JPH04370918A - 荷電粒子露光用透過マスク及びその製造方法 - Google Patents
荷電粒子露光用透過マスク及びその製造方法Info
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- JPH04370918A JPH04370918A JP14773991A JP14773991A JPH04370918A JP H04370918 A JPH04370918 A JP H04370918A JP 14773991 A JP14773991 A JP 14773991A JP 14773991 A JP14773991 A JP 14773991A JP H04370918 A JPH04370918 A JP H04370918A
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 34
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 16
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、荷電粒子線透過マスク
を用いたパターン形成方法における透過マスクの改良に
関する。近年、集積回路の高密度化に伴い、長年微細パ
ターン形成の主流であったフォトリソグラフィーに代わ
って荷電粒子ビーム、例えば電子ビームやイオンビーム
による露光、あるいはＸ線を用いる新しい露光方法が検
討され、実用化されてきている。このうち、電子ビーム
を用いてパターンを形成する電子線露光は、ビームその
ものを数Åにまで絞ることができるために、１μｍある
いはそれ以下の微細なパターンを形成することができる
ことに大きな特徴がある。
を用いたパターン形成方法における透過マスクの改良に
関する。近年、集積回路の高密度化に伴い、長年微細パ
ターン形成の主流であったフォトリソグラフィーに代わ
って荷電粒子ビーム、例えば電子ビームやイオンビーム
による露光、あるいはＸ線を用いる新しい露光方法が検
討され、実用化されてきている。このうち、電子ビーム
を用いてパターンを形成する電子線露光は、ビームその
ものを数Åにまで絞ることができるために、１μｍある
いはそれ以下の微細なパターンを形成することができる
ことに大きな特徴がある。
【０００２】ところが、電子線露光はいわゆる“一筆書
き”の描画方法であるため、微細なパターンになればな
る程小さなビームで露光しなければならなくなり、露光
時間が莫大に長くなってしまう。この問題を解決するた
め、いわゆるブロック露光法が考案された。このブロッ
ク露光法で用いる透過マスク（ステンシルマスク）は、
加工性や強度を考慮するとＳｉ板を用いて支持するのが
最もよいと言われている。この場合、Ｓｉ板の厚さ分を
そのまま透過孔の深さとすると透過光に悪影響を及ぼす
ので、パターン形成領域は可能な限り薄膜（メンブレン
）状にしてその上にパターンを形成するのが一般的であ
る。
き”の描画方法であるため、微細なパターンになればな
る程小さなビームで露光しなければならなくなり、露光
時間が莫大に長くなってしまう。この問題を解決するた
め、いわゆるブロック露光法が考案された。このブロッ
ク露光法で用いる透過マスク（ステンシルマスク）は、
加工性や強度を考慮するとＳｉ板を用いて支持するのが
最もよいと言われている。この場合、Ｓｉ板の厚さ分を
そのまま透過孔の深さとすると透過光に悪影響を及ぼす
ので、パターン形成領域は可能な限り薄膜（メンブレン
）状にしてその上にパターンを形成するのが一般的であ
る。
【０００３】
【従来の技術】図４は従来の荷電粒子露光用透過マスク
の構造を示す断面図である。図４において、３１は支持
Ｓｉ板であり、この支持Ｓｉ板３１表面部分には熱酸化
によりＳｉＯ２ 等からなる絶縁層３２が形成されてお
り、更に支持Ｓｉ板３１を貫通するように開口部３３が
形成されている。３４は支持Ｓｉ板３１上に形成された
絶縁層３２に熱接着された上部Ｓｉ板であり、この上部
Ｓｉ板３４上にはＡｕ等からなる金属膜３５が形成され
ている。３６は開口部３３間の上部Ｓｉ板３４及び絶縁
層３２がパターニングされ形成された透過孔である。
の構造を示す断面図である。図４において、３１は支持
Ｓｉ板であり、この支持Ｓｉ板３１表面部分には熱酸化
によりＳｉＯ２ 等からなる絶縁層３２が形成されてお
り、更に支持Ｓｉ板３１を貫通するように開口部３３が
形成されている。３４は支持Ｓｉ板３１上に形成された
絶縁層３２に熱接着された上部Ｓｉ板であり、この上部
Ｓｉ板３４上にはＡｕ等からなる金属膜３５が形成され
ている。３６は開口部３３間の上部Ｓｉ板３４及び絶縁
層３２がパターニングされ形成された透過孔である。
【０００４】この荷電粒子露光用透過マスクの製造方法
としては、薄膜部分の厚さを精度よく制御するために、
例えば酸化膜を挟んで２枚のＳｉ板を貼り合わせた構造
のウエハ（貼り合わせウエハ）を用い、この酸化膜をエ
ッチングの停止層としてウエハ裏面よりＳｉ層をＫＯＨ
水溶液でウェットエッチングで除去して薄膜部分を残す
製造方法が知られている。以下、具体的に図面を用いて
説明する。
としては、薄膜部分の厚さを精度よく制御するために、
例えば酸化膜を挟んで２枚のＳｉ板を貼り合わせた構造
のウエハ（貼り合わせウエハ）を用い、この酸化膜をエ
ッチングの停止層としてウエハ裏面よりＳｉ層をＫＯＨ
水溶液でウェットエッチングで除去して薄膜部分を残す
製造方法が知られている。以下、具体的に図面を用いて
説明する。
【０００５】図５は従来の荷電粒子露光用透過マスク及
びその製造方法を説明する図である。図５において、３
７は支持Ｓｉ板３１に開口部３３を形成する際のエッチ
ングマスクとなるマスク層であり、このマスク層３７に
は支持Ｓｉ板３１裏側に開口部３８が形成されている。 次に、その荷電粒子露光用透過マスクの製造方法につい
て説明する。
びその製造方法を説明する図である。図５において、３
７は支持Ｓｉ板３１に開口部３３を形成する際のエッチ
ングマスクとなるマスク層であり、このマスク層３７に
は支持Ｓｉ板３１裏側に開口部３８が形成されている。 次に、その荷電粒子露光用透過マスクの製造方法につい
て説明する。
【０００６】まず、図５（ａ）に示すように、熱酸化に
よって絶縁層３２が形成された支持Ｓｉ板３１と上部Ｓ
ｉ板３４とをメルトさせて貼り合わせ接着した後、厚膜
の上部Ｓｉ板３４を研磨による所定の厚さまで削り出し
薄膜化する。次に、図５（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法
等により支持Ｓｉ板３１、絶縁膜３２及び上部Ｓｉ板３
４からなる貼り合わせウエハ表面にＳｉ３ Ｎ４ を堆
積してマスク層３７を形成した後、図５（ｃ）に示すよ
うに、ＲＩＥ等により支持Ｓｉ板３１裏面のマスク層３
７をエッチングして開口部３８を形成する。
よって絶縁層３２が形成された支持Ｓｉ板３１と上部Ｓ
ｉ板３４とをメルトさせて貼り合わせ接着した後、厚膜
の上部Ｓｉ板３４を研磨による所定の厚さまで削り出し
薄膜化する。次に、図５（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法
等により支持Ｓｉ板３１、絶縁膜３２及び上部Ｓｉ板３
４からなる貼り合わせウエハ表面にＳｉ３ Ｎ４ を堆
積してマスク層３７を形成した後、図５（ｃ）に示すよ
うに、ＲＩＥ等により支持Ｓｉ板３１裏面のマスク層３
７をエッチングして開口部３８を形成する。
【０００７】次に、図５（ｄ）に示すように、マスク層
３７を用い開口部３８を介して支持Ｓｉ板３１をＫＯＨ
水溶液により、エッチングして開口部３３を形成した後
、図５（ｅ）に示すように、マスク層３７を除去する。 そして、上部Ｓｉ板３４及び絶縁層３２をエッチングし
て透過孔３６を形成した後、スパッタ法等により上部Ｓ
ｉ板３４上に金属膜３５を形成することにより、図４に
示すような荷電粒子露光用透過マスクを得ることができ
る。
３７を用い開口部３８を介して支持Ｓｉ板３１をＫＯＨ
水溶液により、エッチングして開口部３３を形成した後
、図５（ｅ）に示すように、マスク層３７を除去する。 そして、上部Ｓｉ板３４及び絶縁層３２をエッチングし
て透過孔３６を形成した後、スパッタ法等により上部Ｓ
ｉ板３４上に金属膜３５を形成することにより、図４に
示すような荷電粒子露光用透過マスクを得ることができ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の荷電粒
子露光用透過マスクでは、図６（ａ）に示す如くＫＯＨ
エッチングの際に貼り合わせウエハ表面にＳｉ３ Ｎ４
保護膜を形成しており、マスク層３７及び支持Ｓｉ板
３１に各２開口部３８、３３を形成するためにウエハを
裏返しにすると、図６（ｂ）に示す如くウエハ表面、即
ち薄膜上部Ｓｉ板３４側の保護膜となるマスク層３７に
微細な傷３９が付く恐れがあった。そして、パターン形
成領域として残す薄膜の上部Ｓｉ板３４が支持Ｓｉ板３
１と同様のＳｉで構成されていたため、上部Ｓｉ板３４
側のマスク層３７に傷が付いた状態で、ＫＯＨ水溶液で
支持Ｓｉ板３１を異方性エッチングして開口部３３を形
成すると、図６（ｃ）、（ｄ）に示す如く、その傷３９
から薄膜上部Ｓｉ板３４もエッチングされてしまい、所
望の透過孔３６が形成され難くなってしまうという問題
があった。このため、薄膜上部Ｓｉ板３４側の保護膜と
なるマスク層３７側でウエハ搬送機に載置してウエハ搬
送することが困難であった。
子露光用透過マスクでは、図６（ａ）に示す如くＫＯＨ
エッチングの際に貼り合わせウエハ表面にＳｉ３ Ｎ４
保護膜を形成しており、マスク層３７及び支持Ｓｉ板
３１に各２開口部３８、３３を形成するためにウエハを
裏返しにすると、図６（ｂ）に示す如くウエハ表面、即
ち薄膜上部Ｓｉ板３４側の保護膜となるマスク層３７に
微細な傷３９が付く恐れがあった。そして、パターン形
成領域として残す薄膜の上部Ｓｉ板３４が支持Ｓｉ板３
１と同様のＳｉで構成されていたため、上部Ｓｉ板３４
側のマスク層３７に傷が付いた状態で、ＫＯＨ水溶液で
支持Ｓｉ板３１を異方性エッチングして開口部３３を形
成すると、図６（ｃ）、（ｄ）に示す如く、その傷３９
から薄膜上部Ｓｉ板３４もエッチングされてしまい、所
望の透過孔３６が形成され難くなってしまうという問題
があった。このため、薄膜上部Ｓｉ板３４側の保護膜と
なるマスク層３７側でウエハ搬送機に載置してウエハ搬
送することが困難であった。
【０００９】そこで本発明は、上部基板側のマスク層に
傷が付いた状態で支持シリコン板のウエットエッチング
を行った際、上部基板がウエットエッチングされ難くす
ることができ、所望の透過孔を形成することができる荷
電粒子露光用透過マスク及びその製造方法を提供するこ
とを目的としている。
傷が付いた状態で支持シリコン板のウエットエッチング
を行った際、上部基板がウエットエッチングされ難くす
ることができ、所望の透過孔を形成することができる荷
電粒子露光用透過マスク及びその製造方法を提供するこ
とを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による荷電粒子露
光用透過マスクは上記目的達成のため、荷電粒子ビーム
を任意の図形または可変矩形に成形する電子ビーム露光
装置における荷電粒子露光用透過マスクにおいて、絶縁
層を少なくとも挟んで上部炭化シリコン板と支持シリコ
ン板を貼り合わせてなるものである。
光用透過マスクは上記目的達成のため、荷電粒子ビーム
を任意の図形または可変矩形に成形する電子ビーム露光
装置における荷電粒子露光用透過マスクにおいて、絶縁
層を少なくとも挟んで上部炭化シリコン板と支持シリコ
ン板を貼り合わせてなるものである。
【００１１】本発明による荷電粒子露光用透過マスクの
製造方法は上記目的達成のため、下部シリコン板表面及
び上部炭化シリコン板裏面の少なくともどちらか一方に
絶縁層を形成する工程と、該絶縁層を介して該上部炭化
シリコン板と該支持シリコン板を貼り合わせる工程と、
該上部炭化シリコン板を所望の厚さまで研磨する工程と
を含むものである。
製造方法は上記目的達成のため、下部シリコン板表面及
び上部炭化シリコン板裏面の少なくともどちらか一方に
絶縁層を形成する工程と、該絶縁層を介して該上部炭化
シリコン板と該支持シリコン板を貼り合わせる工程と、
該上部炭化シリコン板を所望の厚さまで研磨する工程と
を含むものである。
【００１２】
【作用】本発明では、パターン形成領域として残す薄膜
上部Ｓｉ板をＳｉからＫＯＨ等の薬品でエッチングされ
難い耐薬品性の強いＳｉＣを使用することにより、たと
え表面保護膜のマスク層に傷がついた場合でも、その傷
によって薄膜上部Ｓｉ板がエッチングされる危険性をな
くしてウエハ搬送機の使用を可能とすることにより、製
造工程の簡略化及びより信頼性の高いマスク作成を可能
としている。
上部Ｓｉ板をＳｉからＫＯＨ等の薬品でエッチングされ
難い耐薬品性の強いＳｉＣを使用することにより、たと
え表面保護膜のマスク層に傷がついた場合でも、その傷
によって薄膜上部Ｓｉ板がエッチングされる危険性をな
くしてウエハ搬送機の使用を可能とすることにより、製
造工程の簡略化及びより信頼性の高いマスク作成を可能
としている。
【００１３】通常は、Ｓｉ板表面にＣＶＤ法によりＳｉ
Ｃ薄膜を成長させる方法は、Ｘ線マスクの作成方法とし
て一般的に行われている。しかしながら、ＣＶＤ法によ
る薄膜では、荷電粒子透過マスクに適用するには以下の
理由で困難である。 （イ）ＳｉＣは成長が遅く、厚くつけることが非常に困
難であり、（〜４μｍ）強度的問題がある。 （ロ）結晶性が悪い（多結晶）ため、歪みや転移が多く
精度が出ない。また、強度的に弱く、エッチングにより
透過孔を開けた場合、割れ易い。
Ｃ薄膜を成長させる方法は、Ｘ線マスクの作成方法とし
て一般的に行われている。しかしながら、ＣＶＤ法によ
る薄膜では、荷電粒子透過マスクに適用するには以下の
理由で困難である。 （イ）ＳｉＣは成長が遅く、厚くつけることが非常に困
難であり、（〜４μｍ）強度的問題がある。 （ロ）結晶性が悪い（多結晶）ため、歪みや転移が多く
精度が出ない。また、強度的に弱く、エッチングにより
透過孔を開けた場合、割れ易い。
【００１４】したがって、Ｓｉ板表面にＣＶＤ法により
ＳｉＣ薄膜を成長させる方法では、信頼性、量産性が上
がらない。これに対し本発明では、上記の欠点（イ）、
（ロ）については、 （イ）ある程度の厚さ（１０〜２０μｍ）のＳｉＣ薄膜
を容易に得ることができ、強度的問題を解決することが
できる。 （ロ）単結晶のＳｉＣ薄膜を形成することができ、高精
度のマスクを作成することができる。 となり、格段に進歩する。
ＳｉＣ薄膜を成長させる方法では、信頼性、量産性が上
がらない。これに対し本発明では、上記の欠点（イ）、
（ロ）については、 （イ）ある程度の厚さ（１０〜２０μｍ）のＳｉＣ薄膜
を容易に得ることができ、強度的問題を解決することが
できる。 （ロ）単結晶のＳｉＣ薄膜を形成することができ、高精
度のマスクを作成することができる。 となり、格段に進歩する。
【００１５】このように、本発明では、シリコン酸化膜
等の絶縁層を挟んで支持Ｓｉ板と耐薬品性の強い上部Ｓ
ｉＣ板を貼り合わせた構造のウエハ（貼り合わせウエハ
）をマスク板材料として使用することにより、たとえ表
面保護膜のマスク層に傷が付いている場合でも、ＫＯＨ
等で支持Ｓｉ板裏面をウエットエッチングする際、上部
ＳｉＣ板がウエットエッチングされ難くすることができ
る。これにより、所望の透過孔を形成することができる
うえ、従来エッチング保護膜を傷つける可能性があった
ウエハ搬送機を使用することがでる。
等の絶縁層を挟んで支持Ｓｉ板と耐薬品性の強い上部Ｓ
ｉＣ板を貼り合わせた構造のウエハ（貼り合わせウエハ
）をマスク板材料として使用することにより、たとえ表
面保護膜のマスク層に傷が付いている場合でも、ＫＯＨ
等で支持Ｓｉ板裏面をウエットエッチングする際、上部
ＳｉＣ板がウエットエッチングされ難くすることができ
る。これにより、所望の透過孔を形成することができる
うえ、従来エッチング保護膜を傷つける可能性があった
ウエハ搬送機を使用することがでる。
【００１６】また、上部ＳｉＣ板を構成するＳｉＣはＳ
ｉに比べ高いヤング率を持つため（Ｓｉ；１．６ 、Ｓ
ｉＣ；４．６ 〔＊１０９ ｇ／ｃｍ２〕）ＳｉＣ薄膜
はＳｉ薄膜に比べ割れ難く、より高品質のマスクを作成
することができる。更にＳｉＣは高温に強く、マスク作
成上の工程や荷電粒子ビーム照射において受ける高熱に
対しても十分な耐性をもたせることができる。
ｉに比べ高いヤング率を持つため（Ｓｉ；１．６ 、Ｓ
ｉＣ；４．６ 〔＊１０９ ｇ／ｃｍ２〕）ＳｉＣ薄膜
はＳｉ薄膜に比べ割れ難く、より高品質のマスクを作成
することができる。更にＳｉＣは高温に強く、マスク作
成上の工程や荷電粒子ビーム照射において受ける高熱に
対しても十分な耐性をもたせることができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１は本発明の一実施例に則した荷電粒子露光用透過マス
クの構造を示す断面図である。図１において、１は支持
Ｓｉ板であり、この支持Ｓｉ板１表面部分にはＳｉＯ２
等からなる絶縁層２が形成されており、更に支持Ｓｉ
板１を貫通するように開口部３が形成されている。４は
支持Ｓｉ板１上に形成された絶縁層２に熱接着された上
部ＳｉＣ板であり、この上部ＳｉＣ板４上にはＡｕ等か
らなる金属膜５が形成されている。６は開口部３間の上
部ＳｉＣ板４及び絶縁層２がパターニングされ形成され
た透過孔である。
１は本発明の一実施例に則した荷電粒子露光用透過マス
クの構造を示す断面図である。図１において、１は支持
Ｓｉ板であり、この支持Ｓｉ板１表面部分にはＳｉＯ２
等からなる絶縁層２が形成されており、更に支持Ｓｉ
板１を貫通するように開口部３が形成されている。４は
支持Ｓｉ板１上に形成された絶縁層２に熱接着された上
部ＳｉＣ板であり、この上部ＳｉＣ板４上にはＡｕ等か
らなる金属膜５が形成されている。６は開口部３間の上
部ＳｉＣ板４及び絶縁層２がパターニングされ形成され
た透過孔である。
【００１８】次に、図２は本発明の一実施例に則した荷
電粒子露光用透過マスクの製造方法を説明する図である
。図２において、７は支持Ｓｉ板１に開口部３を形成す
る際のエッチングマスクとなるマスク層であり、このマ
スク層７には開口部８が形成されている。次に、その荷
電粒子露光用透過マスクの製造方法について説明する。
電粒子露光用透過マスクの製造方法を説明する図である
。図２において、７は支持Ｓｉ板１に開口部３を形成す
る際のエッチングマスクとなるマスク層であり、このマ
スク層７には開口部８が形成されている。次に、その荷
電粒子露光用透過マスクの製造方法について説明する。
【００１９】まず、図２（ａ）に示すように、 ９００
〜１０００℃程度の熱酸化によって膜厚１μｍ程度の絶
縁層２が形成された支持Ｓｉ板１と膜厚５００ μｍ程
度の上部ＳｉＣ板４とを９００ 〜１０００℃程度でメ
ルトさせて貼り合わせ接着した後、厚膜の上部ＳｉＣ板
４を研磨により１０〜２０μｍ程度の所定の厚さまで削
り出し薄膜化する。次に、図２（ｂ）に示すように、Ｃ
ＶＤ法等により支持Ｓｉ板１、絶縁層２及び上部ＳｉＣ
板４からなる貼り合わせウエハ表面にＳｉ３ Ｎ４ を
堆積して膜厚２０００Å程度のマスク層７を形成した後
、図２（ｃ）に示すように、ＲＩＥ等により支持Ｓｉ板
１裏面のマスク層７をエッチングして開口部８を形成す
る。
〜１０００℃程度の熱酸化によって膜厚１μｍ程度の絶
縁層２が形成された支持Ｓｉ板１と膜厚５００ μｍ程
度の上部ＳｉＣ板４とを９００ 〜１０００℃程度でメ
ルトさせて貼り合わせ接着した後、厚膜の上部ＳｉＣ板
４を研磨により１０〜２０μｍ程度の所定の厚さまで削
り出し薄膜化する。次に、図２（ｂ）に示すように、Ｃ
ＶＤ法等により支持Ｓｉ板１、絶縁層２及び上部ＳｉＣ
板４からなる貼り合わせウエハ表面にＳｉ３ Ｎ４ を
堆積して膜厚２０００Å程度のマスク層７を形成した後
、図２（ｃ）に示すように、ＲＩＥ等により支持Ｓｉ板
１裏面のマスク層７をエッチングして開口部８を形成す
る。
【００２０】次に、図２（ｄ）に示すように、マスク層
７を用い開口部８を介して支持Ｓｉ板１裏面をＫＯＨ水
溶液によりエッチングして開口部３を形成した後、図３
（ｅ）に示すように、マスク層７を除去する。そして、
図３（ｆ）に示すように、上部ＳｉＣ板４及び絶縁層２
をエッチングして透過孔６を形成した後、スパッタ法等
により上部ＳｉＣ板４上に金属膜５を形成することによ
り、図１に示すような荷電粒子露光用透過マスクを得る
ことができる。
７を用い開口部８を介して支持Ｓｉ板１裏面をＫＯＨ水
溶液によりエッチングして開口部３を形成した後、図３
（ｅ）に示すように、マスク層７を除去する。そして、
図３（ｆ）に示すように、上部ＳｉＣ板４及び絶縁層２
をエッチングして透過孔６を形成した後、スパッタ法等
により上部ＳｉＣ板４上に金属膜５を形成することによ
り、図１に示すような荷電粒子露光用透過マスクを得る
ことができる。
【００２１】すなわち、本実施例では、ＫＯＨ等の薬品
にエッチングされ難い耐薬性の強い上部ＳｉＣ板４で貼
り合わせウエハを構成するようにしたため、上部ＳｉＣ
板４側のマスク層７に傷が付いた状態で支持Ｓｉ板１を
ＫＯＨ水溶液でエッチングを行う際、上部ＳｉＣ板４を
ほとんどエッチングされないようにすることができる。 このため、上部ＳｉＣ板４及び絶縁層２に所望の透過孔
６を形成することができる。従って、ウエハ搬送機を使
用することができ、製造工程の簡略化及び品質の安定化
を図ることができる。
にエッチングされ難い耐薬性の強い上部ＳｉＣ板４で貼
り合わせウエハを構成するようにしたため、上部ＳｉＣ
板４側のマスク層７に傷が付いた状態で支持Ｓｉ板１を
ＫＯＨ水溶液でエッチングを行う際、上部ＳｉＣ板４を
ほとんどエッチングされないようにすることができる。 このため、上部ＳｉＣ板４及び絶縁層２に所望の透過孔
６を形成することができる。従って、ウエハ搬送機を使
用することができ、製造工程の簡略化及び品質の安定化
を図ることができる。
【００２２】なお、上記実施例では、上部ＳｉＣ板４上
に薄膜の金属膜５を形成し電子ビーム照射によるチャー
ジアップを防止する場合について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、上部ＳｉＣ板４を導電
性ＳｉＣで構成することによって電子ビーム照射による
チャージアップを防止する場合であってもよい。
に薄膜の金属膜５を形成し電子ビーム照射によるチャー
ジアップを防止する場合について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、上部ＳｉＣ板４を導電
性ＳｉＣで構成することによって電子ビーム照射による
チャージアップを防止する場合であってもよい。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、上部基板側のマスク層
に傷が付いた状態で支持シリコン板のウエットエッチン
グを行った際、上部基板がウエットエッチングされ難く
することができ、所望の透過孔を形成することができる
という効果がある。
に傷が付いた状態で支持シリコン板のウエットエッチン
グを行った際、上部基板がウエットエッチングされ難く
することができ、所望の透過孔を形成することができる
という効果がある。
【図１】本発明の一実施例に則した荷電粒子露光用透過
マスクの構造を示す断面図である。
マスクの構造を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例に則した荷電粒子露光用透過
マスクの製造方法を説明する図である。
マスクの製造方法を説明する図である。
【図３】本発明の一実施例に則した荷電粒子露光用透過
マスクの製造方法を説明する図である。
マスクの製造方法を説明する図である。
【図４】従来例の荷電粒子露光用透過マスクの構造を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】従来例の荷電粒子露光用透過マスクの製造方法
を説明する図である。
を説明する図である。
【図６】従来例の課題を説明する図である。
１ 支持Ｓｉ板
２ 絶縁層
３ 開口部
４ 上部ＳｉＣ板
５ 金属膜
６ 透過孔
７ マスク層
８ 開口部
Claims (3)
- 【請求項１】 荷電粒子ビームを任意の図形または可
変矩形に成形する電子ビーム露光装置における荷電粒子
露光用透過マスクにおいて、絶縁層（２）を少なくとも
挟んで上部炭化シリコン板（４）と支持シリコン板（１
）を貼り合わせてなることを特徴とする荷電粒子露光用
透過マスク。 - 【請求項２】 電子ビームの照射される上部炭化シリ
コン板（４）表面に、金属薄膜（５）を形成するか、あ
るいは上部炭化シリコン板（４）を導電性炭化シリコン
で構成することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子露
光用透過マスク。 - 【請求項３】 支持シリコン板（１）表面及び上部炭
化シリコン板（４）裏面の少なくともどちらか一方に絶
縁層（２）を形成する工程と、該絶縁層（２）を介して
該上部炭化シリコン板（４）と該支持シリコン板（１）
を貼り合わせる工程と、該上部炭化シリコン板（４）を
所望の厚さまで研磨する工程とを含むことを特徴とする
荷電粒子露光用透過マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14773991A JPH04370918A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 荷電粒子露光用透過マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14773991A JPH04370918A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 荷電粒子露光用透過マスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04370918A true JPH04370918A (ja) | 1992-12-24 |
Family
ID=15437051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14773991A Withdrawn JPH04370918A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 荷電粒子露光用透過マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04370918A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100238237B1 (ko) * | 1997-03-31 | 2000-01-15 | 윤종용 | 전자빔 셀 투영 리소그래피용 마스크 및 그 제조방법 |
| JP2001189265A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-10 | Advantest Corp | マスク、半導体素子製造方法、電子ビーム露光装置、荷電ビーム処理装置において用いられる部材 |
| KR100415098B1 (ko) * | 1998-12-24 | 2004-03-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 셀투사마스크의제조방법 |
| JP2004319909A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Tadahiro Omi | 電子線露光用マスク及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP14773991A patent/JPH04370918A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100238237B1 (ko) * | 1997-03-31 | 2000-01-15 | 윤종용 | 전자빔 셀 투영 리소그래피용 마스크 및 그 제조방법 |
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| JP2001189265A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-10 | Advantest Corp | マスク、半導体素子製造方法、電子ビーム露光装置、荷電ビーム処理装置において用いられる部材 |
| GB2359188A (en) * | 2000-01-05 | 2001-08-15 | Advantest Corp | Mask or member used in charged beam processing apparatus comprising conductive non-oxidising layer or conductive oxide layer |
| GB2359188B (en) * | 2000-01-05 | 2002-06-26 | Advantest Corp | Electron beam exposure apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing mask |
| US6613482B1 (en) | 2000-01-05 | 2003-09-02 | Advantest Corporation | Member used for charged beam processing apparatus, and mask |
| JP2004319909A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Tadahiro Omi | 電子線露光用マスク及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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