JPS61230140A - 有機シリコ−ン系遠紫外線感光性レジスト - Google Patents
有機シリコ−ン系遠紫外線感光性レジストInfo
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- JPS61230140A JPS61230140A JP60073116A JP7311685A JPS61230140A JP S61230140 A JPS61230140 A JP S61230140A JP 60073116 A JP60073116 A JP 60073116A JP 7311685 A JP7311685 A JP 7311685A JP S61230140 A JPS61230140 A JP S61230140A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0754—Non-macromolecular compounds containing silicon-to-silicon bonds
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体製造分野における耐ドライエツチング
性に優れた微細加工用レジスジである有機シリコーン扇
遠紫外線感光性しシストに関する。 ［従来の技術１ 通常、半導体の製造は、第１図に示すような工程で行な
われている。 まず、基［（１）上に、スピンコーティングにより感光
性レジスト膜（２）を形成し、マスク（５）を介して投
影露光を行なったのち、溶剤などによる現像を行なうこ
とにより、ボッ型またはネガ型のレジスト層の微細パタ
ーン（６）を形成し、このレジ−スト膜の微細パターン
をマスクとして、ドライエツチングなどの方法により基
板上に微細加工が行なわれる。 また最近では、半導体の高集積化が進み、基板上の微細
加工が複雑かつ精密になるにしたがい基板上の段差が大
きくなってきており、より微細な加工を行なうため、第
２図に示すような多層構造のレジストも使用されてきで
いる。このばあい、下層レジスト層（３）を厚くコーテ
ィングすることにより、基板上の段差を平坦化し、その
上に酸素を用いたドライエツチングなどに対する耐ドラ
イエツチング性に優れた上層感光性レジスト層（４）を
薄く形成し、マスクを介して露光、現像を行ない、上層
感光性レジスト層のパターン（７）を形成し、この上層
感光性レジスト層のパターンをマスクとして、ドライエ
ツチングなどにより下層レジスト層の微細加工を行なう
ものである。 上記のような微細加工には、各種のドライエツチング技
術が多用されでおり、耐ドライエツチング性に優れたレ
ジストが必要となっている。 ［発明が解決しようとする問題点１ 従米のレジスト膜形成法としては、レジスト溶液をスピ
ナーを用いて塗布し、そののち加熱により溶剤成分を除
去し、レジスト膜をうる方法が一般的である。 通常、レジスト族の解像度は膜厚が薄いほど良好である
が、スピナーによる成膜法では、０．１μｌ以下の均一
なしシスト裏をうろことは困難であり、ピンホールが生
じてしまう。 また、耐ドライエツチング性をレジスト族に持たせる意
味からもある程度の厚さが必要であり、この点からも高
い解像度をうゐには限界がある。 本発明は、上記のような問題点を解決するためになされ
たものであり、高い解像度を有し、かつ耐ドライエツチ
ング性に優れた感光性レジストをうることを目的とする
ものである。 Ｅ問題点を解決するための手段］ 本発明は、半導体製造工程の微細加工に使用されるレジ
ストとして一般式（Ｉ）： （式中、ＲいＲ２は有機基、Ｘは水素原子＊たはハロゲ
ン原子、ｎは１以上の整数を表わす）で示される有機シ
ラン化合物を減圧下で気化させ、気相光化学反応を行な
い基板上に堆積させた有機ポリシラン膜をレジスト膜と
しで使用することを特徴とする耐ドライエツチング性を
有する有機シリコーン系遠紫外線感光性レジストに関す
る。＠らに詳しくは、一般式（１）で示される有機シラ
ン化合物を減圧下で気化させ、たとえば低圧水銀灯や紫
外線レーザーなどを光源として気相光化学反応を行なう
ことにより、基板上に有機ポリシラン膜を堆積させた耐
ドライエツチング性に優れた遠紫外線感光性レジストに
関する。
性に優れた微細加工用レジスジである有機シリコーン扇
遠紫外線感光性しシストに関する。 ［従来の技術１ 通常、半導体の製造は、第１図に示すような工程で行な
われている。 まず、基［（１）上に、スピンコーティングにより感光
性レジスト膜（２）を形成し、マスク（５）を介して投
影露光を行なったのち、溶剤などによる現像を行なうこ
とにより、ボッ型またはネガ型のレジスト層の微細パタ
ーン（６）を形成し、このレジ−スト膜の微細パターン
をマスクとして、ドライエツチングなどの方法により基
板上に微細加工が行なわれる。 また最近では、半導体の高集積化が進み、基板上の微細
加工が複雑かつ精密になるにしたがい基板上の段差が大
きくなってきており、より微細な加工を行なうため、第
２図に示すような多層構造のレジストも使用されてきで
いる。このばあい、下層レジスト層（３）を厚くコーテ
ィングすることにより、基板上の段差を平坦化し、その
上に酸素を用いたドライエツチングなどに対する耐ドラ
イエツチング性に優れた上層感光性レジスト層（４）を
薄く形成し、マスクを介して露光、現像を行ない、上層
感光性レジスト層のパターン（７）を形成し、この上層
感光性レジスト層のパターンをマスクとして、ドライエ
ツチングなどにより下層レジスト層の微細加工を行なう
ものである。 上記のような微細加工には、各種のドライエツチング技
術が多用されでおり、耐ドライエツチング性に優れたレ
ジストが必要となっている。 ［発明が解決しようとする問題点１ 従米のレジスト膜形成法としては、レジスト溶液をスピ
ナーを用いて塗布し、そののち加熱により溶剤成分を除
去し、レジスト膜をうる方法が一般的である。 通常、レジスト族の解像度は膜厚が薄いほど良好である
が、スピナーによる成膜法では、０．１μｌ以下の均一
なしシスト裏をうろことは困難であり、ピンホールが生
じてしまう。 また、耐ドライエツチング性をレジスト族に持たせる意
味からもある程度の厚さが必要であり、この点からも高
い解像度をうゐには限界がある。 本発明は、上記のような問題点を解決するためになされ
たものであり、高い解像度を有し、かつ耐ドライエツチ
ング性に優れた感光性レジストをうることを目的とする
ものである。 Ｅ問題点を解決するための手段］ 本発明は、半導体製造工程の微細加工に使用されるレジ
ストとして一般式（Ｉ）： （式中、ＲいＲ２は有機基、Ｘは水素原子＊たはハロゲ
ン原子、ｎは１以上の整数を表わす）で示される有機シ
ラン化合物を減圧下で気化させ、気相光化学反応を行な
い基板上に堆積させた有機ポリシラン膜をレジスト膜と
しで使用することを特徴とする耐ドライエツチング性を
有する有機シリコーン系遠紫外線感光性レジストに関す
る。＠らに詳しくは、一般式（１）で示される有機シラ
ン化合物を減圧下で気化させ、たとえば低圧水銀灯や紫
外線レーザーなどを光源として気相光化学反応を行なう
ことにより、基板上に有機ポリシラン膜を堆積させた耐
ドライエツチング性に優れた遠紫外線感光性レジストに
関する。
太番ｌｌ１１１ に 松−１ｆ Ｉ十−詩ぜ１Ｃτ ）
ｉ（式中、Ｒｌｓ Ｒｔは有機基、Ｘは水素原子または
／Ｓロデン原子、ｎは１以上の整数を表わす）で示され
る有機シラン化合物を減圧下で気化させ、これを反応室
に導入させ、気相化学反応により基板上有機シリコーン
系薄膜として堆積せしめられる。 前記一般式（Ｉ）で示される有機シラン化合物としでは
、たとえばりメチルシラン、ジメチルジクロロシラン、
ジエチルシラン、ジエチルジクロロシラン、ジメトキシ
シラン、ジットキシジクロロシラン、ジェトキシシラン
、ジエトキシジクロロシラ−ン、メチルフェニルシラン
、メチルフェニルジクロロシラン、ジフェニルシラン、
ジフェニルジクロロシラン、ジベンジルシラン、ジベン
ジルジクロロシラン、テトラメチルジシラン、テトラメ
チルシクロロッジ２ンなどがあげられ、単独で用いても
よく、２種以上併用してもよい。 前記有機シラン化合物を気化させる減圧とは、１０−コ
〜Ｉ Ｔｏｒｒ程度の圧力のことであり、前記有機シラ
ン化合物を気化させたものを反応室に導入させ、低圧水
銀灯あるいは紫外線レーザーなどを光源として波長１８
０−２５Ｏｎ−で１０ｉ＋Ｗ／ｃｍ２程度の強度の遠紫
外線が照射され、基板上に膜厚数百〜数千λ程度の有機
シリコーン系薄膜が形成される。このばあい反応室中で
反応中のシフン化合吻は、各化合物の蒸気圧あるいは基
板温度により異なるが、その分圧が大きいほど基板上の
有機シリコーン系薄膜の堆積速度が大きい。 前記反応は、気相でおこってもよく、基板に吸着された
層でおこってもよい。 このようにしてえちれた有機シリコーン系薄膜はほとん
どのばあい有機溶媒に不溶であるが、空気中で遠紫外線
を照射することにより極性溶媒、たとえばメタノール、
アセトン、テトラヒドロ７ラン、アセトニトリル、ツメ
チルホルムアミドなどに可溶となるため、湿式現像によ
り、ポジ型のレジスト膜として使用しうる。これは、え
ちれた膜が５ｉ−Ｓｉ結合を主に含み、空気中で遠紫外
線を照射することにより酸化され、５ｉ−０−Ｓｉの構
造が生成するためであり、５ｉ−Ｓｉ結合を主に含むば
あいよりも感度が向上する。 また、前記有機シリコーン系薄膜は、Ｓｉを含有した薄
膜であるため、酸素などによるドライエツチング耐性が
優れており、ドライエツチングにより膜厚がほとんど減
少しない。 さらに本発明では、気相反応を利用してレジスト膜を形
成させるため、ピンホールがなく、膜厚制御が容易であ
る。それゆえ、０．１μ厘以下の非常に薄い膜でも均一
に精度よく形成で終る。＊た、通常の合成法によってえ
ちれた有機ポリシラン化合物は、溶媒に不溶であるもの
が多く、しシスト膜として使用できるものが限定される
が、本発明における有機ポリシラン化合物は容易に薄膜
化でき、通常の溶媒に不溶性を示すものも可能である。 本発明における有機ポリシラン化合物は上記のごとき特
性を有するため、えられた有機シリコーン系薄膜をレジ
スト膜として用いれば、現像溶媒による１Ｉｆｆがなく
、高い解像度のレジスト膜がえられ、サブミクロン加工
も可能である。 また、前記光化学反応の光源として、低圧水銀灯、紫外
線レーザーなどのほか、重水素ランプ、アルゴンイオン
レーザ−の第２高周波、エキシマレーザ−などの遠紫外
線を用いてもよい。 さらに前記気相光化学反応においては光増感剤を用いて
もよく、光増感剤として水銀蒸気を用いると、水銀蒸気
が１０１〜１Ｇ−’Ｔｏｒｒ存在すれば堆積速度がはや
くなるという効果がある。 また、前記気相反応によってえちれた有機シリコーン系
薄膜を２層構造レジストの上層として用いると、Ｗ０２
プラズマエツチング性に優れた膜が数百人のオーダーで
均一に成膜できるため、高解像度のものかえられる。 以下、実施例を用いて本発明の有機シリコーン系遠紫外
線感光性＆／シストをさらに詳細に説明するが、本発明
はかかる実施例のみに限定されるものではない。 実施例１ ジフェニルシランをＩ Ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒの減圧下
、５０℃で気化させ、水銀溜めを経由して上部に石英窓
を有した反応容器中に導入した。つぎに反応容器中に置
かれた基板上に１００Ｗの低圧水銀灯（ウシオ電ＩＩ（
株）製）を用いて遠紫外線を基板から１０ｃｍ離れたと
ころから外部より石英窓を通して照射し、基板温度を室
温で３０分間反応させた０反応時の反応容器内のシフェ
ニルンラン分圧はＩ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒであった。 このときシリコンウェハー基板上に形成された有機シリ
コーン系ｉｌＩ［は通常の溶媒に不溶であり、膜厚は５
００人であった。 えられた薄膜に５００ＷのＸｅ−１１１ｇランプ（ウシ
オ電１’ｊｌ（株）製）を用い、２０ｃｍ離れたところ
からマスクを介して４０秒間照射した。そののち、メタ
ノール−７七トン混合溶媒を現像液として湿式現像を行
なった。その結果、ボッ型のパターンがえられた。 そののち、平行平板型ＲＩＥ装置（アネルパ社製）を用
い、酸素ガス圧１５ｍＴｏｒｒ、 ｐ＜ワー０．１５Ｎ
／ｃｉ＋”でエツチングを行なったが、膜厚はほとんど
変化しなかった。 実施例２ り ７ ｘニルシランのかわりにジメチルνクロロシフ
ンを用い、実施例１と同様の装置を用いてツメチルジク
ロロシラン分圧２ Ｔｏｒｒｓ基板温度３０℃の条件下
で３０分間反応させた。えちれた有機シリコーン系薄膜
は通常の溶媒に不溶であり、膜厚は約０．ＩＪｊｍであ
った。実施例１と同様の試験を行なった結果、実施例１
と同様の結果がえられた。 実施例３ ｙフェニルシランのかわりにメチルフェニルシランを用
い、実施例１と同様の装置を用いてメチルフェニルシラ
ン分圧０． ＩＴｏｒｒ、 ＨＩＩ 温度３０℃の条件
下で３０分間反応を行なった。えちれた有機シリコーン
系薄膜は、トルエンなどの無極性溶媒に部分的に溶解す
る膜であり、膜厚は８００人であった。実施例１と同様
に遠紫外線を３０秒間照射したのチ、トルエン：イソプ
ロビルアルコール＝２：３（重量比）の混合溶媒で現像
した結果、ポジ型のパターンかえられた。 上記実施例では、有機シラン化合物を単独で使用したが
、２種以上の有機シラン化合物を同様に反応させてもよ
い、また、光源として紫外線レーザーを用いで集光させ
、基板上に照射し、基板もしくはレーザービームを走査
することにより、基板上に直接有機シリコーン系薄膜の
パターンを形成させることも可能である。
ｉ（式中、Ｒｌｓ Ｒｔは有機基、Ｘは水素原子または
／Ｓロデン原子、ｎは１以上の整数を表わす）で示され
る有機シラン化合物を減圧下で気化させ、これを反応室
に導入させ、気相化学反応により基板上有機シリコーン
系薄膜として堆積せしめられる。 前記一般式（Ｉ）で示される有機シラン化合物としでは
、たとえばりメチルシラン、ジメチルジクロロシラン、
ジエチルシラン、ジエチルジクロロシラン、ジメトキシ
シラン、ジットキシジクロロシラン、ジェトキシシラン
、ジエトキシジクロロシラ−ン、メチルフェニルシラン
、メチルフェニルジクロロシラン、ジフェニルシラン、
ジフェニルジクロロシラン、ジベンジルシラン、ジベン
ジルジクロロシラン、テトラメチルジシラン、テトラメ
チルシクロロッジ２ンなどがあげられ、単独で用いても
よく、２種以上併用してもよい。 前記有機シラン化合物を気化させる減圧とは、１０−コ
〜Ｉ Ｔｏｒｒ程度の圧力のことであり、前記有機シラ
ン化合物を気化させたものを反応室に導入させ、低圧水
銀灯あるいは紫外線レーザーなどを光源として波長１８
０−２５Ｏｎ−で１０ｉ＋Ｗ／ｃｍ２程度の強度の遠紫
外線が照射され、基板上に膜厚数百〜数千λ程度の有機
シリコーン系薄膜が形成される。このばあい反応室中で
反応中のシフン化合吻は、各化合物の蒸気圧あるいは基
板温度により異なるが、その分圧が大きいほど基板上の
有機シリコーン系薄膜の堆積速度が大きい。 前記反応は、気相でおこってもよく、基板に吸着された
層でおこってもよい。 このようにしてえちれた有機シリコーン系薄膜はほとん
どのばあい有機溶媒に不溶であるが、空気中で遠紫外線
を照射することにより極性溶媒、たとえばメタノール、
アセトン、テトラヒドロ７ラン、アセトニトリル、ツメ
チルホルムアミドなどに可溶となるため、湿式現像によ
り、ポジ型のレジスト膜として使用しうる。これは、え
ちれた膜が５ｉ−Ｓｉ結合を主に含み、空気中で遠紫外
線を照射することにより酸化され、５ｉ−０−Ｓｉの構
造が生成するためであり、５ｉ−Ｓｉ結合を主に含むば
あいよりも感度が向上する。 また、前記有機シリコーン系薄膜は、Ｓｉを含有した薄
膜であるため、酸素などによるドライエツチング耐性が
優れており、ドライエツチングにより膜厚がほとんど減
少しない。 さらに本発明では、気相反応を利用してレジスト膜を形
成させるため、ピンホールがなく、膜厚制御が容易であ
る。それゆえ、０．１μ厘以下の非常に薄い膜でも均一
に精度よく形成で終る。＊た、通常の合成法によってえ
ちれた有機ポリシラン化合物は、溶媒に不溶であるもの
が多く、しシスト膜として使用できるものが限定される
が、本発明における有機ポリシラン化合物は容易に薄膜
化でき、通常の溶媒に不溶性を示すものも可能である。 本発明における有機ポリシラン化合物は上記のごとき特
性を有するため、えられた有機シリコーン系薄膜をレジ
スト膜として用いれば、現像溶媒による１Ｉｆｆがなく
、高い解像度のレジスト膜がえられ、サブミクロン加工
も可能である。 また、前記光化学反応の光源として、低圧水銀灯、紫外
線レーザーなどのほか、重水素ランプ、アルゴンイオン
レーザ−の第２高周波、エキシマレーザ−などの遠紫外
線を用いてもよい。 さらに前記気相光化学反応においては光増感剤を用いて
もよく、光増感剤として水銀蒸気を用いると、水銀蒸気
が１０１〜１Ｇ−’Ｔｏｒｒ存在すれば堆積速度がはや
くなるという効果がある。 また、前記気相反応によってえちれた有機シリコーン系
薄膜を２層構造レジストの上層として用いると、Ｗ０２
プラズマエツチング性に優れた膜が数百人のオーダーで
均一に成膜できるため、高解像度のものかえられる。 以下、実施例を用いて本発明の有機シリコーン系遠紫外
線感光性＆／シストをさらに詳細に説明するが、本発明
はかかる実施例のみに限定されるものではない。 実施例１ ジフェニルシランをＩ Ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒの減圧下
、５０℃で気化させ、水銀溜めを経由して上部に石英窓
を有した反応容器中に導入した。つぎに反応容器中に置
かれた基板上に１００Ｗの低圧水銀灯（ウシオ電ＩＩ（
株）製）を用いて遠紫外線を基板から１０ｃｍ離れたと
ころから外部より石英窓を通して照射し、基板温度を室
温で３０分間反応させた０反応時の反応容器内のシフェ
ニルンラン分圧はＩ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒであった。 このときシリコンウェハー基板上に形成された有機シリ
コーン系ｉｌＩ［は通常の溶媒に不溶であり、膜厚は５
００人であった。 えられた薄膜に５００ＷのＸｅ−１１１ｇランプ（ウシ
オ電１’ｊｌ（株）製）を用い、２０ｃｍ離れたところ
からマスクを介して４０秒間照射した。そののち、メタ
ノール−７七トン混合溶媒を現像液として湿式現像を行
なった。その結果、ボッ型のパターンがえられた。 そののち、平行平板型ＲＩＥ装置（アネルパ社製）を用
い、酸素ガス圧１５ｍＴｏｒｒ、 ｐ＜ワー０．１５Ｎ
／ｃｉ＋”でエツチングを行なったが、膜厚はほとんど
変化しなかった。 実施例２ り ７ ｘニルシランのかわりにジメチルνクロロシフ
ンを用い、実施例１と同様の装置を用いてツメチルジク
ロロシラン分圧２ Ｔｏｒｒｓ基板温度３０℃の条件下
で３０分間反応させた。えちれた有機シリコーン系薄膜
は通常の溶媒に不溶であり、膜厚は約０．ＩＪｊｍであ
った。実施例１と同様の試験を行なった結果、実施例１
と同様の結果がえられた。 実施例３ ｙフェニルシランのかわりにメチルフェニルシランを用
い、実施例１と同様の装置を用いてメチルフェニルシラ
ン分圧０． ＩＴｏｒｒ、 ＨＩＩ 温度３０℃の条件
下で３０分間反応を行なった。えちれた有機シリコーン
系薄膜は、トルエンなどの無極性溶媒に部分的に溶解す
る膜であり、膜厚は８００人であった。実施例１と同様
に遠紫外線を３０秒間照射したのチ、トルエン：イソプ
ロビルアルコール＝２：３（重量比）の混合溶媒で現像
した結果、ポジ型のパターンかえられた。 上記実施例では、有機シラン化合物を単独で使用したが
、２種以上の有機シラン化合物を同様に反応させてもよ
い、また、光源として紫外線レーザーを用いで集光させ
、基板上に照射し、基板もしくはレーザービームを走査
することにより、基板上に直接有機シリコーン系薄膜の
パターンを形成させることも可能である。
【発明の効果】
以上説明したように本発明の有機シリコーン系遠紫外感
光性レジストは、気相光化学反応を利用して気相中より
直接基板上に形成せしめられるため、ピンホールもない
均一なサブミクロン単位の薄い膜となる。そのうえ、え
られた本発明の有機シリコーン系遠紫外感光レジストは
、耐エツチング性が良好である。＊た、サブミクロン単
位のレジスト族がえられるので、パターンを形成したば
あいの解像度が高くなる。 また、通常の合成法では、溶媒に不溶となってしまう有
機シリコーン化合物もレジスト材料として利用できる。
光性レジストは、気相光化学反応を利用して気相中より
直接基板上に形成せしめられるため、ピンホールもない
均一なサブミクロン単位の薄い膜となる。そのうえ、え
られた本発明の有機シリコーン系遠紫外感光レジストは
、耐エツチング性が良好である。＊た、サブミクロン単
位のレジスト族がえられるので、パターンを形成したば
あいの解像度が高くなる。 また、通常の合成法では、溶媒に不溶となってしまう有
機シリコーン化合物もレジスト材料として利用できる。
第１図および第２図は、いずれも従来の感光性レジスト
を用いた半導体製造工程に屑する説明図である。
を用いた半導体製造工程に屑する説明図である。
Claims (4)
- （１）半導体製造工程の微細加工に使用されるレジスト
として一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２は有機基、Ｘは水素原子または
ハロゲン原子、ｎは１以上の整数を表わす）で示される
有機シラン化合物を減圧下で気化させ、気相光化学反応
を行ない、基板上に堆積させた有機ポリシラン膜をレジ
スト膜として使用することを特徴とする耐ドライエッチ
ング性を有する有機シリコーン系遠紫外線感光性レジス
ト。 - （２）前記気相光化学反応の励起用光源として、低圧水
銀灯あるいは紫外線レーザーを用いることを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項記載の有機シリコーン系遠紫
外線感光性レジスト。 - （３）前記気相光化学反応の光増感剤として、水銀蒸気
を用いることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
載の有機シリコーン系遠紫外線感光性レジスト。 - （４）前記気相光化学反応によりえられた有機ポリシラ
ン膜を２層構造レジストの上層レジストとして用いるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の有機シ
リコーン系遠紫外線感光性レジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60073116A JPS61230140A (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | 有機シリコ−ン系遠紫外線感光性レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60073116A JPS61230140A (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | 有機シリコ−ン系遠紫外線感光性レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61230140A true JPS61230140A (ja) | 1986-10-14 |
Family
ID=13508964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60073116A Pending JPS61230140A (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | 有機シリコ−ン系遠紫外線感光性レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61230140A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0643655A (ja) * | 1991-03-04 | 1994-02-18 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レジスト画像の生成プロセス及び電子デバイス |
| JPH0649219A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 両末端ヒドロポリシラン及びその製造方法 |
| WO1995006900A1 (fr) * | 1993-09-03 | 1995-03-09 | Hitachi, Ltd. | Procede et appareil de realisation de motifs |
-
1985
- 1985-04-04 JP JP60073116A patent/JPS61230140A/ja active Pending
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
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