JPS6057927A - 欠陥修正方法 - Google Patents
欠陥修正方法Info
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- JPS6057927A JPS6057927A JP58164979A JP16497983A JPS6057927A JP S6057927 A JPS6057927 A JP S6057927A JP 58164979 A JP58164979 A JP 58164979A JP 16497983 A JP16497983 A JP 16497983A JP S6057927 A JPS6057927 A JP S6057927A
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- Japan
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はホトリソグラフィ技術に使用されるホトマスク
に関し、特にホトマスクの欠陥を修正する方法に関する
ものである。
に関し、特にホトマスクの欠陥を修正する方法に関する
ものである。
半導体装置の製造に利用されるホトリソグラフィ技術で
は、形成するパターンと同−或いは相似のパターンを有
するホトマスクが必須のものとされる。このホトマスク
は一般に透明ガラス基板の表面にクロム(Cr)等の金
属薄膜を所定パターン形状に構成したものであり、この
クロム薄膜のバターニングもホトリソグラフィ技術を利
用している。ところで、この種のホトマスクにおいては
前述のようにホトリソグラフィ技術を使用してクロ11
薄膜のバターニングを行なっているために、異物の付着
、エツチングの不適等の種々の原因によって所謂黒点欠
陥やパターン欠は白点欠陥が発生する。即ち、黒点欠陥
はパターン以外の部位にクロム膜が残存することであり
、白点欠陥はパターン部のクロム膜が欠除されることで
あり、したがってこれらの欠陥は必ず修正されなければ
ならない。
は、形成するパターンと同−或いは相似のパターンを有
するホトマスクが必須のものとされる。このホトマスク
は一般に透明ガラス基板の表面にクロム(Cr)等の金
属薄膜を所定パターン形状に構成したものであり、この
クロム薄膜のバターニングもホトリソグラフィ技術を利
用している。ところで、この種のホトマスクにおいては
前述のようにホトリソグラフィ技術を使用してクロ11
薄膜のバターニングを行なっているために、異物の付着
、エツチングの不適等の種々の原因によって所謂黒点欠
陥やパターン欠は白点欠陥が発生する。即ち、黒点欠陥
はパターン以外の部位にクロム膜が残存することであり
、白点欠陥はパターン部のクロム膜が欠除されることで
あり、したがってこれらの欠陥は必ず修正されなければ
ならない。
このため、本発明者はこれまでに以下に述べるような修
正技術を開発してボl−マスクのパターン欠陥の修正技
術を考えた。即ら、黒点欠陥1cは1ノーザビームを照
射してこれに焼棄さυ−c’ 、+;す、また白点欠陥
には第1図に承りように2ホト−7ス))1のクロム膜
3−1;、待に白点欠陥4−1−にΔKTa(銀−タン
タル>m体層5を塗布形成し、白点欠陥4を含む部位に
L/−ザ照射を【)で層5内にAgを析出6させ1.:
の析出したAiにJこり光遮蔽を行なう、:とにより白
点欠陥4に1.昌Jる光透過を防止している。図中、2
11ガラス基板ζ″ある。
正技術を開発してボl−マスクのパターン欠陥の修正技
術を考えた。即ら、黒点欠陥1cは1ノーザビームを照
射してこれに焼棄さυ−c’ 、+;す、また白点欠陥
には第1図に承りように2ホト−7ス))1のクロム膜
3−1;、待に白点欠陥4−1−にΔKTa(銀−タン
タル>m体層5を塗布形成し、白点欠陥4を含む部位に
L/−ザ照射を【)で層5内にAgを析出6させ1.:
の析出したAiにJこり光遮蔽を行なう、:とにより白
点欠陥4に1.昌Jる光透過を防止している。図中、2
11ガラス基板ζ″ある。
しかしながら、この白点欠陥の6’6 +l:に際しで
は次のJ:うな問題の生じることが明Iコ、か番、′さ
れた。
は次のJ:うな問題の生じることが明Iコ、か番、′さ
れた。
つまり、クロム膜3上に直接錯体5を塗布した一層構造
の」二にレーザエネルギを加えた場合、りl’1ム1a
3の熱伝導が高いためレーザエネルギがりC1ム膜を通
して四方に逃げる現象が生じ、1ノ〜ザエネルギが有効
に作用しなくなる。実験によれば15KW/d以下のエ
ネルギでは析出1模(Ag膜)の強度が弱く脱落しやす
くなる。これに対し、エネルギを20KW/al以−ヒ
にすると析出膜がダメージを受けて光透過状態となり修
正不能となる。
の」二にレーザエネルギを加えた場合、りl’1ム1a
3の熱伝導が高いためレーザエネルギがりC1ム膜を通
して四方に逃げる現象が生じ、1ノ〜ザエネルギが有効
に作用しなくなる。実験によれば15KW/d以下のエ
ネルギでは析出1模(Ag膜)の強度が弱く脱落しやす
くなる。これに対し、エネルギを20KW/al以−ヒ
にすると析出膜がダメージを受けて光透過状態となり修
正不能となる。
したがって、レーザエネルギを前記15〜20K W/
cnfの範囲に制御することが必要になるが、欠陥の大
きさや形状等によって好適な値も微妙に変(11される
ため、欠陥に応じてレーザエネルギを制御する必要があ
り、実際1−このようなコントロールを行なうことは不
可能に近く、したがって好適な修正を行なうことは困菫
である。特に微小パターン程レーザエネルギの制御は困
難である。
cnfの範囲に制御することが必要になるが、欠陥の大
きさや形状等によって好適な値も微妙に変(11される
ため、欠陥に応じてレーザエネルギを制御する必要があ
り、実際1−このようなコントロールを行なうことは不
可能に近く、したがって好適な修正を行なうことは困菫
である。特に微小パターン程レーザエネルギの制御は困
難である。
〔発明の]1的〕
本発明の[1的はレーザエネルギによって析出するφ1
1体のエネルギ重度の低下を図ることにより、レーザ照
1−1による欠陥の修正を容易に行なうことができ、こ
れにより微小パターンの修正を可能にするホI・マスク
欠陥修正方法を提供することにある。 本発明の前記な
らびにそのほかの目的と新規な特徴は、水引mv#の記
述および添付図面からあきらかになるであろう。
1体のエネルギ重度の低下を図ることにより、レーザ照
1−1による欠陥の修正を容易に行なうことができ、こ
れにより微小パターンの修正を可能にするホI・マスク
欠陥修正方法を提供することにある。 本発明の前記な
らびにそのほかの目的と新規な特徴は、水引mv#の記
述および添付図面からあきらかになるであろう。
(3)
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡甲に説明すれば、下記のど11Jである。
を簡甲に説明すれば、下記のど11Jである。
すなわち、クロム等のパターン膜とA g −1’ n
錯体層との間に熱伝導率の社い膜(層)髪形成1.・。
錯体層との間に熱伝導率の社い膜(層)髪形成1.・。
A g −Ta錯体層に供給されたレーザエネルギがパ
ターン膜に直接伝達されないようにして欠陥修正を行な
うことl7より、パターン膜を通しての1ノーザエネル
ギの散逸を防+1.シて1ネルギの実効を高め、これに
より小レーザエネルギによる欠陥修正を可能にして、微
小パターンの修正を達成するものである。
ターン膜に直接伝達されないようにして欠陥修正を行な
うことl7より、パターン膜を通しての1ノーザエネル
ギの散逸を防+1.シて1ネルギの実効を高め、これに
より小レーザエネルギによる欠陥修正を可能にして、微
小パターンの修正を達成するものである。
第2図および第3図は本発明の−・実施例を示しており
、図において10は透明ガラス基板11の表面にクロム
膜12にて所定のパターン形状を形成したホトマスクで
ある。このクロム膜12のパターン形成にはボ1〜リソ
グラフィ技術が利用され、ホトレジストによるマスキン
グを施したにで不要(4) な部分のクロム1漠をエツチング除去して、パターニン
グを行なっている。そしてこのとき、ホトレジストの一
部に欠陥等が生じているとパターン部位のクロム膜に−
a11もエツチングされてしまい、図示のような白点欠
陥13が発生する。
、図において10は透明ガラス基板11の表面にクロム
膜12にて所定のパターン形状を形成したホトマスクで
ある。このクロム膜12のパターン形成にはボ1〜リソ
グラフィ技術が利用され、ホトレジストによるマスキン
グを施したにで不要(4) な部分のクロム1漠をエツチング除去して、パターニン
グを行なっている。そしてこのとき、ホトレジストの一
部に欠陥等が生じているとパターン部位のクロム膜に−
a11もエツチングされてしまい、図示のような白点欠
陥13が発生する。
第3図(A)〜(C)はこの白点欠陥13を修正する方
法を工程順に示しており、先ず同図(A)のようにクロ
ム膜12全面ないしホトマスク10全面にTa錯体樹脂
を薄く塗布してTa錯体樹脂層14を形成する。このT
a錯体樹脂は熱伝導率が1−3 X ] O−4cal
−cab−’ ・deg−1−S−重であり、クロム膜
12の熱伝導率である0、1〜0 、3 cal・cm
−” −dog−” ・S〜1に比較して1/1000
程度であり極めて低いものが使用される。次いで、同図
(I3)のように前記T a !u体樹脂層14の上に
析出φ1を体、即ちAg−Tg鉗体を塗布してAg−T
g錯体層I5を形成する。このAg−Ta錯体はエネル
ギ、例えばレーザエネルギが供給されるとこのエネルギ
によって金属たるAgが層内に析出し、これにより層自
体を光不透過性にする。Ag(6) の濃度はA g −T a錯体層15の厚さに依(I:
I/ −Cおり、したがって必要な厚さに層15Δ・形
成する。
法を工程順に示しており、先ず同図(A)のようにクロ
ム膜12全面ないしホトマスク10全面にTa錯体樹脂
を薄く塗布してTa錯体樹脂層14を形成する。このT
a錯体樹脂は熱伝導率が1−3 X ] O−4cal
−cab−’ ・deg−1−S−重であり、クロム膜
12の熱伝導率である0、1〜0 、3 cal・cm
−” −dog−” ・S〜1に比較して1/1000
程度であり極めて低いものが使用される。次いで、同図
(I3)のように前記T a !u体樹脂層14の上に
析出φ1を体、即ちAg−Tg鉗体を塗布してAg−T
g錯体層I5を形成する。このAg−Ta錯体はエネル
ギ、例えばレーザエネルギが供給されるとこのエネルギ
によって金属たるAgが層内に析出し、これにより層自
体を光不透過性にする。Ag(6) の濃度はA g −T a錯体層15の厚さに依(I:
I/ −Cおり、したがって必要な厚さに層15Δ・形
成する。
しかる−1〕で、同図(C)のように白点欠陥1:3を
含むような甲面部分の前1+j A Ir−I ’ I
’ρ1を体層15−!−にlノーザ光16を11(実射
すると、4g −1” 。
含むような甲面部分の前1+j A Ir−I ’ I
’ρ1を体層15−!−にlノーザ光16を11(実射
すると、4g −1” 。
錯体層15はレーザエネルギを吸収し・、fのI!f(
41部分内にAgを析出させる。しt−が−)−(、+
1il ffl!白点欠陥13のり[1ム膜+21tに
AKイJi出耐層1’/が形成され、このAg析出層に
よっ−CIn点欠陥13の光透過が修正されて正しいボ
ドlスクパターンが得られるのである。そして、こ(7
1どき4実施例では、4g −T a錯体層15どイ月
11い膜12との間に熱伝導率の低いT’ a #ft
(+樹脂層14を形成しているので、A g −Ta
錯体層1;jに照IJ−1されたレーザエネルギ(熱エ
ネルギ)け+’ a !It体樹体層脂層14ってクロ
ム膜12への直接伝達が抑止され、したがってり「iノ
、膜12を通して四方へ散逸することが防止される。こ
の結呆、供給さイしたレーザエネルギは殆んど全てがΔ
にの析出に有効利用される、ぞの分Agの析出に必要な
レーク1r?、ルギ髪旺減′(−六る。因みにレーザエ
ネルギ密度+ 5 K W / cJをl0KW/cJ
以下にできる。
41部分内にAgを析出させる。しt−が−)−(、+
1il ffl!白点欠陥13のり[1ム膜+21tに
AKイJi出耐層1’/が形成され、このAg析出層に
よっ−CIn点欠陥13の光透過が修正されて正しいボ
ドlスクパターンが得られるのである。そして、こ(7
1どき4実施例では、4g −T a錯体層15どイ月
11い膜12との間に熱伝導率の低いT’ a #ft
(+樹脂層14を形成しているので、A g −Ta
錯体層1;jに照IJ−1されたレーザエネルギ(熱エ
ネルギ)け+’ a !It体樹体層脂層14ってクロ
ム膜12への直接伝達が抑止され、したがってり「iノ
、膜12を通して四方へ散逸することが防止される。こ
の結呆、供給さイしたレーザエネルギは殆んど全てがΔ
にの析出に有効利用される、ぞの分Agの析出に必要な
レーク1r?、ルギ髪旺減′(−六る。因みにレーザエ
ネルギ密度+ 5 K W / cJをl0KW/cJ
以下にできる。
そして、このようにレーザエネルギ密度を低減しても十
分な強度の析出層を得ることができる一方、エネルギの
低減により析出層へのダメージを防11;でき、これに
より微小パターンにおける好適な修正を実現できる。実
験によれば、従来困難であった1〜2μmのパターン欠
陥の修正製可能にした。
分な強度の析出層を得ることができる一方、エネルギの
低減により析出層へのダメージを防11;でき、これに
より微小パターンにおける好適な修正を実現できる。実
験によれば、従来困難であった1〜2μmのパターン欠
陥の修正製可能にした。
(1)クロム膜」二に熱伝導率の低い膜を形成した、に
にA g −T a 1111体等の析出錯体層を形成
し、しかる上で白点欠陥部にレーザを照射して析出を行
なわせているので、レーザエネルギが熱伝導率の低い膜
によってクロム膜に伝達されることが抑止され熱エネル
ギクロム膜によって散逸されるのが防1(−でき、エネ
ルギの実効を高めて低エネルギで欠陥修正を可能にする
。
にA g −T a 1111体等の析出錯体層を形成
し、しかる上で白点欠陥部にレーザを照射して析出を行
なわせているので、レーザエネルギが熱伝導率の低い膜
によってクロム膜に伝達されることが抑止され熱エネル
ギクロム膜によって散逸されるのが防1(−でき、エネ
ルギの実効を高めて低エネルギで欠陥修正を可能にする
。
(2)低エネルギでの欠陥修正を可能にしているので、
析出層へのダメージを防止する一方で析出(7) 層の脱落をも防1!−でき、良好な析出層も形成して1
欠陥修正の信頼性を高めることがで1!!′/、I。
析出層へのダメージを防止する一方で析出(7) 層の脱落をも防1!−でき、良好な析出層も形成して1
欠陥修正の信頼性を高めることがで1!!′/、I。
(3)低エネルギでかつ信頼性の、用い欠陥修11−を
行なうことができるので、微小パターンの修正も良好に
行なうことができ、*細パターンのホトマスクに対応で
きる。
行なうことができるので、微小パターンの修正も良好に
行なうことができ、*細パターンのホトマスクに対応で
きる。
以上本発明者ににっrなされた発明1実JM tutに
もとづき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変更可能であることはいうまでもない。たとえば、低
熱伝導率の膜は前例の1”、 a #l1体樹脂以外の
耐熱性及び選択性のある樹脂を使用してもよくさらには
、樹脂以外のクロ11よりも熱伝導膜であってもよい。
もとづき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変更可能であることはいうまでもない。たとえば、低
熱伝導率の膜は前例の1”、 a #l1体樹脂以外の
耐熱性及び選択性のある樹脂を使用してもよくさらには
、樹脂以外のクロ11よりも熱伝導膜であってもよい。
またA g −T a錯体の代りに他の析出錯体を使用
してもよい。
してもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装Wl製造用
のホトマスクに適用した場合に勺いて説明したが、それ
に限定さオしるものではなく ”in1 (8) 真技術(ホトリソグラフィ技t+?)を使用する全ての
分野のホトマスクの修正に適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体装Wl製造用
のホトマスクに適用した場合に勺いて説明したが、それ
に限定さオしるものではなく ”in1 (8) 真技術(ホトリソグラフィ技t+?)を使用する全ての
分野のホトマスクの修正に適用できる。
第1図は本発明者が考えた技術を説明するための断面図
、 第2図は白点欠陥を有するホ1ヘマスクの一部の斜視図
。 第:3図(A)〜(C)は本発明方法を工程順に説明す
るだめの断面図である。 10・・・ホトマスク、11・・・ガラス基板、12・
・・クロム膜(パターン)、13・・・白点欠陥、14
・・・T a錯体樹脂層、15−Ag−Ta#体層、I
6・・・レーザ光、17・・・析出層。 (10) 第 1 図 4 第 2 ド 第 3 図 (A) /4
、 第2図は白点欠陥を有するホ1ヘマスクの一部の斜視図
。 第:3図(A)〜(C)は本発明方法を工程順に説明す
るだめの断面図である。 10・・・ホトマスク、11・・・ガラス基板、12・
・・クロム膜(パターン)、13・・・白点欠陥、14
・・・T a錯体樹脂層、15−Ag−Ta#体層、I
6・・・レーザ光、17・・・析出層。 (10) 第 1 図 4 第 2 ド 第 3 図 (A) /4
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ホトマスクに形成したパターン1114−生じた白
点欠陥を修正するに際し、ホトマスク1〕に熱伝導率の
低い膜を形成すると共にその1−に析出φ11体層を形
成し、しかるFでこの析出錯体層の前記白点欠陥担当部
位にレーザ光を照射して析出錯体層の析出を行なう修正
部の2層構造を特徴とする欠陥修正方法。 2、熱伝導率の紅い錯体層をパターン膜にに薄く塗布す
ると共に、その上に析出錯体層を必要な析出濃度が得ら
れる程度の厚さに塗布してなる特許請求の範囲第1項記
載の欠陥修正方法。 3、熱伝導率の低い膜はTa錯体樹脂で形成し、析出錯
体層はA g −T a M体で形成しLいることを特
徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載の欠陥修
正方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58164979A JPS6057927A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58164979A JPS6057927A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 欠陥修正方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6057927A true JPS6057927A (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=15803520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58164979A Pending JPS6057927A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 欠陥修正方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6057927A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03181945A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-07 | Mitsubishi Electric Corp | マスクのパターン欠け欠陥の修正方法 |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP58164979A patent/JPS6057927A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03181945A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-07 | Mitsubishi Electric Corp | マスクのパターン欠け欠陥の修正方法 |
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