JPS5842231A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPS5842231A JPS5842231A JP14024681A JP14024681A JPS5842231A JP S5842231 A JPS5842231 A JP S5842231A JP 14024681 A JP14024681 A JP 14024681A JP 14024681 A JP14024681 A JP 14024681A JP S5842231 A JPS5842231 A JP S5842231A
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- polysilicon layer
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板の上に設けた上下２層の被エツチング層の
エツチングを行なうために、２層のレジストΔターンを
精度よく形成する。微細ノリーン形成方法に関する。
エツチングを行なうために、２層のレジストΔターンを
精度よく形成する。微細ノリーン形成方法に関する。
一般Ｋ、レジスト／ｌターンの形成方法は、レジストを
スピンコードシ、これを！リペークしてレジストから溶
剤を蒸発させて固形化し、紫外線などで露光して潜像を
形成し、現像液でノリーンを形成し、さらＫｌｆストベ
ーキングによって強化し、かつ、基板との密着性を高め
る。
スピンコードシ、これを！リペークしてレジストから溶
剤を蒸発させて固形化し、紫外線などで露光して潜像を
形成し、現像液でノリーンを形成し、さらＫｌｆストベ
ーキングによって強化し、かつ、基板との密着性を高め
る。
さて上下２層の被エツチング層のエツチングを行なうに
は２層のレジストを必要とすゐ場合があム上層のエツチ
ングを行なう第１のレジスト／ｌターンに特別の処理を
施さないで、この上に第２のレジストをス／ｙ＝ｒ−）
すると、第１のレジストがこれに溶解し、次に第２の露
光に感光し、さらＫｌｌ像液および洗浄液に溶解する。
は２層のレジストを必要とすゐ場合があム上層のエツチ
ングを行なう第１のレジスト／ｌターンに特別の処理を
施さないで、この上に第２のレジストをス／ｙ＝ｒ−）
すると、第１のレジストがこれに溶解し、次に第２の露
光に感光し、さらＫｌｌ像液および洗浄液に溶解する。
このように第１のレジストノターンが変化すると、第２
層のΔターン形成が乱れる。これを防止するＫａ、露光
および溶剤に対する第１のレジストツクターンの抵抗を
強化すればよい、たとえばダストペーキンダの温度を高
めることが１つの方法であるが、レジストが丸く変形し
て、第２のエツチングの精度を低下させるので、通常は
４ストベーキングの温度を変形温度以下としている。従
って、下層のノ４ターンを形成する場合に上記欠点を免
れない。
層のΔターン形成が乱れる。これを防止するＫａ、露光
および溶剤に対する第１のレジストツクターンの抵抗を
強化すればよい、たとえばダストペーキンダの温度を高
めることが１つの方法であるが、レジストが丸く変形し
て、第２のエツチングの精度を低下させるので、通常は
４ストベーキングの温度を変形温度以下としている。従
って、下層のノ４ターンを形成する場合に上記欠点を免
れない。
本発明の目的は上記欠点を解消することである。
本発明の上記目的は、上下２層の被エツチング層の上に
、常法によって？ジレジストをメビンコートシ、ノリベ
ーキング、露光、現像、洗浄および４ストベーキングを
行なって第１のレジスト−ターンを形成し、このパター
ンによつて上層のエツチングを行なう先後に、このＩジ
レジストが、次に使用する第２のレジストならびにその
現像液および洗浄液に対して不溶性とな夛、かつ、その
露光に対する感光性を失う温度であって、しか龜形成さ
れ要路１のノやターンが流れない温度において第３ベー
キングを行ない、次に第２のレジストを使用して、常法
によって第２のレジスト／クターンを形成し、このパタ
ーンによって下層のエツチングを行なうことを特徴とす
る微ａＩ４ターン形成方法によつて達成することができ
る。
、常法によって？ジレジストをメビンコートシ、ノリベ
ーキング、露光、現像、洗浄および４ストベーキングを
行なって第１のレジスト−ターンを形成し、このパター
ンによつて上層のエツチングを行なう先後に、このＩジ
レジストが、次に使用する第２のレジストならびにその
現像液および洗浄液に対して不溶性とな夛、かつ、その
露光に対する感光性を失う温度であって、しか龜形成さ
れ要路１のノやターンが流れない温度において第３ベー
キングを行ない、次に第２のレジストを使用して、常法
によって第２のレジスト／クターンを形成し、このパタ
ーンによって下層のエツチングを行なうことを特徴とす
る微ａＩ４ターン形成方法によつて達成することができ
る。
本発明で使用する第２のレジストは／ジでもネガでもよ
い、 本発明Ｏ特徴は、従来の４ストベーキングによって鋭い
新聞を有する第１のレジストノ母ターンを形成し、これ
Ｋよって精度の高い第１のエツチングを行ない、次に通
常の４ストベ一キング温度よシ高いが、すでに形成され
要路１のレジストノ母ターンが流れない程度の温度で、
第３ベーキングを行うことくよって、第１０レジストパ
ターンを熱重合によって強化し、この上に第２のレゾス
トを常法によってスピンコードし、グリベーキング、露
光、現像、洗浄を行なっても第２のツヤターンが乱れな
い。従って微細な２層ノリーンを形成することができる
。
い、 本発明Ｏ特徴は、従来の４ストベーキングによって鋭い
新聞を有する第１のレジストノ母ターンを形成し、これ
Ｋよって精度の高い第１のエツチングを行ない、次に通
常の４ストベ一キング温度よシ高いが、すでに形成され
要路１のレジストノ母ターンが流れない程度の温度で、
第３ベーキングを行うことくよって、第１０レジストパ
ターンを熱重合によって強化し、この上に第２のレゾス
トを常法によってスピンコードし、グリベーキング、露
光、現像、洗浄を行なっても第２のツヤターンが乱れな
い。従って微細な２層ノリーンを形成することができる
。
次に実施例によって本発明の詳細な説明する。
シリコン基板の上に厚み０．１！！Ｊ１ｍのポリシリコ
ン層を■法によって沈着させ、その表面を酸化して厚与
０．１ ｓｍの酸化膜を形成し、さらに厚み０．５−の
ぼりシリコン層を沈着させえ、／ジレジストは東京応化
工業課０ＦＰＲ＄８００を５０００ｒ−でスピンコード
して厚み約１０ａｍとし、温度８５℃で２０分グリベー
クし、波長４３６ｍｍの紫外光で露光して潜像を形成し
、や東京応化工業襞間−＃で現偉し、水洗の後に温度１
３０℃で２０分メスストークした。以上は通常の処理で
ある。こうして形成し九デジツヤターンによって、Ｏ倉
Ｓ％を含むＣＦａでグラｊｅ−ｖエツチングして、上層
の４リシリコン層のＩリーンを形成した。
ン層を■法によって沈着させ、その表面を酸化して厚与
０．１ ｓｍの酸化膜を形成し、さらに厚み０．５−の
ぼりシリコン層を沈着させえ、／ジレジストは東京応化
工業課０ＦＰＲ＄８００を５０００ｒ−でスピンコード
して厚み約１０ａｍとし、温度８５℃で２０分グリベー
クし、波長４３６ｍｍの紫外光で露光して潜像を形成し
、や東京応化工業襞間−＃で現偉し、水洗の後に温度１
３０℃で２０分メスストークした。以上は通常の処理で
ある。こうして形成し九デジツヤターンによって、Ｏ倉
Ｓ％を含むＣＦａでグラｊｅ−ｖエツチングして、上層
の４リシリコン層のＩリーンを形成した。
次に本発明に従って、温度１７０℃で３０分第３ベーキ
ングを行なって、すでに形成した／ジノ臂ターンを熱重
合により強化し丸後に、通常の方法でネｆ／中ターンを
形成した。すなわち、東京応化工業［ＯＭＲ−８３１？
ｒｅｐを５００Ｏｒｐｍでスピンコードして厚み８００
０Ａとし、温−８０℃でオリベークし、波長３６５１１
１１の紫外光で露光して潜像を形成し、東京応化工業課
ＯＭＢ Ｍ漬液で、＊儂し、東京応化工業製酢酸ブチル
系ＯＭＲりンス液で洗浄し、温度１４０℃で２０分Ｉス
トベークしてネｆレジストノターンを形成した。？：、
の）臂ターンによって、まず７ツ酸系エツチング液で酸
化膜をエツチングし、次ＫＯｓ５９６を含むＣＦ４プラ
ズマエツチングによって下層のぼりシリコン層をエツチ
ングした。
ングを行なって、すでに形成した／ジノ臂ターンを熱重
合により強化し丸後に、通常の方法でネｆ／中ターンを
形成した。すなわち、東京応化工業［ＯＭＲ−８３１？
ｒｅｐを５００Ｏｒｐｍでスピンコードして厚み８００
０Ａとし、温−８０℃でオリベークし、波長３６５１１
１１の紫外光で露光して潜像を形成し、東京応化工業課
ＯＭＢ Ｍ漬液で、＊儂し、東京応化工業製酢酸ブチル
系ＯＭＲりンス液で洗浄し、温度１４０℃で２０分Ｉス
トベークしてネｆレジストノターンを形成した。？：、
の）臂ターンによって、まず７ツ酸系エツチング液で酸
化膜をエツチングし、次ＫＯｓ５９６を含むＣＦ４プラ
ズマエツチングによって下層のぼりシリコン層をエツチ
ングした。
これＫよって上下２層とも精度の高いツクターンを形成
する仁とができた。
する仁とができた。
この例では第２のレジストとしてネガレジストを使用し
たが、前述のように／ジレジストを使用することもでき
る。
たが、前述のように／ジレジストを使用することもでき
る。
特許出願人
富士通株式会社
特許出願代理人
弁理士 宵 木 朗
弁理士西舘和之
弁理士内田幸男
弁理士 山 口 昭 之
手続補正書
昭和５７年 ７月２７日
特許庁長官若杉和夫殿
１、事件の表示
昭和５６年 特許願 第１４０，２４６号２、発明の
名称 微細パターン形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （５２２）冨士通株式会社 ４、代理人 ５、補正の対象 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」の欄６、補正
の内容 （１） 明細書第５頁第１４行、「８５ｃｐＪ をｒ
（３５ｃｐ）Ｊと訂正する。
名称 微細パターン形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （５２２）冨士通株式会社 ４、代理人 ５、補正の対象 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」の欄６、補正
の内容 （１） 明細書第５頁第１４行、「８５ｃｐＪ をｒ
（３５ｃｐ）Ｊと訂正する。
Claims (1)
- １、上下２層の被エツチング層の上Ｋ、常法によって／
ゾレジストをスピンコードし、グリベーキング、露光、
現像、洗浄および４ストベ一キングヲ行なって第１のレ
ジストＩリーンを形成し、この／ぐターンによって上層
のエツチングを行なう先後に、このＩジレジストが、次
に使用する第２のレゾストならびにその現像１１！訃よ
び洗浄液に対して不溶性となり、かつその露光に対する
感光性を失う温度であって、しかも形成された第１ｏパ
ターンが流れない温度において第３ペーキンダを行ない
１次に第２のレジストを使用して、常法によって第２の
レジストノぐターンを形成し、とＯΔターンによって下
層のエツチングを行なうことを特徴とする微細ノリーン
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14024681A JPS5842231A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14024681A JPS5842231A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842231A true JPS5842231A (ja) | 1983-03-11 |
| JPH03770B2 JPH03770B2 (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=15264308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14024681A Granted JPS5842231A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842231A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4790209A (en) * | 1985-08-29 | 1988-12-13 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Impact energy absorbing steering wheel |
| US4829848A (en) * | 1985-01-22 | 1989-05-16 | Kabushiki Kaisha Tokai-Rika-Denki-Seisakusho | Energy absorbing apparatus for steering wheel |
| US4920821A (en) * | 1985-01-22 | 1990-05-01 | Kabushiki Kaishma Tokai-Rika-Denki-Seisakusho | Steering wheel for vehicle |
| JPH0430799U (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-12 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4911577A (ja) * | 1972-06-01 | 1974-02-01 | ||
| JPS50154066A (ja) * | 1974-05-31 | 1975-12-11 | ||
| JPS54146966A (en) * | 1978-05-10 | 1979-11-16 | Nec Corp | Pattern forming method |
-
1981
- 1981-09-08 JP JP14024681A patent/JPS5842231A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4911577A (ja) * | 1972-06-01 | 1974-02-01 | ||
| JPS50154066A (ja) * | 1974-05-31 | 1975-12-11 | ||
| JPS54146966A (en) * | 1978-05-10 | 1979-11-16 | Nec Corp | Pattern forming method |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4829848A (en) * | 1985-01-22 | 1989-05-16 | Kabushiki Kaisha Tokai-Rika-Denki-Seisakusho | Energy absorbing apparatus for steering wheel |
| US4920821A (en) * | 1985-01-22 | 1990-05-01 | Kabushiki Kaishma Tokai-Rika-Denki-Seisakusho | Steering wheel for vehicle |
| US4790209A (en) * | 1985-08-29 | 1988-12-13 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Impact energy absorbing steering wheel |
| JPH0430799U (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03770B2 (ja) | 1991-01-08 |
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