KR20130116978A - 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 편광자 제조방법 및 표시 기판의 제조방법 - Google Patents

포토레지스트 조성물, 이를 이용한 편광자 제조방법 및 표시 기판의 제조방법 Download PDF

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KR20130116978A
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diacrylate
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장대환
아츠시 타카쿠와
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Abstract

개시된 산화물 반도체용 조성물은 금속 나이트레이트 및 물을 포함하며, pH가 1 내지 4이다. 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 따르면, 기판 상에, 상기 산화물 반도체용 조성물을 코팅하여 박막을 형성하고, 상기 박막을 열처리하고, 상기 박막을 패터닝하여 반도체 패턴을 형성한다. 상기 박막 트랜지스터 기판은 게이트 전극, 반도체 패턴, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.

Description

포토레지스트 조성물, 이를 이용한 편광자 제조방법 및 표시 기판의 제조방법{PHOTORESIST COMPOSITION, METHOD OF MANUFACTURING A POLARIZER AND METHOD OF MANUFACTURING A DISPLAY SUBSTRATE USING THE SAME}
본 발명은 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 편광자 제조방법 및 표시 기판의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 편광자를 제조하기 위한 나노임프린팅 공정에 사용될 수 있는 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 편광자 제조방법 및 표시 기판의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치는 기존의 CRT 방식의 표시장치에 비하여, 두께가 얇고, 무게가 가벼운 장점이 있어, 널리 사용되고 있다. 그러나, 상기 액정표시장치는 액정층을 광셔터로 사용하여 영상을 표시하기 때문에, 액정표시패널에 조사되는 직선편광을 필요로 한다.
상기 백라이트 어셈블리로부터 출사된 랜덤한 편광을 직선편광으로 변경시키기 위해, 상기 액정표시패널은 편광판을 포함한다. 상기 편광판은 상기 백라이트 어셈블리로부터 출사된 광의 상당량을 흡수하기 때문에, 효율성이 낮으며, 내열성이 낮고 자외선에 의해 열화되기 쉽다.
종래의 편광판을 대체하는 편광 기술로서, 격자선(wire grid) 패턴을 이용하는 기술이 개발되고 있다. 이때, 상기 격자선 패턴에 의한 편광이 상기 일반 편광판과 동등한 수준의 편광도를 갖기 위해서는 상기 격자선들의 선폭 및 피치는, 가시광보다도 짧은, 수십 내지 수백 나노미터 사이즈를 가질 필요가 있다.
상기 격자선 편광자를 제조하기 위하여, 나노임프린팅 방법이 알려져 있다. 상기 나노임프린팅 방법에 따르면, 격자선의 형상이 패턴된 몰드를 준비하고, 금속층 위에 형성된 포토레지스트층에 상기 격자선 형상을 모사하여, 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 금속층을 식각한다.
그러나, 상기 나노임프린팅 방법에서 사용되는 종래의 포토레지스트 조성물에 의해 형성된 포토레지스트 패턴은 플라즈마 가스를 이용한 건식 식각 과정에서 쉽게 박리되며, 결과적으로 편광자의 효율과 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있다.
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 안정성이 향상된 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 포토레지스트 조성물을 이용한 편광자의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 상기 포토레지스트 조성물을 이용한 표시 기판의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따르면, 포토레지스트 조성물이 제공된다. 상기 포토레지스트 조성물은 65 중량% 내지 80 중량%의 단일 관능기성 모노머, 5 중량% 내지 20 중량%의 이관능기성 모노머, 1 중량% 내지 10 중량%의 셋 이상의 관능기를 갖는 다관능기성 모노머, 1 중량% 내지 5 중량%의 광개시제 및 1 중량% 이내의 계면 활성제를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 단일 관능기성 모노머는, 글리시딜 아크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트, 히드록시에틸 메타크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시-프로필 아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 메틸에테르 메타크릴레이트, 히드록시에틸 아크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트, 히드록시프로필 아크릴레이트, 2-페녹시에틸 아크릴레이트, 2-페녹시에틸 메타크릴레이트, 3,3,5-트리메틸시클로헥실 메타크릴레이트, 이소보닐 아크릴레이트, 이소보닐 메타크릴레이트, 이소데실 아크릴레이트, 이소데실 메타크릴레이트, 이소옥틸 아크릴레이트, 라우릴 아크릴레이트, 스테아릴 아크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴 아크릴레이트 및 트리데실 아크릴레이트로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 이관능기성 모노머는, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디메타크릴레이트, 에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 1,1,2-도데칸디올 디메타크릴레이트, 1,4-부탄디올 디메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 디프로필렌글리콜 디아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트, 비스페놀 A 디메타크릴레이트, 에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올 디아크릴레이트 및 트리에틸렌글리콜 디아크릴레이트로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 다관능기성 모노머는, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 트리페틸프로판 트리아크릴레이트, 트리메티프로판 트리메타아크릴레이트, 글리세롤 트리아크릴레이트, 트리(2-히드록시에틸) 이소시아누레이트 트리아크릴레이트, 디-트리메틸프로판 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트 및 펜타에리트로톨 테트라아크릴레이트로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광개시제는, 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(모폴리닐)페닐]-1-부타논, 페닐 비스(2,4,6-트리메틸)벤조일 및 1-히드록시시클로헥실 페닐케톤으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 계면 활성제는 실리콘계 계면활성제 및 불소계 계면 활성제로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 다른 실시예에 따르면, 편광자의 제조방법이 제공된다. 상기 편광자의 제조방법에 따르면, 베이스 기판 위에 반사층을 형성한다. 상기 반사층 위에 65 중량% 내지 80 중량%의 단일 관능기성 모노머, 5 중량% 내지 20 중량%의 이관능기성 모노머, 1 중량% 내지 10 중량%의 셋 이상의 관능기를 갖는 다관능기성 모노머, 1 중량% 내지 5 중량%의 광개시제 및 1 중량% 이내의 계면 활성제를 포함하는 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트 코팅층을 형성한다. 상기 포토레지스트 코팅층에 선격자 형상을 갖는 스탬프를 가압한다. 상기 포테레지스트 코팅층을 경화하여, 선격자 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 스탬프를 상기 포토레지스트 패턴으로부터 제거한다. 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여, 상기 반사층을 패터닝하여 선격자 패턴을 형성한다.
일 실시예에서, 상기 반사층은 금속층 및 상기 금속층 위에 형성된 보호층을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 금속층은 니켈, 알루미늄, 티타늄, 은 및 크롬으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 보호층은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 포토레지스트 코팅층을 경화하기 위하여 상기 포토레지스트 코팅층에 자외선을 제공할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 포토레지스트 패턴은 제1 두께를 갖는 제1 부분과, 상기 제1 두께보다 작은 두께는 갖는 제2 부분을 포함하며, 상기 반사층을 패터닝하기 전에 상기 포토레지스트 패턴의 제2 부분을 제거하여 상기 반사층의 일부를 노출시킬 수 있다.
일 실시예에서, 상기 포토레지스트 패턴의 제2 부분을 제거하기 위하여 상기 포토레지스트 패턴에 전체적으로 플라즈마를 가할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 또다른 실시예에 따르면, 표시 기판의 제조방법이 제공된다. 상기 표시 기판의 제조방법에 따르면, 베이스 기판 위에 반사층을 형성한다. 상기 반사층 위에 65 중량% 내지 80 중량%의 단일 관능기성 모노머, 5 중량% 내지 20 중량%의 이관능기성 모노머, 1 중량% 내지 10 중량%의 셋 이상의 관능기를 갖는 다관능기성 모노머, 1 중량% 내지 5 중량%의 광개시제 및 1 중량% 이내의 계면 활성제를 포함하는 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트 코팅층을 형성한다. 상기 포토레지스트 코팅층에 선격자 형상을 갖는 스탬프를 가압한다. 상기 포테레지스트 코팅층을 경화하여, 선격자 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 스탬프를 상기 포토레지스트 패턴으로부터 제거한다. 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여, 상기 반사층을 패터닝하여 선격자 패턴을 형성한다. 상기 보호막 위에 스위칭 소자 어레이를 형성한다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 또다른 실시예에 따르면, 표시 기판의 제조방법이 제공된다. 상기 표시 기판의 제조방법에 따르면, 베이스 기판의 제1 면 위에 반사층을 형성한다. 상기 반사층 위에 65 중량% 내지 80 중량%의 단일 관능기성 모노머, 5 중량% 내지 20 중량%의 이관능기성 모노머, 1 중량% 내지 10 중량%의 셋 이상의 관능기를 갖는 다관능기성 모노머, 1 중량% 내지 5 중량%의 광개시제 및 1 중량% 이내의 계면 활성제를 포함하는 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트 코팅층을 형성한다. 상기 포토레지스트 코팅층에 선격자 형상을 갖는 스탬프를 가압한다. 상기 포테레지스트 코팅층을 경화하여, 선격자 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 스탬프를 상기 포토레지스트 패턴으로부터 제거한다. 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여, 상기 반사층을 패터닝하여 선격자 패턴을 형성한다. 상기 베이스 기판의 제1 면에 반대되는 제2 면에 스위칭 소자 어레이를 형성한다.
이와 같은 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 편광자 제조방법 및 표시 기판의 제조방법에 따르면, 플라즈마 가스를 이용한 건식 식각에 대하여 높은 저항성을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 편광자 제조를 위한 나노임프린팅 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 포토레지스트 조성물은 단일 관능기 모노머를 이용하여 조성물의 점도를 조절함으로써, 종래의 포토레지스트 조성물에 사용되는 별도의 용매를 포함하지 않을 수 있다. 따라서, 용매를 건조하기 위한 프리베이크 공정을 생략함으로써, 편광자의 제조 효율을 증가시킬 수 있다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 편광자의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 7 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 기판의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 편광자를 갖는 표시 패널의 단면도이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따라 제조된 편광자를 갖는 표시 패널의 단면도이다.
이하에서는, 먼저 본 발명의 포토레지스트 조성물에 대해서 설명한 후, 첨부한 도면들을 참조하여, 편광자의 제조방법 및 표시 기판의 제조방법에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
포토레지스트 조성물
본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은 약 65 중량% 내지 약 80 중량%의 단일 관능기성 모노머, 약 5 중량% 내지 약 20 중량%의 이관능기성 모노머, 약 1 중량% 내지 약 10 중량%의 셋 이상의 관능기를 갖는 다관능기성 모노머, 약 1 중량% 내지 약 5 중량%의 광개시제 및 약 1 중량% 이내의 계면 활성제를 포함한다.
상기 단일 관능기성 모노머는 하나의 반응 가능한 관능기를 갖는다. 상기 단일 관능기성 모노머는 상기 포토레지스트 조성물에 광이 제공되는 경우, 상기 광개시제에 의해 활성화되어, 인접한 단일 관능기성 모노머, 상기 이관능기성 모노머 또는 상기 다관능기성 모노머와 결합하여 사슬형의 고분자를 형성한다. 상기 단일 관능기성 모노머는 상기 이관능기성 모노머 및 상기 다관능기성 모노머에 비하여 낮은 점도를 가지며, 상기 포토레지스트 조성물이 전체적으로 적절한 점도를 갖도록 하는 용매의 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 단일 관능기성 모노머는 상기 이관능기성 모노머 및 상기 다관능기성 모노머에 비하여 활성화 속도가 빠르다. 따라서, 상기 포토레지스트 조성물의 광경화 속도를 증가시킬 수 있다.
바람직하게, 상기 단일 관능기성 모노머는 (메타)아크릴레이트기를 갖는다. 상기 단일 관능기성 모노머는 (메타)아크릴레이트기에 더하여 에폭시기를 갖는 화합물을 포함한다.
예를 들어, 글리시딜 아크릴레이트(glycidyl acrylate), 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate), 히드록시에틸 메타크릴레이트(hydroxyethyl methacrylate), 2-히드록시-3-페녹시-프로필 아크릴레이트(2-hydroxy-3-phenoxy propylacrylate), 디에틸렌글리콜 메틸에테르 메타크릴레이트(diethylene glycol methyl ether methacrylate), 히드록시에틸 아크릴레이트(hydroxy ethylacrylate), 부틸 메타크릴레이트(butyl methacrylate), 히드록시프로필 아크릴레이트(hydroxypropyl acrylate), 2-페녹시에틸 아크릴레이트(2-phenoxyethyl acrylate), 2-페녹시에틸 메타크릴레이트(2-Pheonoxyethyl methacrylate), 3,3,5-트리메틸시클로헥실 메타크릴레이트(3,3,5-trimethylcyclohexyl methacrylate), 이소보닐 아크릴레이트(isobornyl acrylate), 이소보닐 메타크릴레이트(isobornyl methacrylate), 이소데실 아크릴레이트(isodecyl acrylate), 이소데실 메타크릴레이트(isodecyl methacrylate), 이소옥틸 아크릴레이트(isooctyl acrylate), 라우릴 아크릴레이트(lauryl acrylate), 스테아릴 아크릴레이트(stearyl acrylate), 테트라하이드로푸르푸릴 아크릴레이트(tetrahydrofurfuryl acrylate), 트리데실 아크릴레이트(tridecyl acrylate) 등이 상기 단일 관능기성 모노머로 사용될 수 있다. 이들은 각각 혼합되어 또는 단독으로 사용될 수 있다.
상기 단일 관능기성 모노머의 함량이 65 중량% 미만인 경우, 조성물의 점도가 증가하여, 미세한 패턴을 임프린팅하기 어려우며, 80 중량% 이상인 경우, 광경화를 통한 가교 결합이 충분하지 않아, 포토레지스트 패턴의 안정성이 저하될 수 있다. 따라서, 상기 단일 관능기성 모노머의 바람직한 함량은 약 65 중량% 내지 약 80 중량%이다.
상기 이관능기성 모노머는 두개의 반응 가능한 관능기를 갖는다. 상기 이관능기성 모노머는 상기 다관능기성 모노머에 비하여 작은 점도를 가지므로, 조성물의 점도 증가를 방지할 수 있다. 상기 이관능기성 모노머는 인접한 이관능기성 모노머, 상기 단일 관능기성 모노머 또는 상기 다관능기성 모노머와 결합하여 사슬형의 고분자를 형성하거나, 상기 인접하는 사슬형의 고분자들과 결합하여 가교 결합을 형성할 수 있다.
바람직하게, 상기 이관능기성 모노머는 (메타)아크릴레이트기를 갖는다. 예를 들어, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트(1,6-hexanediol diacrylate), 1,6-헥산디올 디메타크릴레이트(1,6-hexanediol dimethacrylate), 에틸렌글리콜 디메타크릴레이트(ethylene glycol dimethacrylate), 디에틸렌글리콜 디메타크릴레이트(diethylene glycol dimethacrylate), 1,1,2-도데칸디올 디메타크릴레이트(1,1,2-dodecanediol dimethacrylate), 1,4-부탄디올 디메타크릴레이트(1,4-butanediol dimethacrylate), 네오펜틸글리콜 디아크릴레이트(neopentyl glycol diacrylate), 디에틸렌글리콜 디아크릴레이트(diethylene glycol diacrylate), 디프로필렌글리콜 디아크릴레이트(diproylene glycol diacrylate), 비스페놀 A 디아크릴레이트(bisphenol A diacrylate), 비스페놀 A 디메타크릴레이트(bisphenol A dimethacrylate), 에틸렌글리콜 디아크릴레이트(ethylene glycol diacrylate), 테트라에틸렌글리콜 디아크릴레이트(tetraethylene glycol diacrylate), 트리시클로데칸디메탄올 디아크릴레이트(tricyclodecane dimethanol diacrylate), 트리에틸렌글리콜 디아크릴레이트(triethylene glycol diacrylate) 등이 상기 이관능기성 모노머로 사용될 수 있다. 이들은 각각 혼합되어 또는 단독으로 사용될 수 있다.
상기 이관능기성 모노머의 함량이 5 중량% 미만인 경우, 광경화를 통한 가교 결합이 충분하지 않아, 포토레지스트 패턴의 안정성이 저하될 수 있으며, 20 중량%를 초과하는 경우, 조성물의 점도가 증가하여, 미세한 패턴을 임프린팅하기 어렵다. 따라서, 상기 이관능기성 모노머의 바람직한 함량은 약 5 중량% 내지 약 20 중량%이며, 보다 바람직하게는 8 내지 10 중량%이다.
상기 다관능기성 모노머는 셋 이상의 반응 가능한 관능기를 갖는다. 상기 다관능기성 모노머는 인접한 다관능기성 모노머, 상기 단일 관능기성 모노머 또는 상기 이관능기성 모노머와 결합하여 사슬형의 고분자를 형성하거나, 상기 인접하는 사슬형의 고분자들과 결합하여 가교 결합을 형성할 수 있다.
바람직하게, 상기 다관능기성 모노머는 (메타)아크릴레이트기를 갖는다. 예를 들어, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트(pentaerythritol triacrylate), 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트(pentaerythritol tetraacrylate), 트리페틸프로판 트리아크릴레이트(trimethylpropane triacrylate), 트리메티프로판 트리메타아크릴레이트(trimethylpropane trimethacrylate), 글리세롤 트리아크릴레이트(glycerol triacrylate), 트리(2-히드록시에틸) 이소시아누레이트 트리아크릴레이트(tris(2-hydroxyethyl) isocyanurate triacrylate), 디-트리메틸프로판 테트라아크릴레이트(di-trimethylpropane tetraacrylate), 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트(dipentaerythritol pentaacrylate), 펜타에리트로톨 테트라아크릴레이트(pentaerythrotol tetraacrylate) 등이 상기 다관능기성 모노머로 사용될 수 있다. 이들은 각각 혼합되어 또는 단독으로 사용될 수 있다.
상기 다관능기성 모노머의 함량이 1 중량% 미만인 경우, 광경화를 통한 가교 결합이 충분하지 않아, 포토레지스트 패턴의 안정성이 저하될 수 있으며, 10 중량%를 초과하는 경우, 조성물의 점도가 증가하여, 미세한 패턴을 임프린팅하기 어렵다. 따라서, 상기 다관능기성 모노머의 바람직한 함량은 약 1 중량% 내지 약 10 중량%이며, 보다 바람직하게는 1 내지 5 중량%이다.
상기 광개시제는 광, 예를 들어, 자외선에 의해 활성화되어, 상기 모노머들의 반응을 활성화한다. 예를 들어, 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(모폴리닐)페닐]-1-부타논(2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-[4-(mopholinyl)phenyl]-1-butanone), 페닐 비스(2,4,6-트리메틸)벤조일, 1-히드록시시클로헥실 페닐케톤(1-hydroxycycolhexyl phenyl ketone) 등이 상기 광개시제로 사용될 수 있다. 이들은 각각 혼합되어 또는 단독으로 사용될 수 있다.
또한, 상기 예시된 광개시제에 더하여, 또는 상기 광개시제를 대체하여 이중 액티브 사이트(dual active site)를 생성하는 광개시제가 사용될 수도 있다.
상기 광 개시제의 함량이 약 1 중량% 미만인 경우, 광경화 반응 속도가 느려지거나, 가교 결합의 형성이 충분하지 않을 수 있다. 따라서, 상기 광 개시제의 함량은 바람직하게, 약 1 중량% 내지 약 5 중량%이다.
상기 계면활성제는 상기 포토레지스트 조성물의 표면 장력 및 표면 에너지를 조절하기 위하여 첨가된다. 예를 들어, 실리콘계 계면활성제 또는 불소계 계면 활성제가 사용될 수 있으며, 구체적으로, FZ-2110, FZ-2112 (상품명, Dow Corning), BYK-345, BYK-346, BYK348(상품명, BYK) 등이 상기 계면활성제로 사용될 수 있다. 이들은 각각 혼합되어 또는 단독으로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은 플라즈마 가스를 이용한 건식 식각에 대하여 높은 저항성을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 편광자 제조를 위한 나노임프린팅 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 포토레지스트 조성물은 단일 관능기 모노머를 이용하여 조성물의 점도를 조절함으로써, 종래의 포토레지스트 조성물에 사용되는 별도의 용매를 포함하지 않을 수 있다. 따라서, 용매를 건조하기 위한 프리베이크 공정을 생략함으로써, 편광자의 제조 효율을 증가시킬 수 있다.
이하에서는 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 편광자의 제조방법을 설명하기로 한다.
편광자의 제조방법
도 1 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 편광자의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 베이스 기판 위에 금속층을 포함하는 반사층을 형성한다. 구체적으로, 베이스 기판(10) 위에 형성된 금속층(12) 및 상기 금속층(12) 위에 형성된 보호층(14)을 형성한다. 다음으로, 상기 보호층(14) 위에 포토레지스트 조조성물을 도포하여 포토레지스트 코팅층(16)을 형성한다.
상기 금속층(12)은, 니켈, 알루미늄, 티타늄, 은, 크롬 등의 금속을 스푸터링 등의 방법을 이용하여 상기 베이스 기판(10) 상에 증착함으로써 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속층(12)의 두께는 약 50 nm 내지 약 200 nm일 수 있다.
상기 보호층(14)은 상기 금속층(12) 위에 형성되어, 상기 포토레지스트 조성물로부터 형성된 포토레지스트 패턴을 건식 식각하는 과정에서 상기 금속층(12)이 손상되는 것을 보호한다. 상기 보호층(14)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등을 포함할 수 있으며, 상기 보호층(14)의 두께는 약 30 nm 내지 약 100 nm일 수 있다.
상기 포토레지스트 조성물은 약 65 중량% 내지 약 80 중량%의 단일 관능기성 모노머, 약 5 중량% 내지 약 20 중량%의 이관능기성 모노머, 약 1 중량% 내지 약 10 중량%의 셋 이상의 관능기를 갖는 다관능기성 모노머, 약 1 중량% 내지 약 5 중량%의 광개시제 및 약 1 중량% 이내의 계면 활성제를 포함한다.
상기 단일 관능기성 모노머는 하나의 반응 가능한 관능기를 가지고, 상기 이관능기성 모노머는 두개의 반응 가능한 관능기를 가지고, 상기 다관능기성 모노머는 셋 이상의 반응 가능한 관능기를 갖는다. 바람직하게, 상기 관능기는 (메타)아크릴레이트기를 포함할 수 있다.
상기 포토레지스트 조성물은 기설명된 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 조성물과 실질적으로 동일하므로, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
상기 포토레지스트 코팅층(16) 위에 선격자 형상을 갖는 스탬프(18)를 배치시키고, 상기 스탬프(18)를 상기 포토레지스트 코팅층(16)에 가압하여, 상기 선격자 패턴을 상기 포토레지스트 코팅층(16)에 전사한다.
구체적으로, 상기 스탬프(18)는 일 방향으로 연장되며, 상기 방향과 수직한 방향으로 배열되는 복수의 돌출부(19)를 갖는다. 상기 돌출부(19)들은 일정한 간격으로 서로 이격된다.
예를 들어, 상기 스탬프(18)는 실리콘, 실리콘 산화물, 쿼츠 글라스 등의 무기 물질로 형성될 수 있으며, 다른 방법으로, 열경화성 수지, 열가소성 수지, 광경화성 수지 등을 경화하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지 등이 상기 스탬프(18)를 형성하는데 이용될 수 있다.
상기 스탬프(18)는 투명한 것, 특히, 자외선 투과율이 높은 것이 바람직하다. 상기 스탬프(18)는 상기 스탬프(18)를 가압한 후, 상기 포토레지스트 코팅층(16)으로부터의 분리를 용이하게 위하여 상기 포토레지스트 코팅층(16)과 접촉하는 이형층(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 이형층은 플루오로알킬기를 갖는 화합물을 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 스탬프(18)와 상기 포토레지스트 코팅층(16)에 가압된 상태에서, 상기 포토레지스트 코팅층(16)에 광, 예를 들어 자외선을 가하여, 상기 포토레지스트 코팅층(16)을 경화한다. 상기 포토레지스트 코팅층(16)은 상기 스탬프에 의해 가압됨으로써, 요철 형상의 단면의 선격자를 갖는 포토레지스트 패턴(17)을 형성한다.
상기 선격자의 돌출부의 폭 및 인접하는 돌출부의 간격은, 가시 광선의 파장의 절반 이하보다 작은 것이 바람직하며, 예를 들어, 약 30 nm 내지 150 nm일 수 있다.
상기 광은 상기 스탬프(18) 위에 배치된 광원으로부터, 상기 스탬프(18)를 통하여, 상기 포토레지스트 코팅층(16)에 전달된다. 따라서, 상기 스탬프(18)는 광투과율이 높은 것이 바람직하다.
도 3을 참조하면, 상기 스탬프(18)를 상기 포토레지스트 패턴(17)으로부터 제거한다. 상기 포토레지스트 패턴(17)은 요철 형상의 단면의 선격자를 가지며, 제1 두께(D1)를 갖는 제1 부분(17a)과, 상기 제1 두께(D1) 보다 작은 제2 두께(D2)를 갖는 제2 부분(17b)을 포함한다.
도 4를 참조하면, 상기 금속층(12) 및 상기 보호층(14)을 식각하기 전에, 상기 포토레지스트 패턴(17)의 제2 부분(17b)를 제거한다. 예를 들어, 상기 포토레지스트 패턴(17)에 전체적으로 플라즈마를 가하여 건식 식각을 수행한다. 예를 들어, 산소 플라즈마 등이 상기 포토레지스트 패턴(17)의 건식 식각에 이용될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 포토레지스트 조성물로부터 형성된 상기 포토레지스트 패턴(17)은 건식 식각에 대하여 높은 저항성을 갖는다. 따라서, 상기 포토레지스트 패턴의 제2 부분(17b)를 제거하는 과정에서, 상기 제1 부분(17a)가 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 결과적으로, 상기 금속층(12)을 식각하여 얻어지는 금속 패턴의 신뢰성을 높일 수 있다.
상기 건식 식각은 상기 포토레지스트 패턴(17)에 전체적으로 가해지므로, 상기 제2 부분(17b)이 제거되는 과정에서, 상기 제1 부분(17a)의 두께가 감소된다. 상기 제2 부분(17b)이 제거됨으로써, 상기 보호층(14)이 부분적으로 노출된다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 남아있는 포토레지스트 패턴(17a)를 마스크로 이용하여, 상기 금속층(12) 및 상기 보호층(14)을 건식 식각 또는 습식 식각하여, 금속 패턴(13) 및 보호 패턴(15)을 형성한 후, 상기 남아있는 포토레지스트 패턴(17a)을 제거한다.
상기 금속 패턴(13)은 상기 스탬프(18)의 돌출부(19)와 유사하게, 일 방향으로 연장되어 선형 형상을 가지며, 인접하는 금속 패턴들은 일정한 간격으로 서로 이격되도록 배치된다. 상기 금속 패턴(13)은, 상기 금속 패턴(13)으로 입사되는 광의 편광 성분에 따라 일부는 투과시키고, 일부는 반사하는 선격자 패턴의 역할을 한다.
도시되지는 않았으나, 상기 금속 패턴(13)을 보호하고, 편광자의 표면을 평탄화하기 위하여, 상기 베이스 기판(10) 상에는 보호막이 형성될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 나노임프린팅을 이용한 편광자의 제조 과정에서, 포토레지스트 패턴 마스크의 손상을 방지함으로써, 편광자의 신뢰성 및 생산성을 증가시킬 수 있다.
이하에서는 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 기판의 제조방법을 설명하기로 한다.
표시 기판의 제조방법
도 7 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 기판의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 베이스 기판(110) 위에 복수의 선격자 패턴(120)을 형성한다. 상기 선격자 패턴(120)들은 일 방향으로 연장되는 형상을 가지며, 인접하는 선격자 패턴(120)들은 일정한 거리로 서로 이격되어 있다. 상기 선격자 패턴(120)은, 상기 선격자 패턴(120)으로 입사되는 광의 편광 성분에 따라 일부는 투과시키고, 일부는 반사함으로써, 편광자의 역할을 한다.
상기 선격자 패턴(120)은 금속층을 포함하며, 상기 선격자 패턴(120)을 형성하는 과정에서 금속층의 손상을 방지하기 위하여 상기 금속층 위에 형성된 보호층을 더 포함할 수 있다.
상기 선격자 패턴(120)의 형성 방법은 도 1 내지 도 6에 도시된, 본 발명의 일 실시예에 따른 편광자의 제조방법과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 9를 참조하면, 상기 선격자 패턴(120)이 형성된 베이스 기판(110) 위에 보호막(130)을 형성한다. 상기 보호막(130)은 상기 선격자 패턴(120)을 보호하고, 상기 베이스 기판(110)의 상면을 평탄화할 수 있다.
예를 들어, 상기 보호막(130)은 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 페놀 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지 등을 포함하는 열경화성 조성물, 또는 광경화성 조성물을 도포한 후, 경화하여 형성할 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 보호막(130) 위에 게이트 금속층을 형성하고, 이를 패터닝하여, 게이트 라인 및 게이트 전극(140)을 포함하는 게이트 패턴을 형성한다. 상기 게이트 라인은 일방향으로 연장되며, 상기 게이트 전극(140)은 상기 게이트 라인과 연결된다.
예를 들어, 상기 게이트 패턴은, 몰리브덴, 알루미늄, 크롬, 니켈, 구리, 티타늄, 망간, 텅스텐 등의 금속 또는 이들의 합금을 포함한다. 상기 게이트 패턴은 단일층 구조를 갖거나 서로 다른 물질로 이루어진 둘 이상의 금속층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
다음으로, 상기 보호막(130) 위에, 상기 게이트 패턴을 커버하는 제1 절연막(150)을 형성한다. 상기 제1 절연막(150)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 등을 화학기상증착법(CVD) 등을 이용하여 적층하여 형성할 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 제1 절연막(150) 위에 액티브층(160), 오믹 콘택층(170) 및 소스 금속층(180)을 차례로 형성한다.
예를 들어, 상기 액티브층(160)은 비정질 실리콘을 포함할 수 있으며, 상기 오믹 콘택층(170)은 비정질 실리콘에 불순물을 도핑하여 형성할 수 있다. 상기 소스 금속층(180)은 몰리브덴, 알루미늄, 크롬, 니켈, 구리, 티타늄, 망간, 텅스텐 등의 금속 또는 이들의 합금을 포함한다. 또한, 상기 소스 금속층은 단일층 구조를 갖거나 서로 다른 물질로 이루어진 둘 이상의 금속층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 액티브층(160), 상기 오믹 콘택층(170) 및 상기 소스 금속층(180)을 패터닝하여, 액티브 패턴(AP), 오믹 콘택 패턴(172) 및 소스 패턴을 형성한다. 상기 액티브층(160), 상기 오믹 콘택층(170) 및 상기 소스 금속층(180)을 하나의 마스크를 이용하여 패터닝하기 위하여, 하프 톤 마스크 등을 이용하여, 두께 차이를 갖는 포토레지스트 패턴을 상기 액티브층(160) 위에 형성할 수 있다.
상기 액티브 패턴(AP)은 상기 게이트 전극(140)을 중첩한다. 상기 오믹 콘택 패턴(172)는 상기 액티브 패턴(AP) 위에 형성되며, 서로 이격된 한 쌍의 패턴으로 이루어진다.
상기 소스 패턴은 상기 게이트 라인을 가로지르도록 일 방향으로 연장되는 데이터 라인(미도시), 상기 데이터 라인과 연결되는 소스 전극(SE), 상기 소스 전극(SE)과 이격되는 드레인 전극(DE)을 포함한다. 예를 들어, 상기 데이터 라인은 상기 게이트 라인의 연장 방향에 실질적으로 수직하는 방향으로 연장될 수 있다. 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE)은 서로 이격되어 상기 액티브 층(160)의 일부를 노출한다.
도 12를 참조하면, 상기 액티브층(160), 상기 오믹 콘택층(170) 및 상기 소스 금속층(180)을 커버하는 제2 절연막(190)을 형성한다. 상기 제2 절연막(190)은 상기 드레인 전극(DE)를 부분적으로 노출하는 콘택홀(CH)을 갖는다.
상기 제2 절연막(190)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 절연막(190)은 포토레지스트 조성물을 도포하고, 이를 경화하여 형성된 유기 절연막일 수 있다. 상기 포토레지스트 조성물을 경화하는 과정에서, 상기 포토레지스트 조성물을 노광한 후, 비노광부 또는 노광부를 제거하여, 상기 콘택홀(CH)을 형성할 수 있다.
다른 실시예에서, 상기 제2 절연막(190)은 CVD 등을 통하여 형성된 실리콘 산화물층 또는 실리콘 질화물층을 포함하는 무기 절연막일 수 있다. 상기 무기 절연막 위에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 무기 절연막을 부분적으로 식각하여, 콘택홀을 형성할 수 있다.
다른 실시예에서, 상기 제2 절연막(190)은 유기 절연막 및 무기 절연막 모두를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 액티브층(160), 상기 오믹 콘택층(170) 및 상기 소스 금속층(180)을 커버하는 무기 절연막을 형성하고, 상기 무기 절연막 위에 유기 절연막을 형성할 수 있다.
도 13을 참조하면, 상기 제2 절연막(190) 위에 투명 전극층을 형성한다. 상기 투명 도전층은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물 등의 투명 도전물질을 포함한다.
다음으로, 상기 투명 도전층을 패터닝하여 화소 전극(PE)를 형성한다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 제2 절연막(190)의 콘택홀을 통하여 상기 드레인 전극(DE)에 접촉한다.
본 실시예에 따르면, 나노임프린팅을 이용한 선격자 패턴의 제조 과정에서, 포토레지스트 패턴 마스크의 손상을 방지함으로써, 선격자 패턴의 신뢰성 및 생산성을 증가시킬 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 편광자를 갖는 표시 패널의 단면도이다.
도 14를 참조하면, 표시 패널(1000)은 어레이 기판(100) 및 대향 기판(200)을 포함한다.
상기 어레이 기판(100)은 제1 베이스 기판(110), 상기 제1 베이스 기판(110) 위에 형성된 제1 선격자 패턴(120), 상기 제1 선격자 패턴(120)을 커버하는 제1 보호막(130), 상기 제1 보호막(130) 위에 형성된 게이트 전극(140), 상기 게이트 전극(140)을 커버하는 제1 절연막(150), 상기 게이트 전극(140)과 중첩되도록 상기 제1 절연막(150) 위에 형성된 액티브 패턴(AP), 상기 액티브 패턴 위에 형성된 오믹 콘택 패턴(172), 상기 오믹 콘택 패턴(172) 위에 형성되며 서로 이격되는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE), 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 커버하는 제2 절연막(190) 및 상기 제2 절연막(190) 위에 형성되며, 상기 드레인 전극(DE)과 접촉하는 화소 전극(PE)을 포함한다. 상기 게이트 전극(140), 상기 액티브 패턴(AP), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)는 상기 어레이 기판(100)의 스위칭 소자를 구성하며, 상기 스위칭 소자는 매트릭스 형상으로 반복적으로 배열되어 스위칭 소자 어레이를 형성한다. 상기 어레이 기판(100)은 도 13에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 표시 기판과 실질적으로 동일하다.
상기 제1 선격자 패턴(120)은, 상기 제1 선격자 패턴(120)으로 입사되는 광의 편광 성분에 따라 일부는 투과시키고, 일부는 반사함으로써, 편광자의 역할을 한다. 예를 들어, 상기 제1 선격자 패턴(120)과 평행한 S파는 반사하고, 수직한 P파는 투과할 수 있다.
상기 어레이 기판(100) 하부에 백라이트 어셈블리가 배치되는 경우, 상기 제1 선격자 패턴(120)에서 반사된 광은 다시 백라이트 어셈블리의 반사판 등에 의해 반사되어, 상기 제1 선격자 패턴(120)으로 다시 입사된다. 이러한 과정을 통해 광을 재활용함으로써, 표시 장치의 휘도를 증가시킬 수 있다.
상기 대향 기판(200)은 제2 베이스 기판(210), 상기 제2 베이스 기판 상에 형성된 제2 선격자 패턴(220), 상기 제2 선격자 패턴(220)을 커버하는 제2 보호막(230), 상기 제2 보호막(230) 위에 형성된 블랙 매트릭스(240), 상기 제2 보호막(230) 위에 형성된 컬러 필터층(250), 상기 블랙 매트릭스(240) 및 상기 컬러 필터층(250)을 커버하는 평탄화막(260) 및 상기 평탄화막 위에 형성되어 상기 어레이 기판(100)과 대향하는 공통 전극(270)을 포함한다.
상기 제2 선격자 패턴(220)은 일 방향으로 연장되는 형상을 가지며, 인접하는 제2 선격자 패턴(220)들은 일정한 거리로 서로 이격되어 있다. 예를 들어, 상기 제2 선격자 패턴(220)은 상기 제1 선격자 패턴(120)의 연장 방향과 실질적으로 수직한 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제2 선격자 패턴(220)은, 상기 제1 선격자 패턴(120)과 유사하게, 상기 제2 선격자 패턴(220)으로 입사되는 광의 편광 성분에 따라 일부는 투과시키고, 일부는 반사함으로써, 편광자의 역할을 한다. 상기 제2 선격자 패턴(220) 및 상기 제2 보호막(230)을 형성하는 방법은 상기 제1 선격자 패턴(120) 및 상기 제1 보호막(130)을 형성하는 방법과 실질적으로 동일하다.
상기 블랙 매트릭스(240) 및/또는 상기 평탄화막(260)은 필요에 따라 생략될 수 있다. 또한, 상기 컬러 필터층(250) 및/또는 상기 공통 전극(270)은 필요에 따라 상기 어레이 기판(100)에 형성될 수 있다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따라 제조된 편광자를 갖는 표시 패널의 단면도이다.
도 15를 참조하면, 표시 패널(2000)은 어레이 기판(300) 및 대향 기판(400)을 포함한다.
상기 어레이 기판(300)은 제1 베이스 기판(310), 상기 제1 베이스 기판(310)의 제1 면 위에 형성된 제1 선격자 패턴(320), 상기 제1 선격자 패턴(320)을 커버하는 제1 보호막(330), 상기 제1 베이스 기판(310)의 제1 면과 반대되는 제2 면 위에 형성된 게이트 전극(340), 상기 게이트 전극(340)을 커버하는 제1 절연막(350), 상기 게이트 전극(340)과 중첩되도록 상기 제1 절연막(350) 위에 형성된 액티브 패턴(AP), 상기 액티브 패턴 위에 형성된 오믹 콘택 패턴(370), 상기 오믹 콘택 패턴 위에 형성되며 서로 이격되는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE), 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 커버하는 제2 절연막(390) 및 상기 제2 절연막(390) 위에 형성되며, 상기 드레인 전극(DE)과 접촉하는 화소 전극(PE)을 포함한다.
상기 어레이 기판(300)은 상기 제1 선격자 패턴(320) 및 상기 제1 보호막(330)이, 상기 제1 베이스 기판(310)이 상기 제1 선격자 패턴(320)과 스위칭 소자 사이에 위치하도록, 상기 제1 베이스 기판(310)의 하면에 형성된다는 것을 제외하고는, 도 14에 도시된 상기 어레이 기판(100)과 실질적으로 동일하다.
상기 대향 기판(400)은 제2 베이스 기판(410), 상기 제2 베이스 기판(410)의 제1면에 형성된 제2 선격자 패턴(420), 상기 제2 선격자 패턴(420)을 커버하는 제2 보호막(430), 상기 제1 면과 반대되는, 상기 제2 베이스 기판(410)의 제2 면 상에 형성된 블랙 매트릭스(440), 상기 제2 면상에 형성된 컬러 필터층(450), 상기 블랙 매트릭스(440) 및 상기 컬러 필터층(450)을 커버하는 평탄화막(460) 및 상기 평탄화막 위에 형성되어 상기 어레이 기판(300)과 대향하는 공통 전극(470)을 포함한다.
상기 대향 기판(400)은 상기 제2 선격자 패턴(420) 및 상기 제2 보호막(430)이, 상기 제2 베이스 기판(410)이 상기 제2 선격자 패턴(420)과 상기 컬러 필터층(450) 사이에 위치하도록, 상기 제2 베이스 기판(410)의 상면에 형성된다는 것을 제외하고는, 도 14에 도시된 상기 대향 기판(200)과 실질적으로 동일하다.
도 14 및 도 15에 도시된 실시예에서, 선격자 패턴들은 표시 패널에 포함된다. 그러나, 다른 실시예에서, 상기 선격자 패턴들은 표시 패널과 독립된 편광 플레이트에 형성되거나, 확산판 등의 광학 시트에 형성될 수도 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 편광자 제조방법 및 표시 기판의 제조방법은 액정 표시 장치와 같은 표시 장치의 제조에 이용될 수 있다.
12 : 금속층 14 : 보호층
16 : 포토레지스트 패턴 18 : 스탬프
120, 220, 320, 420 : 선격자 패턴
130, 230, 330, 430 : 보호막

Claims (20)

  1. 65 중량% 내지 80 중량%의 단일 관능기성 모노머;
    5 중량% 내지 20 중량%의 이관능기성 모노머;
    1 중량% 내지 10 중량%의 셋 이상의 관능기를 갖는 다관능기성 모노머;
    1 중량% 내지 5 중량%의 광개시제; 및
    1 중량% 이내의 계면 활성제를 포함하는 포토레지스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 단일 관능기성 모노머는, 글리시딜 아크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트, 히드록시에틸 메타크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시-프로필 아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 메틸에테르 메타크릴레이트, 히드록시에틸 아크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트, 히드록시프로필 아크릴레이트, 2-페녹시에틸 아크릴레이트, 2-페녹시에틸 메타크릴레이트, 3,3,5-트리메틸시클로헥실 메타크릴레이트, 이소보닐 아크릴레이트, 이소보닐 메타크릴레이트, 이소데실 아크릴레이트, 이소데실 메타크릴레이트, 이소옥틸 아크릴레이트, 라우릴 아크릴레이트, 스테아릴 아크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴 아크릴레이트 및 트리데실 아크릴레이트로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 상기 이관능기성 모노머는, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디메타크릴레이트, 에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 1,1,2-도데칸디올 디메타크릴레이트, 1,4-부탄디올 디메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 디프로필렌글리콜 디아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트, 비스페놀 A 디메타크릴레이트, 에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올 디아크릴레이트 및 트리에틸렌글리콜 디아크릴레이트로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 다관능기성 모노머는, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 트리페틸프로판 트리아크릴레이트, 트리메티프로판 트리메타아크릴레이트, 글리세롤 트리아크릴레이트, 트리(2-히드록시에틸) 이소시아누레이트 트리아크릴레이트, 디-트리메틸프로판 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트 및 펜타에리트로톨 테트라아크릴레이트로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 광개시제는, 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(모폴리닐)페닐]-1-부타논, 페닐 비스(2,4,6-트리메틸)벤조일 및 1-히드록시시클로헥실 페닐케톤으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 계면 활성제는 실리콘계 계면활성제 및 불소계 계면 활성제로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  7. 베이스 기판 위에 반사층을 형성하는 단계;
    상기 반사층 위에 65 중량% 내지 80 중량%의 단일 관능기성 모노머, 5 중량% 내지 20 중량%의 이관능기성 모노머, 1 중량% 내지 10 중량%의 셋 이상의 관능기를 갖는 다관능기성 모노머, 1 중량% 내지 5 중량%의 광개시제 및 1 중량% 이내의 계면 활성제를 포함하는 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트 코팅층을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트 코팅층에 선격자 형상을 갖는 스탬프를 가압하는 단계;
    상기 포테레지스트 코팅층을 경화하여, 선격자 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 스탬프를 상기 포토레지스트 패턴으로부터 제거하는 단계; 및
    상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여, 상기 반사층을 패터닝하여 선격자 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 편광자의 제조방법.
  8. 제7 항에 있어서, 상기 반사층은 금속층 및 상기 금속층 위에 형성된 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 편광자의 제조방법.
  9. 제8 항에 있어서, 상기 금속층은 니켈, 알루미늄, 티타늄, 은 및 크롬으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 편광자의 제조방법.
  10. 제8 항에 있어서, 상기 보호층은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 편광자의 제조방법.
  11. 제7 항에 있어서, 상기 단일 관능기성 모노머는, 글리시딜 아크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트, 히드록시에틸 메타크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시-프로필 아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 메틸에테르 메타크릴레이트, 히드록시에틸 아크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트, 히드록시프로필 아크릴레이트, 2-페녹시에틸 아크릴레이트, 2-페녹시에틸 메타크릴레이트, 3,3,5-트리메틸시클로헥실 메타크릴레이트, 이소보닐 아크릴레이트, 이소보닐 메타크릴레이트, 이소데실 아크릴레이트, 이소데실 메타크릴레이트, 이소옥틸 아크릴레이트, 라우릴 아크릴레이트, 스테아릴 아크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴 아크릴레이트 및 트리데실 아크릴레이트로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하고,
    상기 이관능기성 모노머는, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디메타크릴레이트, 에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 1,1,2-도데칸디올 디메타크릴레이트, 1,4-부탄디올 디메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 디프로필렌글리콜 디아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트, 비스페놀 A 디메타크릴레이트, 에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올 디아크릴레이트 및 트리에틸렌글리콜 디아크릴레이트로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하고,
    상기 다관능기성 모노머는, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 트리페틸프로판 트리아크릴레이트, 트리메티프로판 트리메타아크릴레이트, 글리세롤 트리아크릴레이트, 트리(2-히드록시에틸) 이소시아누레이트 트리아크릴레이트, 디-트리메틸프로판 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트 및 펜타에리트로톨 테트라아크릴레이트로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 편광자의 제조방법.
  12. 제7 항에 있어서, 상기 포토레지스트 코팅층을 경화하는 단계는, 상기 포토레지스트 코팅층에 자외선을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 편광자의 제조방법.
  13. 제7 항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은 제1 두께를 갖는 제1 부분과, 상기 제1 두께보다 작은 두께는 갖는 제2 부분을 포함하며, 상기 반사층을 패터닝하기 전에 상기 포토레지스트 패턴의 제2 부분을 제거하여 상기 반사층의 일부를 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 편광자의 제조방법.
  14. 제13 항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴의 제2 부분을 제거하기 위하여 상기 포토레지스트 패턴에 전체적으로 플라즈마를 가하는 것을 특징으로 하는 편광자의 제조방법.
  15. 베이스 기판 위에 반사층을 형성하는 단계;
    상기 반사층 위에 65 중량% 내지 80 중량%의 단일 관능기성 모노머, 5 중량% 내지 20 중량%의 이관능기성 모노머, 1 중량% 내지 10 중량%의 셋 이상의 관능기를 갖는 다관능기성 모노머, 1 중량% 내지 5 중량%의 광개시제 및 1 중량% 이내의 계면 활성제를 포함하는 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트 코팅층을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트 코팅층에 선격자 형상을 갖는 스탬프를 가압하는 단계;
    상기 포테레지스트 코팅층을 경화하여, 선격자 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 스탬프를 상기 포토레지스트 패턴으로부터 제거하는 단계;
    상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여, 상기 반사층을 패터닝하여 선격자 패턴을 형성하는 단계;
    상기 선격자 패턴을 보호하는 보호막을 형성하는 단계; 및
    상기 보호막 위에 스위칭 소자 어레이를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조방법.
  16. 제15 항에 있어서, 상기 반사층은 금속층 및 상기 금속층 위에 형성된 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조방법.
  17. 제16 항에 있어서, 상기 금속층은 니켈, 알루미늄, 티타늄, 은 및 크롬으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조방법.
  18. 제16 항에 있어서, 상기 보호층은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조방법.
  19. 제15 항에 있어서, 상기 단일 관능기성 모노머는, 글리시딜 아크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트, 히드록시에틸 메타크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시-프로필 아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 메틸에테르 메타크릴레이트, 히드록시에틸 아크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트, 히드록시프로필 아크릴레이트, 2-페녹시에틸 아크릴레이트, 2-페녹시에틸 메타크릴레이트, 3,3,5-트리메틸시클로헥실 메타크릴레이트, 이소보닐 아크릴레이트, 이소보닐 메타크릴레이트, 이소데실 아크릴레이트, 이소데실 메타크릴레이트, 이소옥틸 아크릴레이트, 라우릴 아크릴레이트, 스테아릴 아크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴 아크릴레이트 및 트리데실 아크릴레이트로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하고,
    상기 이관능기성 모노머는, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디메타크릴레이트, 에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 1,1,2-도데칸디올 디메타크릴레이트, 1,4-부탄디올 디메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 디프로필렌글리콜 디아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트, 비스페놀 A 디메타크릴레이트, 에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올 디아크릴레이트 및 트리에틸렌글리콜 디아크릴레이트로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하고,
    상기 다관능기성 모노머는, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 트리페틸프로판 트리아크릴레이트, 트리메티프로판 트리메타아크릴레이트, 글리세롤 트리아크릴레이트, 트리(2-히드록시에틸) 이소시아누레이트 트리아크릴레이트, 디-트리메틸프로판 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트 및 펜타에리트로톨 테트라아크릴레이트로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조방법.
  20. 베이스 기판의 제1 면에 반사층을 형성하는 단계;
    상기 반사층 위에 65 중량% 내지 80 중량%의 단일 관능기성 모노머, 5 중량% 내지 20 중량%의 이관능기성 모노머, 1 중량% 내지 10 중량%의 셋 이상의 관능기를 갖는 다관능기성 모노머, 1 중량% 내지 5 중량%의 광개시제 및 1 중량% 이내의 계면 활성제를 포함하는 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트 코팅층을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트 코팅층에 선격자 형상을 갖는 스탬프를 가압하는 단계;
    상기 포테레지스트 코팅층을 경화하여, 선격자 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 스탬프를 상기 포토레지스트 패턴으로부터 제거하는 단계;
    상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여, 상기 반사층을 패터닝하여 선격자 패턴을 형성하는 단계;
    상기 선격자 패턴을 보호하는 보호막을 형성하는 단계; 및
    상기 베이스 기판의 제1 면에 반대되는 제2면에 스위칭 소자 어레이를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조방법.
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