JPS62293721A - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
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- JPS62293721A JPS62293721A JP13623186A JP13623186A JPS62293721A JP S62293721 A JPS62293721 A JP S62293721A JP 13623186 A JP13623186 A JP 13623186A JP 13623186 A JP13623186 A JP 13623186A JP S62293721 A JPS62293721 A JP S62293721A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エツチング方法に関するものであり、特に半
導体集積回路など、微細加工を要する製造方法に於いて
側壁保護効果のあるエツチング方法に関するものである
。
導体集積回路など、微細加工を要する製造方法に於いて
側壁保護効果のあるエツチング方法に関するものである
。
本発明は、被エツチング膜上に、少なくとも炭素を含有
する第１のマスク層を少なくとも一層形成し、該第１の
マスク層とエツチング特性の異なる第２のマスク層を形
成するエツチング方法において、上記第１のマスク層は
、炭素を含有する材質から成るもので、その工程が第２
のマスク層をパターニングする工程と、該第２のマスク
層をエツチングマスクとして、第１のマスク層をパター
ニングする工程と、該第２のマスク層を除去する工程と
、第１のマスク層により被エツチング膜をパターニング
する工程とを備えることにより、側壁保護効果のあるエ
ツチングを可能としたものである。
する第１のマスク層を少なくとも一層形成し、該第１の
マスク層とエツチング特性の異なる第２のマスク層を形
成するエツチング方法において、上記第１のマスク層は
、炭素を含有する材質から成るもので、その工程が第２
のマスク層をパターニングする工程と、該第２のマスク
層をエツチングマスクとして、第１のマスク層をパター
ニングする工程と、該第２のマスク層を除去する工程と
、第１のマスク層により被エツチング膜をパターニング
する工程とを備えることにより、側壁保護効果のあるエ
ツチングを可能としたものである。
半偲体集積回路などにおいては、その高集積度化の為、
微細加工のニーズが年々、増しつつあるが、依然、ＲＩ
Ｅなどドライエツチングの為のレジストマスクの解像度
の向上が重要であることは論をまたない。ところで以前
より解像度のアンプをはかるため、ＥＢ、Ｘ−Ｒａｙ、
ＦＩＢ等の研究は行われているものの、現状では未だ量
産レベルには敗っていない。従ってこれら光よりも短波
長、高エネルギーのビームを用いず、可視〜紫外の光を
用いる技術が見直されており、ｉ線やエキシマ−レーザ
ーの短波長の光を用いることのみならず、ＣＥＬやＰＣ
Ｍ法の様に、縮小露光にコンタクト露光の長所を加味し
て、コントラスト、解像度のアップをはかっている。こ
れらの技術のひとつに、いわゆる三層レジスト法（Ｔｒ
ｉ−Ｌｅｖｅｌ−Ｒｅｓｉｓｔ、以下ＴＬＲと略す。）
がある。ＴＬＲは、第３図（ａ）に例示するように、被
エツチング膜１の上に、下層より、平坦化レジスト２．
スパッターＳｉＯ□のような無機層３、上層レジスト４
から成り立っており、無機層は薄いため、上層レジスト
４も薄くてよく、解像度のアンプがはかれる他、第３図
（ｂ）に示すように上層レジスト４をマスクに無機層３
をＲＩＥ加工した後、第３図（ｃ）に示すように該無機
層３を今度はマスクとして平坦化レジスト２をＯｔなど
でＲＩＥ加工するため、下地の段差に依らず、コントラ
スト大で、実質的な解像度を損なうことなくパターン形
成できる。
微細加工のニーズが年々、増しつつあるが、依然、ＲＩ
Ｅなどドライエツチングの為のレジストマスクの解像度
の向上が重要であることは論をまたない。ところで以前
より解像度のアンプをはかるため、ＥＢ、Ｘ−Ｒａｙ、
ＦＩＢ等の研究は行われているものの、現状では未だ量
産レベルには敗っていない。従ってこれら光よりも短波
長、高エネルギーのビームを用いず、可視〜紫外の光を
用いる技術が見直されており、ｉ線やエキシマ−レーザ
ーの短波長の光を用いることのみならず、ＣＥＬやＰＣ
Ｍ法の様に、縮小露光にコンタクト露光の長所を加味し
て、コントラスト、解像度のアップをはかっている。こ
れらの技術のひとつに、いわゆる三層レジスト法（Ｔｒ
ｉ−Ｌｅｖｅｌ−Ｒｅｓｉｓｔ、以下ＴＬＲと略す。）
がある。ＴＬＲは、第３図（ａ）に例示するように、被
エツチング膜１の上に、下層より、平坦化レジスト２．
スパッターＳｉＯ□のような無機層３、上層レジスト４
から成り立っており、無機層は薄いため、上層レジスト
４も薄くてよく、解像度のアンプがはかれる他、第３図
（ｂ）に示すように上層レジスト４をマスクに無機層３
をＲＩＥ加工した後、第３図（ｃ）に示すように該無機
層３を今度はマスクとして平坦化レジスト２をＯｔなど
でＲＩＥ加工するため、下地の段差に依らず、コントラ
スト大で、実質的な解像度を損なうことなくパターン形
成できる。
上述したＴＬＲのマスクでは、被エツチング物をエツチ
ングする際、実質的には無機層／平坦化レジストの２層
マスクでエツチングを行うため（上層レジストは、平坦
化レジストのＯ，ＲＩＥ時にエッチオフされてしまう）
、レジストの炭素の作用によると思われるサイドエッチ
（これにより側壁のえぐれが生ずる）防止効果が果たせ
ず、通常のレジストに比較して側壁保護効果が少ないこ
とが本発明者らの研究によりわかった。
ングする際、実質的には無機層／平坦化レジストの２層
マスクでエツチングを行うため（上層レジストは、平坦
化レジストのＯ，ＲＩＥ時にエッチオフされてしまう）
、レジストの炭素の作用によると思われるサイドエッチ
（これにより側壁のえぐれが生ずる）防止効果が果たせ
ず、通常のレジストに比較して側壁保護効果が少ないこ
とが本発明者らの研究によりわかった。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、従来の
ＴＬＲ法を大幅に変えることなく、簡単な方法で、かつ
側壁保護効果のあるエツチング方法を提供することを目
的とするものである。
ＴＬＲ法を大幅に変えることなく、簡単な方法で、かつ
側壁保護効果のあるエツチング方法を提供することを目
的とするものである。
本発明のエツチング方法は、上記問題を解決すべく、被
エツチング膜上に、少なくとも炭素を含有する第１のマ
スク層を少なくとも一層形成し、該第１のマスク層とエ
ツチング特性の異なる第２のマスク層を形成するエツチ
ング方法において、上記第１のマスク層は、炭素を含有
する材質から成るもので、その工程が第２のマスク層を
パターニングする工程と、該第２のマスク層をエツチン
グマスクとして、第１のマスク層をパターニングする工
程と、該第２のマスク層を除去する工程と、第１のマス
ク層により被エツチング膜をパターニングする工程とか
ら成り、これにより上記目的を達成することができる。
エツチング膜上に、少なくとも炭素を含有する第１のマ
スク層を少なくとも一層形成し、該第１のマスク層とエ
ツチング特性の異なる第２のマスク層を形成するエツチ
ング方法において、上記第１のマスク層は、炭素を含有
する材質から成るもので、その工程が第２のマスク層を
パターニングする工程と、該第２のマスク層をエツチン
グマスクとして、第１のマスク層をパターニングする工
程と、該第２のマスク層を除去する工程と、第１のマス
ク層により被エツチング膜をパターニングする工程とか
ら成り、これにより上記目的を達成することができる。
本発明の構成を、後記詳述する本発明の一実施例を示す
第１図を用いて説明すると、次のとおりである。
第１図を用いて説明すると、次のとおりである。
即ち、第１図（ａ）に示すように１．ｌの被エツチング
膜１上に、少なくとも炭素を含有する第１のマスク層２
である平坦化レジストを形成し、該第１のマスクＮ２の
上に５ｉｎ２の第２のマスク層３を形成する。更に該第
２のマスク層３の上に第１図（ｂ）のように上層レジス
ト４をおき、これにより第１図（ｃ）に示すように第２
のマスク層３をパターニングする。次に、該第２のマス
ク層３をエツチングマスクとして、第１のマスク層２を
パターニングする。この時、上層レジスト４はエッチオ
フされ第１図（ｄ）のようになる。
膜１上に、少なくとも炭素を含有する第１のマスク層２
である平坦化レジストを形成し、該第１のマスクＮ２の
上に５ｉｎ２の第２のマスク層３を形成する。更に該第
２のマスク層３の上に第１図（ｂ）のように上層レジス
ト４をおき、これにより第１図（ｃ）に示すように第２
のマスク層３をパターニングする。次に、該第２のマス
ク層３をエツチングマスクとして、第１のマスク層２を
パターニングする。この時、上層レジスト４はエッチオ
フされ第１図（ｄ）のようになる。
ここで第２のマスク層３を除去し、第１図（ｅ）の状態
で、第１のマスク層２により、被エツチング膜１．をパ
ターニングするものである。
で、第１のマスク層２により、被エツチング膜１．をパ
ターニングするものである。
〔作 用〕
本発明によれば、従来のＴＬＲ法を大幅に変えることな
く、被エツチング膜のエツチングの前に、中間層である
無機層膜を除去する工程を施すことにより、簡単な方法
で側壁保護効果のあるエツチングを施すことができる。
く、被エツチング膜のエツチングの前に、中間層である
無機層膜を除去する工程を施すことにより、簡単な方法
で側壁保護効果のあるエツチングを施すことができる。
以下、本発明のエツチング方法の実施例について、図面
を参照して説明する。なお、当然のことではあるが、本
発明は以下の実施例にのみ限定されるものではない。
を参照して説明する。なお、当然のことではあるが、本
発明は以下の実施例にのみ限定されるものではない。
第１の実施例を第１図に示す。第１図（ａ）に示すよう
に、段差のあるＡｌの被エツチング膜１の上に第１のマ
スク層（平坦化レジスト）２、次に第２のマスク層３と
してスパッタリングにより形成したＳｔｏｗをおき、第
１図（ｂ）に示すように、その上に上層レジスト４をお
いて、ＴＬＲ（３層レジスト）マスクを形成する。上層
レジスト４は、通常の露光・現像でパターン形成したも
のである。次に、上層レジスト４をマスクに第２のマス
ク層３をＲＩＥ加工して第１図（ｃ）のようにし、更に
、第２のマスク層３をマスクに第１のマスク層２をＯ，
ＲＩＥ加工して第１図（ｄ）のようにする。上層レジス
ト４は第２のマスク層３をバターニングするためだけの
ものなので解像度は大きく、前述したように第１のマス
ク層２の０２ＲＩＥ加工時にエッチオフされている。
に、段差のあるＡｌの被エツチング膜１の上に第１のマ
スク層（平坦化レジスト）２、次に第２のマスク層３と
してスパッタリングにより形成したＳｔｏｗをおき、第
１図（ｂ）に示すように、その上に上層レジスト４をお
いて、ＴＬＲ（３層レジスト）マスクを形成する。上層
レジスト４は、通常の露光・現像でパターン形成したも
のである。次に、上層レジスト４をマスクに第２のマス
ク層３をＲＩＥ加工して第１図（ｃ）のようにし、更に
、第２のマスク層３をマスクに第１のマスク層２をＯ，
ＲＩＥ加工して第１図（ｄ）のようにする。上層レジス
ト４は第２のマスク層３をバターニングするためだけの
ものなので解像度は大きく、前述したように第１のマス
ク層２の０２ＲＩＥ加工時にエッチオフされている。
次に、通常のＴＬＲが第１図（ｄ）の状態で行われるの
に対し、本実施例では第１図（ｅ）のように意識的に第
２のマスク層３をエッチオフし、その後被エツチング膜
１のＲｒＥを行う。本実施例ではＣＨＦ％いて、ＲＩＥ
で第２のマスク層３を除去した。
に対し、本実施例では第１図（ｅ）のように意識的に第
２のマスク層３をエッチオフし、その後被エツチング膜
１のＲｒＥを行う。本実施例ではＣＨＦ％いて、ＲＩＥ
で第２のマスク層３を除去した。
第１図（ｅ）のマスクで被エツチング膜ＡｌをＲＩＥし
た所、第１図（ｄ）マスクで同じＲＩＥしたものに比較
して、サイドエッチは、著しく減少した。
た所、第１図（ｄ）マスクで同じＲＩＥしたものに比較
して、サイドエッチは、著しく減少した。
第２の実施例を第２図に示す。第２図（ａ、）に示すよ
うに、被エツチング膜として平坦なＡｌ２を用いる以外
は第１の実施例と同様にして被エツチング膜１をＲＩＥ
加工した。すなわち、第２図（ａ）のようにＴＬＲマス
クを形成し、上層レジスト４をマスクに第２のマスクＪ
ｉ３ （Ｓ ｉ Ｏｔ ）をＲＩＥ加工して第２図（ｂ
）とし、更に第２のマスク層３をマスクとして第１のマ
スク層２ （平坦化レジスト）ｌを０ｚＲＩＦ、加工し
て第２図（Ｃ）とする。次に第２図（ｄ）のように第２
のマスク層３をエッチオフし、その後被エツチング膜１
のＲＩＥを行なった。
うに、被エツチング膜として平坦なＡｌ２を用いる以外
は第１の実施例と同様にして被エツチング膜１をＲＩＥ
加工した。すなわち、第２図（ａ）のようにＴＬＲマス
クを形成し、上層レジスト４をマスクに第２のマスクＪ
ｉ３ （Ｓ ｉ Ｏｔ ）をＲＩＥ加工して第２図（ｂ
）とし、更に第２のマスク層３をマスクとして第１のマ
スク層２ （平坦化レジスト）ｌを０ｚＲＩＦ、加工し
て第２図（Ｃ）とする。次に第２図（ｄ）のように第２
のマスク層３をエッチオフし、その後被エツチング膜１
のＲＩＥを行なった。
本実施例の第２図（ｄ）のマスクで被エツチング膜Ａ１
をＲＩＥしたもの、および従来の第２図（ｃ）の状態で
ＡＮをＲＩＥしたものの一部断面概観図をそれぞれ第４
図及び第５図に示した。これらの図から明らかなように
、本実施例の第２図（ｄ）のマスクでＡｆをＲＩＥした
ものは、第２図（Ｃ）のマスクで同じＲＩＥした従来の
方法によるものに比較して、サイドエッチが著しく減少
している。なお第４図および第５図は、試料を実際に顕
微鏡写真で撮影したものをもとに図面化したものである
。
をＲＩＥしたもの、および従来の第２図（ｃ）の状態で
ＡＮをＲＩＥしたものの一部断面概観図をそれぞれ第４
図及び第５図に示した。これらの図から明らかなように
、本実施例の第２図（ｄ）のマスクでＡｆをＲＩＥした
ものは、第２図（Ｃ）のマスクで同じＲＩＥした従来の
方法によるものに比較して、サイドエッチが著しく減少
している。なお第４図および第５図は、試料を実際に顕
微鏡写真で撮影したものをもとに図面化したものである
。
上述した本実施例では、被エツチング膜としてＡｌを用
い、また第２のマスク層としてスパッターＳｉｎ、を用
いたが、本発明のエツチング方法は、被エツチング膜お
よび第２のマスク層をこれらに限るものではない。また
スパッター５ｉ０２の除去にＣＨＦ３ガスによるＲＩＥ
を用いたがこれもそれに限るものでない。以上述べたも
のは、本発明の主旨に反しない限りは、他のものを用い
ることができる。
い、また第２のマスク層としてスパッターＳｉｎ、を用
いたが、本発明のエツチング方法は、被エツチング膜お
よび第２のマスク層をこれらに限るものではない。また
スパッター５ｉ０２の除去にＣＨＦ３ガスによるＲＩＥ
を用いたがこれもそれに限るものでない。以上述べたも
のは、本発明の主旨に反しない限りは、他のものを用い
ることができる。
上述したように、従来技術は、第２図（Ｃ）に示したよ
うなマスクを用いてＲＩＥしているため、第２のマスク
層であるスパッター５ｉＯｚがマスク上面にあり、通常
のレジストの様な側壁保護効果を示さなかったが、本発
明によれば、被エツチング膜のＲＩＥＯ前に、スパッタ
ーＳｉｎ、を除去することにより第１のマスク層である
平坦化レジストがマスク上面に現われ、レジスト分解物
による側壁保護効果によって被エツチング膜ＡｌのＲＩ
Ｆ’、のサイドエッチが防止できた。この様に、本発
明は、従来のＴＬＲ法を大幅に変えることなく、簡単な
方法で、かつＡＩＲＩＥの様なレジストによる側壁保護
効果が必要なＲＩＥマスクに特に有効なエツチング方法
である。
うなマスクを用いてＲＩＥしているため、第２のマスク
層であるスパッター５ｉＯｚがマスク上面にあり、通常
のレジストの様な側壁保護効果を示さなかったが、本発
明によれば、被エツチング膜のＲＩＥＯ前に、スパッタ
ーＳｉｎ、を除去することにより第１のマスク層である
平坦化レジストがマスク上面に現われ、レジスト分解物
による側壁保護効果によって被エツチング膜ＡｌのＲＩ
Ｆ’、のサイドエッチが防止できた。この様に、本発
明は、従来のＴＬＲ法を大幅に変えることなく、簡単な
方法で、かつＡＩＲＩＥの様なレジストによる側壁保護
効果が必要なＲＩＥマスクに特に有効なエツチング方法
である。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例の工程説
明図、第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施例の
工程説明図である。第３図（ａ）〜（ｃ）は従来例の工
程説明図である。第４図は第２の実施例によるＡ１のＲ
ＩＥ加工したものの一部断面概観図である。第５図は、
従来例によるＡ１のＲＩＥ加工したものの一部断面概観
図である。 １・・・・・・被エツチング膜、２・・・・・・第１の
マスク層（平坦化レジスト）、３・・・・・・第２のマ
スク層（無機層）、４・・・・・・上層レジスト、５・
・・・・・下地。 ＪＪ１ｖ！−７ト 第１図 牙２のり（施例のユリ百１１蛤弓ηｋ〕第２図 状７ ｅｑ （Ｂ ｚ、ｉ＝ｉＸＥｒｇｍ第３図 第２図（ｄ）のＺスフでＡＱＲｎ：ｃた餉の一部銹一店
（本廃萌） 第４図 才２廚（ｃ）の７７７７°’ＡＦＲＩＥＬ方ものの一部
Ｉ＃Ｊ廊坂凹（従東夕り） 第５図
明図、第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施例の
工程説明図である。第３図（ａ）〜（ｃ）は従来例の工
程説明図である。第４図は第２の実施例によるＡ１のＲ
ＩＥ加工したものの一部断面概観図である。第５図は、
従来例によるＡ１のＲＩＥ加工したものの一部断面概観
図である。 １・・・・・・被エツチング膜、２・・・・・・第１の
マスク層（平坦化レジスト）、３・・・・・・第２のマ
スク層（無機層）、４・・・・・・上層レジスト、５・
・・・・・下地。 ＪＪ１ｖ！−７ト 第１図 牙２のり（施例のユリ百１１蛤弓ηｋ〕第２図 状７ ｅｑ （Ｂ ｚ、ｉ＝ｉＸＥｒｇｍ第３図 第２図（ｄ）のＺスフでＡＱＲｎ：ｃた餉の一部銹一店
（本廃萌） 第４図 才２廚（ｃ）の７７７７°’ＡＦＲＩＥＬ方ものの一部
Ｉ＃Ｊ廊坂凹（従東夕り） 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被エッチング膜上に、少なくとも炭素を含有する第
１のマスク層を少なくとも一層形成し、該第１のマスク
層とエッチング特性の異なる第２のマスク層を形成する
エッチング方法において、 上記第１のマスク層は、炭素を含有する材質から成ると
ともに、このエッチング方法の工程が、 第２のマスク層をパターニングする工程と、該第２のマ
スク層をエッチングマスクとして、第１のマスク層をパ
ターニングする工程と、該第２のマスク層を除去する工
程と、 第１のマスク層により被エッチング膜をパターニングす
る工程とを備えていることを特徴とするエッチング方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13623186A JPH0738386B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13623186A JPH0738386B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | エツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293721A true JPS62293721A (ja) | 1987-12-21 |
| JPH0738386B2 JPH0738386B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=15170351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13623186A Expired - Fee Related JPH0738386B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738386B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008090881A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US7488429B2 (en) | 2004-06-28 | 2009-02-10 | Tdk Corporation | Method of dry etching, method of manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording medium |
| JP2010182380A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Fujitsu Ltd | 成型加工品の製造方法、記憶媒体の製造方法、及び、情報記憶装置 |
-
1986
- 1986-06-13 JP JP13623186A patent/JPH0738386B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7488429B2 (en) | 2004-06-28 | 2009-02-10 | Tdk Corporation | Method of dry etching, method of manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording medium |
| JP2008090881A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2010182380A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Fujitsu Ltd | 成型加工品の製造方法、記憶媒体の製造方法、及び、情報記憶装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0738386B2 (ja) | 1995-04-26 |
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