JPS5898923A - Ｘ線露光ホトマスク - Google Patents
Ｘ線露光ホトマスクInfo
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- JPS5898923A JPS5898923A JP56197867A JP19786781A JPS5898923A JP S5898923 A JPS5898923 A JP S5898923A JP 56197867 A JP56197867 A JP 56197867A JP 19786781 A JP19786781 A JP 19786781A JP S5898923 A JPS5898923 A JP S5898923A
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- photomask
- ion beam
- ray
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Links
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 title abstract 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000002164 ion-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 101100260765 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) tls1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体用ホトマスクに関する。特に、Ｘ＠ホト
リソグラフィにおけるＸ＠露光ホトマスクにおいて有効
である。
リソグラフィにおけるＸ＠露光ホトマスクにおいて有効
である。
従来Ｘ＠露光ホトＩスク１１ ＢｌＭ、ｓｉＯ＊ 、＃
１０ ｔどＯＸ曽露光マスク基板上にＸ＠吸収層をムａ
でで形成する場合、電子ビーム露光で形成したレジスト
パターンを他の厚膜パターンに再現しム誌選択メッキ法
にニジＸ＠吸収層を形成して構成されるのが通例であっ
た。しかるにレジストパターンを他の厚膜にパターンを
再現する場合は、エツチングやり７Ｆオフ工程に１９ホ
トマスクのパダーエング装置が悪くなるという欠点があ
り１ザブＺクロン半導体装置製造に要求される精密性を
十分満足するものではなかつえ。
１０ ｔどＯＸ曽露光マスク基板上にＸ＠吸収層をムａ
でで形成する場合、電子ビーム露光で形成したレジスト
パターンを他の厚膜パターンに再現しム誌選択メッキ法
にニジＸ＠吸収層を形成して構成されるのが通例であっ
た。しかるにレジストパターンを他の厚膜にパターンを
再現する場合は、エツチングやり７Ｆオフ工程に１９ホ
トマスクのパダーエング装置が悪くなるという欠点があ
り１ザブＺクロン半導体装置製造に要求される精密性を
十分満足するものではなかつえ。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくするために、ｘ＠
露光マスク基敬には不純物が注入されてなることを４１
１１としている０本発明の目的とするところはサブミク
ロン半導体製造に要求される起請密性を十分満足するた
めに製造１寝にエツチングやリフトオフ工程を含まれな
いＸ總露光ホ）ｗスフを提供することにある。
露光マスク基敬には不純物が注入されてなることを４１
１１としている０本発明の目的とするところはサブミク
ロン半導体製造に要求される起請密性を十分満足するた
めに製造１寝にエツチングやリフトオフ工程を含まれな
いＸ總露光ホ）ｗスフを提供することにある。
以下実施例を用いて詳細に説明する。
第１図〜第５図は従来のＸ線露光ホトマスクの製造工程
断面図である。ｔｌｓ１図〜第５ＷＪＫついて説明する
。
断面図である。ｔｌｓ１図〜第５ＷＪＫついて説明する
。
メンブレン膜（４）上に丁１層（３）・ム一層（２）・
ポリイミド層（１）を形成する（第１図）、レジスト（
５）を電子ビーム露光でレジストパターンを形成した後
！！面をＴｉ層（旬で榎う（＃１２図）、レジスト（δ
）とレジスト上の７１層を除去後プラズマイオン建リン
グに１９ポリイ電ト°層を選択エツチングする（［３図
）、次にムＵエレクトロプレテイングに工すｘＩＩ吸収
ム犠層（２）を形成後プラズマエツチングによりポリイ
２ドを除去する（第４図）、最後にムＵと！１をエツチ
ングして第５図の従来ｔ）Ｘ−露光ホトマスクができる
。従来のＩＩ造工薯では、Ｔｉ層のり７）オフボリイｔ
ｙ層のエツチング、ムＵ・７１層のエツチング工程がそ
れぞれバターニング精変を落とし、電子ビーム露光で形
成されたレジストパターンが！＠吸収層ムＵパターンに
高精縦の再現性をもって変換されて％Ａ表い、従来ＯＸ
Ｘ−露光ホトマスクは以上のような欠点があった。
ポリイミド層（１）を形成する（第１図）、レジスト（
５）を電子ビーム露光でレジストパターンを形成した後
！！面をＴｉ層（旬で榎う（＃１２図）、レジスト（δ
）とレジスト上の７１層を除去後プラズマイオン建リン
グに１９ポリイ電ト°層を選択エツチングする（［３図
）、次にムＵエレクトロプレテイングに工すｘＩＩ吸収
ム犠層（２）を形成後プラズマエツチングによりポリイ
２ドを除去する（第４図）、最後にムＵと！１をエツチ
ングして第５図の従来ｔ）Ｘ−露光ホトマスクができる
。従来のＩＩ造工薯では、Ｔｉ層のり７）オフボリイｔ
ｙ層のエツチング、ムＵ・７１層のエツチング工程がそ
れぞれバターニング精変を落とし、電子ビーム露光で形
成されたレジストパターンが！＠吸収層ムＵパターンに
高精縦の再現性をもって変換されて％Ａ表い、従来ＯＸ
Ｘ−露光ホトマスクは以上のような欠点があった。
第６図及び第７図〜第１０図は本発明の実施例でＸ−露
光ホトマスク製造工場断面図を示す４ｈＯである。第６
図はメンブレンＩＩ（荀に直接ム誌イオンビーム描画（
ロ）を行ないｘ４Ｉ吸収１１（７）を形成した本発明に
するＸ＠露光ホトマスクである０本発明によればＸ＠露
光ホトマスクのバターニング精度は注入される不純物ム
Ｕの横拡がりだけで決ｔｐ高精ｒｘｏパターンニングが
可能になる。
光ホトマスク製造工場断面図を示す４ｈＯである。第６
図はメンブレンＩＩ（荀に直接ム誌イオンビーム描画（
ロ）を行ないｘ４Ｉ吸収１１（７）を形成した本発明に
するＸ＠露光ホトマスクである０本発明によればＸ＠露
光ホトマスクのバターニング精度は注入される不純物ム
Ｕの横拡がりだけで決ｔｐ高精ｒｘｏパターンニングが
可能になる。
イオンビームシステムの電流及び加速エネルギーが１１
Ｏ照射でＸ＠を吸収するに充分な厚与及び濃度を保証で
きな一場合のｘ４Ｉ露光ホ）ｗスタＯ製造方法を第７図
〜第１０図に示す。
Ｏ照射でＸ＠を吸収するに充分な厚与及び濃度を保証で
きな一場合のｘ４Ｉ露光ホ）ｗスタＯ製造方法を第７図
〜第１０図に示す。
第７図はメインブレン１１（４）上にレジストｔたは１
１１０＠ｆｋどのメインブレン薄１ｋ（９）を形成後直
豪ム亀イオンビーム描画を行ないＸＩＩＩ＊収層（１）
を形成して−ゐ０次に再び（９）と同じメインブレン薄
ｌＩ輔を形成すゐ（第８図）、第７図で行なったと同じ
パター／をム諷イオ／ビームにて再び描−する（−９図
）ｘｅａ吸収領域（８）が必要なＸ＠減衰を行なうに充
分な厚みを持つよう第５ＷＡｓ第９図Ｏ工薯をく〉返す
ことに１９、第１０図の本発明によるＸ線露光ホトマス
クかできる。第１０図ｒｊ （９）と輪のメインブレン
薄ｉ［Ｋレジストを用いた場合であ勤ムＵイオンビーム
照射のない部分は現俸されている０本発明に工ればＸ纏
露光傘トマスクのバターニング精ｍｉｓ注入される不純
物ムｕＯ横拡がりとイオンビーム描画の多層間の位置合
わせだけで決まり、高精ｔ＋ｏパター二ンダ相度が可能
になる。
１１０＠ｆｋどのメインブレン薄１ｋ（９）を形成後直
豪ム亀イオンビーム描画を行ないＸＩＩＩ＊収層（１）
を形成して−ゐ０次に再び（９）と同じメインブレン薄
ｌＩ輔を形成すゐ（第８図）、第７図で行なったと同じ
パター／をム諷イオ／ビームにて再び描−する（−９図
）ｘｅａ吸収領域（８）が必要なＸ＠減衰を行なうに充
分な厚みを持つよう第５ＷＡｓ第９図Ｏ工薯をく〉返す
ことに１９、第１０図の本発明によるＸ線露光ホトマス
クかできる。第１０図ｒｊ （９）と輪のメインブレン
薄ｉ［Ｋレジストを用いた場合であ勤ムＵイオンビーム
照射のない部分は現俸されている０本発明に工ればＸ纏
露光傘トマスクのバターニング精ｍｉｓ注入される不純
物ムｕＯ横拡がりとイオンビーム描画の多層間の位置合
わせだけで決まり、高精ｔ＋ｏパター二ンダ相度が可能
になる。
第１図〜第５図・・・従来Ｏ！＠露光マスクのａ造工程
、第６図及び第７図〜第１０図・・・本発明によるＸ線
露光マスクの製造工程断面図。 １・・・ポリイミｖ ２・−ムＵ５テ１
４メンブレン膜５・・・・ＰＭＭム
６Ｔｉ ７・・・イオン注入による！總吸収層 ８・・・イオン注入による多層Ｘ＠吸収領域以
上
、第６図及び第７図〜第１０図・・・本発明によるＸ線
露光マスクの製造工程断面図。 １・・・ポリイミｖ ２・−ムＵ５テ１
４メンブレン膜５・・・・ＰＭＭム
６Ｔｉ ７・・・イオン注入による！總吸収層 ８・・・イオン注入による多層Ｘ＠吸収領域以
上
Claims (3)
- （１）Ｘ＠寓光マスク基板には不純物が注入されて成る
ことを特徴とするＸ＠露光ホトマスク。 - （２） ｘ＠ｌｌＫ光マスク基鈑には直接ムｌイオン
ビーム１１１ｉｊ＋によりＸ線吸収層が形成されてなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第一項１載のＸ線露光
ホトマスク。 - （３） １４！に光マスク基板にに直接ムｌイオンビ
ーム描画によりＸ＠吸収層が形成されかつ！＠吸収層が
多層に形成されてなることを特徴とする特許請求の範囲
第−珈紀載のＸ＠露光ホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197867A JPS5898923A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | Ｘ線露光ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197867A JPS5898923A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | Ｘ線露光ホトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5898923A true JPS5898923A (ja) | 1983-06-13 |
| JPH0312452B2 JPH0312452B2 (ja) | 1991-02-20 |
Family
ID=16381647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56197867A Granted JPS5898923A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | Ｘ線露光ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5898923A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0334412A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
| US5457006A (en) * | 1986-02-28 | 1995-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5742087B2 (ja) | 2008-08-29 | 2015-07-01 | オイレス工業株式会社 | 複層摺動部材及びそれを用いた自動車のラックピニオン式舵取装置におけるラックガイド |
-
1981
- 1981-12-09 JP JP56197867A patent/JPS5898923A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5457006A (en) * | 1986-02-28 | 1995-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| JPH0334412A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
| JPH063791B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1994-01-12 | 工業技術院長 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0312452B2 (ja) | 1991-02-20 |
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