JP4052336B2 - レジストパターン及び該レジストパターンの形成方法 - Google Patents
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Description
本発明は、レジストパターン、レジストパターンの形成方法、該レジストパターンを用いたパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
薄膜磁気ヘッド等の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスを製造する場合は、ミリング（ドライエッチング）処理やリフトオフ処理又はこれらを組み合わせた処理等のパターニング処理が複数回行われる。これらのパターニング処理は、マスクであるフォトレジストパターンを形成することから始まる。
フォトレジストパターンには種々の構造のものがあるが、近年、断面形状を逆台形形状又はＴ字形状とした２層レジストパターンが注目されている。
特許文献１には、下層の現像液に対する溶解度を利用してパターニングする２層レジストパターンの形成方法の一例として、下層にポリメチルグルタルイミド（ＰＭＧＩ）層を用いたものが記載されている。
しかしながら、ＰＭＧＩは粘度の高いものを作成することができないので厚いレジストパターンを形成することができない。即ち、ＰＭＧＩ層を下層として２層レジストパターンを形成した場合、その厚さは最大で３μｍ未満である。従って、この２層レジストパターンをマスクとしてリフトオフ法によって薄膜を形成した場合、膜厚の大きい薄膜を形成することが不可能であった。
また、下層のパターニングをその樹脂の上層レジスト用現像液に対する溶解速度を利用して行っているので、２層レジストパターンとしての断面形状を精度良く制御することが非常に困難であった。
さらに、下層にノボラック樹脂やナフトキノンジアジド（以下、ＮＱＤと称する）ノボラックレジスト材料を用いた場合、上層レジストを塗布する際に下層との界面でインターミキシングを起こしてしまい、良好な形状のレジストパターンを得ることができなかった。なお、インターミキシングを起こさなくなるまで下層を熱処理すると、下層の感光性が失われてしまい、断面がＴ字形状した２層レジストパターンを得ることができない。
従って、本発明の目的は、より膜厚の大きなレジストパターンを提供すること、このようなレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、精度の高い断面形状を有するレジストパターン、断面形状を精度良く制御可能なレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、上側レジスト層と下側レジスト層との界面でインターミキシングが起きず、従って良好な形状を有するレジストパターン、このレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
本発明によれば、下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、下側レジストパターン及び上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法であって、
基板上に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料からなる下側レジスト層を積層した後、
この下側レジスト層の表面にセパレータ層を形成し、下側レジスト層を所定のパターンに露光し、露光した下側レジスト層上に上側レジスト層を積層した後、上側レジスト層を所定のパターンに露光し、次いで現像し、セパレータ層の一部を除去することにより、下側レジストパターン、セパレータパターン及び上側レジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法が提供される。
また、本発明によれば、さらに、下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、下側レジストパターン及び上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法であって、
基板上に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料からなる下側レジスト層と、露光光に対して透明なセパレータ層と、下側レジスト層より感度の低い上側レジスト層とを積層した後、
この下側レジスト層及びこの上側レジスト層を互いに異なる所定のパターンで２段露光し、次いで現像し、セパレータ層の一部を除去することにより、下側レジストパターン、セパレータパターン及び上側レジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法が提供される。
さらに、これらの形成方法により形成したレジストパターンを用いて薄膜をリフトオフ法により形成した後、レジストパターンを除去する薄膜のパターニング方法、及びこのパターニング方法により、薄膜パターンを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
基板上に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料からなる下側レジスト層を積層した後、
この下側レジスト層の表面にセパレータ層を形成し、下側レジスト層を所定のパターンに露光し、露光した下側レジスト層上に上側レジスト層を積層した後、上側レジスト層を所定のパターンに露光し、次いで現像し、セパレータ層の一部を除去することにより、下側レジストパターン、セパレータパターン及び上側レジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法が提供される。
また、本発明によれば、さらに、下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、下側レジストパターン及び上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法であって、
基板上に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料からなる下側レジスト層と、露光光に対して透明なセパレータ層と、下側レジスト層より感度の低い上側レジスト層とを積層した後、
この下側レジスト層及びこの上側レジスト層を互いに異なる所定のパターンで２段露光し、次いで現像し、セパレータ層の一部を除去することにより、下側レジストパターン、セパレータパターン及び上側レジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法が提供される。
さらに、これらの形成方法により形成したレジストパターンを用いて薄膜をリフトオフ法により形成した後、レジストパターンを除去する薄膜のパターニング方法、及びこのパターニング方法により、薄膜パターンを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
下側レジストパターンにこのような材料を用いることにより、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くできる。しかも、セパレータパターンが設けられているので、上側レジストパターンとの界面でインターミキシングが生じないので良好な形状のレジストパターンを得ることができる。従って、比較的厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
また、このように、下側レジストパターン及び上側レジストパターンを露光で形成することにより、レジストパターンの断面形状を任意の形状に精度良く制御可能となる。
セパレータパターンを有機材料で形成することが好ましい。この場合、下側レジストパターンを一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料又は疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料で形成し、セパレータパターンを、アルカリ環境下における一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料又は疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料のアゾ結合層で形成することがより好ましい。また、セパレータパターンを、炭素又はダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）で形成することもより好ましい。さらに、セパレータパターンを、水溶性樹脂層又はシリル化層で形成することもより好ましい。
本発明によれば、さらにまた、下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、下側レジストパターン及び上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法であって、下側レジストパターンを、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成し、セパレータパターンを、熱変質層で形成するレジストパターンの形成方法が提供される。
また、本発明によれば、さらにまた、下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、下側レジストパターン及び上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法であって、
基板上に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料からなる下側レジスト層を積層した後、
この下側レジスト層を所定のパターンに露光し、露光した下側レジスト層上に、熱変質層で形成されたセパレータ層と上側レジスト層とを積層した後、上側レジスト層を所定のパターンに露光し、次いで現像し、セパレータ層の一部を除去することにより、下側レジストパターン、セパレータパターン及び上側レジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法が提供される。
さらに、これらの形成方法により形成したレジストパターンを用いて薄膜をリフトオフ法により形成した後、レジストパターンを除去する薄膜のパターニング方法、及びこのパターニング方法により、薄膜パターンを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
なお、セパレータ層を、アルカリ環境下における一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料若しくは疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料のアゾ結合層、水溶性樹脂層、シリル化層、又は熱変質層で形成した場合、その一部を、現像によって除去することによりセパレータパターンを形成することがさらに好ましい。
また、本発明によれば、さらにまた、下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、下側レジストパターン及び上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法であって、
基板上に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料からなる下側レジスト層を積層した後、
この下側レジスト層を所定のパターンに露光し、露光した下側レジスト層上に、熱変質層で形成されたセパレータ層と上側レジスト層とを積層した後、上側レジスト層を所定のパターンに露光し、次いで現像し、セパレータ層の一部を除去することにより、下側レジストパターン、セパレータパターン及び上側レジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法が提供される。
さらに、これらの形成方法により形成したレジストパターンを用いて薄膜をリフトオフ法により形成した後、レジストパターンを除去する薄膜のパターニング方法、及びこのパターニング方法により、薄膜パターンを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
なお、セパレータ層を、アルカリ環境下における一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料若しくは疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料のアゾ結合層、水溶性樹脂層、シリル化層、又は熱変質層で形成した場合、その一部を、現像によって除去することによりセパレータパターンを形成することがさらに好ましい。
セパレータ層を炭素、ＤＬＣ、又は熱変質層で形成した場合、その一部を、アッシングによって除去することによりセパレータパターンを形成することもさらに好ましい。
セパレータパターンを、無機材料で形成することも好ましい。この場合、セパレータパターンを、金属、酸化膜又は窒化膜で形成することがより好ましい。
セパレータ層を金属、酸化膜又は窒化膜で形成した場合その一部を、ミリング又はリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）によって除去することによりセパレータパターンを形成することがさらに好ましい。
セパレータ層を金属で形成した場合その一部を、ウエットエッチングによって除去することによりセパレータパターンを形成することもさらに好ましい。
上側レジストパターンが、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成されていることも好ましい。
本発明によれば、下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、下側レジストパターン及び上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法は、下側レジストパターンを、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成している。下側レジストパターンにこのような材料を用いることにより、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くできる。しかも、セパレータパターンが設けられているので、上側レジストパターンとの界面でインターミキシングが生じないので良好な形状のレジストパターンを得ることができる。従って、比較的厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
図１は本発明の第１の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜１０上に第１のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層１１を形成する。
第１のレジスト材料としては、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
なお、本明細書において、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料とは、感光基がノボラック樹脂に直接結合しているレジスト組成物であり、具体的には下記構造式（１）で示される１又は２以上の繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が１０００〜１００００であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子を、水素１原子当たり０．０３〜０．２７モルの１，２−ＮＱＤスルホニル基で置換して得たノボラック樹脂を、アルカリ可溶性樹脂及び感光剤として含有するレジスト組成物である。
また、本明細書において、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料とは、感光基がノボラック樹脂に直接結合している疎水性のレジスト組成物であり、具体的には、（Ａ）下記構造式（１）で示される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が１０００〜３００００であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子の一部を、１，２−ＮＱＤスルホニルエステル基で置換し、かつ、残りの水酸基の一部の水素原子を下記一般式（２）、（３）又は（４）で示される官能基のうちの１種又は２種以上の置換基で置換した高分子化合物、
又は、
（Ｂ）ノボラック樹脂の水酸基の水素原子を、水素１原子当たり０．０３〜０．３モルの割合で１，２−ＮＱＤスルホニルエステル基で置換し、かつ、残りの水酸基の一部の水素原子を水素１原子当たり０．０１〜０．８モルの割合で上記一般式（２）、（３）又は（４）で示される官能基のうちの１種又は２種以上の置換基で置換した（Ａ）の高分子化合物を含有するレジスト組成物である。
さらに、本明細書において、ポリヒドロキシスチレン系レジスト材料とは、例えば、下記構造式（５）（式（５）中Ｒ１〜Ｒ３は水素原子又はメチル基である。Ｒ２及びＲ３は、下記の一般式（６）（式（６）中、Ｒ４、Ｒ５はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐上のアルキル基であり、Ｒ６は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であるか、又は、Ｒ４及びＲ５、Ｒ４及びＲ６若しくはＲ５及びＲ６は環を形成していてもよい。環を形成する場合、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ独立して炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐上のアルキレン基を示す）で示される基、又は、−ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３であってもよい。ｘ、ｙはそれぞれ０以上の整数である。ｚは１以上の整数である）で示され、重量平均分子量が１００００〜２５０００である高分子化合物であるベース樹脂と酸発生剤を含有するレジスト材料を指す。酸発生剤としては、ｐ−トルエンスルホンサントリフェニルスルホニウム等があげられる。
次いで、同図（Ｂ）に示すように、マスク１２を介してこの下側レジスト層１１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
次いで、同図（Ｃ）に示すように、その上に第２のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層１３を形成する。
第２のレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
次いで、同図（Ｄ）に示すように、マスク１４を介してこの上側レジスト層１３（及び下側レジスト層１１）を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって、同図（Ｅ）に示すように下側レジストパターン１１´及び上側レジストパターン１３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン１５が得られる。
その後、同図（Ｆ）に示すように、被パターニング膜１６をスパッタリング等で成膜する。
次いで、同図（Ｇ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン１５を溶解し、被パターニング膜１６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜１６´が得られる。
一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料及び疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料は、ＮＱＤがノボラック樹脂に結合しており、ノボラックレジスト材料を構成する分子の平均分子量が一体型ではない場合に比べて大きく、耐溶剤性を有している。また、ポリヒドロキシスチレン系樹脂も耐溶剤性を有している。従って、本実施形態のように、下側レジスト層１１として、これらの材料を用いることによって、下側レジスト層１１及び上側レジスト層１３の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
また、下側レジストパターン１１´及び上側レジストパターン１３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
さらに、下側レジスト層１１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
図２は本発明の第２の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜２０上に第３のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層２１を形成する。
第３のレジスト材料としては、第１のレジスト材料と同様に、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
次いで、同図（Ｂ）に示すように、その上に第４のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層２３を形成する。
第４のレジスト材料としては、第２のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
ただし、第３のレジスト材料は第４のレジスト材料より高感度のものを用いる。
次いで、同図（Ｃ）に示すように、マスク２２を介して下側レジスト層２１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。この場合、上側レジスト層２３は低感度のため反応せず、より高感度の下側レジスト層２１のみが感光する。
次いで、同図（Ｄ）に示すように、マスク２４を介して上側レジスト層２３及び下側レジスト層２１の両方を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって、同図（Ｅ）に示すように下側レジストパターン２１´及び上側レジストパターン２３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン２５が得られる。
その後、同図（Ｆ）に示すように、被パターニング膜２６をスパッタリング等で成膜する。
次いで、同図（Ｇ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン２５を溶解し、被パターニング膜２６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜２６´が得られる。
一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料及び疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料は、ＮＱＤがノボラック樹脂に結合しており、ノボラックレジスト材料を構成する分子の平均分子量が一体型ではない場合に比べて大きく、耐溶剤性を有している。また、ポリヒドロキシスチレン系樹脂も耐溶剤性を有している。従って、本実施形態のように、下側レジスト層２１として、これらの材料を用いることによって、下側レジスト層２１及び上側レジスト層２３の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
また、下側レジストパターン２１´及び上側レジストパターン２３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
さらに、下側レジスト層２１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
図３は本発明の第３の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜３０上に第５のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層３１を形成する。
第５のレジスト材料としては、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料又は疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料を用いる。
次いで、同図（Ｂ）に示すように、下側レジスト層３１の表面をアルカリ性水溶液（例えば現像液）で処理し、未感光のＮＱＤがノボラック樹脂の一部とアゾ結合して形成された樹脂層（アルカリ環境下における一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料又は疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料のアゾ結合層）によるセパレータ層３７を形成する。
次いで、同図（Ｃ）に示すように、マスク３２を介して下側レジスト層３１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
次いで、同図（Ｄ）に示すように、その上に第６のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層３３を形成する。
第６のレジスト材料としては、第２のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
次いで、同図（Ｅ）に示すように、マスク３４を介して上側レジスト層３３（及び下側レジスト層３１）を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって、同図（Ｆ）に示すように下側レジストパターン３１´、セパレータパターン３７´及び上側レジストパターン３３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン３５が得られる。
その後、同図（Ｇ）に示すように、被パターニング膜３６をスパッタリング等で成膜する。
次いで、同図（Ｈ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン３５を溶解し、被パターニング膜３６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜３６´が得られる。
本実施形態のように、下側レジスト層３１及び上側レジスト層３３の間にセパレータ層３７を設けることにより、両レジスト層の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
また、下側レジストパターン３１´及び上側レジストパターン３３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
さらに、下側レジスト層３１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
図４は本発明の第４の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜４０上に第７のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層４１を形成する。
第７のレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
次いで、同図（Ｂ）に示すように、マスク４２を介して下側レジスト層４１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
次いで、同図（Ｃ）に示すように、その上に炭素層若しくはＤＬＣ層、例えばポリアクリル酸、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンイミン若しくはポリエチレンオキシド等の水溶性樹脂層、例えばミリング変質層等の熱変質層、ニッケル、銅若しくは金等の金属膜、アルミナ若しくは酸化シリコン等の酸化膜、又は窒化アルミニウム等の窒化膜によるセパレータ層４７を形成する。
次いで、同図（Ｄ）に示すように、そのセパレータ層４７の上に第８のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層４３を形成する。
第８のレジスト材料としては、第２のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
次いで、同図（Ｅ）に示すように、マスク４４を介して上側レジスト層４３（及び下側レジスト層４１）を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥すること、並びにアッシング、ミリング、ミリング及びアッシング、又は酸によるウエットエッチングを行うことによって、同図（Ｆ）に示すように、上側レジストパターン４３´及びセパレータパターン４７´を得る。
さらに、同図（Ｇ）に示すように、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって下側レジストパターン４１´を得、これによって、下側レジストパターン４１´、セパレータパターン４７´及び上側レジストパターン４３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン４５が得られる。セパレータ層４７が水溶性樹脂の場合には、同図（Ｆ）の現像時におけるアルカリ現像液での現像、水洗によりセパレータ層の一部が溶解するため、同図（Ｆ）の現像時に、同時に、セパレータパターン４７´の一部を溶解させ、第７のレジスト材料の現像も行うことによって、２層レジストパターン４５が得られる。
その後、同図（Ｈ）に示すように、被パターニング膜４６をスパッタリング等で成膜する。
次いで、同図（Ｉ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン４５を溶解し、被パターニング膜４６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜４６´が得られる。
本実施形態のように、下側レジスト層４１及び上側レジスト層４３の間にセパレータ層４７を設けることにより、両レジスト層の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
また、下側レジストパターン４１´及び上側レジストパターン４３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
さらに、下側レジスト層４１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
図５は本発明の第５の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜５０上に第９のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層５１を形成する。
第９のレジスト材料としては、第７のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
次いで、同図（Ｂ）に示すように、その上に露光光に対して透明な例えばアルミナ若しくは酸化シリコン等の酸化膜によるセパレータ層５７を形成する。
次いで、同図（Ｃ）に示すように、そのセパレータ層５７の上に第１０のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層５３を形成する。
第１０のレジスト材料としては、第２のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
ただし、第９のレジスト材料は第１０のレジスト材料より高感度のものを用いる。
次いで、同図（Ｄ）に示すように、マスク５２を介して下側レジスト層５１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。この場合、上側レジスト層５３は低感度のため反応せず、より高感度の下側レジスト層５１のみが感光する。
次いで、同図（Ｅ）に示すように、マスク５４を介して上側レジスト層５３及び下側レジスト層５１の両方を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥すること、並びにミリング、又はミリング及びアッシングを行うことによって、同図（Ｆ）に示すように、上側レジストパターン５３´及びセパレータパターン５７´を得る。
さらに、同図（Ｇ）に示すように、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって下側レジストパターン５１´を得、これによって、下側レジストパターン５１´、セパレータパターン５７´及び上側レジストパターン５３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン５５が得られる。
その後、同図（Ｈ）に示すように、被パターニング膜５６をスパッタリング等で成膜する。
次いで、同図（Ｉ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン５５を溶解し、被パターニング膜５６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜５６´が得られる。
本実施形態のように、下側レジスト層５１及び上側レジスト層５３の間にセパレータ層５７を設けることにより、両レジスト層の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
また、下側レジストパターン５１´及び上側レジストパターン５３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
さらに、下側レジスト層５１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
以下、実施例及び比較例により、本発明をより具体的に説明する。
比較例
セパレータ層がなく、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層がなく、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｆ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｇ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
この比較例では、この時点で下側レジスト層と上側レジスト層との界面でインターミキシングが発生し、良好な形状の２層レジストパターンが得られなかった。従って、以降の処理を中止した。プリベーク温度を１５０℃以上とすると、インターミキシングは生じなかったが、（ｄ）の露光時に下側レジスト層が感光せず、（ｇ）の現像時に下側レジスト層が現像されなかった。
実施例１
セパレータ層がなく、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層がなく、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｆ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｇ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの２層レジストパターンが得られた。この場合、上側レジストパターンの下側レジストパターン側のパターンエッジ部分が若干崩れる傾向にあった。
（ｈ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｉ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｊ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
なお、図６はこの実施例の（ｇ）で形成した２層レジストパターンの一例を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したＳＥＭ写真であり、図７はこの２層レジストパターンに厚さ５．５μｍのアルミナをスパッタリングした状態を示すＳＥＭ写真であり、図８は２層レジストパターン及びその上のアルミナをリフトオフした状態を示すＳＥＭ写真である。
実施例２
セパレータ層がなく、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層がなく、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｆ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｇ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの２層レジストパターンが得られた。この場合、上側レジストパターンの下側レジストパターン側のパターンエッジ部分が若干崩れる傾向にあった。
（ｈ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｉ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｊ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例３
セパレータ層がなく、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
セパレータ層がなく、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．
４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．
４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｆ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｇ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの２層レジストパターンが得られた。この場合、上側レジストパターンの下側レジストパターン側のパターンエッジ部分が若干崩れる傾向にあった。
（ｈ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｉ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｊ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例４
セパレータ層としてアルカリ環境下における一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層としてアルカリ環境下における一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を下側レジスト層の表面に塗布し、３分間放置後、水洗乾燥した。この処理により、下側レジスト層表面にアルカリ環境下における一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を形成した。
（ｅ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｅ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｅ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例５
セパレータ層としてアルカリ環境下における疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層としてアルカリ環境下における疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を下側レジスト層の表面に塗布し、３分間放置後、水洗乾燥した。この処理により、下側レジスト層表面にアルカリ環境下における疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を形成した。
（ｅ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｅ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｅ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例６
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）炭素を蒸着して０．００２μｍの厚さの炭素によるセパレータ層を形成した、
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
（ｉ）アッシング処理により、炭素によるセパレータ層の一部を除去した、
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例７
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）炭素を蒸着して０．００２μｍの厚さの炭素によるセパレータ層を形成した、
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
（ｉ）アッシング処理により、炭素によるセパレータ層の一部を除去した、
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例８
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）炭素を蒸着して０．００２μｍの厚さの炭素によるセパレータ層を形成した、
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
（ｉ）アッシング処理により、炭素によるセパレータ層の一部を除去した、
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例９
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．
４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．
４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）炭素を蒸着して０．００２μｍの厚さの炭素によるセパレータ層を形成した、
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
（ｉ）アッシング処理により、炭素によるセパレータ層の一部を除去した、
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例１０
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）積水化学社のポリビニルアセタール樹脂エスレックＫＷ３の１％水溶液を０．３μｍの厚さにスピンコートし、８０℃で９０秒プリベークしてセパレータ層を形成した。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例１１
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）積水化学社のポリビニルアセタール樹脂エスレックＫＷ３の１％水溶液を０．３μｍの厚さにスピンコートし、８０℃で９０秒プリベークしてセパレータ層を形成した。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例１２
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）積水化学社のポリビニルアセタール樹脂エスレックＫＷ３の１％水溶液を０．３μｍの厚さにスピンコートし、８０℃で９０秒プリベークしてセパレータ層を形成した。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例１３
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．
４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．
４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）積水化学社のポリビニルアセタール樹脂エスレックＫＷ３の１％水溶液を０．３μｍの厚さにスピンコートし、８０℃で９０秒プリベークしてセパレータ層を形成した。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例１４
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）以下の条件でミリングを行い、下側レジスト層の表面にミリング変質層によるセパレータ層を形成した、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
（ｉ）アッシング処理により、ミリング変質層の一部を除去した、
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例１５
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）以下の条件でミリングを行い、下側レジスト層の表面にミリング変質層によるセパレータ層を形成した、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
（ｉ）アッシング処理により、ミリング変質層の一部を除去した、
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例１６
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）以下の条件でミリングを行い、下側レジスト層の表面にミリング変質層によるセパレータ層を形成した、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
（ｉ）アッシング処理により、ミリング変質層の一部を除去した、
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例１７
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．
４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．
４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）以下の条件でミリングを行い、下側レジスト層の表面にミリング変質層によるセパレータ層を形成した、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
（ｉ）アッシング処理により、ミリング変質層の一部を除去した、
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例１８
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）以下の条件でスパッタリングし、０．０５μｍの厚さのＮｉを下側レジスト層上に成膜した、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：ターゲット Ｎｉ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：ターゲット Ｎｉ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
（ｉ）以下の条件でミリングを行い、Ｎｉによるセパレータ層をエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｊ）アッシング処理により、ミリング変質層を除去した、
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｋ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｋ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｌ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｍ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｎ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例１９
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）以下の条件でスパッタリングし、０．０５μｍの厚さのＮｉを下側レジスト層上に成膜した、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：ターゲット Ｎｉ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：ターゲット Ｎｉ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
（ｉ）以下の条件でミリングを行い、Ｎｉによるセパレータ層をエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｊ）アッシング処理により、ミリング変質層を除去した、
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｋ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｋ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｌ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｍ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｎ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例２０
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）以下の条件でスパッタリングし、０．０５μｍの厚さのＮｉを下側レジスト層上に成膜した、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：ターゲット Ｎｉ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：ターゲット Ｎｉ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
（ｉ）以下の条件でミリングを行い、Ｎｉによるセパレータ層をエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｊ）アッシング処理により、ミリング変質層を除去した、
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｋ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｋ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｌ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｍ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｎ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例２１
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．
４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．
４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）以下の条件でスパッタリングし、０．０５μｍの厚さのＮｉを下側レジスト層上に成膜した、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：ターゲット Ｎｉ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：ターゲット Ｎｉ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
（ｉ）以下の条件でミリングを行い、Ｎｉによるセパレータ層をエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｊ）アッシング処理により、ミリング変質層を除去した、
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｋ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
アッシング装置：Ｍａｔｒｉｘ社製 Ｓｙｓｔｅｍ１０４
アッシング条件：基板温度 ５０℃
ＲＦパワー ２００Ｗ
圧力 １．５Ｔｏｒｒ
Ｏ２ガス流量 １００ｓｃｃｍ
ＣＦ４ガス流量 １０ｓｃｃｍ
（ｋ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｌ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｍ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｎ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例１８〜２１の変更態様
セパレータ層として、Ｎｉの代わりに、同じ厚さのアルミナ又は窒化アルミニウムを用いた場合にも、これらの実施例１８〜２１と同様の結果が得られた。
セパレータ層として、Ｎｉの代わりに、同じ厚さのアルミナ又は窒化アルミニウムを用いた場合にも、これらの実施例１８〜２１と同様の結果が得られた。
実施例２２
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）以上の処理を終えた基板と、東京応化社 ＯＡＰ（成分：ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌａｚａｎ））の入った時計皿とを２３℃のステンレス製密閉容器に入れ、下側レジスト層の表面が気化したＨＭＤＳに触れるような状態で１時間保持し、下側レジスト層の表面にシリル化層を形成した、
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例２３
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）以上の処理を終えた基板と、東京応化社 ＯＡＰ（成分：ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌａｚａｎ））の入った時計皿とを２３℃のステンレス製密閉容器に入れ、下側レジスト層の表面が気化したＨＭＤＳに触れるような状態で１時間保持し、下側レジスト層の表面にシリル化層を形成した、
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例２４
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）以上の処理を終えた基板と、東京応化社 ＯＡＰ（成分：ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌａｚａｎ））の入った時計皿とを２３℃のステンレス製密閉容器に入れ、下側レジスト層の表面が気化したＨＭＤＳに触れるような状態で１時間保持し、下側レジスト層の表面にシリル化層を形成した、
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
実施例２５
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 ＮｉＦｅ
ターゲット ＮｉＦｅ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．
４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．
４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｅ）以上の処理を終えた基板と、東京応化社 ＯＡＰ（成分：ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌａｚａｎ））の入った時計皿とを２３℃のステンレス製密閉容器に入れ、下側レジスト層の表面が気化したＨＭＤＳに触れるような状態で１時間保持し、下側レジスト層の表面にシリル化層を形成した、
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、
λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方
向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ２
フォーカス：０μｍ。
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
ミリング装置：コモンウェルス社製 ８Ｃ
ミリング条件：パワー ５００Ｗ、５００ｍＡ
ガス圧力 ３ｍＴｏｒｒ
角度 １０°。
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
スパッタ装置：日電アネルバ社製 ＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ）
スパッタ条件：スパッタ膜 Ａｕ
ターゲット Ａｕ
パワー １０００Ｗ
Ａｒ流量 ５０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
以上述べた実施形態及び実施例は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
１０、２０、３０、４０、５０ 基板
１１、２１、３１、４１、５１ 下側レジスト層
１１´、２１´、３１´、４１´、５１´ 下側レジストパターン
１２、１４、２２、２４、３２、３４、４２、４４、５２、５４ マスク
１３、２３、３３、４３、５３ 上側レジスト層
１３´、２３´、３３´、４３´、５３´ 上側レジストパターン
１５、２５、３５、４５、５５ ２層レジストパターン
１６、２６、３６、４６、５６ 被パターニング膜
１６´、２６´、３６´、４６´、５６´ パターニングされた薄膜
３７、４７、５７ セパレータ層
３７´、４７´、５７´ セパレータパターン
１１、２１、３１、４１、５１ 下側レジスト層
１１´、２１´、３１´、４１´、５１´ 下側レジストパターン
１２、１４、２２、２４、３２、３４、４２、４４、５２、５４ マスク
１３、２３、３３、４３、５３ 上側レジスト層
１３´、２３´、３３´、４３´、５３´ 上側レジストパターン
１５、２５、３５、４５、５５ ２層レジストパターン
１６、２６、３６、４６、５６ 被パターニング膜
１６´、２６´、３６´、４６´、５６´ パターニングされた薄膜
３７、４７、５７ セパレータ層
３７´、４７´、５７´ セパレータパターン
Claims (13)
- 下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、該下側レジストパターン及び該上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法であって、
基板上に、ポジ型レジスト材料、ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、疎水性一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料からなる下側レジスト層を積層した後、
前記下側レジスト層の表面にセパレータ層を形成し、該下側レジスト層を所定のパターンに露光し、該露光した下側レジスト層上に上側レジスト層を積層した後、該上側レジスト層を所定のパターンに露光し、次いで現像し、該セパレータ層の一部を除去することにより、前記下側レジストパターン、前記セパレータパターン及び前記上側レジストパターンを形成することを特徴とする特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、該下側レジストパターン及び該上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法であって、
基板上に、ポジ型レジスト材料、ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、疎水性一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料からなる下側レジスト層と、露光光に対して透明なセパレータ層と、該下側レジスト層より感度の低い上側レジスト層とを積層した後、
前記下側レジスト層及び前記上側レジスト層を互いに異なる所定のパターンで２段露光し、次いで現像し、前記セパレータ層の一部を除去することにより、前記下側レジストパターン、前記セパレータパターン及び前記上側レジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 前記下側レジストパターンを、一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料又は疎水性一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料で形成し、前記セパレータパターンを、アルカリ環境下における一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料又は疎水性一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料のアゾ結合層で形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
- 前記セパレータ層の一部を、現像によって除去することにより前記セパレータパターンを形成することを特徴とする請求項３に記載の方法。
- 前記セパレータパターンを、酸化膜又は窒化膜で形成することを特徴とする請求項２に記載の方法。
- 前記セパレータ層の一部を、ミリング又はリアクティブイオンエッチングによって除去することにより前記セパレータパターンを形成することを特徴とする請求項５に記載の方法。
- 下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、該下側レジストパターン及び該上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法であって、該下側レジストパターンを、ポジ型レジスト材料、ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、疎水性一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成し、該セパレータパターンを、熱変質層で形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
- 下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、該下側レジストパターン及び該上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法であって、
基板上に、ポジ型レジスト材料、ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、疎水性一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料からなる下側レジスト層を積層した後、
前記下側レジスト層を所定のパターンに露光し、該露光した下側レジスト層の表面に、熱変質層からなるセパレータ層を形成し、該セパレータ層上に上側レジスト層を積層した後、該上側レジスト層を所定のパターンに露光し、次いで現像し、該セパレータ層の一部を除去することにより、前記下側レジストパターン、前記セパレータパターン及び前記上側レジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 前記セパレータ層の一部を、現像によって除去することにより前記セパレータパターンを形成することを特徴とする請求項７又は８に記載の方法。
- 前記セパレータ層の一部を、アッシングによって除去することにより前記セパレータパターンを形成することを特徴とする請求項７又は８に記載の方法。
- 前記上側レジストパターンを、ポジ型レジスト材料、ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、疎水性一体型ナフトキノンジアジドノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成することを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
- 請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法により形成した、レジストパターンを用いて被パターニング膜のパターニングを行った後、該レジストパターンを除去することを特徴とする薄膜のパターニング方法。
- 請求項１２に記載のパターニング方法により、薄膜パターンを形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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