JPH02188908A - Ｘ線露光マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光マスクの製造方法Info
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- JPH02188908A JPH02188908A JP1007750A JP775089A JPH02188908A JP H02188908 A JPH02188908 A JP H02188908A JP 1007750 A JP1007750 A JP 1007750A JP 775089 A JP775089 A JP 775089A JP H02188908 A JPH02188908 A JP H02188908A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
Ｘ線吸収材料からなるパターンの支持膜、即ち、メンブ
Ｌ／７ （ｍ’ｅｍｂ ｒ ａ ｎ ｅ）としてＳｉＣ
膜を用いたＸ４ｍ１！光マスクを製造する方法の改良に
関し、 Ｘ線吸収材料からなる高精度のパターンが得られ、また
、パターン内にＸ線吸収材料の残渣が存在しないように
することを目的とし、 シリコン基板の表面にＳｉＣ膜を成長させる工程と、前
記ＳｉＣ膜の表面にリングを接着する工程と、前記シリ
コン基板を除去して前記ＳｉＣ膜の裏面を表出させる工
程と、前記ＳｉＣ膜の裏面にマスク・パターンを形成す
る工程とからなるか、或いは、前記と同様にＳｉＣ膜を
形成した後、前記ＳｉＣ膜の表面に第二のシリコン基板
を貼着する工程と、第二のシリコン基板の表面にリング
を接着する工程と、第一のシリコン基板の除去するエツ
チング及び第二のシリコン基板をリング状にするエツチ
ングを行って前記ＳｉＣ膜の裏面を表出させる工程と、
前記ＳｉＣ膜の裏面にマスク・パターンを形成する工程
とからなるか、或いは、第一のシリコン基板の表面にリ
ング状の第二のシリコン基板を貼着する工程と、第一の
シリコン基板及び第二のシリコン基板の各表面にＳｉＣ
膜を形成する工程と、前記ＳｉＣ膜の表面にリングを接
着する工程と、第一のシリコン基板を除去して前記Ｓｉ
Ｃ膜の裏面一部を表出させる工程と、前記５ｉＣ１ｉの
裏面にマスク・パターンを形成する工程とからなるよう
に構成する。
Ｌ／７ （ｍ’ｅｍｂ ｒ ａ ｎ ｅ）としてＳｉＣ
膜を用いたＸ４ｍ１！光マスクを製造する方法の改良に
関し、 Ｘ線吸収材料からなる高精度のパターンが得られ、また
、パターン内にＸ線吸収材料の残渣が存在しないように
することを目的とし、 シリコン基板の表面にＳｉＣ膜を成長させる工程と、前
記ＳｉＣ膜の表面にリングを接着する工程と、前記シリ
コン基板を除去して前記ＳｉＣ膜の裏面を表出させる工
程と、前記ＳｉＣ膜の裏面にマスク・パターンを形成す
る工程とからなるか、或いは、前記と同様にＳｉＣ膜を
形成した後、前記ＳｉＣ膜の表面に第二のシリコン基板
を貼着する工程と、第二のシリコン基板の表面にリング
を接着する工程と、第一のシリコン基板の除去するエツ
チング及び第二のシリコン基板をリング状にするエツチ
ングを行って前記ＳｉＣ膜の裏面を表出させる工程と、
前記ＳｉＣ膜の裏面にマスク・パターンを形成する工程
とからなるか、或いは、第一のシリコン基板の表面にリ
ング状の第二のシリコン基板を貼着する工程と、第一の
シリコン基板及び第二のシリコン基板の各表面にＳｉＣ
膜を形成する工程と、前記ＳｉＣ膜の表面にリングを接
着する工程と、第一のシリコン基板を除去して前記Ｓｉ
Ｃ膜の裏面一部を表出させる工程と、前記５ｉＣ１ｉの
裏面にマスク・パターンを形成する工程とからなるよう
に構成する。
本発明は、Ｘ線吸収材料からなるパターンの支持膜、即
ち、メンブレンとしてＳｉＣ膜を用いたＸ線露光マスク
を製造する方法の改良に関する。
ち、メンブレンとしてＳｉＣ膜を用いたＸ線露光マスク
を製造する方法の改良に関する。
一般に、Ｘ線露光マスクに於けるメンブレンとしては、
高ヤング率、高引っ張り応力、高い光学的透明度、高い
放射線耐性、滑らかな表面などが要求されている。
高ヤング率、高引っ張り応力、高い光学的透明度、高い
放射線耐性、滑らかな表面などが要求されている。
現在、ＳｉＣは該諸要求に応え得る最も実用性が高い物
質と考えられている。
質と考えられている。
従って、更に徽細なパターンをもつ半導体装置を製造す
るには、ＳｉＣからなるメンブレンを有する良好なＸ線
露光マスクを実現させることが急務である。
るには、ＳｉＣからなるメンブレンを有する良好なＸ線
露光マスクを実現させることが急務である。
従来、Ｘ線露光マスクに於けるメンブレンの構成材料と
しては、ＢＮ、 ＢＮＣ，Ｓ ｉＮ、 Ｓ ｉ。
しては、ＢＮ、 ＢＮＣ，Ｓ ｉＮ、 Ｓ ｉ。
ＳｉＣなどが知られているが、高ヤング率（例えば３〜
４ Ｘ １０１２（ｄ ｙ ｎ７ｃｍ” ）以上）、高
放射線耐性（例えば１００ （Ｍ Ｊ ／ｃｍ’ ３以
上）などの物性値からＳｔＣが最有力とされている。
４ Ｘ １０１２（ｄ ｙ ｎ７ｃｍ” ）以上）、高
放射線耐性（例えば１００ （Ｍ Ｊ ／ｃｍ’ ３以
上）などの物性値からＳｔＣが最有力とされている。
そのＳｉＣ膜は、通常、温度７００（”Ｃ）乃至１３８
０（”Ｃ）の高温の下で実施される化学気相堆積（ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐ。
０（”Ｃ）の高温の下で実施される化学気相堆積（ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐ。
５ｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法で成長した多結晶或いは単結
晶のものが良く、それよりも低温の例えばプラズマＣＶ
Ｄ法やＥＣＲ（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｃｙｃｌｏｔ
ｒｏｎ ｒｅｓｏｎ、ａｎｃｅ）ＣＶＤ法で成長した
アモルファスのものは表面が鏡面になるものの、放射線
耐性が低いなど前記要求を満たすことが難しい。
晶のものが良く、それよりも低温の例えばプラズマＣＶ
Ｄ法やＥＣＲ（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｃｙｃｌｏｔ
ｒｏｎ ｒｅｓｏｎ、ａｎｃｅ）ＣＶＤ法で成長した
アモルファスのものは表面が鏡面になるものの、放射線
耐性が低いなど前記要求を満たすことが難しい。
前記したＳｉＣからなるメンブレンを用いてＸ線露光マ
スクを製造する場合、まず、高温ｃ Ｖ Ｄ法を適用す
ることに依り、単結晶Ｓｉ基板上に例えば多結晶のＳｉ
Ｃ膜を例えば２ 〔μｍ〕乃至３〔μｍ〕程度に厚く成
長させなければならない。
スクを製造する場合、まず、高温ｃ Ｖ Ｄ法を適用す
ることに依り、単結晶Ｓｉ基板上に例えば多結晶のＳｉ
Ｃ膜を例えば２ 〔μｍ〕乃至３〔μｍ〕程度に厚く成
長させなければならない。
然しながら、ＳｔとＳｉＣとのミスフィツトや熱膨張差
に起因し、完全に無欠陥で且つ鏡面を有するＳｉＣ膜を
前記のような厚さに成膜することはできす、約０．１
（μｍ）から０．２ （μｍ）程度の凹凸が存在する
ものになってしまう。
に起因し、完全に無欠陥で且つ鏡面を有するＳｉＣ膜を
前記のような厚さに成膜することはできす、約０．１
（μｍ）から０．２ （μｍ）程度の凹凸が存在する
ものになってしまう。
通常、ＳｉＣ膜の上にはＴａやＡｕなどのＸ線吸収材料
膜が形成され、それを選択的にエツチングしてマスク・
パターンを形成している。
膜が形成され、それを選択的にエツチングしてマスク・
パターンを形成している。
Ｘ線露光マスクを用いて形成される半導体装置に於ける
パターンは線幅が約０．１ 〔μｍ〕から０．２〔μｍ
〕程度を目標にしている。従って、それを形成する為の
マスク・パターンを得ようとする場合に、そのマスク・
パターンを形成するメンブレンに同程度の大きさをもつ
凹凸が存在したのでは、マスク・パターンが高精度に形
成できる筈がなく、そのエツジはギザギザなものになっ
てしまう。
パターンは線幅が約０．１ 〔μｍ〕から０．２〔μｍ
〕程度を目標にしている。従って、それを形成する為の
マスク・パターンを得ようとする場合に、そのマスク・
パターンを形成するメンブレンに同程度の大きさをもつ
凹凸が存在したのでは、マスク・パターンが高精度に形
成できる筈がなく、そのエツジはギザギザなものになっ
てしまう。
また、前記のような問題もさることながら、本発明者ら
の実験に依ると原因不明の更に大きな問題が発生してい
ることが判った。
の実験に依ると原因不明の更に大きな問題が発生してい
ることが判った。
即ち、前記凹凸が存在するＳｉＣ膜の上に、例えば、Ｔ
ａからなるＸ線吸収材料膜を形成し、それをバターニン
グすると、凹凸の凸になっている頂面にＴａが残ってし
まうことである。
ａからなるＸ線吸収材料膜を形成し、それをバターニン
グすると、凹凸の凸になっている頂面にＴａが残ってし
まうことである。
通常、凹凸がある下地に被膜を形成し、該被膜の除去を
行った場合、凹の部分に被膜の一部が残渣として存在す
ることは考えられるが、ＳｉＣからなるメンブレンの場
合は逆であって、凹の部分には残渣が存在しない。
行った場合、凹の部分に被膜の一部が残渣として存在す
ることは考えられるが、ＳｉＣからなるメンブレンの場
合は逆であって、凹の部分には残渣が存在しない。
従って、ＴａからなるＸ線吸収材料膜のパターニングを
行うと、それが存在してはならない部分に点々として残
留しているのが視認され、これでは、Ｘ線露光マスクと
して使用することはできない。
行うと、それが存在してはならない部分に点々として残
留しているのが視認され、これでは、Ｘ線露光マスクと
して使用することはできない。
本発明は、Ｘ線吸収材料からなる高精度のパターンが得
られ、また、パターン内にＸ′ａ吸収材料の残渣が存在
しないようにする。
られ、また、パターン内にＸ′ａ吸収材料の残渣が存在
しないようにする。
本発明では、通常、シリコン基板上に成長したＳｉＣ膜
の裏面、即ち、シリコン基板と対向している面は鏡面を
なしているので、その面にＸ線吸収材料からなるマスク
・パターンを形成すれば、前記したような諸問題は解消
することができる旨の知見が基礎になっている。
の裏面、即ち、シリコン基板と対向している面は鏡面を
なしているので、その面にＸ線吸収材料からなるマスク
・パターンを形成すれば、前記したような諸問題は解消
することができる旨の知見が基礎になっている。
そのようなことから、本発明に依るＸｖＡ露光マスクの
製造方法に於いては、 （ａ） シリコン基板（例えばＳｉ基板１）の表面に
ＳｉＣ膜（例えばＳｉＣ膜２）を成長させる工程と、前
記ＳｉＣ膜の表面にリング（例えばリング３）を接着す
る工程と、前記シリコン基板を除去して前記ＳｉＣ膜の
裏面を表出させる工程と、前記ＳｉＣ膜の裏面にマスク
・パターン（例えばマスク・パターン５）を形成する工
程とからなるか、 或いは、 （ｂ） 前記同様にＳｉＣ膜を形成した後、前記Ｓｉ
Ｃ膜の表面に第二のシリコン基板（例えば第二のＳｉ基
板４）を貼着する工程と、第二のシリコン基板の表面に
リングを接着する工程と、第一のシリコン基板の除去す
るエツチング及び第二のシリコン基板をリング状にする
エツチングを行って前記ＳｉＣ膜の裏面を表出させる工
程と、前記ＳｉＣ膜の裏面にマスク・パターンを形成す
る工程とからなるか、 或いは、 （Ｃ） 第一のシリコン基板の表面にリング状の第二
のシリコン基板を貼着する工程と、第一のシリコン基板
及び第二のシリコン基板の表面にＳｉＣ膜を形成する工
程と、前記ＳｉＣ膜の表面にリングを接着する工程と、
第一のシリコン基板を除去して前記ＳｉＣ膜の裏面一部
を表出させる工程と、前記ＳｉＣ膜の裏面にマスク・パ
ターンを形成する工程とからなるか、 の何れかの手段を採る。
製造方法に於いては、 （ａ） シリコン基板（例えばＳｉ基板１）の表面に
ＳｉＣ膜（例えばＳｉＣ膜２）を成長させる工程と、前
記ＳｉＣ膜の表面にリング（例えばリング３）を接着す
る工程と、前記シリコン基板を除去して前記ＳｉＣ膜の
裏面を表出させる工程と、前記ＳｉＣ膜の裏面にマスク
・パターン（例えばマスク・パターン５）を形成する工
程とからなるか、 或いは、 （ｂ） 前記同様にＳｉＣ膜を形成した後、前記Ｓｉ
Ｃ膜の表面に第二のシリコン基板（例えば第二のＳｉ基
板４）を貼着する工程と、第二のシリコン基板の表面に
リングを接着する工程と、第一のシリコン基板の除去す
るエツチング及び第二のシリコン基板をリング状にする
エツチングを行って前記ＳｉＣ膜の裏面を表出させる工
程と、前記ＳｉＣ膜の裏面にマスク・パターンを形成す
る工程とからなるか、 或いは、 （Ｃ） 第一のシリコン基板の表面にリング状の第二
のシリコン基板を貼着する工程と、第一のシリコン基板
及び第二のシリコン基板の表面にＳｉＣ膜を形成する工
程と、前記ＳｉＣ膜の表面にリングを接着する工程と、
第一のシリコン基板を除去して前記ＳｉＣ膜の裏面一部
を表出させる工程と、前記ＳｉＣ膜の裏面にマスク・パ
ターンを形成する工程とからなるか、 の何れかの手段を採る。
前記手段を採ることに依り、本来、表面に凹凸が存在す
る多結晶或いは単結晶のＳｉＣ膜をメンブレンとして採
用したものでありながら、Ｘ線吸収材料からなるマスク
・パターンを形成すべき下地は鏡面のように平坦であり
、従って、形成されたマスク・パターンの精度は大変に
高く、また、パターン内にＸ線吸収材料の残渣が存在す
ることは皆無である。
る多結晶或いは単結晶のＳｉＣ膜をメンブレンとして採
用したものでありながら、Ｘ線吸収材料からなるマスク
・パターンを形成すべき下地は鏡面のように平坦であり
、従って、形成されたマスク・パターンの精度は大変に
高く、また、パターン内にＸ線吸収材料の残渣が存在す
ることは皆無である。
（実施例〕
その１
第１図乃至第３図は本発明一実施例を解説する為の工程
要所に於けるＸ ｖＡｉ光マスクの要部切断側面図を表
し、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
要所に於けるＸ ｖＡｉ光マスクの要部切断側面図を表
し、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
第１図参照
１１） 温度を７００（℃）から１０００（’Ｃ）と
する高温ＣＶＤ法を適用することに依り、Ｓｔ基４Ｆｉ
Ｉ上に厚さ例えば２ 〔μｍ〕程度のＳｊＣ膜２を成長
させる。
する高温ＣＶＤ法を適用することに依り、Ｓｔ基４Ｆｉ
Ｉ上に厚さ例えば２ 〔μｍ〕程度のＳｊＣ膜２を成長
させる。
この場合、
供給ガス：５ｉＨＣｊ２３或いは５ｔＨ２Ｃβ２＋（：
３Ｈ，或いは０２Ｈ２ 希釈ガス二Ｈ２ とし、成長装置としては、コールド・ウオール型（誘導
加熱）或いはホット・ウオール（ランプ加熱）の何れで
も良い。
３Ｈ，或いは０２Ｈ２ 希釈ガス二Ｈ２ とし、成長装置としては、コールド・ウオール型（誘導
加熱）或いはホット・ウオール（ランプ加熱）の何れで
も良い。
このようにして得られたＳｉＣ膜２に於ける平均のグレ
イン・サイズは０．２（μｍ）前後であり、表面にも同
程度の荒れ、即ち、凹凸が存在する。
イン・サイズは０．２（μｍ）前後であり、表面にも同
程度の荒れ、即ち、凹凸が存在する。
第２図参照
（２）ＳｉＣ膜２の表面に耐熱性高珪酸ガラス（例えば
パイレックス：商標名）或いはセラミックからなるリン
グ３を例えばエポキシ樹脂を用いて接着する。
パイレックス：商標名）或いはセラミックからなるリン
グ３を例えばエポキシ樹脂を用いて接着する。
第３図参照
（３） エッチャントをＨＦ／ＨＮＯ３／ＣＨ３Ｃ０
ＯＨとする浸漬法を適用することに依り、Ｓｉ基板１を
エツチングして除去する。
ＯＨとする浸漬法を適用することに依り、Ｓｉ基板１を
エツチングして除去する。
これでｘ＞’ｉ露光マスクのメンブレンとしての表面側
にはＳｉＣ膜２の裏面が現れ、その面に於ける荒れは０
．０２（μｍ〕程度以下の鏡面になっている。
にはＳｉＣ膜２の裏面が現れ、その面に於ける荒れは０
．０２（μｍ〕程度以下の鏡面になっている。
この後、前記のようにして鏡面が表出されているＳｉＣ
膜２の上にＴａ膜からなるマスク・パターンを形成した
ところ、例えば、線幅０．２〔μｍ〕程度のパターンで
充分に高い精度が得られ、また、Ｔａの残渣も存在しな
かった。尚、ＴａをＷに代替しても同結果が得られた。
膜２の上にＴａ膜からなるマスク・パターンを形成した
ところ、例えば、線幅０．２〔μｍ〕程度のパターンで
充分に高い精度が得られ、また、Ｔａの残渣も存在しな
かった。尚、ＴａをＷに代替しても同結果が得られた。
その２
第４図乃至第６図は本発明一実施例を解説する為の工程
要所に於けるＸ線露光′マスクの要部切断側面図を表し
、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
要所に於けるＸ線露光′マスクの要部切断側面図を表し
、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
第４図参照
＜１１ 前記実施例その１の工程（１１が終わった後
、第二のＳｉ基板４を用意する。
、第二のＳｉ基板４を用意する。
（２）第一のＳｉ基板１に於けるＳｉＣ膜２と第二のＳ
ｉｉ板４とを対向させ、接着剤に例えばエポキシ樹脂を
用いて貼り合わせる。この場合、後に実際にメンブレン
として使用される領域に接着剤が回り込むことを避ける
為、周辺でのみ接着することが好ましい。
ｉｉ板４とを対向させ、接着剤に例えばエポキシ樹脂を
用いて貼り合わせる。この場合、後に実際にメンブレン
として使用される領域に接着剤が回り込むことを避ける
為、周辺でのみ接着することが好ましい。
第５図参照
（３）第二のＳｉ基板４の裏面に耐熱性高珪酸ガラス或
いはセラミックからなるリング３を例えばエポキシ樹脂
を用いて接着する。
いはセラミックからなるリング３を例えばエポキシ樹脂
を用いて接着する。
第６図参照
（４） エッチャントをＨＦ／ＨＮ○３／ ＣＨ３Ｃ
００Ｈとする浸漬法を適用することに依り、Ｓｉ基板１
をエツチングして除去する。
００Ｈとする浸漬法を適用することに依り、Ｓｉ基板１
をエツチングして除去する。
この場合もＸ線露光マスクのメンブレンとしての表面側
にはＳｉＣ膜２の裏面が現れ、その面に於ける荒れは０
．０２（μｍ〕程度以下の鏡面になっている。
にはＳｉＣ膜２の裏面が現れ、その面に於ける荒れは０
．０２（μｍ〕程度以下の鏡面になっている。
（５）第二の３ｉ基板４の裏面からＳｉＣ膜２の表面に
達するエツチングを行う。
達するエツチングを行う。
このエツチングに於いても、ＨＦ／ＨＮＯ３／ＣＨ３Ｃ
Ｏ０Ｈをエッチャントとするウェット・エツチング法を
適用して良い。
Ｏ０Ｈをエッチャントとするウェット・エツチング法を
適用して良い。
この工程を経ることに依って第二のＳｉ基板４は周辺の
みがリング状に残り、図では、これを記号４′で指示し
である。
みがリング状に残り、図では、これを記号４′で指示し
である。
この後、前記のような工程を経て鏡面を表出させたＳｉ
Ｃ膜２の上にＴａ膜或いはＷ膜からなるマスク・パター
ンを形成する。この実施例に於いても、前記同様、線幅
０．２〔μｍ〕程度のパタ−ンで充分に高い精度が得ら
れ、また、Ｔａ或いはＷの残渣は存在しなかった。
Ｃ膜２の上にＴａ膜或いはＷ膜からなるマスク・パター
ンを形成する。この実施例に於いても、前記同様、線幅
０．２〔μｍ〕程度のパタ−ンで充分に高い精度が得ら
れ、また、Ｔａ或いはＷの残渣は存在しなかった。
その３
第７図乃至第１２図は本発明一実施例を解説する為の工
程要所に於けるＸ線露光マスクの要部切断側面図を表し
、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。尚、第１図
乃至第６図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表す
か或いは同じ意味を持つものとする。
程要所に於けるＸ線露光マスクの要部切断側面図を表し
、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。尚、第１図
乃至第６図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表す
か或いは同じ意味を持つものとする。
第７図参照
（１）第一のＳｉ基板１及びリング状の第二のＳｉ基板
４′を用意する。尚、第二のＳｉ基板４′はＳｉＣ基板
に代替することができる。
４′を用意する。尚、第二のＳｉ基板４′はＳｉＣ基板
に代替することができる。
第８図参照
（２） 第一のＳｉ基板１と第二のＳｉ基板４′とを
熱処理して貼り合わせる。
熱処理して貼り合わせる。
第９図参照
（３）温度を７００（’Ｃ）から１０００（’Ｃ）とす
る高温ＣＶＤ法を適用することに依り、第一のＳｉ基板
１及び第二のＳｉ基板４′の表面に厚さ例えば２ 〔μ
ｍ〕程度のＳｉＣ膜２を成長させる。
る高温ＣＶＤ法を適用することに依り、第一のＳｉ基板
１及び第二のＳｉ基板４′の表面に厚さ例えば２ 〔μ
ｍ〕程度のＳｉＣ膜２を成長させる。
この場合、
供給ガス： Ｓ ｉ ＨＣ１３或いは５ｉＨ２ＣＩ１２
＋Ｃ３）（、、或いはＣ２Ｈ２ 希釈ガス：Ｈ２ 時間＝８０〔分〕 とし、成長装置としては、コールド・ウオール型（誘導
加熱）或いはホット・ウオール（ランプ加熱）の何れで
も良い。
＋Ｃ３）（、、或いはＣ２Ｈ２ 希釈ガス：Ｈ２ 時間＝８０〔分〕 とし、成長装置としては、コールド・ウオール型（誘導
加熱）或いはホット・ウオール（ランプ加熱）の何れで
も良い。
このようにして得られたＳｉＣ膜２に於ける平均のグレ
イン・サイズは０．２〔μｍ３前後であり、表面にも同
程度の荒れ、即ち、凹凸が存在する。
イン・サイズは０．２〔μｍ３前後であり、表面にも同
程度の荒れ、即ち、凹凸が存在する。
第１０図参照
＜４１３ｉＣ膜２の表面に耐熱性高珪酸ガラス或いはセ
ラミックからなるリング３を例えばエポキシ樹脂を用い
て接着する。
ラミックからなるリング３を例えばエポキシ樹脂を用い
て接着する。
第１１図参照
（５） エッチャントをＨＦ ／ ＨＮ Ｏ３／ Ｃ
Ｈ３Ｃ００Ｈとする浸漬法を適用することに依り、第一
のＳｉ基板ｌをエツチングして除去する。
Ｈ３Ｃ００Ｈとする浸漬法を適用することに依り、第一
のＳｉ基板ｌをエツチングして除去する。
これ・でＸ線露光マスクのメンブレンとしての表面側に
はＳｉＣ膜２の裏面一部が現れ、その面に於ける荒れは
０．０２（μｍ〕程度以下の鏡面になっている。
はＳｉＣ膜２の裏面一部が現れ、その面に於ける荒れは
０．０２（μｍ〕程度以下の鏡面になっている。
第１２図参照
（６） この後、スパッタリング法を適用することに
依り、前記のようにして鏡面が表出されているＳｉＣ膜
２の上に厚さ例えば１ 〔μｍ〕のＴａ膜を形成し、そ
れを電子ビーム・リソグラフィ技術を適用することに依
ってパターニングしてマスク・パターン５を形成する。
依り、前記のようにして鏡面が表出されているＳｉＣ膜
２の上に厚さ例えば１ 〔μｍ〕のＴａ膜を形成し、そ
れを電子ビーム・リソグラフィ技術を適用することに依
ってパターニングしてマスク・パターン５を形成する。
この場合、レジストとして、通常の電子線レジスト、例
えばポリメチルメタクリレート（ｐｏｌｙｍｅＬｈｙｌ
ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ： ＰＭＭＡ）を、また、Ｔ
ａのエツチングを行うにはＣｆｚ／Ｃｃ１４をエツチン
グ・ガスとするＲＩＥ法を適用して良い。
えばポリメチルメタクリレート（ｐｏｌｙｍｅＬｈｙｌ
ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ： ＰＭＭＡ）を、また、Ｔ
ａのエツチングを行うにはＣｆｚ／Ｃｃ１４をエツチン
グ・ガスとするＲＩＥ法を適用して良い。
このようにすると、線幅０．２〔μｍ〕程度のパターン
では、充分に高い精度が得られ、また、Ｔａの残渣も存
在しない。尚、ＴａをＷやＡｕに代替できることは云う
までもない。
では、充分に高い精度が得られ、また、Ｔａの残渣も存
在しない。尚、ＴａをＷやＡｕに代替できることは云う
までもない。
本発明に依るＸ線露光マスクの製造方法に於いては、Ｓ
ｉ基板の表面にメンブレンとなる多結晶或いは単結晶の
ＳｉＣ膜を成長させてから、そのＳｉ基板を除去するこ
とで該ＳｉＣ膜の裏面を表出させ、そこにＸ線吸収材料
からなるマスク・パターンを形成するようにしている。
ｉ基板の表面にメンブレンとなる多結晶或いは単結晶の
ＳｉＣ膜を成長させてから、そのＳｉ基板を除去するこ
とで該ＳｉＣ膜の裏面を表出させ、そこにＸ線吸収材料
からなるマスク・パターンを形成するようにしている。
前記構成を採ることに依り、本来、表面に凹凸が存在す
る多結晶或いは単結晶のＳｉＣ膜をメンブレンとして採
用したものでありながら、ＸｗＡ吸収材料からなるマス
ク・パターンを形成すべき下地は鏡面のように平坦であ
り、従って、形成されたマスク・パターンの精度は大変
に高く、また、パターン内にＸ線吸収材料の残渣が存在
することは皆無である。
る多結晶或いは単結晶のＳｉＣ膜をメンブレンとして採
用したものでありながら、ＸｗＡ吸収材料からなるマス
ク・パターンを形成すべき下地は鏡面のように平坦であ
り、従って、形成されたマスク・パターンの精度は大変
に高く、また、パターン内にＸ線吸収材料の残渣が存在
することは皆無である。
第１図乃至第３図は本発明一実施例を説明する為の工程
要所に於けるＸ線露光マスクの要部切断側面図、第４図
乃至第６図は本発明一実施例を説明する為の工程要所に
於けるＸ線露光マスクの要部切断側面図、第７図乃至第
１２図は本発明一実施例を説明する為の工程要所に於け
るＸ線露光マスクの要部切断側面図をそれぞれ表してい
る。 図に於いて、ｌはＳｉ基板、２はＳｉＣ膜、３はリング
、４は第二のＳｉ基板、４′はリング状の第二のＳｉ基
板、５はマスク・パターンをそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − Ｘ線露光マスクの要部切断側面図 第４図 第５図 第６図 Ｘ線露光マスクの要部切断側面図 第２図 本発明−実施例を説明する為の工程要所に於けるＸ線露
光マスクの要部切断側面図 第３図 ４゛−口＝＝コ ロ：＝＝：＝コ 第７図 第８図 第９図
要所に於けるＸ線露光マスクの要部切断側面図、第４図
乃至第６図は本発明一実施例を説明する為の工程要所に
於けるＸ線露光マスクの要部切断側面図、第７図乃至第
１２図は本発明一実施例を説明する為の工程要所に於け
るＸ線露光マスクの要部切断側面図をそれぞれ表してい
る。 図に於いて、ｌはＳｉ基板、２はＳｉＣ膜、３はリング
、４は第二のＳｉ基板、４′はリング状の第二のＳｉ基
板、５はマスク・パターンをそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − Ｘ線露光マスクの要部切断側面図 第４図 第５図 第６図 Ｘ線露光マスクの要部切断側面図 第２図 本発明−実施例を説明する為の工程要所に於けるＸ線露
光マスクの要部切断側面図 第３図 ４゛−口＝＝コ ロ：＝＝：＝コ 第７図 第８図 第９図
Claims (3)
- （１）シリコン基板表面にメンブレンとなる多結晶或い
は単結晶のＳｉＣ膜を成長させる工程と、次いで、前記
ＳｉＣ膜の表面にメンブレン支持枠であるリングを接着
する工程と、 次いで、前記シリコン基板の裏面から全面エッチングを
行って前記ＳｉＣ膜の裏面を表出させる工程と、 その後、前記ＳｉＣ膜の裏面にＸ線吸収材料からなるマ
スク・パターンを形成する工程とが含まれてなることを
特徴とするＸ線露光マスクの製造方法。 - （２）第一のシリコン基板表面にメンブレンとなる多結
晶或いは単結晶のＳｉＣ膜を成長させる工程と、 次いで、前記ＳｉＣ膜の表面に第二のシリコン基板を貼
着する工程と、 次いで、第二のシリコン基板の表面にメンブレン支持枠
であるリングを接着する工程と、次いで、前記各シリコ
ン基板のエッチングを行って第一のシリコン基板は全て
除去し且つ第二のシリコン基板は前記リングと同様なリ
ング状の部分を残し他を除去することで前記ＳｉＣ膜の
裏面を全て表出させると共に表面の一部を露出させる工
程と、 その後、全面が表出された前記ＳｉＣ膜の裏面にＸ線吸
収材料からなるマスク・パターンを形成する工程と が含まれてなることを特徴とするＸ線露光マスクの製造
方法。 - （３）第一のシリコン基板表面にリング状の第二のシリ
コン基板を貼着する工程と、 次いで、第一のシリコン基板表面及び第二のシリコン基
板表面の全面にメンブレンとなる多結晶或いは単結晶の
ＳｉＣ膜を成長させる工程と、 次いで、第二のシリコン基板上に在る前記ＳｉＣ膜の表
面に対向させてメンブレン支持枠であるリングを接着す
る工程と、 次いで、第一のシリコン基板の裏面から全面エッチング
を行って前記ＳｉＣ膜の裏面を表出させる工程と、 その後、前記ＳｉＣ膜の裏面にＸ線吸収材料からなるマ
スク・パターンを形成する工程とが含まれてなることを
特徴とするＸ線露光マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP775089A JP2797190B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP775089A JP2797190B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02188908A true JPH02188908A (ja) | 1990-07-25 |
| JP2797190B2 JP2797190B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=11674372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP775089A Expired - Fee Related JP2797190B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2797190B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0670576A1 (en) * | 1994-03-04 | 1995-09-06 | Osservatorio Astronomico Di Brera | Grazing incidence co-axial and confocal mirrors |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186840A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-24 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | Ｘ線マスクのための陽極接着方法及び装置 |
| JPH01192114A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-02 | Toshiba Corp | Ｘ線マスクの製造方法 |
-
1989
- 1989-01-18 JP JP775089A patent/JP2797190B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186840A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-24 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | Ｘ線マスクのための陽極接着方法及び装置 |
| JPH01192114A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-02 | Toshiba Corp | Ｘ線マスクの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0670576A1 (en) * | 1994-03-04 | 1995-09-06 | Osservatorio Astronomico Di Brera | Grazing incidence co-axial and confocal mirrors |
| US5592338A (en) * | 1994-03-04 | 1997-01-07 | Osservatorio Astronomico Di Brera | Grazing incidence co-axial and confocal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2797190B2 (ja) | 1998-09-17 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |