JPS6373656A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPS6373656A JPS6373656A JP22024586A JP22024586A JPS6373656A JP S6373656 A JPS6373656 A JP S6373656A JP 22024586 A JP22024586 A JP 22024586A JP 22024586 A JP22024586 A JP 22024586A JP S6373656 A JPS6373656 A JP S6373656A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置及びその製造方法の改良に関する
ものである。
ものである。
従来一般に知られているこの種の装置及びその製造方法
として第６図ないし第１２図に示すものがあった。図に
おいて、（１）はリードフレーム、（２）及び（３）は
その枠を構成する一対のリード枠、（４）はこの一対の
リード枠（２１（３）を連結するタイバー、（５）はこ
のタイバー（４）と連結される複数本の外部リード、（
６）はこの外部リード（５）にタイバー（４）を介して
連結された根元リード、（７）は半導体チップを樹脂封
止するパッケージで、リード枠（２１（３１とタイバー
（４）で囲まれる位置に成形される。（８）はタイバー
（４）と根元リード（６）とパッケージ（７）との空間
に発生されるリード間ぼり、（９）はこのリード間ぼり
（８）を除去するぼり取りパンチで、タイバー（４）と
の間にクリアランス（至）、パッケージ（７）との間に
クリアランス０゜根元リード（６）との間にクリアラン
ス（至）を設けてタイバー（４）とパッケージ（７）と
根元リード（６）との間に挿入される。αＧはぼり取り
パンチ（９）を抜き取りされた後に残留するパッケージ
（７）側のぼり残り、αＶは根元リード（６）側のぼり
残りである。
として第６図ないし第１２図に示すものがあった。図に
おいて、（１）はリードフレーム、（２）及び（３）は
その枠を構成する一対のリード枠、（４）はこの一対の
リード枠（２１（３）を連結するタイバー、（５）はこ
のタイバー（４）と連結される複数本の外部リード、（
６）はこの外部リード（５）にタイバー（４）を介して
連結された根元リード、（７）は半導体チップを樹脂封
止するパッケージで、リード枠（２１（３１とタイバー
（４）で囲まれる位置に成形される。（８）はタイバー
（４）と根元リード（６）とパッケージ（７）との空間
に発生されるリード間ぼり、（９）はこのリード間ぼり
（８）を除去するぼり取りパンチで、タイバー（４）と
の間にクリアランス（至）、パッケージ（７）との間に
クリアランス０゜根元リード（６）との間にクリアラン
ス（至）を設けてタイバー（４）とパッケージ（７）と
根元リード（６）との間に挿入される。αＧはぼり取り
パンチ（９）を抜き取りされた後に残留するパッケージ
（７）側のぼり残り、αＶは根元リード（６）側のぼり
残りである。
上記のように構成されたものにおいては、モールド（樹
脂封止）工程−リード間ばり取り工程−表面ばり取り工
程−リード加工（タイバーカット）工程の順で加工され
る。この工程中において、樹脂封止工程後には、必ずタ
イバー（４）と根元リード（６）とパッケージ（７）と
の間にリード間ぼり（８）が発生する。このため、第１
０図のようなぼり取りパンチ（９）にてこのリード間ぼ
り（８）が除去される。ところで、ぼり取りパンチ（９
）は第１０図や第１１図のように、タイバー（４）との
間にクリアランス（Ｂ）、パッケージ（７）との間にク
リアランス０、根元リード（６）との間にクリアランス
（ロ）が設けられており、リードフレーム（１）の製作
公差や樹脂封止時のパッケージ（７）の成形公差の夫々
のばらつきを補っている。
脂封止）工程−リード間ばり取り工程−表面ばり取り工
程−リード加工（タイバーカット）工程の順で加工され
る。この工程中において、樹脂封止工程後には、必ずタ
イバー（４）と根元リード（６）とパッケージ（７）と
の間にリード間ぼり（８）が発生する。このため、第１
０図のようなぼり取りパンチ（９）にてこのリード間ぼ
り（８）が除去される。ところで、ぼり取りパンチ（９
）は第１０図や第１１図のように、タイバー（４）との
間にクリアランス（Ｂ）、パッケージ（７）との間にク
リアランス０、根元リード（６）との間にクリアランス
（ロ）が設けられており、リードフレーム（１）の製作
公差や樹脂封止時のパッケージ（７）の成形公差の夫々
のばらつきを補っている。
このため、ぼり取りパンチ（９）にてリード間ぼり（８
）を除去する場合、パッケージ（７）との間や、根元リ
ード（６）との間に夫々ばり残りαＧａＪＪが生じるこ
とになる。
）を除去する場合、パッケージ（７）との間や、根元リ
ード（６）との間に夫々ばり残りαＧａＪＪが生じるこ
とになる。
従来の半導体装置及びその製造方法は以上のようになさ
れているので、タイバーと根元リードとパッケージとの
間にばりが生じた場合、このぼりのぼり取り工程におい
て、パッケージが樹脂であるためパッケージとばり取り
パンチとのクリアランスを小さくすることは可能であり
、これによりパッケージ側面のぼりを小さくすることは
比較的容易であるが、根元リードは金属であるためばり
取りパンチと根元リードとのクリアランスを小さくする
ことは困難であり、特に根元リード側面にぼり残りが発
生し、このぼり残りを手作業にて除去しなければならず
、作業工程が増加するばかりでなく、生産性が著しく低
下するという問題点があった。
れているので、タイバーと根元リードとパッケージとの
間にばりが生じた場合、このぼりのぼり取り工程におい
て、パッケージが樹脂であるためパッケージとばり取り
パンチとのクリアランスを小さくすることは可能であり
、これによりパッケージ側面のぼりを小さくすることは
比較的容易であるが、根元リードは金属であるためばり
取りパンチと根元リードとのクリアランスを小さくする
ことは困難であり、特に根元リード側面にぼり残りが発
生し、このぼり残りを手作業にて除去しなければならず
、作業工程が増加するばかりでなく、生産性が著しく低
下するという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、ぼり残りの除去工程を廃止できる半導体装置
及びその製造方法を得ることを目的とする。
たもので、ぼり残りの除去工程を廃止できる半導体装置
及びその製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、リードフレームに半導体
チップを樹脂封止した後に切断されるタイバーを有する
半導体装置において、上記リードフレームには樹脂パッ
ケージの外側において、この樹脂パッケージに近接する
部分のみに上記タイバーのカット幅よりも広い幅で開口
する開口部を設けたものである。
チップを樹脂封止した後に切断されるタイバーを有する
半導体装置において、上記リードフレームには樹脂パッ
ケージの外側において、この樹脂パッケージに近接する
部分のみに上記タイバーのカット幅よりも広い幅で開口
する開口部を設けたものである。
また、この発明の半導体装置の製造方法は、リードフレ
ームに半導体チップを樹脂封止した後に、タイバーを切
断する半導体装置の製造方法において、上記リードフレ
ームには樹脂パッケージノ外側において、この樹脂パッ
ケージに近接する部分のみを上記タイバーのカット幅よ
りも広い幅で開口部を形成し、上記開口部のはりと上記
タイバーとを同時に切断するようにしたものである。
ームに半導体チップを樹脂封止した後に、タイバーを切
断する半導体装置の製造方法において、上記リードフレ
ームには樹脂パッケージノ外側において、この樹脂パッ
ケージに近接する部分のみを上記タイバーのカット幅よ
りも広い幅で開口部を形成し、上記開口部のはりと上記
タイバーとを同時に切断するようにしたものである。
［作用］
この発明にかかる半導体装置及びその製造方法は、樹脂
パッケージの外側において、樹脂パッケージに近接する
部分のみが、タイバーのカット幅よりも広い幅の開口部
で開口されており、この開口部のばりとタイバーとが同
時に切断され、タイバーカットと、ぼり取り作業とが同
工程で同時に実施される。
パッケージの外側において、樹脂パッケージに近接する
部分のみが、タイバーのカット幅よりも広い幅の開口部
で開口されており、この開口部のばりとタイバーとが同
時に切断され、タイバーカットと、ぼり取り作業とが同
工程で同時に実施される。
以下、この発明の一実施例を第１図ないし第３図で説明
する。図に詔いて、■はタイバーカット幅（ト）よりも
広い幅寸法の開口幅（ト）で開口する大幅部で、パッケ
ージ（７）の外側においてパッケージ（７）に近接した
部分のみに形成され、そのタイバー（４）側へ厚さｑで
形成されている。（社）はこの大幅部■に連続してタイ
バー（４）の位置まで形成された小幅部で、上記タイバ
ー（４）のカット幅（ト）よりも狭い開口幅（ハ）で開
口している。なお、大幅部囚と小幅部（社）とで開口部
＠が構成されている。のは大幅部のと小幅部（社）とで
根元リード（６）に形成される段部、■は上記開口部■
に形成され段部＠に対応した突出寸法０）の鍔＠を生ず
るリード間ぼりである。
する。図に詔いて、■はタイバーカット幅（ト）よりも
広い幅寸法の開口幅（ト）で開口する大幅部で、パッケ
ージ（７）の外側においてパッケージ（７）に近接した
部分のみに形成され、そのタイバー（４）側へ厚さｑで
形成されている。（社）はこの大幅部■に連続してタイ
バー（４）の位置まで形成された小幅部で、上記タイバ
ー（４）のカット幅（ト）よりも狭い開口幅（ハ）で開
口している。なお、大幅部囚と小幅部（社）とで開口部
＠が構成されている。のは大幅部のと小幅部（社）とで
根元リード（６）に形成される段部、■は上記開口部■
に形成され段部＠に対応した突出寸法０）の鍔＠を生ず
るリード間ぼりである。
上記のように構成されたものにおいては、リード間ぼり
（２）は、パッケージ（７）側においてタイバー（４）
のカット幅に）よりも大で、タイバー（４）側において
タイバー（４）のカット幅（ト）よりも小に構成される
ことになり、タイバー（４）のカット時において、タイ
バーパンチ（図示せず）を大幅部■の位置まで設けるこ
とにより、大幅部■と小幅部（２）内のリード間ぼり（
至）と、タイバー（４）とが同時に打抜きされ、根元リ
ード（６）側面に生じるリード間ぼり（２）も確実に除
去される。また、パッケージ（７）側面に生じるリード
間ぼり□もタイバーパンチとパッケージ（７）とのクリ
アランスを適宜に設定することにより、小さくでき、タ
イバーカット工程においてリード間ぼり（ロ）も同時に
除去できることになる。特に、大幅部ωの厚さＧ −０
，３＋ｍ、段部■の突出寸法Ｊ＝０．５ｒｉｍで良好な
結果を得ることができた。
（２）は、パッケージ（７）側においてタイバー（４）
のカット幅に）よりも大で、タイバー（４）側において
タイバー（４）のカット幅（ト）よりも小に構成される
ことになり、タイバー（４）のカット時において、タイ
バーパンチ（図示せず）を大幅部■の位置まで設けるこ
とにより、大幅部■と小幅部（２）内のリード間ぼり（
至）と、タイバー（４）とが同時に打抜きされ、根元リ
ード（６）側面に生じるリード間ぼり（２）も確実に除
去される。また、パッケージ（７）側面に生じるリード
間ぼり□もタイバーパンチとパッケージ（７）とのクリ
アランスを適宜に設定することにより、小さくでき、タ
イバーカット工程においてリード間ぼり（ロ）も同時に
除去できることになる。特に、大幅部ωの厚さＧ −０
，３＋ｍ、段部■の突出寸法Ｊ＝０．５ｒｉｍで良好な
結果を得ることができた。
また、第４図ないし第５図はこの発明の他の実施例を示
すもので、■はパッケージ（７）に近づけて設けられた
タイバー、Ｃ３１１はパッケージ（７）にタイバーカッ
ト幅四よりも広い幅寸法の開口幅（ト）で開口する開口
部、＠はこの開口部（２）に形成されるリード間ぼりで
ある。
すもので、■はパッケージ（７）に近づけて設けられた
タイバー、Ｃ３１１はパッケージ（７）にタイバーカッ
ト幅四よりも広い幅寸法の開口幅（ト）で開口する開口
部、＠はこの開口部（２）に形成されるリード間ぼりで
ある。
この構成においては、第５図のようにタイバーパンチ（
図示せず）で開口部（至）の位置まで打抜くことにより
、タイバーカットと同時にリード間ばり■が除去され、
同様の効果を奏することになる。
図示せず）で開口部（至）の位置まで打抜くことにより
、タイバーカットと同時にリード間ばり■が除去され、
同様の効果を奏することになる。
［発明の効果］
以上のようにこの発明は、樹脂パッケージに近接する部
分のみにタイバーのカット幅よりも広い幅で開口された
開口部を設け、この開口部のばりとタイバーとを同時に
切断するようにしたので、タイバーカット時に同時にば
り取り作業を同工程で同時に実施でき、製造工程を削減
でき、生産性が著しく向上する効果がある。
分のみにタイバーのカット幅よりも広い幅で開口された
開口部を設け、この開口部のばりとタイバーとを同時に
切断するようにしたので、タイバーカット時に同時にば
り取り作業を同工程で同時に実施でき、製造工程を削減
でき、生産性が著しく向上する効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す平面図、第２図はそ
の要部拡大平面図、第３図は第１図のタイバーカット後
の要部拡大平面図、第４図はこの発明の他の実施例を示
す平面図、第５図はその要部拡大平面図、第６図は従来
のリードフレームを示す平面図、第７図はそのモールド
後の平面図、第８図はその要部拡大平面図、第９図はそ
の要部断面図、第１０図はぼり取り工程を示す要部断面
図、第１１図はそのＸＩ−Ｘ［線における断面図、第１
２図はぼり取り後の拡大平面図である。図中、（１）は
リードフレーム、（４）■はタイバー、（５）は外部リ
ード、（６）は根元リード、（７）はパッケージ、■は
開口部、Ｃ！滲はリード間ばりである なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
の要部拡大平面図、第３図は第１図のタイバーカット後
の要部拡大平面図、第４図はこの発明の他の実施例を示
す平面図、第５図はその要部拡大平面図、第６図は従来
のリードフレームを示す平面図、第７図はそのモールド
後の平面図、第８図はその要部拡大平面図、第９図はそ
の要部断面図、第１０図はぼり取り工程を示す要部断面
図、第１１図はそのＸＩ−Ｘ［線における断面図、第１
２図はぼり取り後の拡大平面図である。図中、（１）は
リードフレーム、（４）■はタイバー、（５）は外部リ
ード、（６）は根元リード、（７）はパッケージ、■は
開口部、Ｃ！滲はリード間ばりである なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）リードフレームに半導体チップを樹脂封止した後
に切断されるタイバーを有する半導体装置において、上
記リードフレームには樹脂パッケージの外側において、
この樹脂パッケージに近接する部分のみに上記タイバー
のカット幅よりも広い幅で開口する開口部を設けたこと
を特徴とする半導体装置。 - （２）開口部は上記樹脂パッケージからの開口寸法を０
．３ｍｍ以下にしたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置。 - （３）開口部は上記樹脂パッケージに近接する部分のみ
に上記タイバーのカット幅よりも広い幅で開口する大幅
部と、この大幅部に連続し、上記樹脂パッケージから離
間した位置において上記タイバーのカット幅よりも狭い
幅で開口する小幅部とで構成したことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体装置 - （４）リードフレームに半導体チップを樹脂封止した後
に、タイバーを切断する半導体装置の製造方法において
、上記リードフレームには樹脂パッケージの外側におい
て、この樹脂パッケージに近接する部分のみを上記タイ
バーのカット幅よりも広い幅で開口部を形成し、上記開
口部のばりと上記タイバとを同時に除去するようにした
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61220245A JPH0622266B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61220245A JPH0622266B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7084011A Division JP2603814B2 (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373656A true JPS6373656A (ja) | 1988-04-04 |
| JPH0622266B2 JPH0622266B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=16748165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61220245A Expired - Lifetime JPH0622266B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622266B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298729A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型電子部品の製造方法 |
| JPH0247859A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-16 | Nec Kyushu Ltd | Ｉｃのタイバー切断方法 |
| US8048718B2 (en) | 2006-08-07 | 2011-11-01 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device comprising an excess resin portion, manufacturing method thereof, and apparatus for manufacturing semiconductor device comprising a excess resin portion |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874061A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-04 | Nec Corp | Ｄｉｐ型ケ−スの製造方法 |
| JPS6016164A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 回転電機鉄心における溝絶縁紙の成形插入装置 |
| JPS60161646A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP61220245A patent/JPH0622266B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874061A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-04 | Nec Corp | Ｄｉｐ型ケ−スの製造方法 |
| JPS6016164A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 回転電機鉄心における溝絶縁紙の成形插入装置 |
| JPS60161646A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298729A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型電子部品の製造方法 |
| JPH0247859A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-16 | Nec Kyushu Ltd | Ｉｃのタイバー切断方法 |
| US8048718B2 (en) | 2006-08-07 | 2011-11-01 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device comprising an excess resin portion, manufacturing method thereof, and apparatus for manufacturing semiconductor device comprising a excess resin portion |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0622266B2 (ja) | 1994-03-23 |
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