JPS6337619A - Ｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクInfo
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- JPS6337619A JPS6337619A JP61180110A JP18011086A JPS6337619A JP S6337619 A JPS6337619 A JP S6337619A JP 61180110 A JP61180110 A JP 61180110A JP 18011086 A JP18011086 A JP 18011086A JP S6337619 A JPS6337619 A JP S6337619A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、軟Ｘ線を用いて微細パターンを転写するＸ線
露光法におけるＸ線マスクに関するものである。
露光法におけるＸ線マスクに関するものである。
ＬＳＩ（大規模集積回路）パターンのウェハ上への焼付
け（転写）に使われるＸ線露光法は、Ｘ線を良く吸収す
るタンタル（Ｔａ）や金（Ａｕ）等の重金属材料を所望
のＬＳＩパターンを有するように加工したＸ線吸収体パ
ターンと、逆にＸ線を良く透過する窒化珪素膜（ＳｉＮ
膜）等の軽元素材料から成りその面上に形成されるＸ線
吸収体パターンを支持するＸ線透過基板と、Ｓｉ華結品
基板から成りＸ線透過基板を周囲で固定支持する支持枠
との３つから構成されるＸｙＡマスクを用い、このＸ線
マスクと表面にレジストを塗布されたウェハとを近接対
向し、これにＸ線を照射してＸ線吸収体パターンの像を
ウェハ上のレジストに焼付シナ（転写）するものである
。
け（転写）に使われるＸ線露光法は、Ｘ線を良く吸収す
るタンタル（Ｔａ）や金（Ａｕ）等の重金属材料を所望
のＬＳＩパターンを有するように加工したＸ線吸収体パ
ターンと、逆にＸ線を良く透過する窒化珪素膜（ＳｉＮ
膜）等の軽元素材料から成りその面上に形成されるＸ線
吸収体パターンを支持するＸ線透過基板と、Ｓｉ華結品
基板から成りＸ線透過基板を周囲で固定支持する支持枠
との３つから構成されるＸｙＡマスクを用い、このＸ線
マスクと表面にレジストを塗布されたウェハとを近接対
向し、これにＸ線を照射してＸ線吸収体パターンの像を
ウェハ上のレジストに焼付シナ（転写）するものである
。
このＸ線露光法は、そのイ３れな解像性を活かして０．
５μｍ程度のサブミクロンパターンを有する高性能・高
集積ＬＳＩを製造するのに有力な微細パターン転写技術
として位置づけられている。
５μｍ程度のサブミクロンパターンを有する高性能・高
集積ＬＳＩを製造するのに有力な微細パターン転写技術
として位置づけられている。
しかし、ＬＳＩを製造する場合には、ＬＳＩパターンの
各層に対応する複数のＸ線マスクに形成した各層間の吸
収体パターンに０．１１７ｍ以下の高い重ね合わせ精度
が要求されるため、Ｘ線マスクの高精度化がＸ線露光技
術をＬＳＩ製造技術として実用化するうえでの重要な課
題の１つとなっている。
各層に対応する複数のＸ線マスクに形成した各層間の吸
収体パターンに０．１１７ｍ以下の高い重ね合わせ精度
が要求されるため、Ｘ線マスクの高精度化がＸ線露光技
術をＬＳＩ製造技術として実用化するうえでの重要な課
題の１つとなっている。
以下に従来のＸ線マスク構造と製作法の一例を示す。こ
れは、開本、小沢、大久保、吉原著「ソリッド・ステー
ト・デバイスと材料に関する第１６回会議（国際会議）
の要約」神戸、 １９８４年、２３頁〜２６頁（Ｍ、Ｓ
ｅｋｉｍｏｔｏ、Ａ、Ｏｚａｗａ、Ｔ、０ｈｋｕｂｏ
ａｎｄＨ，Ｙｏｓｉｈａｒａ：Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂ
ｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １６ｔｈ （１９８４
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ）Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅＤｅｖｉｃｅｓ ａｎ
ｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、Ｋｏｂｅ、１９８４．Ｉ）Ｉ
）、２３〜２６）に記載されている例である。
れは、開本、小沢、大久保、吉原著「ソリッド・ステー
ト・デバイスと材料に関する第１６回会議（国際会議）
の要約」神戸、 １９８４年、２３頁〜２６頁（Ｍ、Ｓ
ｅｋｉｍｏｔｏ、Ａ、Ｏｚａｗａ、Ｔ、０ｈｋｕｂｏ
ａｎｄＨ，Ｙｏｓｉｈａｒａ：Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂ
ｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １６ｔｈ （１９８４
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ）Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅＤｅｖｉｃｅｓ ａｎ
ｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、Ｋｏｂｅ、１９８４．Ｉ）Ｉ
）、２３〜２６）に記載されている例である。
（１００）面方位のＳｉ単結晶基板の両面に高いＸ線透
過率と耐薬品性を有する窒化珪素膜（以下ｒｓｉＮ膜」
という）を減圧ＣＶＤ法により同時または個別に成膜し
、上面のＳｉＮ膜をＸ線透過基板とし、また、下面のＳ
ｉ Ｎ膜をバンクエッチマスク層とする。次にＸ線透
過基板の上にＴａ膜の付着・レジストパターンの形成を
行ない、それをエツチングマスクとしてＣＢｒＦ、ガス
を用いた反応性イオンエツチング法によってＴａをエツ
チングし、Ｘ線吸収体パターンを形成する。また、下面
のバックエッチマスク層の中央部をＣ，Ｆ。
過率と耐薬品性を有する窒化珪素膜（以下ｒｓｉＮ膜」
という）を減圧ＣＶＤ法により同時または個別に成膜し
、上面のＳｉＮ膜をＸ線透過基板とし、また、下面のＳ
ｉ Ｎ膜をバンクエッチマスク層とする。次にＸ線透
過基板の上にＴａ膜の付着・レジストパターンの形成を
行ない、それをエツチングマスクとしてＣＢｒＦ、ガス
を用いた反応性イオンエツチング法によってＴａをエツ
チングし、Ｘ線吸収体パターンを形成する。また、下面
のバックエッチマスク層の中央部をＣ，Ｆ。
ガスを用いた反応性イオンエツチング法によって除去し
、マスク支持枠形成に必要なバックエッチウィンドパタ
ーンを形成する。
、マスク支持枠形成に必要なバックエッチウィンドパタ
ーンを形成する。
この例のように、従来のＸ線マスクは、支持枠として（
１００）面方位Ｓｉ単結晶基板をエツチング液で加工し
て形成したものを使用していた。
１００）面方位Ｓｉ単結晶基板をエツチング液で加工し
て形成したものを使用していた。
その理由は、ＬＳＩの製造において（１００）面方位の
Ｓｉ単結晶基板が多用されていて入手し易いこと、各面
方位におけるエツチング速度の違いを利用することによ
ってパターン千ノブと同形の正方形や長方形のメンブレ
ンウィンドをきれいな形状で形成できる（ （１００）
面よりも（１１１）面の方がエツチング速度が遅いため
、エツチングすると（１１１）面が出る）ことなどの優
れた特徴をもっためである。このため、これまでは、（
１００）面方位のＳｉ単結晶基板以外をマスク支持枠に
採用しようという発想は全くないに等しかった。
Ｓｉ単結晶基板が多用されていて入手し易いこと、各面
方位におけるエツチング速度の違いを利用することによ
ってパターン千ノブと同形の正方形や長方形のメンブレ
ンウィンドをきれいな形状で形成できる（ （１００）
面よりも（１１１）面の方がエツチング速度が遅いため
、エツチングすると（１１１）面が出る）ことなどの優
れた特徴をもっためである。このため、これまでは、（
１００）面方位のＳｉ単結晶基板以外をマスク支持枠に
採用しようという発想は全くないに等しかった。
Ｓｉ単結晶基板を溶解除去するパックエソチエ程に要す
る時間について述べると、（１００）面方位Ｓｉ単結晶
の通常のＫＯＨエツチング液（？農度３０％、温度１０
０℃）に対するエツチング速度が毎分５μｍ程度である
ため、０．４ｍｍ厚程度の（１００）面方位Ｓｉ単結晶
を溶解・除去するのに１．５時間程度の長時間の処理が
必要となり、Ｘ線マスクの生産性における障害となって
いた。
る時間について述べると、（１００）面方位Ｓｉ単結晶
の通常のＫＯＨエツチング液（？農度３０％、温度１０
０℃）に対するエツチング速度が毎分５μｍ程度である
ため、０．４ｍｍ厚程度の（１００）面方位Ｓｉ単結晶
を溶解・除去するのに１．５時間程度の長時間の処理が
必要となり、Ｘ線マスクの生産性における障害となって
いた。
次にＸ線マスク製作時に生ずるマスク歪Ｕは、Ｕ＝Ａ／
Ｂ・・・・（１１ Ａ−Ｆ−ｒ （（１−ｖ）ｒ２↓（１＋ν）Ｒ２）・
・ ・ ・ （２） Ｂ＝Ｅ −ｈ （ｒ’＋Ｒ”） ・ −・ ・（３
）と表わされる。ここで、Ｆは内周力、ｒは支持枠の内
縁の半径、νはポアソン比、Ｒは支持枠の外縁の半径、
Ｅはヤング率、ｈは厚みである。なお、支持枠の外縁と
内縁とは同心円をなす。ＳｉＮ膜として１５ ｋｇ／ｍ
ｍ”、２μｍ厚のものを使用し、支持枠として厚さｈが
０．４ｍｍの（１００）面方位Ｓｉ単結晶基板を使用す
る通常のＸ線マスクでは、Ｕ’＝０．２μｍの大きなマ
スク歪を発生していた。
Ｂ・・・・（１１ Ａ−Ｆ−ｒ （（１−ｖ）ｒ２↓（１＋ν）Ｒ２）・
・ ・ ・ （２） Ｂ＝Ｅ −ｈ （ｒ’＋Ｒ”） ・ −・ ・（３
）と表わされる。ここで、Ｆは内周力、ｒは支持枠の内
縁の半径、νはポアソン比、Ｒは支持枠の外縁の半径、
Ｅはヤング率、ｈは厚みである。なお、支持枠の外縁と
内縁とは同心円をなす。ＳｉＮ膜として１５ ｋｇ／ｍ
ｍ”、２μｍ厚のものを使用し、支持枠として厚さｈが
０．４ｍｍの（１００）面方位Ｓｉ単結晶基板を使用す
る通常のＸ線マスクでは、Ｕ’＝０．２μｍの大きなマ
スク歪を発生していた。
従って、歪Ｕが０．１μｍ以下であるような高精度のＸ
線マスクを実現するため、支持枠の厚みｈを従来の０．
４ｍｍ程度から１ｍｍ程度まで厚（するという試みが検
討されている。
線マスクを実現するため、支持枠の厚みｈを従来の０．
４ｍｍ程度から１ｍｍ程度まで厚（するという試みが検
討されている。
しかし、支持枠の厚さを１ｍｍとした場合には、（１０
０）面方位Ｓｉ単結晶を溶解・除去するのに従来の２．
５倍の３．５時間以上のバックエッチ時間を必要とする
ことになり、ハックエソチエ程の長時間化に伴うマスク
生産性の一層の低下を招くという重大な欠点を有してい
た。
０）面方位Ｓｉ単結晶を溶解・除去するのに従来の２．
５倍の３．５時間以上のバックエッチ時間を必要とする
ことになり、ハックエソチエ程の長時間化に伴うマスク
生産性の一層の低下を招くという重大な欠点を有してい
た。
以上のような状況において、Ｘ線マスク精度を確保する
と共に、Ｘ線マスクの生産性も向上させることのできる
新しい支持枠をもつＸ線マスクの開発が強く望まれてい
た。
と共に、Ｘ線マスクの生産性も向上させることのできる
新しい支持枠をもつＸ線マスクの開発が強く望まれてい
た。
このような問題点を解決するために本発明は、（１１０
）面方位Ｓｉ単結晶基板から成る支持枠をＸ￥ａマスク
に設けるようにしたものである。
）面方位Ｓｉ単結晶基板から成る支持枠をＸ￥ａマスク
に設けるようにしたものである。
また、複数の材料を組み合わせた複合構造を成す支持枠
をＸ線マスクに設け、複合構造の内の少なくとも１層以
上を（１１０）面方位Ｓｉ単結晶の層としたものである
。
をＸ線マスクに設け、複合構造の内の少なくとも１層以
上を（１１０）面方位Ｓｉ単結晶の層としたものである
。
本発明のＸ′ｆＩＩＡマスクの支持枠は、エツチング速
度が大きく、大きなりフグ率を有する。
度が大きく、大きなりフグ率を有する。
まず、本発明の概要について述べる。本発明は、従来の
欠点を解決するため、ＫＯＨエツチング液によるエツチ
ング速度が（１００）面方位Ｓｉ単結晶より速く、かつ
、高いヤング率を有するという特性をもつ（１１０）面
方位Ｓｉ単結晶を支持枠として採用することを最も大き
な特徴とする。
欠点を解決するため、ＫＯＨエツチング液によるエツチ
ング速度が（１００）面方位Ｓｉ単結晶より速く、かつ
、高いヤング率を有するという特性をもつ（１１０）面
方位Ｓｉ単結晶を支持枠として採用することを最も大き
な特徴とする。
本発明に係わるＸ線マスクは、従来のＸ線マスクと比べ
て、支持枠形成時間の短縮化と支持枠材料の高弾性化に
より高生産性と高精度を同時に満足できるものである。
て、支持枠形成時間の短縮化と支持枠材料の高弾性化に
より高生産性と高精度を同時に満足できるものである。
第１図は、３０％ＫＯＨ液（温度１００℃）に対する（
１１０）面方位Ｓｉのエツチング速度を従来の（１００
）面方位Ｓｉと比較しながら評価した実験結果である。
１１０）面方位Ｓｉのエツチング速度を従来の（１００
）面方位Ｓｉと比較しながら評価した実験結果である。
ここで、横軸はエツチング時間Ｔ（分）であり、縦軸は
エツチング深さＨ（μｍ）である。また、ＳＬは（１０
０）面方位Ｓｉ単結晶のエツチング速度を示す特性線、
Ｓ２は（１１０）面方位Ｓｔ単結晶のエツチング速度を
示す特性線である。第１図から分かるように、（１００
）面方位Ｓｔのエツチング速度が毎分５μｍであるのに
対し、（１１０）面方位Ｓｉの場合は毎分９μｍであり
、１．８倍の大きなエツチング速度を示す。このため、
（１１０）面方位Ｓｉ単結晶基板を支持枠材料として使
用した場合に必要とするバックエッチ時間は、同一厚さ
の（１００）面方位Ｓｉを使用した場合の１／２に短縮
でき、ＸｖＡマスク生産性を大きく向上できた。
エツチング深さＨ（μｍ）である。また、ＳＬは（１０
０）面方位Ｓｉ単結晶のエツチング速度を示す特性線、
Ｓ２は（１１０）面方位Ｓｔ単結晶のエツチング速度を
示す特性線である。第１図から分かるように、（１００
）面方位Ｓｔのエツチング速度が毎分５μｍであるのに
対し、（１１０）面方位Ｓｉの場合は毎分９μｍであり
、１．８倍の大きなエツチング速度を示す。このため、
（１１０）面方位Ｓｉ単結晶基板を支持枠材料として使
用した場合に必要とするバックエッチ時間は、同一厚さ
の（１００）面方位Ｓｉを使用した場合の１／２に短縮
でき、ＸｖＡマスク生産性を大きく向上できた。
一方、歪Ｕを低減化するにはヤング率Ｅが大きいことが
望ましいことは、式（１）〜（３）に示す通りである。
望ましいことは、式（１）〜（３）に示す通りである。
表に（１１０）面方位Ｓｉ単結晶材料のヤング率Ｅを（
１００）面方位Ｓｉと比較して示す。
１００）面方位Ｓｉと比較して示す。
このように、（１１０）面方位Ｓｉ単結晶のヤング率Ｅ
は、（１００）面方位Ｓｉ単結晶の１．３倍の値を有す
るため、支持枠の厚さが同一であっても、歪Ｕの発生を
（１００）面方位Ｓｉ単結晶の場合の０．７７倍（＝
ｔｏ／１３）に抑えることができる。すなわち、支持枠
の厚さを一定として（１１０）面方位Ｓｉ単結晶で支持
枠を形成した場合、バックエッチ時間を従来の約１／２
に短縮化でき、かつ、歪Ｕの発生を１０／１３に低減で
きるという両面の効果を同時に達成できた。また、同一
のバックエッチ時間が許される場合は、厚みｈとヤング
率Ｅの増加に伴う効果が相乗し、マスク歪Ｕは従来の１
／２以下にできる。
は、（１００）面方位Ｓｉ単結晶の１．３倍の値を有す
るため、支持枠の厚さが同一であっても、歪Ｕの発生を
（１００）面方位Ｓｉ単結晶の場合の０．７７倍（＝
ｔｏ／１３）に抑えることができる。すなわち、支持枠
の厚さを一定として（１１０）面方位Ｓｉ単結晶で支持
枠を形成した場合、バックエッチ時間を従来の約１／２
に短縮化でき、かつ、歪Ｕの発生を１０／１３に低減で
きるという両面の効果を同時に達成できた。また、同一
のバックエッチ時間が許される場合は、厚みｈとヤング
率Ｅの増加に伴う効果が相乗し、マスク歪Ｕは従来の１
／２以下にできる。
次に、本発明に係わるＸ線マスクの第１の実施例を第２
図に示す。第２図は、（１１０）面方位Ｓｉ単結晶から
成る支持枠をもつＸ線マスクを形成工程に沿って説明す
るための断面図である。第２図において、ｌは（１１０
）面方位Ｓｉ単結晶基板、２はＸｖＡ透過基板、３はバ
ックエッチウィンドパターン、４はＸ線吸収体パターン
、５はＸ線透過用開口部、６は（１１０）面方位Ｓｉ単
結晶基板から成る支持枠である。
図に示す。第２図は、（１１０）面方位Ｓｉ単結晶から
成る支持枠をもつＸ線マスクを形成工程に沿って説明す
るための断面図である。第２図において、ｌは（１１０
）面方位Ｓｉ単結晶基板、２はＸｖＡ透過基板、３はバ
ックエッチウィンドパターン、４はＸ線吸収体パターン
、５はＸ線透過用開口部、６は（１１０）面方位Ｓｉ単
結晶基板から成る支持枠である。
以下に、上記Ｘ線マスクの構造と製造法について説明す
る。まず、第２図（ａｌのように、（１１０）面方位Ｓ
ｉ単結晶基板１の上面および下面に、同時または個別に
、高いＸ線透過率と耐薬品性をもつ材料から成る絶縁膜
、例えば５ｉＮｌ！ｉ！を減圧ＣＶＤ法によって成膜し
、上面のＳｉＮ膜をＸ線通過基板２とし、下面のＳｉＮ
膜はその中央部分をＣＦ４やＣｚ Ｆ ｂガスを用いた
反応性イオンエツチング法によって除去し、Ｓｉ単結晶
基板１のバックエッチに必要なバックエッチウィンドパ
ターン３とする。続いて、Ｘ線透過基板２の上に高周波
スパッタ法によりＴａｐを成膜し、レジストパターン等
をエッチマスクとして、ＣＢｒＦ５ガスを用いた反応性
イオンエツチング法によって、Ｔａから成るＸ線吸収体
パターン４を形成する。
る。まず、第２図（ａｌのように、（１１０）面方位Ｓ
ｉ単結晶基板１の上面および下面に、同時または個別に
、高いＸ線透過率と耐薬品性をもつ材料から成る絶縁膜
、例えば５ｉＮｌ！ｉ！を減圧ＣＶＤ法によって成膜し
、上面のＳｉＮ膜をＸ線通過基板２とし、下面のＳｉＮ
膜はその中央部分をＣＦ４やＣｚ Ｆ ｂガスを用いた
反応性イオンエツチング法によって除去し、Ｓｉ単結晶
基板１のバックエッチに必要なバックエッチウィンドパ
ターン３とする。続いて、Ｘ線透過基板２の上に高周波
スパッタ法によりＴａｐを成膜し、レジストパターン等
をエッチマスクとして、ＣＢｒＦ５ガスを用いた反応性
イオンエツチング法によって、Ｔａから成るＸ線吸収体
パターン４を形成する。
この処理の後に、第２図（ｂ）のように、バンクエッチ
ウィンドパターン３から露出した部分の（１１０）面方
位Ｓｉ単結晶基板をＸ線透過基板２の裏面が露出するま
で３０％ＫＯＨエツチング液（温度１００℃）によって
溶解・除去してＸ線透過のための開口部５と支持枠６を
形成し、Ｘ線マスクを完成する。
ウィンドパターン３から露出した部分の（１１０）面方
位Ｓｉ単結晶基板をＸ線透過基板２の裏面が露出するま
で３０％ＫＯＨエツチング液（温度１００℃）によって
溶解・除去してＸ線透過のための開口部５と支持枠６を
形成し、Ｘ線マスクを完成する。
このようにして形成した第１の実施例のＸ線マスクは、
例えばＫＯＨ液によるへツクエッチ時間は、従来の（１
００）面方位Ｓｉ単結晶の場合の約１／２で完了でき、
大幅な生産性向上となることがｆｌＩＩ認されている。
例えばＫＯＨ液によるへツクエッチ時間は、従来の（１
００）面方位Ｓｉ単結晶の場合の約１／２で完了でき、
大幅な生産性向上となることがｆｌＩＩ認されている。
また、マスクの縮み歪Ｕについても、ヤング率が大きい
ことから、従来の（１００）面方位Ｓｉ単結晶を使用す
る場合より小さく、高い精度が得られることは明らかで
ある。
ことから、従来の（１００）面方位Ｓｉ単結晶を使用す
る場合より小さく、高い精度が得られることは明らかで
ある。
次に、本発明の第２の実施例について第３図を用いて説
明する。第３図に示すＸ線マスクは、支持枠が２層構造
をなし、その１層が＜１１０）面方位Ｓｉ単結晶基板か
ら成るようなＸ線マスクである。第３図において第２図
と同一部分又は相当部分には同一符号が付しである。
明する。第３図に示すＸ線マスクは、支持枠が２層構造
をなし、その１層が＜１１０）面方位Ｓｉ単結晶基板か
ら成るようなＸ線マスクである。第３図において第２図
と同一部分又は相当部分には同一符号が付しである。
第３図（ａｌは、支持枠の強度向上および取扱い容易性
向上を目的に、例えば石英ガラス等からなる支持枠７を
（１１０）面方位Ｓｉ単結晶基板１に接着・結合した状
態のＸ＆？！マスクの断面図である。
向上を目的に、例えば石英ガラス等からなる支持枠７を
（１１０）面方位Ｓｉ単結晶基板１に接着・結合した状
態のＸ＆？！マスクの断面図である。
第３図（ｂｌは、（１１０）面方位Ｓｉ単結晶基板をバ
ンクエッチして支持枠６を形成し、これにより２層構造
支持枠６と７をもつＸ線マスクの完成した状態を示す断
面図である。このような（１１０）面方位Ｓｉ単結晶か
ら成る支持枠６と石英ガラス等からなる支持枠７を結合
した多層の支持枠をもつＸ線マスクの場合でも、（１０
０）面方位Ｓｉ単結晶から成る支持枠を用いる従来のＸ
線マスクと比べて、高い生産性を確保できることは第１
の実施例で示したのと同様であり、更に、本実施例にお
いては、支持枠の強度を一層向上でき、取扱いを容易に
することができる効果がある。なお、この第２の実施例
では、支持枠７の材料は石英ガラス等から成ると説明し
たが、支持枠６と同様にＳｉ単結晶を使用し、支持枠７
を支持枠６に接着・結合しても良い。
ンクエッチして支持枠６を形成し、これにより２層構造
支持枠６と７をもつＸ線マスクの完成した状態を示す断
面図である。このような（１１０）面方位Ｓｉ単結晶か
ら成る支持枠６と石英ガラス等からなる支持枠７を結合
した多層の支持枠をもつＸ線マスクの場合でも、（１０
０）面方位Ｓｉ単結晶から成る支持枠を用いる従来のＸ
線マスクと比べて、高い生産性を確保できることは第１
の実施例で示したのと同様であり、更に、本実施例にお
いては、支持枠の強度を一層向上でき、取扱いを容易に
することができる効果がある。なお、この第２の実施例
では、支持枠７の材料は石英ガラス等から成ると説明し
たが、支持枠６と同様にＳｉ単結晶を使用し、支持枠７
を支持枠６に接着・結合しても良い。
なお、以上述べてきた実施例において、ＸｖＡ透過基板
２には減圧ＣＶＤ法によるＳｉＮ膜を一例としてあげた
が、本発明は、このＳｉＮ膜のみに限定されるものでな
（、ＳｉＣ膜等の無機材料膜、複数の無機材料膜を積層
した複合膜または無機材料膜とポリイミド等の高分子膜
との複合膜でも構わない。また、バックエッチマスクパ
ターン材料にもＳｉＮ膜を取り上げて説明したが、この
場合にもＳｉＣ膜、５ｉｎ２膜、Ｓ ｉＮ／Ｓ ｉＯ２
膜等の他の材料でも構わない。
２には減圧ＣＶＤ法によるＳｉＮ膜を一例としてあげた
が、本発明は、このＳｉＮ膜のみに限定されるものでな
（、ＳｉＣ膜等の無機材料膜、複数の無機材料膜を積層
した複合膜または無機材料膜とポリイミド等の高分子膜
との複合膜でも構わない。また、バックエッチマスクパ
ターン材料にもＳｉＮ膜を取り上げて説明したが、この
場合にもＳｉＣ膜、５ｉｎ２膜、Ｓ ｉＮ／Ｓ ｉＯ２
膜等の他の材料でも構わない。
以上説明したように本発明は、支持枠材料を（１１Ｏ）
面方位Ｓｉ単結晶としたことにより、支持枠は、従来の
Ｘ線マスクと比較して、Ｋ ＯＨ等のエツチング液に対
してエツチング速度が大きくなり、また、ヤング率が大
きくなったので、Ｘ線マスクの製作時間を短縮して生産
性を大幅に向上することができ、また、マスクの縮み歪
を低減してマスク精度を高めることができるという効果
がある。
面方位Ｓｉ単結晶としたことにより、支持枠は、従来の
Ｘ線マスクと比較して、Ｋ ＯＨ等のエツチング液に対
してエツチング速度が大きくなり、また、ヤング率が大
きくなったので、Ｘ線マスクの製作時間を短縮して生産
性を大幅に向上することができ、また、マスクの縮み歪
を低減してマスク精度を高めることができるという効果
がある。
第１図は（１１０）面方位および（１００）面方位のＳ
ｉ単結晶のエツチング速度を示すグラフ、第２図は本発
明の第１の実施例を示す断面図、第３図は本発明の第２
の実施例を示す断面図である。 １・・・（１１０）面方位Ｓｉ単結晶基板、２・・・Ｘ
線透過基板、３・・・ハックエッチウィンドパターン、
４・・・Ｘ線吸収体パタ”−ン、５・・・Ｘ線透過用開
口部、６．７・・・支持枠。 第１図 第２図 第３図 （ｂ）
ｉ単結晶のエツチング速度を示すグラフ、第２図は本発
明の第１の実施例を示す断面図、第３図は本発明の第２
の実施例を示す断面図である。 １・・・（１１０）面方位Ｓｉ単結晶基板、２・・・Ｘ
線透過基板、３・・・ハックエッチウィンドパターン、
４・・・Ｘ線吸収体パタ”−ン、５・・・Ｘ線透過用開
口部、６．７・・・支持枠。 第１図 第２図 第３図 （ｂ）
Claims (2)
- （１）軟Ｘ線を良く吸収する材料から成るＸ線吸収体パ
ターンと、軟Ｘ線を良く透過する材料から成るＸ線透過
基板と、前記Ｘ線吸収体パターンとＸ線透過基板とを支
持する支持枠とから構成されるＸ線マスクにおいて、前
記支持枠が（１１０）面方位Ｓｉ単結晶基板から成るこ
とを特徴とするＸ線マスク。 - （２）軟Ｘ線を良く吸収する材料から成るＸ線吸収体パ
ターンと、軟Ｘ線を良く透過する材料から成るＸ線透過
基板と、前記Ｘ線吸収体パターンとＸ線透過基板とを支
持する支持枠とから構成されるＸ線マスクにおいて、前
記支持枠が複数の材料を組み合わせた複合構造を成し、
この複合構造の内の少なくとも１層以上が（１１０）面
方位Ｓｉ単結晶基板から成ることを特徴とするＸ線マス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61180110A JPS6337619A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | Ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61180110A JPS6337619A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | Ｘ線マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337619A true JPS6337619A (ja) | 1988-02-18 |
Family
ID=16077595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61180110A Pending JPS6337619A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | Ｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6337619A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814837A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-27 | Nec Corp | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
| JPS58204534A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-29 | Hitachi Ltd | Ｘ線リソグラフイ用マスク |
-
1986
- 1986-08-01 JP JP61180110A patent/JPS6337619A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814837A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-27 | Nec Corp | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
| JPS58204534A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-29 | Hitachi Ltd | Ｘ線リソグラフイ用マスク |
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