JPH0836254A - マスクの製造方法 - Google Patents
マスクの製造方法Info
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- JPH0836254A JPH0836254A JP17051894A JP17051894A JPH0836254A JP H0836254 A JPH0836254 A JP H0836254A JP 17051894 A JP17051894 A JP 17051894A JP 17051894 A JP17051894 A JP 17051894A JP H0836254 A JPH0836254 A JP H0836254A
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- Japan
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- film
- etched
- dry etching
- photosensitive resist
- resist
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反転したレジストパターンを形成する際、設
計データから反転処理して新たな別の露光データを作成
することなく、露光処理を短時間で行うことができ、し
かも、均一な精度でレジストパターンを形成することが
できる。 【構成】 被エッチング膜２上に感光性レジスト３を塗
布する工程と、次いで、該感光性レジスト３を露光、現
像処理してパターニングする工程と、次いで、全面にド
ライエッチング耐性を有する耐ドライエッチング薄膜４
を形成する工程と、次いで、該感光性レジスト３を除去
する工程と、次いで、耐ドライエッチング薄膜４をマス
クとして該被エッチング膜２をドライエッチングする工
程とを含む。
計データから反転処理して新たな別の露光データを作成
することなく、露光処理を短時間で行うことができ、し
かも、均一な精度でレジストパターンを形成することが
できる。 【構成】 被エッチング膜２上に感光性レジスト３を塗
布する工程と、次いで、該感光性レジスト３を露光、現
像処理してパターニングする工程と、次いで、全面にド
ライエッチング耐性を有する耐ドライエッチング薄膜４
を形成する工程と、次いで、該感光性レジスト３を除去
する工程と、次いで、耐ドライエッチング薄膜４をマス
クとして該被エッチング膜２をドライエッチングする工
程とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マスクの製造方法に係
り、詳しくは、ドライエッチングによりパターンを形成
する技術に適用することができ、特に、反転したレジス
トパターンを形成する際、設計データから反転処理して
新たな別の露光データを作成することなく、露光処理を
短時間で行うことができ、しかも、均一な精度でレジス
トパターンを形成することができるマスクの製造方法に
関する。
り、詳しくは、ドライエッチングによりパターンを形成
する技術に適用することができ、特に、反転したレジス
トパターンを形成する際、設計データから反転処理して
新たな別の露光データを作成することなく、露光処理を
短時間で行うことができ、しかも、均一な精度でレジス
トパターンを形成することができるマスクの製造方法に
関する。
【０００２】ドライエッチングは、一般に被エッチング
膜上に感光性レジストを塗布し、露光、現像を行った
後、残ったレジストをマスクとして、現像後、露出した
下地の被エッチング膜部分をエッチングすることによ
り、パターンを形成している。特に、レチクルやマスク
のパターンを作製する場合は、露光時間を短縮するため
に、ポジタイプとネガタイプの２種類の感光剤を使用し
てパターン毎に露光する面積が少なくて済むタイプを選
択し、パターン形成を行っている。
膜上に感光性レジストを塗布し、露光、現像を行った
後、残ったレジストをマスクとして、現像後、露出した
下地の被エッチング膜部分をエッチングすることによ
り、パターンを形成している。特に、レチクルやマスク
のパターンを作製する場合は、露光時間を短縮するため
に、ポジタイプとネガタイプの２種類の感光剤を使用し
てパターン毎に露光する面積が少なくて済むタイプを選
択し、パターン形成を行っている。
【０００３】この時、感光剤や、その処理工程の問題で
一方の感光剤しか使用することができないような場合
は、露光するためのデータのイメージを反転させ、一方
の感光剤で作製する方法が有るが、この方法で行うと、
露光データの反転処理を行うデータの再作製が必要とな
り、露光時間が増加するという問題が生じる。そこで、
露光データの反転処理を行わないで反転したパターンを
容易に形成することができるマスクの製造方法が要求さ
れている。
一方の感光剤しか使用することができないような場合
は、露光するためのデータのイメージを反転させ、一方
の感光剤で作製する方法が有るが、この方法で行うと、
露光データの反転処理を行うデータの再作製が必要とな
り、露光時間が増加するという問題が生じる。そこで、
露光データの反転処理を行わないで反転したパターンを
容易に形成することができるマスクの製造方法が要求さ
れている。
【０００４】
【従来の技術】図５は従来のマスクの製造方法を示す図
である。図示例は、ネガ型マスクの製造方法を例示して
いる。従来では、図５（ａ）に示す設計データ１００１
に対して、図５（ｂ）に示す如く、露光データ１００２
を作成し、この露光データ１００２に基づいてレジスト
を露光し現像して図５（ｃ）に示す如く、レジストパタ
ーン１００３を形成している。ここでは、レジストがネ
ガ型であるので、図５（ｂ）、（ｃ）に示す如く、露光
した斜線部分は、現像液で除去されずに残る。
である。図示例は、ネガ型マスクの製造方法を例示して
いる。従来では、図５（ａ）に示す設計データ１００１
に対して、図５（ｂ）に示す如く、露光データ１００２
を作成し、この露光データ１００２に基づいてレジスト
を露光し現像して図５（ｃ）に示す如く、レジストパタ
ーン１００３を形成している。ここでは、レジストがネ
ガ型であるので、図５（ｂ）、（ｃ）に示す如く、露光
した斜線部分は、現像液で除去されずに残る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のマスク
の製造方法では、特に、レチクルやマスクのパターンを
形成する場合は、図５（ｃ）のレジストパターン１００
３に対して、図６（ｂ）に示す如く、反転したレジスト
パターン１００３ａを形成しなければならない。このよ
うな、反転したレジストパターン１００３ａを形成する
際は、図５（ａ）に示す設計データ１００１から図６
（ａ）に示す如く、一々設計データ１００１から反転処
理して新たな別の露光データ１００２ａを作成しなけれ
ばならないため、その分露光処理時間が増加するという
問題があった。
の製造方法では、特に、レチクルやマスクのパターンを
形成する場合は、図５（ｃ）のレジストパターン１００
３に対して、図６（ｂ）に示す如く、反転したレジスト
パターン１００３ａを形成しなければならない。このよ
うな、反転したレジストパターン１００３ａを形成する
際は、図５（ａ）に示す設計データ１００１から図６
（ａ）に示す如く、一々設計データ１００１から反転処
理して新たな別の露光データ１００２ａを作成しなけれ
ばならないため、その分露光処理時間が増加するという
問題があった。
【０００６】そこで、ポジ型とネガ型のレジストを用い
て露光、現像すれば、一々設計データ１００１から反転
処理して新たな別の反転パターン形成用の露光データ１
００２ａを作成しないで、ネガ型レジストパターン１０
０３形成用の露光データ１００２を用いて、ポジ型レジ
ストで露光、現像処理することにより、レジストパター
ン１００３に対して反転したレジストパターン１００３
ａを形成することができる。
て露光、現像すれば、一々設計データ１００１から反転
処理して新たな別の反転パターン形成用の露光データ１
００２ａを作成しないで、ネガ型レジストパターン１０
０３形成用の露光データ１００２を用いて、ポジ型レジ
ストで露光、現像処理することにより、レジストパター
ン１００３に対して反転したレジストパターン１００３
ａを形成することができる。
【０００７】しかしながら、この方法では、ポジ型レジ
ストとネガ型レジストは、解像性等の性能が同じであれ
ば、均一な精度でレジストパターンを形成することがで
き問題がないが、現状のところ、ポジ型レジストとネガ
型レジストは、性能が異なる場合が多く、一般にポジ型
レジストの方がネガ型レジストよりも性能が優れてい
る。このため、上記の如く、ポジ型とネガ型のレジスト
を用いて露光、現像すると、均一な精度でレジストパタ
ーンを形成することが困難であるという問題があった。
ストとネガ型レジストは、解像性等の性能が同じであれ
ば、均一な精度でレジストパターンを形成することがで
き問題がないが、現状のところ、ポジ型レジストとネガ
型レジストは、性能が異なる場合が多く、一般にポジ型
レジストの方がネガ型レジストよりも性能が優れてい
る。このため、上記の如く、ポジ型とネガ型のレジスト
を用いて露光、現像すると、均一な精度でレジストパタ
ーンを形成することが困難であるという問題があった。
【０００８】そこで、本発明は、反転したレジストパタ
ーンを形成する際、設計データから反転処理して新たな
別の露光データを作成することなく、露光処理を短時間
で行うことができ、しかも、均一な精度でレジストパタ
ーンを形成することができるマスクの製造方法を提供す
ることを目的としている。
ーンを形成する際、設計データから反転処理して新たな
別の露光データを作成することなく、露光処理を短時間
で行うことができ、しかも、均一な精度でレジストパタ
ーンを形成することができるマスクの製造方法を提供す
ることを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
被エッチング膜上に感光性レジストを塗布する工程と、
次いで、該感光性レジストを露光、現像処理してパター
ニングする工程と、次いで、全面にドライエッチング耐
性を有する耐ドライエッチング薄膜を形成する工程と、
次いで、該感光性レジストを除去する工程と、次いで、
耐ドライエッチング薄膜をマスクとして該被エッチング
膜をドライエッチングする工程とを含むことを特徴とす
るものである。
被エッチング膜上に感光性レジストを塗布する工程と、
次いで、該感光性レジストを露光、現像処理してパター
ニングする工程と、次いで、全面にドライエッチング耐
性を有する耐ドライエッチング薄膜を形成する工程と、
次いで、該感光性レジストを除去する工程と、次いで、
耐ドライエッチング薄膜をマスクとして該被エッチング
膜をドライエッチングする工程とを含むことを特徴とす
るものである。
【００１０】請求項２記載の発明は、被エッチング膜上
に感光性レジストを塗布する工程と、次いで、該感光性
レジストを露光、現像処理してパターニングするととも
に、該被エッチング膜を露出させる工程と、次いで、該
感光性レジストをマスクとして露出した該被エッチング
膜表面を酸素を含むプラズマ雰囲気で処理して、該被エ
ッチング膜表面にドライエッチング耐性を有する耐ドラ
イエッチング変質膜を形成する工程と、次いで、該感光
性レジストを除去する工程と、次いで、該耐ドライエッ
チング変質膜をマスクとして該被エッチング膜をドライ
エッチングする工程とを含むことを特徴とするものであ
る。
に感光性レジストを塗布する工程と、次いで、該感光性
レジストを露光、現像処理してパターニングするととも
に、該被エッチング膜を露出させる工程と、次いで、該
感光性レジストをマスクとして露出した該被エッチング
膜表面を酸素を含むプラズマ雰囲気で処理して、該被エ
ッチング膜表面にドライエッチング耐性を有する耐ドラ
イエッチング変質膜を形成する工程と、次いで、該感光
性レジストを除去する工程と、次いで、該耐ドライエッ
チング変質膜をマスクとして該被エッチング膜をドライ
エッチングする工程とを含むことを特徴とするものであ
る。
【００１１】請求項３記載の発明は、被エッチング膜上
に感光性レジストを塗布する工程と、次いで、該感光性
レジストを露光、現像処理してパターニングするととも
に、該被エッチング膜を露出させる工程と、次いで、露
出した該被エッチング膜表面及び該感光性レジストを酸
素を含むプラズマ雰囲気で処理して、該被エッチング膜
表面にドライエッチング耐性を有する耐ドライエッチン
グ変質膜を形成するとともに、該感光性レジストを除去
する工程と、次いで、該耐ドライエッチング変質膜をマ
スクとして該被エッチング膜をドライエッチングする工
程とを含むことを特徴とするものである。
に感光性レジストを塗布する工程と、次いで、該感光性
レジストを露光、現像処理してパターニングするととも
に、該被エッチング膜を露出させる工程と、次いで、露
出した該被エッチング膜表面及び該感光性レジストを酸
素を含むプラズマ雰囲気で処理して、該被エッチング膜
表面にドライエッチング耐性を有する耐ドライエッチン
グ変質膜を形成するとともに、該感光性レジストを除去
する工程と、次いで、該耐ドライエッチング変質膜をマ
スクとして該被エッチング膜をドライエッチングする工
程とを含むことを特徴とするものである。
【００１２】
【作用】本発明では、後述する実施例１の図１，２に示
す如く、反転したい領域の現像後の感光性レジスト３パ
ターンを覆うように耐ドライエッチング薄膜４を形成
し、感光性レジスト３を除去してドライエッチングした
い領域の被エッチング膜２部分を露出させるとともに、
この露出領域以外の被エッチング膜２上に耐ドライエッ
チング薄膜４部分を残し、この残した耐ドライエッチン
グ薄膜４部分をマスクして露出した被エッチング膜２部
分をドライエッチングするように構成している。
す如く、反転したい領域の現像後の感光性レジスト３パ
ターンを覆うように耐ドライエッチング薄膜４を形成
し、感光性レジスト３を除去してドライエッチングした
い領域の被エッチング膜２部分を露出させるとともに、
この露出領域以外の被エッチング膜２上に耐ドライエッ
チング薄膜４部分を残し、この残した耐ドライエッチン
グ薄膜４部分をマスクして露出した被エッチング膜２部
分をドライエッチングするように構成している。
【００１３】このため、現像後の感光性レジスト３パタ
ーンを用いて、反転した耐ドライエッチング薄膜４のパ
ターンを形成することができるので、従来の設計データ
から反転処理して露光データを得る場合よりも露光処理
を短時間で行うことができる。従って、図１（ｃ）のＣ
ｒ被エッチング膜２のパターンに対して反転した図２
（ｄ）に示すようなＣｒ被エッチング膜２のパターンを
短時間に、かつ容易に、しかも精度良く均一に形成する
ことができる。しかも、単一のポジ型の感光性レジスト
３を用いてＣｒ被エッチング膜２の反転パターンを形成
することができるため、従来のポジ、ネガ両方のレジス
トを用いる場合よりも均一な精度で形成することができ
る。
ーンを用いて、反転した耐ドライエッチング薄膜４のパ
ターンを形成することができるので、従来の設計データ
から反転処理して露光データを得る場合よりも露光処理
を短時間で行うことができる。従って、図１（ｃ）のＣ
ｒ被エッチング膜２のパターンに対して反転した図２
（ｄ）に示すようなＣｒ被エッチング膜２のパターンを
短時間に、かつ容易に、しかも精度良く均一に形成する
ことができる。しかも、単一のポジ型の感光性レジスト
３を用いてＣｒ被エッチング膜２の反転パターンを形成
することができるため、従来のポジ、ネガ両方のレジス
トを用いる場合よりも均一な精度で形成することができ
る。
【００１４】本発明では、後述する実施例２の図３に示
す如く、反転したい領域の感光性レジスト３パターンを
マスクとして露出した被エッチング膜２表面を酸素プラ
ズマ処理して耐ドライエッチング変質膜１１を形成し、
感光性レジスト３を除去してドライエッチングしたい領
域の被エッチング膜２部分を露出させた後、耐ドライエ
ッチング変質膜１１をマスクとして露出した被エッチン
グ膜２部分をドライエッチングするように構成してい
る。
す如く、反転したい領域の感光性レジスト３パターンを
マスクとして露出した被エッチング膜２表面を酸素プラ
ズマ処理して耐ドライエッチング変質膜１１を形成し、
感光性レジスト３を除去してドライエッチングしたい領
域の被エッチング膜２部分を露出させた後、耐ドライエ
ッチング変質膜１１をマスクとして露出した被エッチン
グ膜２部分をドライエッチングするように構成してい
る。
【００１５】このため、現像後の感光性レジスト３パタ
ーンを用いて、反転した耐ドライエッチング薄膜４のパ
ターンを形成することができるので、従来の設計データ
から反転処理して露光データを得る場合よりも露光処理
を短時間で行うことができる。従って、図１（ｃ）のＣ
ｒ被エッチング膜２のパターンに対して反転した図２
（ｄ）に示すようなＣｒ被エッチング膜２のパターンを
短時間に、かつ容易に、しかも精度良く均一に形成する
ことができる。しかも、単一のポジ型の感光性レジスト
３を用いてＣｒ被エッチング膜２の反転パターンを形成
することができるため、従来のポジ、ネガ両方のレジス
トを用いる場合よりも均一な精度で形成することができ
る。
ーンを用いて、反転した耐ドライエッチング薄膜４のパ
ターンを形成することができるので、従来の設計データ
から反転処理して露光データを得る場合よりも露光処理
を短時間で行うことができる。従って、図１（ｃ）のＣ
ｒ被エッチング膜２のパターンに対して反転した図２
（ｄ）に示すようなＣｒ被エッチング膜２のパターンを
短時間に、かつ容易に、しかも精度良く均一に形成する
ことができる。しかも、単一のポジ型の感光性レジスト
３を用いてＣｒ被エッチング膜２の反転パターンを形成
することができるため、従来のポジ、ネガ両方のレジス
トを用いる場合よりも均一な精度で形成することができ
る。
【００１６】なお、この場合、感光性レジスト３をマス
クとして被エッチング膜２表面を酸素プラズマ処理して
耐ドライエッチング変質膜１１を形成する場合について
説明したが、本発明においては、後述する実施例の図４
（ａ）〜（ｃ）に示す如く、感光性レジスト３形成後、
感光性レジスト３及び被エッチング膜２表面を酸素プラ
ズマ処理して感光性レジスト３を除去するとともに、被
エッチング膜２表面に耐ドライエッチング変質膜１１を
形成するように構成してもよい。この場合、上記発明と
同様の効果を得ることができる他、感光性レジスト３の
除去と耐ドライエッチング変質膜１１の形成を同時に行
うことができるため、その分上記発明よりも工程数を減
らすことができる。
クとして被エッチング膜２表面を酸素プラズマ処理して
耐ドライエッチング変質膜１１を形成する場合について
説明したが、本発明においては、後述する実施例の図４
（ａ）〜（ｃ）に示す如く、感光性レジスト３形成後、
感光性レジスト３及び被エッチング膜２表面を酸素プラ
ズマ処理して感光性レジスト３を除去するとともに、被
エッチング膜２表面に耐ドライエッチング変質膜１１を
形成するように構成してもよい。この場合、上記発明と
同様の効果を得ることができる他、感光性レジスト３の
除去と耐ドライエッチング変質膜１１の形成を同時に行
うことができるため、その分上記発明よりも工程数を減
らすことができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。 （実施例１）図１，２は本発明に係る実施例１のマスク
の製造方法を示す図である。図示例は、レチクル等の形
成方法に適用することができる。本実施例では、まず、
透明ガラス等の基板１上に膜厚１０００Å程度のＣｒ等
の被エッチング膜２を形成し、Ｃｒ被エッチング膜２上
に例えばポジ型の感光性レジスト３を膜厚５０００オン
グストローム程度塗布した後、感光性レジスト３を露
光、現像処理してパターニングする（図１（ａ））。
する。 （実施例１）図１，２は本発明に係る実施例１のマスク
の製造方法を示す図である。図示例は、レチクル等の形
成方法に適用することができる。本実施例では、まず、
透明ガラス等の基板１上に膜厚１０００Å程度のＣｒ等
の被エッチング膜２を形成し、Ｃｒ被エッチング膜２上
に例えばポジ型の感光性レジスト３を膜厚５０００オン
グストローム程度塗布した後、感光性レジスト３を露
光、現像処理してパターニングする（図１（ａ））。
【００１８】そして、感光性レジスト３をマスクとして
Ｃｒ被エッチング膜２をドライエッチングした後、感光
性レジスト３を有機溶剤等の剥離液等により剥離して除
去することにより、図１（ｃ）に示すようなＣｒ被エッ
チング膜２のパターンを得ることができる。この時のド
ライエッチング条件は、例えばエッチングガスがＣｌ 2
ガス＋Ｏ2 ガス、パワーが３００Ｗ、処理圧が０．３Ｔ
ｏｒｒである。
Ｃｒ被エッチング膜２をドライエッチングした後、感光
性レジスト３を有機溶剤等の剥離液等により剥離して除
去することにより、図１（ｃ）に示すようなＣｒ被エッ
チング膜２のパターンを得ることができる。この時のド
ライエッチング条件は、例えばエッチングガスがＣｌ 2
ガス＋Ｏ2 ガス、パワーが３００Ｗ、処理圧が０．３Ｔ
ｏｒｒである。
【００１９】次に、図１（ｃ）に示すＣｒ被エッチング
膜２のパターンに対する反転パターンの形成方法を説明
する。ここでは、図２（ａ）に示す如く、感光性レジス
ト３のパターンの形成までは、図１の被エッチング膜２
のパターン形成方法と同様である。次に、プラズマＣＶ
Ｄ法やレジストコータ法等により、反転させたい領域の
感光性レジスト３を覆うように全面に、感光性レジスト
３を構成するアクリル系レジストよりも分子量が大きい
有機物等からなる次工程のドライエッチング耐性を有す
る膜厚１０００Å程度の耐ドライエッチング薄膜４を形
成する（図２（ｂ））。
膜２のパターンに対する反転パターンの形成方法を説明
する。ここでは、図２（ａ）に示す如く、感光性レジス
ト３のパターンの形成までは、図１の被エッチング膜２
のパターン形成方法と同様である。次に、プラズマＣＶ
Ｄ法やレジストコータ法等により、反転させたい領域の
感光性レジスト３を覆うように全面に、感光性レジスト
３を構成するアクリル系レジストよりも分子量が大きい
有機物等からなる次工程のドライエッチング耐性を有す
る膜厚１０００Å程度の耐ドライエッチング薄膜４を形
成する（図２（ｂ））。
【００２０】次に、感光性レジスト３を有機溶剤等の剥
離液等により剥離して除去する。この時、感光性レジス
ト３を覆っている耐ドライエッチング薄膜４部分が除去
されるとともに、感光性レジスト３が剥離した領域に被
エッチング膜２が露出され、この露出領域以外の被エッ
チング膜２上には、耐ドライエッチング薄膜４が残され
る。
離液等により剥離して除去する。この時、感光性レジス
ト３を覆っている耐ドライエッチング薄膜４部分が除去
されるとともに、感光性レジスト３が剥離した領域に被
エッチング膜２が露出され、この露出領域以外の被エッ
チング膜２上には、耐ドライエッチング薄膜４が残され
る。
【００２１】なお、感光性レジスト３を覆っている耐ド
ライエッチング薄膜４部分により感光性レジスト３が除
去し難い場合は、感光性レジスト３の少なくとも一部が
露出するように耐ドライエッチング薄膜４をエッチング
し、その後で剥離液等で感光性レジスト３を除去すれ
ば、感光性レジスト３を容易に除去することができる。
そして、耐ドライエッチング薄膜４をマスクとしてＣｒ
被エッチング膜２をドライエッチングした後、有機溶剤
等の剥離液等により耐ドライエッチング薄膜４を除去す
ることにより、図１（ｃ）のＣｒ被エッチング膜２のパ
ターンとは反転した図２（ｄ）に示すようなＣｒ被エッ
チング膜２のパターンを得ることができる。
ライエッチング薄膜４部分により感光性レジスト３が除
去し難い場合は、感光性レジスト３の少なくとも一部が
露出するように耐ドライエッチング薄膜４をエッチング
し、その後で剥離液等で感光性レジスト３を除去すれ
ば、感光性レジスト３を容易に除去することができる。
そして、耐ドライエッチング薄膜４をマスクとしてＣｒ
被エッチング膜２をドライエッチングした後、有機溶剤
等の剥離液等により耐ドライエッチング薄膜４を除去す
ることにより、図１（ｃ）のＣｒ被エッチング膜２のパ
ターンとは反転した図２（ｄ）に示すようなＣｒ被エッ
チング膜２のパターンを得ることができる。
【００２２】なお、Ｃｒ被エッチング膜２のドライエッ
チング条件は、例えばエッチングガスがＣｌ2 ガス＋Ｏ
2 ガス、パワーが３００Ｗ、周波数が１３．５６ＭＨ
ｚ、処理圧が０．３Ｔｏｒｒである。このように、本実
施例では、反転したい領域の現像後の感光性レジスト３
パターンを覆うように耐ドライエッチング薄膜４を形成
し、感光性レジスト３を除去してドライエッチングした
い領域の被エッチング膜２部分を露出させるとともに、
この露出領域以外の被エッチング膜２上に耐ドライエッ
チング薄膜４部分を残し、この残した耐ドライエッチン
グ薄膜４部分をマスクして露出した被エッチング膜２部
分をドライエッチングするように構成している。
チング条件は、例えばエッチングガスがＣｌ2 ガス＋Ｏ
2 ガス、パワーが３００Ｗ、周波数が１３．５６ＭＨ
ｚ、処理圧が０．３Ｔｏｒｒである。このように、本実
施例では、反転したい領域の現像後の感光性レジスト３
パターンを覆うように耐ドライエッチング薄膜４を形成
し、感光性レジスト３を除去してドライエッチングした
い領域の被エッチング膜２部分を露出させるとともに、
この露出領域以外の被エッチング膜２上に耐ドライエッ
チング薄膜４部分を残し、この残した耐ドライエッチン
グ薄膜４部分をマスクして露出した被エッチング膜２部
分をドライエッチングするように構成している。
【００２３】このため、現像後の感光性レジスト３パタ
ーンを用いて、反転した耐ドライエッチング薄膜４のパ
ターンを従来のような設計データから反転処理して新た
な別の露光データを作成することなく形成することがで
きるので、従来の設計データから反転処理して露光デー
タを得る場合よりも露光処理を短時間で行うことができ
る。
ーンを用いて、反転した耐ドライエッチング薄膜４のパ
ターンを従来のような設計データから反転処理して新た
な別の露光データを作成することなく形成することがで
きるので、従来の設計データから反転処理して露光デー
タを得る場合よりも露光処理を短時間で行うことができ
る。
【００２４】従って、図１（ｃ）のＣｒ被エッチング膜
２のパターンに対して反転した図２（ｄ）に示すような
Ｃｒ被エッチング膜２のパターンを短時間に、かつ容易
に、しかも精度良く均一に形成することができる。しか
も、単一のポジ型の感光性レジスト３を用いてＣｒ被エ
ッチング膜２の反転パターンを形成することができるた
め、従来のポジ、ネガ両方のレジストを用いる場合より
も均一な精度で形成することができる。
２のパターンに対して反転した図２（ｄ）に示すような
Ｃｒ被エッチング膜２のパターンを短時間に、かつ容易
に、しかも精度良く均一に形成することができる。しか
も、単一のポジ型の感光性レジスト３を用いてＣｒ被エ
ッチング膜２の反転パターンを形成することができるた
め、従来のポジ、ネガ両方のレジストを用いる場合より
も均一な精度で形成することができる。
【００２５】（実施例２）図３は本発明に係る実施例２
のマスクの製造方法を示す図である。図示例は、レチク
ル等の形成方法に適用することができる。ここでは、実
施例１と同様の図１（ｃ）に示すＣｒ被エッチング膜２
のパターンに対する反転パターンの形成方法を説明す
る。また、ここでは、図３（ａ）に示す如く、感光性レ
ジスト３のパターンの形成までは、図１の被エッチング
膜２のパターン形成方法と同様である。
のマスクの製造方法を示す図である。図示例は、レチク
ル等の形成方法に適用することができる。ここでは、実
施例１と同様の図１（ｃ）に示すＣｒ被エッチング膜２
のパターンに対する反転パターンの形成方法を説明す
る。また、ここでは、図３（ａ）に示す如く、感光性レ
ジスト３のパターンの形成までは、図１の被エッチング
膜２のパターン形成方法と同様である。
【００２６】次に、感光性レジスト３をマスクとして露
出した被エッチング膜２表面を酸素を含むプラズマ雰囲
気で処理して、被エッチング膜２表面に次工程のドライ
エッチング耐性を有する耐ドライエッチング変質膜１１
を形成する（図３（ｂ））。この耐ドライエッチング変
質膜１１は、Ｃｒ被エッチング膜２表面に吸着したＯ 2
プラズマと被エッチング膜２を構成するＣｒとが反応し
てＣｒの酸化物が生成して形成されたものと推定され
る。
出した被エッチング膜２表面を酸素を含むプラズマ雰囲
気で処理して、被エッチング膜２表面に次工程のドライ
エッチング耐性を有する耐ドライエッチング変質膜１１
を形成する（図３（ｂ））。この耐ドライエッチング変
質膜１１は、Ｃｒ被エッチング膜２表面に吸着したＯ 2
プラズマと被エッチング膜２を構成するＣｒとが反応し
てＣｒの酸化物が生成して形成されたものと推定され
る。
【００２７】なお、この耐ドライエッチング変質膜１１
形成の酸素プラズマ処理は、例えば処理ガスがＯ2 ガ
ス、パワーが６４０Ｗ、周波数が１３．５６ＭＨｚ、処
理圧が０．２０Ｔｏｒｒである。次に、耐ドライエッチ
ング変質膜１１を形成する際の酸素プラズマ処理時に、
感光性レジスト３も膜減りして残るが、この残った感光
性レジスト３を有機溶剤等の剥離液等により剥離して除
去する（図３（ｃ））。
形成の酸素プラズマ処理は、例えば処理ガスがＯ2 ガ
ス、パワーが６４０Ｗ、周波数が１３．５６ＭＨｚ、処
理圧が０．２０Ｔｏｒｒである。次に、耐ドライエッチ
ング変質膜１１を形成する際の酸素プラズマ処理時に、
感光性レジスト３も膜減りして残るが、この残った感光
性レジスト３を有機溶剤等の剥離液等により剥離して除
去する（図３（ｃ））。
【００２８】そして、耐ドライエッチング変質膜１１を
マスクとしてＣｒ被エッチング膜２をドライエッチング
することにより、実施例１の図１（ｃ）のＣｒ被エッチ
ング膜２のパターンとは反転した図３（ｄ）に示すよう
なＣｒ被エッチング膜２のパターンを得ることができ
る。この時、Ｃｒ被エッチング膜２のドライエッチング
条件は、例えばエッチングガスがＣｌ2 ガス＋Ｏ2 ガ
ス、パワーが３００Ｗ、周波数が１３．５６ＭＨｚ、処
理圧が０．３Ｔｏｒｒである。また、ここでは、耐ドラ
イエッチング変質膜１１は、Ｃｒ被エッチング膜２と同
様、光を遮蔽する機能を有しているため、Ｃｒ被エッチ
ング膜２上にそのまま残しているが、仮に不要であれば
エッチバック等の処理を施して除去してもよい。
マスクとしてＣｒ被エッチング膜２をドライエッチング
することにより、実施例１の図１（ｃ）のＣｒ被エッチ
ング膜２のパターンとは反転した図３（ｄ）に示すよう
なＣｒ被エッチング膜２のパターンを得ることができ
る。この時、Ｃｒ被エッチング膜２のドライエッチング
条件は、例えばエッチングガスがＣｌ2 ガス＋Ｏ2 ガ
ス、パワーが３００Ｗ、周波数が１３．５６ＭＨｚ、処
理圧が０．３Ｔｏｒｒである。また、ここでは、耐ドラ
イエッチング変質膜１１は、Ｃｒ被エッチング膜２と同
様、光を遮蔽する機能を有しているため、Ｃｒ被エッチ
ング膜２上にそのまま残しているが、仮に不要であれば
エッチバック等の処理を施して除去してもよい。
【００２９】このように、本実施例では、反転したい領
域の感光性レジスト３パターンをマスクとして露出した
被エッチング膜２表面を酸素プラズマ処理して耐ドライ
エッチング変質膜１１を形成し、感光性レジスト３を除
去してドライエッチングしたい領域の被エッチング膜２
部分を露出させた後、耐ドライエッチング変質膜１１を
マスクとして露出した被エッチング膜２部分をドライエ
ッチングするように構成している。
域の感光性レジスト３パターンをマスクとして露出した
被エッチング膜２表面を酸素プラズマ処理して耐ドライ
エッチング変質膜１１を形成し、感光性レジスト３を除
去してドライエッチングしたい領域の被エッチング膜２
部分を露出させた後、耐ドライエッチング変質膜１１を
マスクとして露出した被エッチング膜２部分をドライエ
ッチングするように構成している。
【００３０】このため、現像後の感光性レジスト３パタ
ーンを用いて、反転した耐ドライエッチング変質膜１１
のパターンを従来のような設計データから反転処理して
新たな別の露光データを作成することなく形成すること
ができるので、従来の設定データから反転処理して露光
データを得る場合よりも露光処理を短時間で行うことが
できる。従って、図１（ｃ）のＣｒ被エッチング膜２の
パターンに対して反転した図２（ｄ）に示すようなＣｒ
被エッチング膜２のパターンを短時間に、かつ容易に、
しかも精度良く均一に形成することができる。しかも、
単一のポジ型の感光性レジスト３を用いてＣｒ被エッチ
ング膜２の反転パターンを形成することができるため、
従来のポジ、ネガ両方のレジストを用いる場合よりも均
一な精度で形成することができる。
ーンを用いて、反転した耐ドライエッチング変質膜１１
のパターンを従来のような設計データから反転処理して
新たな別の露光データを作成することなく形成すること
ができるので、従来の設定データから反転処理して露光
データを得る場合よりも露光処理を短時間で行うことが
できる。従って、図１（ｃ）のＣｒ被エッチング膜２の
パターンに対して反転した図２（ｄ）に示すようなＣｒ
被エッチング膜２のパターンを短時間に、かつ容易に、
しかも精度良く均一に形成することができる。しかも、
単一のポジ型の感光性レジスト３を用いてＣｒ被エッチ
ング膜２の反転パターンを形成することができるため、
従来のポジ、ネガ両方のレジストを用いる場合よりも均
一な精度で形成することができる。
【００３１】なお、上記実施例２では、感光性レジスト
３をマスクとして被エッチング膜２表面を酸素プラズマ
処理して耐ドライエッチング変質膜１１を形成する場合
について説明したが、本発明においては、図４（ａ）〜
（ｃ）に示す如く、感光性レジスト３形成後、感光性レ
ジスト３及び被エッチング膜２表面を酸素プラズマ処理
して感光性レジスト３を除去するとともに、被エッチン
グ膜２表面に耐ドライエッチング変質膜１１を形成する
ように構成してもよい。この場合、上記実施例２と同様
の効果を得ることができる他、感光性レジスト３の除去
と耐ドライエッチング変質膜１１の形成を同時に行うこ
とができるため、その分上記実施例２よりも工程数を減
らすことができる。なお、図４における酸素プラズマ条
件は、前述の条件と同様で、処理時間が異なり、１．５
倍である（Ｏ2 ガス ６４０Ｗ，０．２Ｔｏｒｒ）。
３をマスクとして被エッチング膜２表面を酸素プラズマ
処理して耐ドライエッチング変質膜１１を形成する場合
について説明したが、本発明においては、図４（ａ）〜
（ｃ）に示す如く、感光性レジスト３形成後、感光性レ
ジスト３及び被エッチング膜２表面を酸素プラズマ処理
して感光性レジスト３を除去するとともに、被エッチン
グ膜２表面に耐ドライエッチング変質膜１１を形成する
ように構成してもよい。この場合、上記実施例２と同様
の効果を得ることができる他、感光性レジスト３の除去
と耐ドライエッチング変質膜１１の形成を同時に行うこ
とができるため、その分上記実施例２よりも工程数を減
らすことができる。なお、図４における酸素プラズマ条
件は、前述の条件と同様で、処理時間が異なり、１．５
倍である（Ｏ2 ガス ６４０Ｗ，０．２Ｔｏｒｒ）。
【００３２】上記各実施例は、被エッチング膜２にＣｒ
を用いたが、本発明はこれのみに限定されるものではな
く、ＣｒＯｘ，Ａｌ，ＡｌＯｘ等を用いてもよい。
を用いたが、本発明はこれのみに限定されるものではな
く、ＣｒＯｘ，Ａｌ，ＡｌＯｘ等を用いてもよい。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、反転したレジストパタ
ーンを形成する際、設定データから反転処理して新たな
別の露光データを作成することなく、露光処理を短時間
で行うことができ、しかも、均一な精度でレジストパタ
ーンを形成することができるという効果がある。
ーンを形成する際、設定データから反転処理して新たな
別の露光データを作成することなく、露光処理を短時間
で行うことができ、しかも、均一な精度でレジストパタ
ーンを形成することができるという効果がある。
【図１】本発明に係る実施例１のマスクの製造方法を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明に係る実施例１のマスクの製造方法を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明に係る実施例２のマスクの製造方法を示
す図である。
す図である。
【図４】本発明に適用できるマスクの製造方法を示す図
である。
である。
【図５】従来のマスクの製造方法を示す図である。
【図６】従来のマスクの製造方法を示す図である。
１ 基板 ２ 被エッチング膜 ３ 感光性レジスト ４ 耐ドライエッチング薄膜 １１ 耐ドライエッチング変質膜
Claims (3)
- 【請求項１】被エッチング膜（２）上に感光性レジスト
（３）を塗布する工程と、次いで、該感光性レジスト
（３）を露光、現像処理してパターニングする工程と、
次いで、全面にドライエッチング耐性を有する耐ドライ
エッチング薄膜（４）を形成する工程と、次いで、該感
光性レジスト（３）を除去する工程と、次いで、耐ドラ
イエッチング薄膜（４）をマスクとして該被エッチング
膜（２）をドライエッチングする工程とを含むことを特
徴とするマスクの製造方法。 - 【請求項２】被エッチング膜（２）上に感光性レジスト
（３）を塗布する工程と、次いで、該感光性レジスト
（３）を露光、現像処理してパターニングするととも
に、該被エッチング膜（２）を露出させる工程と、次い
で、該感光性レジスト（３）をマスクとして露出した該
被エッチング膜（２）表面を酸素を含むプラズマ雰囲気
で処理して、該被エッチング膜（２）表面にドライエッ
チング耐性を有する耐ドライエッチング変質膜（１１）
を形成する工程と、次いで、該感光性レジスト（３）を
除去する工程と、次いで、該耐ドライエッチング変質膜
（１１）をマスクとして該被エッチング膜（２）をドラ
イエッチングする工程とを含むことを特徴とするマスク
の製造方法。 - 【請求項３】被エッチング膜（２）上に感光性レジスト
（３）を塗布する工程と、次いで、該感光性レジスト
（３）を露光、現像処理してパターニングするととも
に、該被エッチング膜（２）を露出させる工程と、次い
で、露出した該被エッチング膜（２）表面及び該感光性
レジスト（３）を酸素を含むプラズマ雰囲気で処理し
て、該被エッチング膜（２）表面にドライエッチング耐
性を有する耐ドライエッチング変質膜（１１）を形成す
るとともに、該感光性レジスト（３）を除去する工程
と、次いで、該耐ドライエッチング変質膜（１１）をマ
スクとして該被エッチング膜（２）をドライエッチング
する工程とを含むことを特徴とするマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17051894A JPH0836254A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17051894A JPH0836254A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0836254A true JPH0836254A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15906431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17051894A Withdrawn JPH0836254A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0836254A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015153797A (ja) * | 2014-02-12 | 2015-08-24 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 反転構造体の製造方法及びこれを用いた凹凸構造付基板 |
-
1994
- 1994-07-22 JP JP17051894A patent/JPH0836254A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015153797A (ja) * | 2014-02-12 | 2015-08-24 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 反転構造体の製造方法及びこれを用いた凹凸構造付基板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |