KR101030899B1 - 메탈기재장치 및 아이씨 카드모듈의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

메탈 서브스트레이트부재(metal substrate member)가 트랜스퍼몰드타입의 비접촉형 IC카드용 IC카드모듈에 이용되는 다수 단위의 메탈 서브스트레이트를 갖고 있다. 메탈 서브스트레이트부재가 금속으로 이루어진 띠모양의 얇은 가공용 소재로 이루어지고, 단위의 메탈 서브스트레이트의 각부가 연결부로 유지되어 있다. 각 단위의 메탈 서브스트레이트가 IC칩을 탑재하기 위한 다이패드를 갖고, 안테나코일과 접속하기 위한 안테나단자가 다이패드 및 수지밀봉영역 보다 외측에 설치되어 있다. 가공용 소재의 길이방향으로 인접하는 단위의 메탈 서브스트레이트 끼리의 안테나단자부는 폭방향의 공통 영역내에 중첩해서 들어가 있다. 각 단위의 메탈 서브스트레이트는 그 외측의 2개의 연결선에 있어서 가공용 소재의 길이방향으로 소정 폭의 컷(cut)을 넣는 것만으로 수지밀봉한 후에 분리된다.

Description

메탈기재장치 및 아이씨 카드모듈의 제조방법{METAL BASE DEVICE AND IC CARD MODULE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 비접촉형 IC카드에 이용되는 트랜스퍼몰드타입의 IC카드모듈용 메탈기재장치와, 해당 메탈기재장치를 이용한 비접촉형 IC카드에 이용되는 트랜스퍼몰드타입 IC카드모듈의 제조방법에 관한 것이다.
정보의 기밀성의 면으로부터 IC카드가 점차 보급되고 있다. 근래에는 읽기쓰기장치(리더라이터)와 접촉하지 않고서 정보를 주고 받는 비접촉형 IC카드가 제안되어 있고, 그 중에서도 외부의 읽기쓰기장치와의 신호 교환을, 또는 신호교환과 전력공급을 전자파에 의해 수행하는 방식의 것이 실용화되고 있다.
이와 같은 비접촉식 IC카드는, 예컨대 도 8a에 나타낸 바와 같이 IC모듈(812)을 갖고, 이 IC모듈(812)은 안테나(811)에 접속되어 있으며, 그 회로구성은 통상 도 8b와 같이 되어 있다.
도 8a,b에 있어서, 810은 IC카드, 811은 안테나, 812는 IC모듈, 813은 (IC모듈의)단자이다.
이와 같은 IC모듈에 있어서의 IC칩의 실장방법으로서는, 프린트기판에 IC칩을 마운트하고, 본딩선으로 프린트 기판상에 접속하는 COB(Chip On Board)가 가장 많이 이용되고 있다. 그러나, 이 방법에서는 실장 두께를 얇게 할 수 없다는 결점이 있다. 최근에는, 실장 두께를 얇게 할 수 있고, 양산에도 대응할 수 있는 실장형태로서 도전성의 다이패드를 하프에칭 한 메탈기재(메탈 서브스트레이트) 위에 IC칩을 마운트하고, 본딩와이어로 메탈 서브스트레이트의 단자부에 접속하는 형태가 제안되고 있다.
이와 같은 형태의 IC모듈에 있어서는, 단위의 메탈 서브스트레이트가 가공용 소재를 가공해서 이루어지고, IC칩을 탑재하기 위한 영역(다이패드부)과, 안테나회로와의 접속용 영역 및, 입출력단자의 영역을 갖고, 이들 복수의 영역이 일부 연결된 상태로 분할 형성되어 있다. IC모듈을 제작할 때, 이들 영역은 연결부에서 가공용 소재에 접속되고, 가공용 소재는 단위의 메탈 서브스트레이트가 다면(多面) 부착되어 있다. 각 단위의 메탈 서브스트레이트에 IC칩을 탑재해서 수지밀봉한 후에, 소정의 연결부가 절단 분리된다.
단위의 메탈 서브스트레이트를 리드 또는 리드프레임으로 부르는 경우가 있다. 또한, 단위의 메탈 서브스트레이트가 다면 붙착되고, 가공용 소재에 직접 또는 틀부를 설치해서 틀부에 연결부로 연결한 상태의 것을, 리드프레임이라고 하는 경우도 있다.
이와 같은, 메탈 서브스트레이트를 프레스로 제작하면, 프레스 가공시에 버(911; burr)가 발생하여, 도 9a에 나타낸 바와 같이 수지밀봉한 경우, 이면으로의 수지누설(931)이 발생하여 버리기 때문에, 에칭가공방법이 채택된다. 에칭가공방법에 의한 경우에는, 도 9b에 나타낸 바와 같이 수지누설을 일으키지 않고서 밀봉 될 수 있다.
더욱이, 도 9a,b에 있어서, 910은 메탈 서브스트레이트, 920은 IC칩, 930은 밀봉용 수지, 931은 수지누설, 940은 본딩와이어이다.
에칭가공방법에 있어서는 가공용 소재로서 얇은 Cu재 또는 42합금(42% Ni-Fe합금)이 이용되고, 또 통상, 제판처리, 에칭처리가 릴ㆍ토우ㆍ릴로 수행된다(릴방식).
그리고, 가공용 소재를 에칭 가공해서 메탈 서브스트레이트를 면부착시킨 후, 면부착상태인 채로, 차례로 은도금처리 또는 전면 파라듐 도금처리, IC칩 마운트, 와이어본딩, 개별 수지밀봉 등의 처리가 연속해서, 또는 나누어 릴 방식으로 수행된다.
그리고, 종래 가공용 소재를 에칭 가공하는 것에 의해, IC모듈용 메탈 서브스트레이트를 면부착해서 릴방식으로 제작하는 경우, 도 7a에 나타낸 바와 같이, 1 면 마다, 그 도안이 오버랩되지 않도록 배열해서 제작하고 있었다.
더욱이, 도 7b는 도 7a와 같이 면부착되어 에칭된, 메탈 서브스트레이트 부재의 각 다이패드부(621)에 IC칩을 탑재하고, 더욱이 트랜스퍼방식으로 수지밀봉한 상태를 나타내고 있다.
그 후, 소정의 위치를 컷(cut)하는 것에 의해 개개로 조각화 된 IC카드모듈이 얻어진다.
도 7a,b에 있어서, 611은 가공용 소재, 620은 단위의 메탈 서브스트레이트, 621은 다이패드, 621H는 하프에칭부, 622A,622B는 (안테나와 접속되는)단자, 625는 관통구멍부, 626은 연결부, 628은 스프로켓(sprocket), 640은 밀봉용 수지이다.
여기서, 종래의 메탈 서브스트레이트의 제작방법으로서, 일본국 특허공개 제2000-174176호 공보에 나타낸 것을 들 수가 있다.
상기와 같이, 최근 IC모듈용으로 메탈 서브스트레이트를 이용하는 형태가 제안되고, 에칭가공에 의해 IC모듈용 메탈 서브스트레이트를 면부착해서 릴방식으로 제작하는 제작방법이 알려져 있다. 이 경우, 특히 비접촉형 IC카드용 IC모듈에 있어서는 더욱 양산화, 저비용화가 요구되고 있다.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 발명된 것으로, 비접촉형 IC카드용 IC모듈을 더욱 양산성 좋게 제조할 수 있는 메탈기재장치 및 IC카드모듈의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 비접촉 IC카드모듈용의 다수의 메탈기재를 갖는 메탈기재장치에 있어서, 길이방향으로 연장되는 띠모양의 가공용 소재를 에칭하는 것에 의해 길이방향 및 폭방향으로 연속해서 형성된 다수의 메탈기재를 갖추고, 각 메탈기재가, IC칩 탑재용 다이패드와, 다이패드를 포함하는 수지밀봉영역 및, 다이패드와 수지밀봉영역의 외측에서 길이방향을 따라 양측에 각각 돌출 설치된 적어도 1쌍의 안테나단자를 갖추며, 하나의 메탈기재의 안테나단자와, 이 메탈기재의 길이방향으로 인접하는 메탈기재의 안테나단자가, 가공용 소재의 폭방향의 공통의 영역내에 들어가 있는 것을 특징으로 하는 메탈기재장치이다.
본 발명은, 각 메탈기재가, 길이방향을 따라 2개의 연결선에 설치된 연결부 에 의해 가공용 소재에 연결되고, 이 2개의 연결선을 따라 컷하는 것에 의해 각 메탈기재가 가공용 소재의 다른 부분으로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 메탈기재장치이다.
본 발명은, 각 메탈기재가, 다이패드 및, 수지밀봉영역의 외측에서 길이방향을 따라 양측에 각각 돌출된 2쌍의 안테나단자를 갖도록 된 것을 특징으로 하는 메탈기재장치이다.
본 발명은, 각 메탈기재의 다이패드가, IC칩 보다 대형 형상으로 되어 있으면서 다이패드의 IC칩 탑재영역이 가공용 소재를 하프에칭하는 것에 의해 가공용 소재의 두께 보다 얇게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 메탈기재장치이다.
본 발명은, 각 메탈기재의 수지밀봉영역에, 수지와의 밀착성을 향상시키기 위한 凹부를 설치한 것을 특징으로 하는 메탈기재장치이다.
본 발명은, 각 메탈기재가, 다이패드와 안테나단자 사이에 설치된 내부단자를 갖도록 된 것을 특징으로 하는 메탈기재장치이다.
본 발명은, 가공용 소재가, Cu재 또는 42합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 메탈기재장치이다.
본 발명은, 비접촉 IC카드모듈용의 다수의 메탈기재를 갖는 메탈기재장치에 있어서, 길이방향으로 연장되는 띠모양의 가공용 소재를 에칭하는 것에 의해 길이방향 및 폭방향으로 연속해서 형성된 다수의 메탈기재를 갖추고, 각 메탈기재가, IC칩 탑재용 다이패드와, 다이패드를 포함하는 수지밀봉영역 및, 다이패드와 수지밀봉영역의 외측에서 길이방향을 따라 양측에 각각 돌출 설치된 적어도 1쌍의 안테나단자를 갖추며, 하나의 메탈기재의 안테나단자와, 이 메탈기재의 길이방향으로 인접하는 메탈기재의 안테나단자가, 가공용 소재의 폭방향의 공통의 영역내에 들어가 있는 것을 특징으로 하는 메탈기재장치를 준비하는 공정과, 각 메탈기재의 다이패드상에 IC칩을 탑재하는 공정, IC칩과 메탈기재의 소정 부분을 와이어를 이용해서 와이어본딩에 의해 접속하는 공정, 각 메탈기재의 수지밀봉영역에, IC칩과 와이어를 덮어 수지를 설치해서 수지밀봉하는 공정 및, IC칩 마다 가공용 소재를 컷하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 IC카드모듈의 제조방법이다.
본 발명은, 가공용 소재가 Cu재 또는 42합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 IC카드모듈의 제조방법이다.
본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재장치는, 이와 같은 구성으로 함으로써 비접촉형 IC카드용 IC모듈을 더욱 양산성 좋게 제조할 수 있다.
구체적으로는, 단위의 메탈기재가, IC칩을 탑재하기 위한 다이패드를 갖고, 안테나코일과 접속하기 위한 안테나단자가 다이패드 및 수지밀봉영역 보다도 외측에 안테나코일 1루프용으로서 2개 또는 안테나코일 2루프용으로서 4개가 설치되어 있다. 띠모양의 가공용 소재의 길이방향에 인접하는 단위의 메탈기재 끼리의 안테나단자영역이 폭방향의 공통영역으로서 오버랩하도록, 단위의 메탈기재가 가공용 소재의 길이방향으로 면부착되어 있다. 각 단위의 메탈기재는 수지밀봉한 후에, 그 외측(2장소)에 있어서 가공용 소재의 길이방향으로 소정폭의 컷을 넣는 것 만으로 수지밀봉한 후에 가공용 소재의 다른 부분으로부터 분리될 수 있다.
자세하게는, 본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재장치를 릴ㆍ토우ㆍ릴로, 제판 처리, 에칭처리를 수행해서 제작하는 것을 가능하게 하고, 더욱이 본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재장치를 이용해서 IC카드모듈을 양산성 좋게, 릴ㆍ토우ㆍ릴로 각종의 처리를 수행하는 것을 가능하게 하고 있다.
또한, IC칩을 탑재하기 위해, IC칩 보다 큰 사이즈의 다이패드를 갖고, 해당 다이패드의 IC칩 탑재영역은 하프에칭에 의해 메탈 서브스트레이트의 기재 두께 보다도 얇게 형성되어 있다. 이에 의해, 특히 IC모듈이 박형화 요구에 대응할 수 있게 된다.
또한, 금속으로 이루어진 띠모양의 얇은 가공용 소재로서는, 도전성, 처리성, 범용성 등으로부터 통상은 Cu재 또는 42합금(42% Ni-Fe합금)이 이용되지만, 이에 한정 되지는 않는다.
더욱이, 금속으로 이루어진 띠모양의 얇은 가공용 소재의 두께는, IC모듈의 박화(薄化) 요구에 대응할 수 있는 두께이면 되고, 0.1mm 두께 정도의 얇은 것이, 특히 박화 요구로부터는 바람직하다.
또한, 다이패드 영역의 외측에, 밀봉수지의 밀착성을 향상시키기 위한 凹부를 설치하고, 상기 안테나단자와 일체적으로 접속하는 밀봉용 수지 지지부를 설치할 수 있어, 수지밀봉을 신뢰성 좋은 것으로 하고 있다.
본 발명의 IC카드모듈의 제작방법은, 이와 같은 구성으로 하는 것으로, 비접촉형 IC카드용 IC모듈을 양산성 좋게 제조할 수 있다.
즉, 각 처리를 릴ㆍ토우ㆍ릴로 수행하는 것으로 이를 달성하고 있다.
금속으로 이루어진 띠모양의 얇은 가공용 소재로서는, 도전성, 처리성, 범용 성 등으로부터, 통상은 Cu재 또는 42합금(42% Ni-Fe합금)이 이용되지만, 이들에 한정 되지는 않는다.
도 1은 본 발명의 IC카드모듈용 메탈 서브스트레이트부재의 실시형태의 제1예의 일부 및 단위 메탈 서브스트레이트를 나타낸 도면,
도 2는 도 1a에 나타낸 IC카드모듈용 메탈 서브스트레이트부재의 각 단위의 메탈 서브스트레이트의 다이패드상에 IC칩을 탑재하고, 와이어본딩 결선한 상태 및 단위의 메탈 서브스트레이트부를 나타낸 도면,
도 3은 도 2a에 나타낸 부재에 트랜스퍼몰드처리를 실시한 도면,
도 4는 본 발명의 IC카드모듈용 메탈 서브스트레이트부재의 실시형태의 제2예의 일부를 나타낸 개략 구성도,
도 5는 도 4에 나타낸 IC카드모듈용 메탈 서브스트레이트부재의 각 단위의 메탈 서브스트레이트의 다이패드 위에 IC칩을 탑재하고, 와이어본딩 결선한 도면,
도 6은 도 5에 나타낸 부재에 트랜스퍼몰드처리를 실시한 도면,
도 7은 종래의 메탈 서브스트레이트와 IC모듈의 제작방법을 설명하기 위한 도면,
도 8은 비접촉식 IC카드에 있어서의 IC모듈과 그 회로구성을 설명하기 위한 도면,
도 9는메탈 서브스트레이트의 가공방법과 수지누설과의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재장치의 실시형태를 도면을 기초로 해서 설명한다.
도 1a는 본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재장치의 실시형태의 제1예의 일부를 나타낸 개략 구성도, 도 1b는 도 1a에 있어서의 단위의 메탈기재를 나타낸 도면, 도 2a는 도 la에 나타낸 IC카드모듈용 메탈기재장치의 각 단위의 메탈기재의 다이패드 상에 IC칩을 탑재하고, 와이어본딩 결선한 도면, 도 2b는 도 2a에 있어서의 단위의 메탈기재를 나타낸 도면, 도 3은 도 2a에 나타낸 메탈기재장치에 트랜스퍼몰드처리를 실시한 도면, 도 4는 본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재장치의 실시형태의 제2예의 일부를 나타낸 개략 구성도, 도 5는 도 4에 나타낸 IC카드모듈용 메탈기재장치의 각 단위의 메탈기재의 다이패드상에 IC칩을 탑재하고, 와이어본딩 결선한 도면, 도 6은 도 5에 나타낸 메탈기재장치에 트랜스퍼몰드처리를 실시한 도면이다.
도 1∼도 6에 있어서, 111은 가공용 소재, 120은 단위의 메탈기재, 121은 다이패드, 121H는 하프에칭부, 122A,122B는 (안테나와 접속하는)단자, 123A,123B는 내부단자, 124는 관통구멍, 125는 관통구멍부, 126은 연결부, 128은 스프로켓, 130은 IC칩, 131은 단자, 135는 본딩와이어, 140은 밀봉용 수지, 221은 다이패드, 221H는 하프에칭부, 222A,222B,222C,222D는 (안테나와 접속하는)단자, 223A,223B,223C,223D는 내부단자, 225는 관통구멍부, 226은 연결부, 228은 스프로켓, 230은 IC칩, 231은 단자, 235는 본딩와이어, 240은 밀봉용 수지이다.
본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재장치(메탈 서브스트레이트부재)의 실시형태의 제1예를, 도 1a,b 및 도 2a,b를 기초로 해서 설명한다.
제1예의 IC카드모듈용 메탈기재장치(메탈 서브스트레이트부재)는, 트랜스퍼몰드타입의 비접촉형 IC카드용 IC카드모듈에 있어, 안테나를 1루프로 배치하는 IC모듈에 이용되는 다수의 단위 메탈기재(메탈 서브스트레이트)(120)(도 1b 참조)를 갖고 있다. 이 메탈 서브스트레이트부재는 도전성의 금속으로 이루어진 띠모양의 얇은 가공용 소재(111)를 에칭해서 이루어지고, 단위의 메탈 서브스트레이트(120)의 각부는 연결부(126)로 서로 유지되어 있다.
즉, 메탈기재장치(메탈 서브스트레이트부재)는, 길이방향으로 연장되는 가공용 소재(111)를 에칭하는 것에 의해 가공 형성된 다수의 단위의 메탈기재장치(메탈 서브스트레이트)(120)를 갖고, 1쌍의 릴(100A,100B) 사이에서 연장되고 있다. 메탈 서브스트레이트(120)는 가공용 소재(111)에 폭방향으로 4열이면서 길이방향으로 연속해서 형성되어 있다.
각 메탈 서브스트레이트(120)는 IC칩 탑재용 다이패드(121)와, 다이패드(121)를 포함하는 수지밀봉영역(140A)을 갖고, 다이패드(121) 및 수지밀봉영역(140A)의 외측에 있어, 길이방향을 따라 양측으로 1쌍의 안테나단자(122A,122B)가 돌출 설치되어 있다. 1쌍의 안테나단자(122A,122B)는 수지밀봉영역(140A)의 대각으로 설치되어 있다.
또한, 메탈 서브스트레이트(120)의 안테나단자(122A)와, 이 메탈 서브스트레이트(120)의 길이방향에 인접하는 메탈 서브스트레이트(120)의 안테나단자(122B)는 가공용 소재(111)의 폭방향에 있어서 공통의 영역(111A)내에 들어가 있다.
그리고, 각 단위의 메탈 서브스트레이트(120)는 길이방향을 따라 2개의 연결선(L1,L2)에 설치된 연결부(126)에 의해 가공용 소재(111) 이외의 부분(111B)에 연결되고(도 1b), 수지밀봉한 후, 도 1b의 연결선(L1,L2)을 따라 가공용 소재(111)의 길이방향으로 소정 폭의 컷을 넣는 것만으로, 메탈 서브스트레이트(120)는 가공용 소재(111) 이외의 부분(111B)으로부터 분리되어 원하는 외형을 갖는다.
본 예에서는 메탈 서브스트레이트(120)의 다이패드(121)와 안테나단자(122A,122B)와의 사이에 안테나단자(122A,122B)와 각각 일체적으로 접속하는 내부단자(123A,123B)가 설치되어 있다. 이 내부단자(123A,123B)는 수지밀봉영역(140A)내에 있어, 이 내부단자(123A,123B)에 수지와의 밀착성을 향상시키기 위한 관통구멍(124)이 설치되고 있다. 이 관통구멍(124)은 凹부로서 기능하지만, 凹부는 관통하고 있지 않아도 된다.
가공용 소재(111)로서는, 통상은, Cu재 또는 42합금(42% Ni-Fe합금)이 도전성이나 처리성, 범용성으로부터 이용되지만, 이들에 한정은 되지 않는다.
금속으로 이루어진 띠모양의 얇은 가공용 소재의 두께는, IC모듈의 박화 요구에 대응할 수 있는 두께이면 된다.
제1예의 변형예로서는, 메탈 서브스트레이트(120)는 단자면을 상측으로 하여 IC칩을 탑재하기 위해, IC칩(130) 보다 큰 사이즈의 다이패드(121)를 갖고, 해당 다이패드(121)의 IC칩 탑재영역(130A)은 하프에칭에 의해 가공용 소재(111)의 두께보다도 얇게 형성되어 있다.
이 변형예의 경우는 박형화를 제1예 보다 한층 가능하게 할 수가 있다.
본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재장치의 실시형태의 제2예를 도 4a,b∼도 6을 기초로 해서 간단하게 설명한다.
제2예는 메탈기재장치(메탈 서브스트레이트 부재)가 트랜스퍼몰드타입의 비접촉형 IC카드용 IC카드모듈에 있어, 안테나코일을 2루프로 배치하는 IC모듈에 이용되는 다수의 단위의 메탈기재(메탈 서브스트레이트)(220)를 갖고 있다. 이 메탈 서브스트레이트부재는 도전성의 금속으로 이루어진 띠모양의 얇은 가공용 소재(211)를 에칭해서 이루어지고, 단위의 메탈 서브스트레이트(220)의 각부는 연결부(226)로 서로 유지되어 있다.
제2예에 대해서는, 각 메탈 서브스트레이트(220)는 단자면을 상측으로 해서 IC칩(230)을 탑재하기 위해, IC칩(230) 보다 큰 사이즈의 다이패드(221)를 갖고, 해당 다이패드(221)의 IC칩 탑재영역(221H)은 하프에칭에 의해 가공용 소재(211)의 두께보다 얇게 형성되어 있다.
이 제2예의 경우도, 박형화를 제1예 보다 한층 가능하게 할 수가 있다.
여기서, 도 4는 가공용 소재(211)의 길이방향에 인접하는 단위의 메탈 서브스트레이트 2개의 상태를 확대해서 나타낸 것이다.
도 4에 있어서, 각 단위의 메탈 서브스트레이트(220)는 다이패드(221)와, 안테나단자(222A,222B,222C,222D), 내부단자(223A,223B,223C,223D) 및, 이들을 가공용 소재(211) 이외의 부분(211B)에 연결하기 위한 연결부(226)로 이루어져 있다. 가공용 소재(211)의 길이방향으로 인접하는 단위의 서브스트레이트(220)끼리의 안 테나단자부(222A,222B,222C,222D)가 가공용 소재(211)의 폭방향의 공통영역(211A) 내에서 오버랩되도록 단위의 메탈 서브스트레이트(220)가 가공용 소재(211)의 길이방향으로 면부착되어 있다.
제2예는 안테나코일 2루프용의 것으로, 다이패드(221) 및 밀봉영역(240)의 외측에 있어, 길이방향을 따라 양측으로 2쌍의 안테나단자(222A,222B,222C,222D)가 돌출 설치되어 있다.
더욱이, 제2예에서는 제1예와 같이, 내부단자에 관통구멍(도 1의 124에 상당)이 설치되어 있지 않지만, 적절히 설치해도 된다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 각 단위의 메탈 서브스트레이트(120)는 길이방향을 따라 2개의 연결선(L3,L4)에 설치된 연결부(226)에 의해 가공용 소재(211) 이외의 부분(211B)에 연결되고, 수지밀봉한 후에 연결선(L3,L4)을 따라 가공용 소재(211)의 길이방향으로 소정 폭의 컷을 넣는 것에 의해, 메탈 서브스트레이트(220)가 가공용 소재(211) 이외의 부분(211B)으로부터 분리되어 원하는 외형을 갖게 된다.
다음에, 본 발명의 IC카드모듈의 제조방법의 일례를, 도 1∼도 3을 기초로 해서 간단히 설명한다.
본 예의 IC카드모듈의 제조방법은, 도 1에 나타낸 제1예의 메탈 서브스트레이트부재를 이용해서 제작하는 것이다.
본 예는 비접촉형 IC카드에 이용되는 트랜스퍼몰드타입의 IC카드, 모듈의 제조방법으로, 금속으로 이루어진 얇은 가공용 소재(111)에 대해, 릴ㆍ토우ㆍ릴로 제판처리, 에칭처리를 수행하고, 도 1에 나타낸 제1예의 메탈 서브스트레이트부재를 형성한다(도 1).
가공용 소재(111)로서는, 통상 두께 0.1mm 정도의 띠모양의 Cu재 또는 42합금(42% Ni-Fe합금)재를 이용하고, 제판처리에 의해 그 양면에 내에칭성의 레지스트 패턴을 형성한 후, 소정의 에칭액을 이용해서 양면으로부터 스프레이에칭을 수행하여 메탈 서브스트레이트부재를 에칭 형성한다.
더욱이, 하프에칭을 보다 정밀도 좋게 수행하기 위해, 에칭을 2단으로 나누어 하프에칭 형성면 측에 제1에칭을 수행한 후, 소정의 충전재를 에칭 형성된 구멍부에 매립한 상태에서 반대측으로부터 제2에칭을 수행하는 방법을 채택해도 된다.
다음에, 릴ㆍ토우ㆍ릴로, 에칭 형성된 메탈 서브스트레이트부재(도 1a)의 각 단위의 메탈 서브스트레이트(120)의 소정의 영역에 은도금 처리를 실시하고, 메탈 서브스트레이트부재의 각 단위의 메탈 서브스트레이트(120)의 다이패드(121) 상의 IC칩 탑재영역(130A)에 IC칩(130)을 탑재한다. 메탈 서브스트레이트(120)의 소정 영역에 은도금 처리하는 대신, 메탈 서브스트레이트(120)의 전면에 파라듐 도금을 실시해도 된다.
그 후, IC칩(130)의 단자(도시되어 있지 않음)와 내부단자(123A,123D)를 와이어(135)에 의해 와이어본딩 접속한다(도 2a).
다음에, 트랜스퍼방식에 의해, IC칩(130), 본딩와이어(135)를 포함하는 수지밀봉영역(140A)을 밀봉용 수지(140)에 의해 수지밀봉한다(도 3).
그 후, 소정의 커터로, 도 1b의 연결선(L1,L2)을 따라 연결부(126)를 절단하고, 가공용 소재(111)를 개개로 조각화 하여 각각 IC모듈(150)을 얻는다.
상기 방법에 있어서, 도 4에 나타낸 제2예의 메탈 서브스트레이트부재를 이용한 경우도, 마찬가지로 릴ㆍ토우ㆍ릴로 에칭 형성된 메탈 서브스트레이트부재(도 4)의 각 단위의 메탈 서브스트레이트(220)의 소정 영역에 은도금 처리를 실시한다.
다음에 메탈 서브스트레이트부재의 각 단위의 메탈 서브스트레이트(220)의 다이패드(221) 상에 IC칩(230)을 탑재한 후, 와이어(235)에 의해 와이어본딩 접속한다(도 5). 그 후, 트랜스퍼방식에 의해 IC칩(230), 본딩와이어(235)를 포함하는 수지밀봉영역(240A)을 밀봉수지(240)에 의해 수지밀봉한다(도 6).
그리고, 이 후 소정의 커터로 도 4의 연결선(L3,L4)을 따라 연결부(226)를 절단하고, 가공용 소재(111)를 개개로 조각화 하여 각각 IC모듈(250)을 얻는다.
본 발명에 의하면, 상기와 같이 비접촉형 IC카드용 IC모듈에 이용되는 메탈 서브스트레이트부재를 더욱 양산성 좋게 제조할 수가 있다. 동시에, 그와 같은 메탈 서브스트레이트부재를 이용한 IC모듈의 제조를 용이하게 수행할 수가 있다.

Claims (9)

  1. 비접촉 IC카드모듈용의 다수의 메탈기재를 갖는 메탈기재장치에 있어서,
    길이방향으로 연장되는 띠모양의 가공용 소재를 에칭하는 것에 의해 길이방향 및 폭방향으로 연속해서 형성된 다수의 메탈기재를 갖추고,
    각 메탈기재가, IC칩 탑재용 다이패드와, 다이패드를 포함하는 수지밀봉영역 및, 다이패드와 수지밀봉영역의 외측에서 길이방향을 따라 양측에 각각 돌출 설치된 적어도 1쌍의 안테나단자를 갖추며,
    하나의 메탈기재의 안테나단자와, 이 메탈기재의 길이방향으로 인접하는 메탈기재의 안테나단자가, 가공용 소재의 폭방향의 공통의 영역내에 들어가 있는 것을 특징으로 하는 메탈기재장치.
  2. 제1항에 있어서, 각 메탈기재가, 길이방향을 따라 2개의 연결선에 설치된 연결부에 의해 가공용 소재에 연결되고,
    이 2개의 연결선을 따라 컷하는 것에 의해 각 메탈기재가 가공용 소재의 다른 부분으로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 메탈기재장치.
  3. 제1항에 있어서, 각 메탈기재가, 다이패드 및, 수지밀봉영역의 외측에서 길이방향을 따라 양측에 각각 돌출된 2쌍의 안테나단자를 갖도록 된 것을 특징으로 하는 메탈기재장치.
  4. 제1항에 있어서, 각 메탈기재의 다이패드가, IC칩 보다 대형 형상으로 되어 있으면서 다이패드의 IC칩 탑재영역이 가공용 소재를 하프에칭하는 것에 의해 가공용 소재의 두께 보다 얇게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 메탈기재장치.
  5. 제1항에 있어서, 각 메탈기재의 수지밀봉영역에, 수지와의 밀착성을 향상시키기 위한 凹부를 설치한 것을 특징으로 하는 메탈기재장치.
  6. 제1항에 있어서, 각 메탈기재가, 다이패드와 안테나단자 사이에 설치된 내부단자를 갖도록 된 것을 특징으로 하는 메탈기재장치.
  7. 제1항에 있어서, 가공용 소재가, Cu재 또는 42합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 메탈기재장치.
  8. 비접촉 IC카드모듈용의 다수의 메탈기재를 갖는 메탈기재장치에 있어서, 길이방향으로 연장되는 띠모양의 가공용 소재를 에칭하는 것에 의해 길이방향 및 폭방향으로 연속해서 형성된 다수의 메탈기재를 갖추고, 각 메탈기재가, IC칩 탑재용 다이패드와, 다이패드를 포함하는 수지밀봉영역 및, 다이패드와 수지밀봉영역의 외측에서 길이방향을 따라 양측에 각각 돌출 설치된 적어도 1쌍의 안테나단자를 갖추며, 하나의 메탈기재의 안테나단자와, 이 메탈기재의 길이방향으로 인접하는 메탈기재의 안테나단자가, 가공용 소재의 폭방향의 공통의 영역내에 들어가 있는 것을 특징으로 하는 메탈기재장치를 준비하는 공정과,
    각 메탈기재의 다이패드상에 IC칩을 탑재하는 공정,
    IC칩과 메탈기재의 소정 부분을 와이어를 이용해서 와이어본딩에 의해 접속하는 공정,
    각 메탈기재의 수지밀봉영역에, IC칩과 와이어를 덮어 수지를 설치해서 수지밀봉하는 공정 및,
    IC칩 마다 가공용 소재를 컷하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 IC카드모듈의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 가공용 소재가 Cu재 또는 42합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 IC카드모듈의 제조방법.
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