JPH02154454A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
- Publication number
- JPH02154454A JPH02154454A JP63308361A JP30836188A JPH02154454A JP H02154454 A JPH02154454 A JP H02154454A JP 63308361 A JP63308361 A JP 63308361A JP 30836188 A JP30836188 A JP 30836188A JP H02154454 A JPH02154454 A JP H02154454A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- circuit patterns
- lead frame
- circuit pattern
- dam bar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 6
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はダムバー近傍にまでリード側端面に部分めっき
皮膜が被着形成されるのを防止できるリドフレームの加
工方法に関する。
皮膜が被着形成されるのを防止できるリドフレームの加
工方法に関する。
（従来の技術）
半導体装置用のリードフレームには、ワイヤボンディン
グ性を向上させるため、内部リード先端部に銀めっき、
金めつき等の部分めっきが施されるものがある。
グ性を向上させるため、内部リード先端部に銀めっき、
金めつき等の部分めっきが施されるものがある。
この部分めっきは、プレス加工やコイニング加工等によ
る悪影響を防止するため、先ず、回路パターンをプレス
加工、エソヂング加工等によって形成し、さらに内部リ
ード先端にコイニング加工を行って後に、必要なめっき
領域に施すのが望ましい。
る悪影響を防止するため、先ず、回路パターンをプレス
加工、エソヂング加工等によって形成し、さらに内部リ
ード先端にコイニング加工を行って後に、必要なめっき
領域に施すのが望ましい。
しかるに上記のように先に回路パターンを形成すれば、
部分めっきの際、弾性のあるマスクを用いたとしても、
マスクによりリード間の間隙を完全には埋めることがで
きす、めっき液がリード間に漏れ出し、めっき領域外の
リード側端面に不必要なめっき皮膜が形成されてしまう
。
部分めっきの際、弾性のあるマスクを用いたとしても、
マスクによりリード間の間隙を完全には埋めることがで
きす、めっき液がリード間に漏れ出し、めっき領域外の
リード側端面に不必要なめっき皮膜が形成されてしまう
。
特開昭６０−２６０１４２号公報には、上記問題点を解
消するため、めっき領域外縁にあたる部位に、隣接する
リード間の間隙を埋めるクイバーを設けたリードフレー
ムが提供されている。このタイバーは、プレス加工等に
より回路パターンと一体に同時に形成するか、回路パタ
ーン形成後に上記間隙を別途樹脂等で埋めて形成される
。
消するため、めっき領域外縁にあたる部位に、隣接する
リード間の間隙を埋めるクイバーを設けたリードフレー
ムが提供されている。このタイバーは、プレス加工等に
より回路パターンと一体に同時に形成するか、回路パタ
ーン形成後に上記間隙を別途樹脂等で埋めて形成される
。
（発、明が解決しようとする課題）
しかしながら上記従来のリードフレームではその加工上
次のような問題点がある。
次のような問題点がある。
すなわち、リードフレームをプレス加工で形成する場合
、ダムバーから内部リード先端までの加工で見てみれば
、ダムバーとタイバー間、タイバーと内部リード先端ま
での間の抜き加工に加えて、部分めっき後にタイバーを
切断するための力０工が必要となるので、抜き加工のた
めのポンチも多く必要となるなどの問題点がある。
、ダムバーから内部リード先端までの加工で見てみれば
、ダムバーとタイバー間、タイバーと内部リード先端ま
での間の抜き加工に加えて、部分めっき後にタイバーを
切断するための力０工が必要となるので、抜き加工のた
めのポンチも多く必要となるなどの問題点がある。
またタイバーは内部リードの細い所に形成されるので、
タイバー除去の際の切断線が内部リードっき必要個所に
銀めっき、金めつき等の部分めっきが施されるリードフ
レームの加工方法において、形成すべき回路パターンの
うち、半導体装置に組立てた際、半導体装置本体内でか
つ前記めっき必要個所に至らない位置と前記ダムバーと
の間の回路パターンを除いて、少なくとも前記めっき必
要個所となる部分の回路パターンの少なくとも側端面を
形成する加工を行い、しかる後に前記めっき必要個所に
所要の部分めっきを行い、次に残る未加工部分の回路パ
ターンを形成する加工を行うことを特徴とする。
タイバー除去の際の切断線が内部リードっき必要個所に
銀めっき、金めつき等の部分めっきが施されるリードフ
レームの加工方法において、形成すべき回路パターンの
うち、半導体装置に組立てた際、半導体装置本体内でか
つ前記めっき必要個所に至らない位置と前記ダムバーと
の間の回路パターンを除いて、少なくとも前記めっき必
要個所となる部分の回路パターンの少なくとも側端面を
形成する加工を行い、しかる後に前記めっき必要個所に
所要の部分めっきを行い、次に残る未加工部分の回路パ
ターンを形成する加工を行うことを特徴とする。
（実施例）
以下では本発明の好適な一実施例を添付図面に基づいて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は形成すべきリードフレームの一例を示す説明図
で、ＩＯは内部リード、１２は外部リード、１４はダム
バー、１６はステージ部、１８はステージサポートバー
、２０はレール部、２２はガイドホールである。また−
点鎖線で示した範囲内がめっ、き必要個所である。なお
ステージ部１６の側端面と一致しない、いわゆるミスマ
ツチが生し易く （第４図）、また内部リードを変形さ
せる原因ともなる。
で、ＩＯは内部リード、１２は外部リード、１４はダム
バー、１６はステージ部、１８はステージサポートバー
、２０はレール部、２２はガイドホールである。また−
点鎖線で示した範囲内がめっ、き必要個所である。なお
ステージ部１６の側端面と一致しない、いわゆるミスマ
ツチが生し易く （第４図）、また内部リードを変形さ
せる原因ともなる。
タイバーを樹脂等の絶縁物で形成すれば、タイバーの除
去は不要となるが、樹脂等のタイバー形成工程が新たに
必要となり、やはり工数が多くなる問題点がある。
去は不要となるが、樹脂等のタイバー形成工程が新たに
必要となり、やはり工数が多くなる問題点がある。
また、部分めっきが特に銀めっきの場合、半導体装置本
体（例えば樹脂モールド部）から外方に露出する外部リ
ード部の１ｕｌｌ端面に銀めっき皮膜が形成されている
と、マイグレーション等の問題が生しる。
体（例えば樹脂モールド部）から外方に露出する外部リ
ード部の１ｕｌｌ端面に銀めっき皮膜が形成されている
と、マイグレーション等の問題が生しる。
本発明の目的とするところは、部分めっきが銀めっき皮
膜の場合でもマイグレーションの問題が生ずることがな
（、工数を減じることができ、コストの低域化が図れる
リードフレームの加工方法を提供するにある。
膜の場合でもマイグレーションの問題が生ずることがな
（、工数を減じることができ、コストの低域化が図れる
リードフレームの加工方法を提供するにある。
（課題を解決するための手段）
上記目的による本発明は、外部リード間を連結するダム
バーを有し、少なくとも内部リードのめ上にはめっきを
施さないことがある。また二点鎖線の範囲内が樹脂モー
ルド領域である。
バーを有し、少なくとも内部リードのめ上にはめっきを
施さないことがある。また二点鎖線の範囲内が樹脂モー
ルド領域である。
本発明ではまず、少なくとも内部リード１ｏを含むめっ
き必要個所となる部位の回路パターンをプレス加工もし
くはエツチング加工によって形成する。
き必要個所となる部位の回路パターンをプレス加工もし
くはエツチング加工によって形成する。
この場合、第２図に示すように、少なくともダムバー１
４の内方であって、半導体装置（例えば樹脂モール、ド
型半導体装Ｗ）として組み立てた際、半導体装置本体（
例えば樹脂モールド部）がら外方に露出することとなる
部位の回路パターンの形成は行わない。第２図の例では
二点鎖線で示すモールドラインＡが前記樹脂モールド領
域の境界線であるが、このモールドラインＡよりも外方
でダムバー１４との間、およびモールドラインＡよりも
内方の所定範囲に亘っては回路パターンの形成を行わな
いのである。そしてこの部分の回路パターンの形成は、
めっき必要個所への部分めっき後に行う。
４の内方であって、半導体装置（例えば樹脂モール、ド
型半導体装Ｗ）として組み立てた際、半導体装置本体（
例えば樹脂モールド部）がら外方に露出することとなる
部位の回路パターンの形成は行わない。第２図の例では
二点鎖線で示すモールドラインＡが前記樹脂モールド領
域の境界線であるが、このモールドラインＡよりも外方
でダムバー１４との間、およびモールドラインＡよりも
内方の所定範囲に亘っては回路パターンの形成を行わな
いのである。そしてこの部分の回路パターンの形成は、
めっき必要個所への部分めっき後に行う。
なお、めっき必要個所とは、厳密には内部リー１・にワ
イヤボンディング性を向上さセるために部分めっきを施
す部位をいい、通常は安全性を見越して」二記部位より
も若干広い範囲に亘って部分めっきが施される。
イヤボンディング性を向上さセるために部分めっきを施
す部位をいい、通常は安全性を見越して」二記部位より
も若干広い範囲に亘って部分めっきが施される。
ダムバー１４よりも外方の外部リード１２の回路パター
ンは上記内側の回路パターンと同時に形成してもよいし
、あるいは部分めっき後に形成してもよい。
ンは上記内側の回路パターンと同時に形成してもよいし
、あるいは部分めっき後に形成してもよい。
次に、必要に応して内部リート１２のワイヤボンディン
グエリアにコイニング加工を施す。
グエリアにコイニング加工を施す。
次に、めっき必要個所に通常のように所要の部分めっき
を施す。この場合リードフレームの裏面側からは裏当板
（図示せず）を当てがい、表面側からは所要のマスク板
（図示せず）を当てがって部分めっきを施す。
を施す。この場合リードフレームの裏面側からは裏当板
（図示せず）を当てがい、表面側からは所要のマスク板
（図示せず）を当てがって部分めっきを施す。
この場合、前記工程で形成された回路パターンのリード
間の間隙にめっき液が漏出しζも、めっき液は回路パタ
ーンの未加工部端面とマスク板によって押えられるので
、それ以上外方に漏出することはない。
間の間隙にめっき液が漏出しζも、めっき液は回路パタ
ーンの未加工部端面とマスク板によって押えられるので
、それ以上外方に漏出することはない。
があったとしてもその影響は小さく、リ−１・の変形等
を招くおそれがないからである。
を招くおそれがないからである。
第３図は、上記の未加工部分をダムバー１４より内方で
モールドラインＡよりも若干内方にとどめ、部分めっき
後未加工部分を加］二する際、直近内方のリード間の間
隙よりも幅広く抜き落として、リードのダムバー１４へ
の連結部を外部リードと同し幅になるように加工してい
る。これによりリードフレームをモールド樹脂で覆った
際に、リド突出部Ｂがモールド樹脂にくい込んでリード
フレーム抜は止めのアンカーとしての作用をする。
モールドラインＡよりも若干内方にとどめ、部分めっき
後未加工部分を加］二する際、直近内方のリード間の間
隙よりも幅広く抜き落として、リードのダムバー１４へ
の連結部を外部リードと同し幅になるように加工してい
る。これによりリードフレームをモールド樹脂で覆った
際に、リド突出部Ｂがモールド樹脂にくい込んでリード
フレーム抜は止めのアンカーとしての作用をする。
このようにダムバー１４直近内方を幅広く抜き落として
リート突出部Ｂをアンカーとする場合には、プレス加工
のミスマツチは気にすることなく行えるので好適である
。
リート突出部Ｂをアンカーとする場合には、プレス加工
のミスマツチは気にすることなく行えるので好適である
。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、めっき液が例えリード間
に漏れ出してリード側端面にめっき皮膜が形成されたと
しても、めっき皮膜が形成される範囲は将来半導体装置
本体内に埋設する部分てあ上記のように部分めっきを施
して後、上記の残りの未加工部分の回路パターンをプレ
ス加工あるいはエツチング加工によって形成するのであ
る。
に漏れ出してリード側端面にめっき皮膜が形成されたと
しても、めっき皮膜が形成される範囲は将来半導体装置
本体内に埋設する部分てあ上記のように部分めっきを施
して後、上記の残りの未加工部分の回路パターンをプレ
ス加工あるいはエツチング加工によって形成するのであ
る。
第２図の例でいえば、ダムバー１４の内側部分の未加工
部分（破線部）のパターン形成を行う。これにより、少
なくともダムバー１４とモールドライン人間の、半導体
装置本体よりも外方に露出する外部リード１２の側端面
が新たに形成されるから、側端面にめっき皮膜のない外
部り−Ｉ・１２が形成される。
部分（破線部）のパターン形成を行う。これにより、少
なくともダムバー１４とモールドライン人間の、半導体
装置本体よりも外方に露出する外部リード１２の側端面
が新たに形成されるから、側端面にめっき皮膜のない外
部り−Ｉ・１２が形成される。
モールドライン八より内方の回路パターン部はモールド
樹脂によって覆われるから、例えリード側端面に銀めっ
き皮膜が形成されたとしても、マイグレーション等の問
題は極めて生しにくい。
樹脂によって覆われるから、例えリード側端面に銀めっ
き皮膜が形成されたとしても、マイグレーション等の問
題は極めて生しにくい。
なお、部分めっき前の、前記の未加工の回路パターンの
範囲は、ダムバー１４より内方でモールドラインＡより
も若干内側程度にとどめておくのかヘタ−である。すな
わち、モールドライン八よりも若干内方の内部リード１
０はその幅も広く、したがって未加工部分を加工する際
のミスマツチリ、半導体装置本体から外方に露出する外
部リードの側端面にはめっき皮膜が形成されないから、
マイグレーション等のおそれのないリードフレームを提
供しうる。
範囲は、ダムバー１４より内方でモールドラインＡより
も若干内側程度にとどめておくのかヘタ−である。すな
わち、モールドライン八よりも若干内方の内部リード１
０はその幅も広く、したがって未加工部分を加工する際
のミスマツチリ、半導体装置本体から外方に露出する外
部リードの側端面にはめっき皮膜が形成されないから、
マイグレーション等のおそれのないリードフレームを提
供しうる。
また、ダムバーと内部リード先端との間の加工でみれば
、２工程の抜き加工で済み、未加工部分をめっき必要個
所から遠去けることによって、後工程での未加工部分の
加工が幅の広いリード部分の位置で行うことができるの
で、切断線不一致（ミスマツチ）によるリードの変形な
どをそれ程気にせずに行えるなどの利点を有する。
、２工程の抜き加工で済み、未加工部分をめっき必要個
所から遠去けることによって、後工程での未加工部分の
加工が幅の広いリード部分の位置で行うことができるの
で、切断線不一致（ミスマツチ）によるリードの変形な
どをそれ程気にせずに行えるなどの利点を有する。
第１図は得るべきリードフレームの一例を示す説明図、
第２図はダムバー内方の未加工部分を示す説明図、第３
図はダムバーへの連結部を幅狭に形成した状態の説明図
、第４図は従来例におけるクイバー除去の際の切断線の
不一致の状態を示す説明図である。 １０・・・内部り−１・、 １２・・・外部リード、
】４・・・ダムバー、 １６・・・ステージ部、 １８・・・ステージサポートバー、 ２０ ・ ・レール部、 Ａ ・ ・ ・モールドライン。
第２図はダムバー内方の未加工部分を示す説明図、第３
図はダムバーへの連結部を幅狭に形成した状態の説明図
、第４図は従来例におけるクイバー除去の際の切断線の
不一致の状態を示す説明図である。 １０・・・内部り−１・、 １２・・・外部リード、
】４・・・ダムバー、 １６・・・ステージ部、 １８・・・ステージサポートバー、 ２０ ・ ・レール部、 Ａ ・ ・ ・モールドライン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、外部リード間を連結するダムバーを有し、少なくと
も内部リードのめっき必要個所に銀めっき、金めっき等
の部分めっきが施されるリードフレームの加工方法にお
いて、 形成すべき回路パターンのうち、半導体装 置に組立てた際、半導体装置本体内でかつ前記めっき必
要個所に至らない位置と前記ダムバーとの間の回路パタ
ーンを除いて、少なくとも前記めっき必要個所となる部
分の回路パターンの少なくとも側端面を形成する加工を
行い、 しかる後に前記めっき必要個所に所要の部 分めっきを行い、 次に残る未加工部分の回路パターンを形成 する加工を行うことを特徴とするリードフレームの加工
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63308361A JP2648353B2 (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | リードフレームの製造方法 |
| KR1019890017849A KR930002816B1 (ko) | 1988-12-06 | 1989-12-04 | 리드프레임의 가공방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63308361A JP2648353B2 (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02154454A true JPH02154454A (ja) | 1990-06-13 |
| JP2648353B2 JP2648353B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=17980140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63308361A Expired - Fee Related JP2648353B2 (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2648353B2 (ja) |
| KR (1) | KR930002816B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017037898A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100641512B1 (ko) | 2002-12-30 | 2006-10-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 패키지 공정에서의 리드 프레임 구조 |
| KR100789419B1 (ko) * | 2006-11-27 | 2007-12-28 | (주)원일사 | 리드프레임 모재 가공방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55151357A (en) * | 1979-05-16 | 1980-11-25 | Nec Corp | Lead frame for semiconductor device |
-
1988
- 1988-12-06 JP JP63308361A patent/JP2648353B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-12-04 KR KR1019890017849A patent/KR930002816B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55151357A (en) * | 1979-05-16 | 1980-11-25 | Nec Corp | Lead frame for semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017037898A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900010984A (ko) | 1990-07-11 |
| KR930002816B1 (ko) | 1993-04-10 |
| JP2648353B2 (ja) | 1997-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02154454A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH08318328A (ja) | リード切断用金型 | |
| JPH05226532A (ja) | パワートランジスタ用リードフレームの製造方法 | |
| JP2586352B2 (ja) | 半導体装置用リード切断装置 | |
| JPH05102364A (ja) | 電子部品用リードフレームの製造方法 | |
| JPH05326782A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置 | |
| JPH06252188A (ja) | 樹脂封止型半導体素子の製造方法および製造装置 | |
| JP2648354B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPS61289637A (ja) | 封止金型装置 | |
| JP2000036558A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| JP2704128B2 (ja) | 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 | |
| JP3358313B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP3195080B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH04139868A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JP2616685B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2784352B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| KR960014445B1 (ko) | 집적회로 패키지의 플레쉬제거 방법 및 리드프레임 구조 | |
| JPH05335442A (ja) | 半導体装置の樹脂モールド方法 | |
| JP2946775B2 (ja) | 樹脂封止金型 | |
| JPH1012802A (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPH0722561A (ja) | 半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPS63237452A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPH05152487A (ja) | リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置 | |
| JPH0637224A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH08124955A (ja) | 電子部品の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |