JPH0562889A - エツクス線露光マスク - Google Patents
エツクス線露光マスクInfo
- Publication number
- JPH0562889A JPH0562889A JP22416991A JP22416991A JPH0562889A JP H0562889 A JPH0562889 A JP H0562889A JP 22416991 A JP22416991 A JP 22416991A JP 22416991 A JP22416991 A JP 22416991A JP H0562889 A JPH0562889 A JP H0562889A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray exposure
- exposure mask
- ray
- pattern
- membrane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】エックス線露光中に熱歪によりパターンが変形
したり、ずれたりすることを少なくするエックス線露光
マスクのメンブレン材料を提供する。 【構成】エックス線露光マスクに関し、ダイアモンド膜
をメンブレンに用いる。 【効果】エックス線照射によっても熱歪が少なく、よっ
てエックス線露光時にパターン変形やパッターンずれの
ないエックス線露光マスクを提供することができる。
したり、ずれたりすることを少なくするエックス線露光
マスクのメンブレン材料を提供する。 【構成】エックス線露光マスクに関し、ダイアモンド膜
をメンブレンに用いる。 【効果】エックス線照射によっても熱歪が少なく、よっ
てエックス線露光時にパターン変形やパッターンずれの
ないエックス線露光マスクを提供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はエックス線露光マスク
のメンブレン材料に関する。
のメンブレン材料に関する。
【０００２】
【従来に技術】従来、エックス線露光マスクのメンブレ
ンにはシリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜あ
るいはシリコン炭化膜などが用いられていた。
ンにはシリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜あ
るいはシリコン炭化膜などが用いられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
によると、エックス線露光中に熱歪によりパターンが変
形したり、ずれたりするなどの課題があった。
によると、エックス線露光中に熱歪によりパターンが変
形したり、ずれたりするなどの課題があった。
【０００４】この発明はかかる従来技術の課題を解決
し、エックス線露光中に熱歪によりパターンが変形した
り、ずれたりすることを少なくするエックス線露光マス
クのメンブレン材料を提供することを目的とする。
し、エックス線露光中に熱歪によりパターンが変形した
り、ずれたりすることを少なくするエックス線露光マス
クのメンブレン材料を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するために、この発明はエックス線露光マス
クに関し、ダイアモンド膜をメンブレンに用いる手段を
取る。
目的を達成するために、この発明はエックス線露光マス
クに関し、ダイアモンド膜をメンブレンに用いる手段を
取る。
【０００６】
【実施例】以下、実施例によりこの発明を詳述する。
【０００７】いま、シリコンウエーハの表面に、炭化水
素ガスを主原料として、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法ま
たは燃焼炎法などにより数ミクロン厚さのダイアモンド
膜を形成し、シリコンウエーハの裏面からホトエッチン
グにより周辺にシリコンをフレームとして残存させてエ
ッチング除去することにより、ダイアモンド膜はエッチ
ングのストッパとして作用し、ダイアモンド膜によるメ
ンブレンが容易に製作することができる。尚、エックス
線防止能を有するタングステン膜や金膜などの形成とそ
のパターンニングはシリコンウエーハ表面にダイアモン
ド膜を形成した後か、ダイアモンド膜によるメンブレン
形成後に行ってもよい。
素ガスを主原料として、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法ま
たは燃焼炎法などにより数ミクロン厚さのダイアモンド
膜を形成し、シリコンウエーハの裏面からホトエッチン
グにより周辺にシリコンをフレームとして残存させてエ
ッチング除去することにより、ダイアモンド膜はエッチ
ングのストッパとして作用し、ダイアモンド膜によるメ
ンブレンが容易に製作することができる。尚、エックス
線防止能を有するタングステン膜や金膜などの形成とそ
のパターンニングはシリコンウエーハ表面にダイアモン
ド膜を形成した後か、ダイアモンド膜によるメンブレン
形成後に行ってもよい。
【０００８】
【発明の効果】この発明により、エックス線照射によっ
ても熱歪が少なく、よってエックス線露光時にパターン
変形やパッターンずれのないエックス線露光マスクを提
供することができる効果がある。
ても熱歪が少なく、よってエックス線露光時にパターン
変形やパッターンずれのないエックス線露光マスクを提
供することができる効果がある。
Claims (1)
- 【請求項１】 ダイアモンド膜をメンブレンに用いたこ
とを特徴とするエックス線露光マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22416991A JPH0562889A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | エツクス線露光マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22416991A JPH0562889A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | エツクス線露光マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562889A true JPH0562889A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16809615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22416991A Pending JPH0562889A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | エツクス線露光マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0562889A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6261726B1 (en) | 1999-12-06 | 2001-07-17 | International Business Machines Corporation | Projection electron-beam lithography masks using advanced materials and membrane size |
-
1991
- 1991-09-04 JP JP22416991A patent/JPH0562889A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6261726B1 (en) | 1999-12-06 | 2001-07-17 | International Business Machines Corporation | Projection electron-beam lithography masks using advanced materials and membrane size |
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