JPH063791B2 - Ｘ線マスクおよびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクおよびその製造方法Info
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- JPH063791B2 JPH063791B2 JP16853589A JP16853589A JPH063791B2 JP H063791 B2 JPH063791 B2 JP H063791B2 JP 16853589 A JP16853589 A JP 16853589A JP 16853589 A JP16853589 A JP 16853589A JP H063791 B2 JPH063791 B2 JP H063791B2
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- Japan
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- ray
- layer
- absorber
- silicon
- mask according
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は超ＬＳＩの製造に使用されるＸ線リソグラフィ
ー用マスクとその製造方法に関するものである。
ー用マスクとその製造方法に関するものである。
（従来の技術） 近年超ＬＳＩは益々高密度化し、そのパターンはサブミ
クロンオーダーが要求され、レジスト膜の解像力を高め
るために極超短波のＸ線が使用されるようになってき
た。従来のＸ線マスクではＸ線透過体としては、ＢＮ，
ＳｉＮ，ＳｉＣ，Ｓｉ等のＸ線透過率の高い材料を用
い、Ｘ線吸収体としては、Ａｕ，Ｗ，Ｔａ等のＸ線吸収
係数の大きい重金属材料を用いていた。
クロンオーダーが要求され、レジスト膜の解像力を高め
るために極超短波のＸ線が使用されるようになってき
た。従来のＸ線マスクではＸ線透過体としては、ＢＮ，
ＳｉＮ，ＳｉＣ，Ｓｉ等のＸ線透過率の高い材料を用
い、Ｘ線吸収体としては、Ａｕ，Ｗ，Ｔａ等のＸ線吸収
係数の大きい重金属材料を用いていた。
（発明が解決しようとする課題） しかし、これら従来のＸ線透過体−吸収体の組み合わせ
で形成されたＸ線マスクでは、吸収体パターニング後に
局所応力等が残留する為の歪や位置ずれの発生が不可避
であった。また、これらの異種材料の組み合わせでは、
界面に大きな歪が発生し、接着不良等の問題もあった。
従って、本発明の技術的課題はかかる諸問題を解決し、
歪、位置ずれ、接着不良などの欠陥のないＸ線リソグラ
フィー用マスクを提供することにある。
で形成されたＸ線マスクでは、吸収体パターニング後に
局所応力等が残留する為の歪や位置ずれの発生が不可避
であった。また、これらの異種材料の組み合わせでは、
界面に大きな歪が発生し、接着不良等の問題もあった。
従って、本発明の技術的課題はかかる諸問題を解決し、
歪、位置ずれ、接着不良などの欠陥のないＸ線リソグラ
フィー用マスクを提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明者らはかかる課題を解決するためにＸ線リソグラ
フィー用マスクの材質、構造および製造方法を詳細に検
討した結果、本発明に到達した。本発明の要旨とすると
ころは、 Ｘ線吸収体と透過体の材質を同一のけい素とし、さらに
透過体には、ほう素を不純物としてドープしたもの使用
する、吸収体と透過体の厚さの比を３〜20対１とする等
を特徴としたＸ線マスクおよびけい素基板上にほう素を
ドープしたけい素よりなるＸ線透過層を形成し、その上
にエピタキシャル法によるけい素層を形成し、これをエ
ッチングしパターンを形成してＸ線吸収体とし、該けい
素基板層をエッチングにより除去する工程から成るＸ線
マスクの製造方法、また別途、けい素基板上にイオン打
ち込み装置でＯ−イオンを打ち込み、ＳＩＭＯＸと呼ば
れるＳｉＯ2層を形成し、さらに、900〜1200℃の温度範
囲でアニールし、ＳｉＯ2層を一定の深さに形成し、こ
の上のＳｉ基板層をエッチングし、パターン形成して、
Ｘ線吸収体パターンおよびＸ線透過体層を形成し、次い
で、裏面よりこの下のＳｉ基板層をエッチングにより除
去し、さらに、このＳｉＯ2層をエッチングにより除去
する工程から成るＸ線マスクの製造方法にある。
フィー用マスクの材質、構造および製造方法を詳細に検
討した結果、本発明に到達した。本発明の要旨とすると
ころは、 Ｘ線吸収体と透過体の材質を同一のけい素とし、さらに
透過体には、ほう素を不純物としてドープしたもの使用
する、吸収体と透過体の厚さの比を３〜20対１とする等
を特徴としたＸ線マスクおよびけい素基板上にほう素を
ドープしたけい素よりなるＸ線透過層を形成し、その上
にエピタキシャル法によるけい素層を形成し、これをエ
ッチングしパターンを形成してＸ線吸収体とし、該けい
素基板層をエッチングにより除去する工程から成るＸ線
マスクの製造方法、また別途、けい素基板上にイオン打
ち込み装置でＯ−イオンを打ち込み、ＳＩＭＯＸと呼ば
れるＳｉＯ2層を形成し、さらに、900〜1200℃の温度範
囲でアニールし、ＳｉＯ2層を一定の深さに形成し、こ
の上のＳｉ基板層をエッチングし、パターン形成して、
Ｘ線吸収体パターンおよびＸ線透過体層を形成し、次い
で、裏面よりこの下のＳｉ基板層をエッチングにより除
去し、さらに、このＳｉＯ2層をエッチングにより除去
する工程から成るＸ線マスクの製造方法にある。
以下、本発明を詳細に説明する。
先ず、Ｘ線吸収体と透過体の材質を、これらを形成する
基板をも含めて検討した結果、全てを同一のけい素とす
ることで従来の異種材料間界面に生ずる各種の歪や、位
置ずれ、接着不良を低減化することができた。このけい
素は単結晶、多結晶の何れでも使用できるが、好ましく
は単結晶が良い。また、けい素は、Ｘ線吸収係数が小さ
いため、Ｘ線吸収体の膜厚をＸ線透過体に用いるけい素
メンブレン膜厚よりも大きくする必要があり、膜厚比を
３以上とすることでＸ線透過率に差異をつけた。しかし
膜厚比を２０以上とするとパターンエッチング時にパタ
ーン形状の異状、変形、応力歪み等の問題が生じるた
め、好ましい膜厚比の範囲を３以上２０以下、さらに好
ましくは５以上１０以下とするのが良い。例えば、６Å
波長のＸ線透過率をＳｉ膜厚比で考えた場合、図１にお
いて、ａ／ｂ＝１０倍とすると、露光されるレジスト
［ポリメチルメタクリレート（以下ＰＭＭＡと略記す
る）製とした場合］の露光量の比率は、Ｘ線透過体の部
分でＸ線吸収体部の約２０倍に達することが図２より明
らかである。従って、同一Ｓｉで、膜厚比に差をつけ
て、厚い方をＸ線吸収体、薄い方をＸ線透過体として、
使用することは充分可能である。また、Ｘ線透過体とし
てのけい素メンブレンは不純物をドープしたものでも、
しないものでも良い。ただし、下のけい素基板との選択
エッチングが可能となるようにするため、不純物をドー
プしない場合には、Ｏ−イオン打ち込み工程とそれに続
く温度範囲900〜1200℃下でのアニール工程により、一
定の深さにＳｉＯ2層を形成した。また、不純物をドー
プしたものでは、各種エッチング薬品に対する耐薬品性
に優れている点からＢドープＳｉを選択した。
基板をも含めて検討した結果、全てを同一のけい素とす
ることで従来の異種材料間界面に生ずる各種の歪や、位
置ずれ、接着不良を低減化することができた。このけい
素は単結晶、多結晶の何れでも使用できるが、好ましく
は単結晶が良い。また、けい素は、Ｘ線吸収係数が小さ
いため、Ｘ線吸収体の膜厚をＸ線透過体に用いるけい素
メンブレン膜厚よりも大きくする必要があり、膜厚比を
３以上とすることでＸ線透過率に差異をつけた。しかし
膜厚比を２０以上とするとパターンエッチング時にパタ
ーン形状の異状、変形、応力歪み等の問題が生じるた
め、好ましい膜厚比の範囲を３以上２０以下、さらに好
ましくは５以上１０以下とするのが良い。例えば、６Å
波長のＸ線透過率をＳｉ膜厚比で考えた場合、図１にお
いて、ａ／ｂ＝１０倍とすると、露光されるレジスト
［ポリメチルメタクリレート（以下ＰＭＭＡと略記す
る）製とした場合］の露光量の比率は、Ｘ線透過体の部
分でＸ線吸収体部の約２０倍に達することが図２より明
らかである。従って、同一Ｓｉで、膜厚比に差をつけ
て、厚い方をＸ線吸収体、薄い方をＸ線透過体として、
使用することは充分可能である。また、Ｘ線透過体とし
てのけい素メンブレンは不純物をドープしたものでも、
しないものでも良い。ただし、下のけい素基板との選択
エッチングが可能となるようにするため、不純物をドー
プしない場合には、Ｏ−イオン打ち込み工程とそれに続
く温度範囲900〜1200℃下でのアニール工程により、一
定の深さにＳｉＯ2層を形成した。また、不純物をドー
プしたものでは、各種エッチング薬品に対する耐薬品性
に優れている点からＢドープＳｉを選択した。
具体的には、５×1019〜２×1020atm/ccのほう素をドー
プしたけい素のエピタキシャル層を形成し、このメンブ
レン化の際に、下のけい素基板との選択エッチングが可
能となるようにした。この際、Ｂドープ量が５×1019at
m/cc以下では、パターンエッチングやバックエッチング
時の耐薬品性がなくなり、２×1020atm/cc以上では偏析
が生じ、均一にドープ出来ない。また、このけい素メン
ブレン層の厚さは、Ｘ線透過率の確保と、自立膜として
の強度を確保するための厚さとして0.5〜４μｍの範囲
が好ましい。また、吸収体用けい素層としては、不純物
の混入を気にする必要はなく、重金属等が含まれていて
も良いため、安価なプロセスで形成できる。材質として
同一けい素を用いた吸収体を透過体の差異は膜厚比を３
以上２０以下とすることで解決しているが、特に、積極
的に吸収体層に不純物をドーピングしていくことで、Ｓ
Ｎ比も改良できることが判った。この不純物としては、
原子番号がけい素の１４より大きい元素がよく、ドープ
量はパターニング時のエッチングレートを低下させない
程度が好ましい。また、Ｘ線吸収体けい素基板上にＷ、
Ｔａ、Ａｕ等の重金属の薄膜層を形成し、Ｘ線吸収能力
を高める方法を併用しても良い。ただし、このとき、本
発明の目的である吸収体歪の低減化のためには、これら
重金属吸収体層はＸ線吸収体およびＸ線透過体としての
けい素層全体の1/10以下の膜厚のものでなければならな
い。その理由を（Ｉ）式で説明する。
プしたけい素のエピタキシャル層を形成し、このメンブ
レン化の際に、下のけい素基板との選択エッチングが可
能となるようにした。この際、Ｂドープ量が５×1019at
m/cc以下では、パターンエッチングやバックエッチング
時の耐薬品性がなくなり、２×1020atm/cc以上では偏析
が生じ、均一にドープ出来ない。また、このけい素メン
ブレン層の厚さは、Ｘ線透過率の確保と、自立膜として
の強度を確保するための厚さとして0.5〜４μｍの範囲
が好ましい。また、吸収体用けい素層としては、不純物
の混入を気にする必要はなく、重金属等が含まれていて
も良いため、安価なプロセスで形成できる。材質として
同一けい素を用いた吸収体を透過体の差異は膜厚比を３
以上２０以下とすることで解決しているが、特に、積極
的に吸収体層に不純物をドーピングしていくことで、Ｓ
Ｎ比も改良できることが判った。この不純物としては、
原子番号がけい素の１４より大きい元素がよく、ドープ
量はパターニング時のエッチングレートを低下させない
程度が好ましい。また、Ｘ線吸収体けい素基板上にＷ、
Ｔａ、Ａｕ等の重金属の薄膜層を形成し、Ｘ線吸収能力
を高める方法を併用しても良い。ただし、このとき、本
発明の目的である吸収体歪の低減化のためには、これら
重金属吸収体層はＸ線吸収体およびＸ線透過体としての
けい素層全体の1/10以下の膜厚のものでなければならな
い。その理由を（Ｉ）式で説明する。
δ・・・Ｘ線吸収体の応力 ｔａ・・Ｘ線吸収体の膜厚 ｔｓ・・Ｘ線透過体の膜厚 σ・・・Ｘ線透過体の応力 Ｅｓ・・ヤング率 ｋ・・・係数 （Ｉ）式に示されるＸ線吸収体の応力δを小さくするた
め、（Ｉ）式中のｔａ／ｔｓを1/10以下として、応力δ
を１桁以上低く設定することを可能にするためである。
この原理は、図５および図６の比較で明らかなように、
一般に普及しているＸ線マスク（図３）のものに比べ、
本発明によるＸ線マスク（図４）では、（Ｉ）式中のｔ
ｓに相当する部分の膜厚が非常に大きいため、全体とし
て、吸収体の応力δを大幅に低減することができる。図
４の場合、ｔａに相当するのはｃの厚さ（Ｗ、Ｔａ、Ａ
ｕ等の重金属Ｍから成るＸ線吸収体層（７））、ｔｓに
相当するのはａ＋ｂの厚さ（ａ：Ｓｉから成るＸ線吸収
体層（５）、ｂ：Ｓｉから成るＸ線透過体層（６））で
ある。従って、ｃの厚さをａ＋ｂの厚さの1/10以下と設
定することにより、吸収体応力δを1/10以下に低減でき
る。
め、（Ｉ）式中のｔａ／ｔｓを1/10以下として、応力δ
を１桁以上低く設定することを可能にするためである。
この原理は、図５および図６の比較で明らかなように、
一般に普及しているＸ線マスク（図３）のものに比べ、
本発明によるＸ線マスク（図４）では、（Ｉ）式中のｔ
ｓに相当する部分の膜厚が非常に大きいため、全体とし
て、吸収体の応力δを大幅に低減することができる。図
４の場合、ｔａに相当するのはｃの厚さ（Ｗ、Ｔａ、Ａ
ｕ等の重金属Ｍから成るＸ線吸収体層（７））、ｔｓに
相当するのはａ＋ｂの厚さ（ａ：Ｓｉから成るＸ線吸収
体層（５）、ｂ：Ｓｉから成るＸ線透過体層（６））で
ある。従って、ｃの厚さをａ＋ｂの厚さの1/10以下と設
定することにより、吸収体応力δを1/10以下に低減でき
る。
次に、本発明のＸ線マスクの製造方法の１実施態様を図
５の工程に従って説明する。
５の工程に従って説明する。
１）先ず、けい素（Ｓｉ）基板（１）［工程Ａ］上面に
ＣＶＤ法によりほう素（Ｂ）ドープＳｉエピタキシャル
層（２）を形成する。［工程Ｂ］ ２）この上に、ノンドープＳｉエピタキシャル膜（３）
を同上方法により形成する。［工程Ｃ］ ３）この上にタングステン（Ｗ）膜をスパッタリング法
で形成する。
ＣＶＤ法によりほう素（Ｂ）ドープＳｉエピタキシャル
層（２）を形成する。［工程Ｂ］ ２）この上に、ノンドープＳｉエピタキシャル膜（３）
を同上方法により形成する。［工程Ｃ］ ３）この上にタングステン（Ｗ）膜をスパッタリング法
で形成する。
４）これにフォトレジストをスピンコートし、パターン
を形成する。
を形成する。
５）このレジストパターンを用い、Ｗ膜をハロンガスド
ライエッチングでパターニングした後、レジスト層を除
去する。
ライエッチングでパターニングした後、レジスト層を除
去する。
６）さらに、このＷ膜パターンを用いて、下層のエピタ
キシャルＳｉ層のみをＣＦ4ドライエッチングでパター
ニングする。 ・・・［工程Ｄ］ ７）該けい素基板をバックエッチングで除去し、メンブ
レン化する。 ・・・［工程Ｅ］ また、別の製造方法の１実施態様を図６の工程に従って
説明する。
キシャルＳｉ層のみをＣＦ4ドライエッチングでパター
ニングする。 ・・・［工程Ｄ］ ７）該けい素基板をバックエッチングで除去し、メンブ
レン化する。 ・・・［工程Ｅ］ また、別の製造方法の１実施態様を図６の工程に従って
説明する。
１）先ず、けい素（Ｓｉ）基板（１）にＯ−イオンを打
ち込み、900〜1200℃の温度でアニールしてＳｉＯ2層
（ＳＩＭＯＸ）（４）を一定の深さに形成する。・・・
・・・・・・・［工程Ｇ］ ２）ＳｉＯ2層の上のＳｉ基板層をエッチングし、パタ
ーン形成して、Ｘ線吸収体Ｓｉパターン（５）およびＸ
線透過体シリコン層（６）を同時形成する。 ・・・
・［工程Ｈ］ ３）Ｘ線透過体層の下のＳｉ基板層をバックエッチング
により除去する。・・・・・・［工程Ｉ］ ４）さらにＳｉ基板層の上のＳｉＯ2層をエッチングに
より除去する。 ・・・［工程Ｊ］ ５）オールシリコンＸ線マスクの完成品 ・・・［工
程Ｋ］ さらに、他の製造方法の１実施態様を図７の工程順に説
明する。
ち込み、900〜1200℃の温度でアニールしてＳｉＯ2層
（ＳＩＭＯＸ）（４）を一定の深さに形成する。・・・
・・・・・・・［工程Ｇ］ ２）ＳｉＯ2層の上のＳｉ基板層をエッチングし、パタ
ーン形成して、Ｘ線吸収体Ｓｉパターン（５）およびＸ
線透過体シリコン層（６）を同時形成する。 ・・・
・［工程Ｈ］ ３）Ｘ線透過体層の下のＳｉ基板層をバックエッチング
により除去する。・・・・・・［工程Ｉ］ ４）さらにＳｉ基板層の上のＳｉＯ2層をエッチングに
より除去する。 ・・・［工程Ｊ］ ５）オールシリコンＸ線マスクの完成品 ・・・［工
程Ｋ］ さらに、他の製造方法の１実施態様を図７の工程順に説
明する。
１）Ｏ−イオンの打ち込み、アニール、ＳｉＯ2層形
成。 ・・・［工程Ｍ］ ２）Ｗ膜（７）スパッタリング。・・［工程Ｎ］ ３）Ｗ膜およびＳｉ基板のパターニング ・・・［工
程Ｏ］ ４）Ｓｉ基板のバックエッチング。 ・［工程Ｐ］ ５）ＳｉＯ2層の除去。 ・・・［工程Ｑ］ ６）Ｘ線マスクの完成。 ・・・［工程Ｒ］ 次に、本発明の具体例を実施例を挙げて説明するが、本
発明はこれらの限定されるものではない。
成。 ・・・［工程Ｍ］ ２）Ｗ膜（７）スパッタリング。・・［工程Ｎ］ ３）Ｗ膜およびＳｉ基板のパターニング ・・・［工
程Ｏ］ ４）Ｓｉ基板のバックエッチング。 ・［工程Ｐ］ ５）ＳｉＯ2層の除去。 ・・・［工程Ｑ］ ６）Ｘ線マスクの完成。 ・・・［工程Ｒ］ 次に、本発明の具体例を実施例を挙げて説明するが、本
発明はこれらの限定されるものではない。
（実施例） ３″φ、600μｍｔ、面方位＜１００＞のＳｉ基板上に
ＣＶＤ法で７×1019atm/ccのＢドープＳｉエピタキシャ
ル膜を２μｍ厚さで形成した。さらに、その上に同様の
方法でノンドープＳｉエピタキシャル膜を10μｍ厚さで
形成した。この上に、0.1μｍ厚さのＷ膜をスパッタリ
ングで形成した。これにフォトレジストをスピンコート
し、パターン形成をした。このレジストパターンを用
い、0.1μｍ厚さＷ膜をハロンガスドライエッチングで
パターニングした後、レジスト層を除去した。更に、こ
のＷ膜パターンを用いて、下層のエピタキシャルシリコ
ン層のみをＣＦ4ドライエッチングでパターニングし
た。この段階では、0.1μｍ厚Ｗ層は完全に除去され、
吸収体パターンの厚さが8.5μｍとなっていた。第１図
Ａ部拡大図でエピタキシャルＳｉ（Ｘ線吸収体）の膜厚
ａとＢドープＳｉ（Ｘ線透過体）の膜厚ｂとの膜厚比は
ａ／ｂ＝8.5/2μｍ＝4.25倍であった。次に、裏面より6
00μｍｔのＳｉ基板を30mmφの範囲でＫＯＨ水溶液でバ
ックエッチングで除去し、Ｘ線リソグラフィー用マスク
を得た。このマスクに１ＧＪのＳＯＲを照射し、その前
後でのパターン位置歪を測定したところ、平均で10ppm
以下であった。
ＣＶＤ法で７×1019atm/ccのＢドープＳｉエピタキシャ
ル膜を２μｍ厚さで形成した。さらに、その上に同様の
方法でノンドープＳｉエピタキシャル膜を10μｍ厚さで
形成した。この上に、0.1μｍ厚さのＷ膜をスパッタリ
ングで形成した。これにフォトレジストをスピンコート
し、パターン形成をした。このレジストパターンを用
い、0.1μｍ厚さＷ膜をハロンガスドライエッチングで
パターニングした後、レジスト層を除去した。更に、こ
のＷ膜パターンを用いて、下層のエピタキシャルシリコ
ン層のみをＣＦ4ドライエッチングでパターニングし
た。この段階では、0.1μｍ厚Ｗ層は完全に除去され、
吸収体パターンの厚さが8.5μｍとなっていた。第１図
Ａ部拡大図でエピタキシャルＳｉ（Ｘ線吸収体）の膜厚
ａとＢドープＳｉ（Ｘ線透過体）の膜厚ｂとの膜厚比は
ａ／ｂ＝8.5/2μｍ＝4.25倍であった。次に、裏面より6
00μｍｔのＳｉ基板を30mmφの範囲でＫＯＨ水溶液でバ
ックエッチングで除去し、Ｘ線リソグラフィー用マスク
を得た。このマスクに１ＧＪのＳＯＲを照射し、その前
後でのパターン位置歪を測定したところ、平均で10ppm
以下であった。
（発明の効果） 本発明により作製されたＸ線マスクは、従来品に比較し
て １）全層をけい素で形成するため、界面でのミスマッチ
がなく、接着不良がない。
て １）全層をけい素で形成するため、界面でのミスマッチ
がなく、接着不良がない。
２）局所応力が小さく抑えられる。
３）パターンの位置ずれ、歪が小さい。
等の優れた性能を有し、超ＬＳＩ製造用のＸ線リソグラ
フィー用マスクとして好適に使用される。
フィー用マスクとして好適に使用される。
図１はＸ線吸収体層とＸ線透過体層の厚さの比を示す説
明図。 図２はＸ線露光されたレジスト（ＰＭＭＡ）の露光量の
比率を示す説明図。 図３は従来公知のＸ線マスク。 図４は本発明のＸ線マスクの１実施態様。 図５は本発明製造方法の１実施態様でＡ〜Ｅの工程順に
縦断面図で示しさらにＦ部拡大図を示す。 図６は本発明製造方法の１実施態様をＧ〜Ｋの工程順に
縦断面図で示しさらにＬ部拡大図を示す。 図７は本発明製造方法の１実施態様でＭ〜Ｒの工程順に
縦断面図で示しさらにＳ部拡大図を示す。 図中記号はつぎの通り。 １・・・Ｓｉ基板 ２・・・ＢドープＳｉ膜（Ｘ線透過体） ３・・・エピタキシャルＳｉ膜（Ｘ線吸収体） ４・・・ＳｉＯ2層（ＳＩＭＯＸ） ５・・・Ｓｉ（Ｘ線吸収体） ６・・・Ｓｉ（Ｘ線透過体） ７・・・Ｍ （Ｘ線吸収体） ａ・・Ｘ線吸収体Ｓｉ膜厚さ（μｍ） ｂ・・Ｘ線透過体Ｓｉ膜厚さ（μｍ） ｃ・・Ｘ線吸収体Ｍ膜厚さ（μｍ）
明図。 図２はＸ線露光されたレジスト（ＰＭＭＡ）の露光量の
比率を示す説明図。 図３は従来公知のＸ線マスク。 図４は本発明のＸ線マスクの１実施態様。 図５は本発明製造方法の１実施態様でＡ〜Ｅの工程順に
縦断面図で示しさらにＦ部拡大図を示す。 図６は本発明製造方法の１実施態様をＧ〜Ｋの工程順に
縦断面図で示しさらにＬ部拡大図を示す。 図７は本発明製造方法の１実施態様でＭ〜Ｒの工程順に
縦断面図で示しさらにＳ部拡大図を示す。 図中記号はつぎの通り。 １・・・Ｓｉ基板 ２・・・ＢドープＳｉ膜（Ｘ線透過体） ３・・・エピタキシャルＳｉ膜（Ｘ線吸収体） ４・・・ＳｉＯ2層（ＳＩＭＯＸ） ５・・・Ｓｉ（Ｘ線吸収体） ６・・・Ｓｉ（Ｘ線透過体） ７・・・Ｍ （Ｘ線吸収体） ａ・・Ｘ線吸収体Ｓｉ膜厚さ（μｍ） ｂ・・Ｘ線透過体Ｓｉ膜厚さ（μｍ） ｃ・・Ｘ線吸収体Ｍ膜厚さ（μｍ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡崎 智 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 審査官 中西 一友
Claims (11)
- 【請求項１】共にけい素から成るＸ線吸収体およびＸ線
透過体より成るＸ線マスク。 - 【請求項２】Ｘ線吸収体の厚さがＸ線透過体の厚さより
大である請求項１記載のＸ線マスク。 - 【請求項３】Ｘ線吸収体のＸ線透過体に対する厚さの比
が３〜20対１である請求項１または２記載のＸ線マス
ク。 - 【請求項４】Ｘ線透過体の厚さが0.5〜４μｍである請
求項１、２または３記載のＸ線マスク。 - 【請求項５】Ｘ線透過体が不純物をドープしたけい素よ
り成る請求項１または４記載のＸ線マスク。 - 【請求項６】不純物がほう素である請求項５記載のＸ線
マスク。 - 【請求項７】Ｘ線吸収体が不純物をドープしたけい素よ
りなる請求項１記載のＸ線マスク。 - 【請求項８】不純物のドープ量がＸ線吸収体のパターニ
ング時のエッチングレートを低下させない程度である請
求項７記載のＸ線マスク。 - 【請求項９】Ｘ線吸収体として、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ等の重
金属から成る膜を、けい素から成るＸ線吸収体上にけい
素層の1/10以下の膜厚で形成したことを特徴とする請求
項１〜８のいづれかに記載のＸ線マスク。 - 【請求項１０】けい素基板上にほう素を0.5〜２×１０
20atm/ccの範囲でドープしたけい素よりなるＸ線透過層
を形成し、その上にエピタキシャル法によりけい素層を
形成し、これをエッチングしパターンを形成してＸ線吸
収体とし、該けい素基板層をエッチングにより除去する
工程から成る請求項１〜９のいづれかに記載のＸ線マス
クの製造方法。 - 【請求項１１】けい素基板上にＯ-イオンを打ち込み、9
00〜1200℃の温度範囲でアニールし、ＳｉＯ2層を一定
の深さに形成し、この上のＳｉ基板層をエッチングし、
パターン形成して、Ｘ線吸収体パターンおよびＸ線透過
体層を形成し、この下のＳｉ基板層をエッチングにより
除去し、さらに、このＳｉＯ2層を除去する工程から成
る請求項１〜９のいづれかに記載のＸ線マスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16853589A JPH063791B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16853589A JPH063791B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334412A JPH0334412A (ja) | 1991-02-14 |
| JPH063791B2 true JPH063791B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=15869822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16853589A Expired - Lifetime JPH063791B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063791B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5950639A (en) * | 1997-10-03 | 1999-09-14 | Yoshino Kogyosho Co., Ltd | Airtight compact for cosmetics |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5568634A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-23 | Fujitsu Ltd | Manufacture of mask for x-ray exposure |
| JPS5898923A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-13 | Seiko Epson Corp | Ｘ線露光ホトマスク |
| JPS6161252A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-29 | Sony Corp | リ−ルサ−ボ装置 |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP16853589A patent/JPH063791B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5568634A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-23 | Fujitsu Ltd | Manufacture of mask for x-ray exposure |
| JPS5898923A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-13 | Seiko Epson Corp | Ｘ線露光ホトマスク |
| JPS6161252A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-29 | Sony Corp | リ−ルサ−ボ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0334412A (ja) | 1991-02-14 |
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