ｎ
ａｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ７乙、 ｐｐ−／／１．−
／２／にポジ作用系の化学的挙動について示されたよ
うな、ナフトキノンジアジドで変性したノボラック樹脂
が含まれる。 これらのポジフォトレジストを製造する
代表的な反応では、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂
のヒドロキシル基をナフトキノンジアジドスルホニルク
ロリドと反応させる。 ノボラック・ポジレジストにも
つともよく用いられる溶剤はコーエトキシエチルアセテ
ートおよびコーメトキシエチルアセテートである。 場
合によっては、キシレンおよびブチルアセテートを溶剤
系に導入して乾燥および被覆特性を変えることができる
。
／３０，０００ ３００，０００ｒ／ｒｏの
範囲、 ＭＩＢＫ中 −〇〜／２θ ２θ〜２θθクロロ
ベンゼン中 ２０〜と０ ３０〜／−〇トルエン中
２θ〜７２０ ２０〜２θθ〃 クロロベ
ンゼン中 ３と／ 乙３〃 ト
ルエン中 ７３ ２９ＰＣＭ（ポ
ータブル・コンフォーマブル・マスク）の製造に使用で
きるポジフォトレジスト組成物の中には、Ｊｅｆｆｒｅ
ｙ Ｃ，５ｔｒｅｅｔｅｒ、 ＥａｓｔｍａｎＫｏｄａ
ｋ Ｃｏｍｐａｎｙ、 Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ
ｔｈｅＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｓｅｍ１ｎ
ａｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ７乙、 ｐｐ−／／１．−
／２／にポジ作用系の化学的挙動について示されたよ
うな、ナフトキノンジアジドで変性したノボラック樹脂
が含まれる。 これらのポジフォトレジストを製造する
代表的な反応では、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂
のヒドロキシル基をナフトキノンジアジドスルホニルク
ロリドと反応させる。 ノボラック・ポジレジストにも
つともよく用いられる溶剤はコーエトキシエチルアセテ
ートおよびコーメトキシエチルアセテートである。 場
合によっては、キシレンおよびブチルアセテートを溶剤
系に導入して乾燥および被覆特性を変えることができる
。
本発明の実施にあたって、ＰＭＭＡフォトレジスト組成
物をつくるには、約／（イ）％θ〜９調αυの範囲の分
子量を有する市販のＰＭＭＡを有機溶剤、例えばクロロ
ベンゼン、トルエンなどおよび式（Ｉ）で示されるよう
な桂皮酸誘導体と一緒に混ぜ合わせる。 得られたＰＭ
ＭＡ組成物はスピンキャスタブルすなわちスピンキャス
ト可能である。
物をつくるには、約／（イ）％θ〜９調αυの範囲の分
子量を有する市販のＰＭＭＡを有機溶剤、例えばクロロ
ベンゼン、トルエンなどおよび式（Ｉ）で示されるよう
な桂皮酸誘導体と一緒に混ぜ合わせる。 得られたＰＭ
ＭＡ組成物はスピンキャスタブルすなわちスピンキャス
ト可能である。
本発明の方法を実施するにあたっては、桂皮酸誘導体を
含有するＰＭＭＡ組成物を珪素ウェーハ上に厚さ約／、
７μｍにスピンキャストすることができる。 ＰＭＭＡ
の分子量に応じて、ＰＭＭＡ組成物のスピンキャストを
数工程でまたは７回のスピンコーティングで達成するこ
とができる。 所望に応じて、塗布したＰＭＭＡ被膜を
多重塗布の間に焼付けるか、最終焼付けであれば約／４
ｔθ〜、２００℃の範囲の温度で３θ分間焼付けること
ができる。
含有するＰＭＭＡ組成物を珪素ウェーハ上に厚さ約／、
７μｍにスピンキャストすることができる。 ＰＭＭＡ
の分子量に応じて、ＰＭＭＡ組成物のスピンキャストを
数工程でまたは７回のスピンコーティングで達成するこ
とができる。 所望に応じて、塗布したＰＭＭＡ被膜を
多重塗布の間に焼付けるか、最終焼付けであれば約／４
ｔθ〜、２００℃の範囲の温度で３θ分間焼付けること
ができる。
次に上部ポジ・ノボラックレジスト層をＰＭＭＡ表面上
にスピンキャストする。 上部ノボラックレジストの厚
さを０５μｍとした後、これを７０〜り０℃の範囲の温
度で／°〜３０分の時間焼付ける。 次に強度１０Ｑｍ
Ｗ／ｃｄｔおよび波長３Ｗ〜￥￥Ｏｎｍを有する水銀ア
ーク灯を用いて、ノボラックレジストを紫外線に０３〜
／秒の時間露出する。
にスピンキャストする。 上部ノボラックレジストの厚
さを０５μｍとした後、これを７０〜り０℃の範囲の温
度で／°〜３０分の時間焼付ける。 次に強度１０Ｑｍ
Ｗ／ｃｄｔおよび波長３Ｗ〜￥￥Ｏｎｍを有する水銀ア
ーク灯を用いて、ノボラックレジストを紫外線に０３〜
／秒の時間露出する。
経験によれば、露出に先立ってＮａＯＨ溶液に浸漬する
と被着ノボラックレジストに良好な結果がもたらされる
。 最適効果を得るにはＮａＯＨ溶液のモル濃度をθ２
〜θ夕の範囲としなければならない。 所望に応じて、
現像された′ＰＣＭを次に、Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｓｃｉ
、 Ｔｅｃｈｎｏｌ 、 Ｂ４’（４）、 Ｏεｔ−−
Ｄｅｃ。
と被着ノボラックレジストに良好な結果がもたらされる
。 最適効果を得るにはＮａＯＨ溶液のモル濃度をθ２
〜θ夕の範囲としなければならない。 所望に応じて、
現像された′ＰＣＭを次に、Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｓｃｉ
、 Ｔｅｃｈｎｏｌ 、 Ｂ４’（４）、 Ｏεｔ−−
Ｄｅｃ。
／９と３．のｐｅｔｒｉｌｌｏらの論文「２層深紫外ポ
ータプル・コンフ、オーマプル・マスク系での超微細接
点穴の描写（Ｓｕｂｍｉｃｒｏｍｅｔｅｒ Ｃｏｎｔａ
ｃｔ Ｈｏ１ｅＤｅｌ １ｎｅａｔｉｏｎ ｗｉｔｈ
ａ Ｔｗｏ −Ｌａｙｅｒ Ｄｅｅｐ −ＵＶＰｏｒｔ
ａｂｌｅ Ｃｏｎｆｏｒｍａｂｌｅ Ｍａｓｋｉｎｇ
Ｓｙｓｔｅｍ ） Ｊ の方法に従って酸素プラズマ
で清浄化処理をするこ尼ができる。 ポジレジストＰＭ
ＭＡ複合体を波長１９０〜２ＡｒＯｎｍのＵＶ照射に露
出することができる。 次に露出されたＰＭＭＡ複合体
を、標準アセトン／イソプロパツール溶液を用いて現像
し、超微細（７ミクロン未満の）接点穴をつくり、半導
体装置の製作に有用な珪素ウェーハ上にパターン化され
たＰＭＭＡフォトレジスト層を有する多層フォトレジス
トを生成する。
ータプル・コンフ、オーマプル・マスク系での超微細接
点穴の描写（Ｓｕｂｍｉｃｒｏｍｅｔｅｒ Ｃｏｎｔａ
ｃｔ Ｈｏ１ｅＤｅｌ １ｎｅａｔｉｏｎ ｗｉｔｈ
ａ Ｔｗｏ −Ｌａｙｅｒ Ｄｅｅｐ −ＵＶＰｏｒｔ
ａｂｌｅ Ｃｏｎｆｏｒｍａｂｌｅ Ｍａｓｋｉｎｇ
Ｓｙｓｔｅｍ ） Ｊ の方法に従って酸素プラズマ
で清浄化処理をするこ尼ができる。 ポジレジストＰＭ
ＭＡ複合体を波長１９０〜２ＡｒＯｎｍのＵＶ照射に露
出することができる。 次に露出されたＰＭＭＡ複合体
を、標準アセトン／イソプロパツール溶液を用いて現像
し、超微細（７ミクロン未満の）接点穴をつくり、半導
体装置の製作に有用な珪素ウェーハ上にパターン化され
たＰＭＭＡフォトレジスト層を有する多層フォトレジス
トを生成する。
当業者が本発明をうま〈実施できるようにするため、以
下に実施例を限定としてではな（例示として示す。 「
部」はすべて重量部である。
下に実施例を限定としてではな（例示として示す。 「
部」はすべて重量部である。
１９１匹
２先詩（０部３乙モル）のｐ−ジエチルアミノベンズア
ルデヒド、／３．＃Ｃθ／３乙モル）のメチルシアノア
セテート、０３３Ｉｉのε−アミノカプロン酸および３
ｍｌの氷酢酸をグθｄのトルエンに加えた混合物を、デ
ィージ・スターク（Ｄｅａｎ −８ｔａｒｋ） トラ
ップおよびコンデンサ付きのフラスコ中で還流させた。
ルデヒド、／３．＃Ｃθ／３乙モル）のメチルシアノア
セテート、０３３Ｉｉのε−アミノカプロン酸および３
ｍｌの氷酢酸をグθｄのトルエンに加えた混合物を、デ
ィージ・スターク（Ｄｅａｎ −８ｔａｒｋ） トラ
ップおよびコンデンサ付きのフラスコ中で還流させた。
約２時間後に理論量（２，クー）の水を捕集した。
熱い溶液を活性炭で処理し、セライト（Ｃｅ１ｉｔｅ
）を通して濾過した。 減圧下でトルエンを除去し、９
！チエタノールで置換した。 冷却して、３０￥ｇｃθ
／／トモル、収率Ｊ’ＪＪ％）のメチル（ｐ−ジエチル
アミノ−α−シアノ）シンナメート橙色針状結晶を沈殿
させ、回収した。 融点と１〜とり℃。
熱い溶液を活性炭で処理し、セライト（Ｃｅ１ｉｔｅ
）を通して濾過した。 減圧下でトルエンを除去し、９
！チエタノールで置換した。 冷却して、３０￥ｇｃθ
／／トモル、収率Ｊ’ＪＪ％）のメチル（ｐ−ジエチル
アミノ−α−シアノ）シンナメート橙色針状結晶を沈殿
させ、回収した。 融点と１〜とり℃。
、２５０ｄフラスコに、／９／ｇＣ００７４ｔモル）の
メチル（ｐ−ジエチルアミノ−α−シアノ）シンナメー
ト、認、？４ｔ９（００３７３モル）の蒸留した／、３
−プロパンジオール、０７ｇの水素化ナトリウムおよび
ｔｏｒｎｌのジメチルスルホキシド（水素化カルシウム
から蒸留）を入れた。 混合物をかきまぜながら圧力約
３０トルで１０θ〜／１０℃に約５時間加熱した。 次
に温度を上げてジメチルスルホキシドをとばした。 残
った暗赤色の物質を９！チエタノールから晶出させ、ｉ
＜＜ｉｓの粗製ダイマーを得た。 融点／１０℃。 さ
らに再結晶して１０、１（００２モル、収率！グ％）の
ｐ−ジエチルアミノ−α−シアノ桂皮酸の／、３−プロ
パンジオールジエステル結晶を得た。 融点／３乙〜／
３と℃。
メチル（ｐ−ジエチルアミノ−α−シアノ）シンナメー
ト、認、？４ｔ９（００３７３モル）の蒸留した／、３
−プロパンジオール、０７ｇの水素化ナトリウムおよび
ｔｏｒｎｌのジメチルスルホキシド（水素化カルシウム
から蒸留）を入れた。 混合物をかきまぜながら圧力約
３０トルで１０θ〜／１０℃に約５時間加熱した。 次
に温度を上げてジメチルスルホキシドをとばした。 残
った暗赤色の物質を９！チエタノールから晶出させ、ｉ
＜＜ｉｓの粗製ダイマーを得た。 融点／１０℃。 さ
らに再結晶して１０、１（００２モル、収率！グ％）の
ｐ−ジエチルアミノ−α−シアノ桂皮酸の／、３−プロ
パンジオールジエステル結晶を得た。 融点／３乙〜／
３と℃。
クロロベンゼンに溶解したＥｌｖａｃｉｔｅ ２θグ／
の６重量％溶液３３ｇにθ／Ｉの上記シンナミルエステ
ルを加えた。 混合物を３Ｃ分間かきまぜ、次いで０２
μｍ Ｔｅｆｌｏｎ■樹脂膜フィルタで濾過した。
の６重量％溶液３３ｇにθ／Ｉの上記シンナミルエステ
ルを加えた。 混合物を３Ｃ分間かきまぜ、次いで０２
μｍ Ｔｅｆｌｏｎ■樹脂膜フィルタで濾過した。
ＰＭＭＡおよびシンナミルエステルのクロロベンゼン溶
液を珪素ウェーハ上に注ぎ、グｏθθｒｐｍでＪｇ秒間
回転（スピン）した。 得られたフィルムを対流オーブ
ンで／りｏ℃で３０分間洗った。
液を珪素ウェーハ上に注ぎ、グｏθθｒｐｍでＪｇ秒間
回転（スピン）した。 得られたフィルムを対流オーブ
ンで／りｏ℃で３０分間洗った。
第２のフィルムを同様に第７層の上に被覆し、再び３０
分間焼付けた。 第３層を被覆し、焼付けて、合計厚さ
を約／７μｍとした。 次に、ドア℃に設定したトラッ
クオーブン付きのＭａｃｒｏｎｅｔｉｃｓフォトレジス
ト被覆装置を用いて、この染料含有ＰＭＭＡ’７ イル
ムを５ｈｉｐｌｅｙ ＡＺ −／￥３θＢで厚さ０夕μ
ｍ に被覆した。 Ｑｐｔｉｍｅｔｒｉｘステッパを用
いて上部フォトレジスト層を印刷した。 上部レジスト
を次に、７部当り３部の水で希釈した５ｈｉｐｌｅｙ
ＡＺ−３夕／現像液でスプレー現像した。
分間焼付けた。 第３層を被覆し、焼付けて、合計厚さ
を約／７μｍとした。 次に、ドア℃に設定したトラッ
クオーブン付きのＭａｃｒｏｎｅｔｉｃｓフォトレジス
ト被覆装置を用いて、この染料含有ＰＭＭＡ’７ イル
ムを５ｈｉｐｌｅｙ ＡＺ −／￥３θＢで厚さ０夕μ
ｍ に被覆した。 Ｑｐｔｉｍｅｔｒｉｘステッパを用
いて上部フォトレジスト層を印刷した。 上部レジスト
を次に、７部当り３部の水で希釈した５ｈｉｐｌｅｙ
ＡＺ−３夕／現像液でスプレー現像した。
水鋏灯を取付けたＦｕｓｉｑｎ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｍｉ
ｃｒｏｌｉｔｅｌｏ（７Ｃを用いて、投光照射によりＰ
ＭＭＡ層の露光を行った。 ￥ＯｍＷ／ｃｌでり５秒の
露光を用いた。
ｃｒｏｌｉｔｅｌｏ（７Ｃを用いて、投光照射によりＰ
ＭＭＡ層の露光を行った。 ￥ＯｍＷ／ｃｌでり５秒の
露光を用いた。
次にジエチレングリコールジメチルエーテルを用いてウ
ェーハを２グ秒間スプレー現像し、次いでイソプロパツ
ールで洗った。 この手順に基づいて、θ！μｍＳｉｏ
２段部上に隔離されたθとμｍのラインおよびスペース
を有するパターン化フォトレジストを得た。
ェーハを２グ秒間スプレー現像し、次いでイソプロパツ
ールで洗った。 この手順に基づいて、θ！μｍＳｉｏ
２段部上に隔離されたθとμｍのラインおよびスペース
を有するパターン化フォトレジストを得た。
上述した実施例は本発明の実施にあたって使用できる非
常に多数の可変因子のごく僅かに関与するだけであるが
、本発゛明は、実施例に先行する説明で記したように、
式（Ｉ）で示されるような非常に多数の桂皮酸誘導体を
種々のポリメチルメタクリレートおよびノボラック樹脂
と組合せて多層フォトレジストを製造することを包含す
る。
常に多数の可変因子のごく僅かに関与するだけであるが
、本発゛明は、実施例に先行する説明で記したように、
式（Ｉ）で示されるような非常に多数の桂皮酸誘導体を
種々のポリメチルメタクリレートおよびノボラック樹脂
と組合せて多層フォトレジストを製造することを包含す
る。
図面は”クマリンと本発明のシンナミル染料の波長・吸
光係数のグラフである。 道 ４辷 （ガｊルン
光係数のグラフである。 道 ４辷 （ガｊルン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（Ａ）１００部の不活性有機溶剤、 （Ｂ）１〜１５部のポリメチルメタクリレートおよび （Ｃ）０．０１〜１．０部の次式： ▲数式、化学式、表等があります▼ の桂皮酸誘導体 を含有するスピンキャスタブルフォトレジスト組成物。 但し、式中のＲおよびＲ＾１は水素または Ｃ＿（＿１＿−＿８＿）アルキルであり、Ｑは−Ｏ−ま
たは−Ｎ−であり、Ｘはハロゲンまたはニトリルであり
、Ｒ＾２は ▲数式、化学式、表等があります▼ ポリアルキレングリコール、ポリアルキレンアミドおよ
びポリアルキレンエステルから選ばれる一価の基であり
、Ｒ＾３はＣ＿（＿１＿−＿８＿）アルキレン基または
Ｃ＿（＿６＿−＿１＿３＿）アリーレン基である。 ２、上記桂皮酸誘導体がｐ−ジエチルアミノ−α−シア
ノ桂皮酸の１，３−プロパンジオールジエステルである
特許請求の範囲第１項記載のスピンキャスタブル組成物
。 ３、（１）（Ａ）１００部の不活性有機溶剤、（Ｂ）１
〜１５部のポリメチルメタクリレ ートおよび （Ｃ）０．０１〜１．０部の次式： ▲数式、化学式、表等があります▼ の桂皮酸誘導体 を含有するポリメチルメタクリレートレジスト組成物を
珪素基体にスピンキャストし、 （２）工程（１）で塗布したレジスト組成物を１００〜
２００℃の温度で焼付けて厚さ１〜３μｍのポリメチル
メタクリレートレジスト層を形成し、（３）工程（２）
の層上に厚さ約０．２〜１０μｍのポリノボラックレジ
ストを塗布し、 （４）工程（３）のレジスト層を１４０〜２００℃の温
度で焼付け、 （５）工程（４）のレジスト上部層を約３５０〜４４０
ｎｍの紫外光パターンに露出して同レジストにポジ潜像
を生成し、 （６）工程（５）のレジストを現像し、次いで得られた
ポータブル・コンフォーマブル・マスクを焼付け、 （７）このポータブル、コンフォーマブル・マスクとポ
リメチルメタクリレートレジスト層との複合体を１９０
〜２５０ｎｍの範囲の紫外光に露出して、上記ポータブ
ル・コンフォーマブル・マスクのポジ像を生成し、 （８）得られたポリメチルメタクリレートレジストを現
像する 工程を含む、珪素基体上のポリメチルメタクリレートレ
ジストをフォトパターニングする方法。 但し、式中のＲおよびＲ＾１は水素または Ｃ＿（＿１＿−＿８＿）アルキルであり、Ｑは−Ｏ−ま
たは−Ｎ−であり、Ｘはハロゲンまたはニトリルであり
、Ｒ＾２は ▲数式、化学式、表等があります▼ ポリアルキレングリコール、ポリアルキレンアミドおよ
びポリアルキレンエステルから選ばれる一価の基であり
、Ｒ＾３はＣ＿（＿１＿−＿８＿）アルキレン基または
Ｃ＿（＿６＿−＿１＿３＿）アリーレン基である。 ４、次式： ▲数式、化学式、表等があります▼ の紫外線吸収性桂皮酸誘導体。 但し、式中のＲおよびＲ＾１は水素または Ｃ＿（＿１＿−＿８＿）アルキルであり、Ｑは−Ｏ−ま
たは−Ｎ−であり、Ｘはハロゲンまたはニトリルであり
、Ｒ＾２は ▲数式、化学式、表等があります▼ ポリアルキレングリコール、ポリアルキレンアミドおよ
びポリアルキレンエステルから選ばれる一価の基であり
、Ｒ＾３はＣ＿（＿１＿−＿８＿）アルキレン基または
Ｃ＿（＿６＿−＿１＿３＿）アリーレン基である。 ５、ｐ−ジエチルアミノ−α−シアノ桂皮酸の１，３−
プロパンジオールジエステル。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/619,526 US4535053A (en) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | Multilayer photoresist process utilizing cinnamic acid derivatives as absorbant dyes |
| US619526 | 1984-06-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113245A true JPS6113245A (ja) | 1986-01-21 |
| JPH0455494B2 JPH0455494B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=24482263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60119915A Granted JPS6113245A (ja) | 1984-06-11 | 1985-06-04 | スピンキヤスタブルレジスト組成物およびその使用方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4535053A (ja) |
| JP (1) | JPS6113245A (ja) |
| DE (1) | DE3518927A1 (ja) |
| FR (1) | FR2565585B1 (ja) |
| GB (2) | GB8503255D0 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199351A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Sumitomo Chem Co Ltd | 配線パタ−ン形成方法 |
| JPS61271354A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-12-01 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 集積回路製造用感紫外線ポシ型レジスト |
| JPH02275453A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | フオトレジスト組成物 |
| WO1993004406A1 (en) * | 1991-08-13 | 1993-03-04 | Toray Industries, Inc. | Double-layer resist and method of and device for making said resist |
| WO2012039286A1 (ja) * | 2010-09-22 | 2012-03-29 | 株式会社Adeka | 染料及び着色感光性組成物 |
| JP2015532667A (ja) * | 2012-08-31 | 2015-11-12 | エルジー・ケム・リミテッド | スチリル系化合物、前記スチリル系化合物を含む色材、これを含む感光性樹脂組成物、前記感光性樹脂組成物で製造された感光材、これを含むカラーフィルタおよび前記カラーフィルタを含むディスプレイ装置 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4578344A (en) * | 1984-12-20 | 1986-03-25 | General Electric Company | Photolithographic method using a two-layer photoresist and photobleachable film |
| US4672021A (en) * | 1985-06-03 | 1987-06-09 | Fairmount Chemical Company | Contrast enhancement layer composition with naphthoquinone diazide, indicator dye and polymeric binder |
| US4618565A (en) * | 1985-06-05 | 1986-10-21 | Rca Corporation | Absorptive layer for optical lithography |
| US4609614A (en) * | 1985-06-24 | 1986-09-02 | Rca Corporation | Process of using absorptive layer in optical lithography with overlying photoresist layer to form relief pattern on substrate |
| US4668606A (en) * | 1985-11-20 | 1987-05-26 | Eastman Kodak Company | Positive photoresist with antireflection coating having thermal stability |
| US4897338A (en) * | 1987-08-03 | 1990-01-30 | Allied-Signal Inc. | Method for the manufacture of multilayer printed circuit boards |
| US4810619A (en) * | 1987-08-12 | 1989-03-07 | General Electric Co. | Photolithography over reflective substrates comprising a titanium nitride layer |
| US6294317B1 (en) | 1999-07-14 | 2001-09-25 | Xerox Corporation | Patterned photoresist structures having features with high aspect ratios and method of forming such structures |
| US7622246B2 (en) * | 2006-09-22 | 2009-11-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Contrast enhancing layers |
| US8158338B2 (en) | 2008-07-08 | 2012-04-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Resist sensitizer |
| US8323866B2 (en) * | 2008-07-08 | 2012-12-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Inorganic resist sensitizer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750883A (en) * | 1980-09-13 | 1982-03-25 | Kyowa Hakko Kogyo Co Ltd | Lactic acid sensor |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4362809A (en) * | 1981-03-30 | 1982-12-07 | Hewlett-Packard Company | Multilayer photoresist process utilizing an absorbant dye |
| US4414314A (en) * | 1982-02-26 | 1983-11-08 | International Business Machines Corporation | Resolution in optical lithography |
-
1984
- 1984-06-11 US US06/619,526 patent/US4535053A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-02-08 GB GB858503255A patent/GB8503255D0/en active Pending
- 1985-05-20 GB GB08512736A patent/GB2160214B/en not_active Expired
- 1985-05-25 DE DE19853518927 patent/DE3518927A1/de active Granted
- 1985-05-31 FR FR858508188A patent/FR2565585B1/fr not_active Expired
- 1985-06-04 JP JP60119915A patent/JPS6113245A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750883A (en) * | 1980-09-13 | 1982-03-25 | Kyowa Hakko Kogyo Co Ltd | Lactic acid sensor |
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| US8664289B2 (en) | 2010-09-22 | 2014-03-04 | Adeka Corporation | Dye and coloring photosensitive composition |
| JP5844267B2 (ja) * | 2010-09-22 | 2016-01-13 | 株式会社Adeka | 染料及び着色感光性組成物 |
| JP2015532667A (ja) * | 2012-08-31 | 2015-11-12 | エルジー・ケム・リミテッド | スチリル系化合物、前記スチリル系化合物を含む色材、これを含む感光性樹脂組成物、前記感光性樹脂組成物で製造された感光材、これを含むカラーフィルタおよび前記カラーフィルタを含むディスプレイ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2160214A (en) | 1985-12-18 |
| GB2160214B (en) | 1987-12-23 |
| GB8503255D0 (en) | 1985-03-13 |
| GB8512736D0 (en) | 1985-06-26 |
| DE3518927C2 (ja) | 1993-06-09 |
| JPH0455494B2 (ja) | 1992-09-03 |
| US4535053A (en) | 1985-08-13 |
| FR2565585A1 (fr) | 1985-12-13 |
| DE3518927A1 (de) | 1986-01-16 |
| FR2565585B1 (fr) | 1989-03-03 |
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