JPH0515065B2 - - Google Patents
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- JPH0515065B2 JPH0515065B2 JP10660484A JP10660484A JPH0515065B2 JP H0515065 B2 JPH0515065 B2 JP H0515065B2 JP 10660484 A JP10660484 A JP 10660484A JP 10660484 A JP10660484 A JP 10660484A JP H0515065 B2 JPH0515065 B2 JP H0515065B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、樹脂封止半導体装置の製造方法に関
し具体的には、樹脂体とリードフレームとの間に
形成された樹脂の薄膜を除去して半導体装置を製
造する方法に関する。
し具体的には、樹脂体とリードフレームとの間に
形成された樹脂の薄膜を除去して半導体装置を製
造する方法に関する。
（従来技術）
IC、LSI、VLSI等の半導体装置は部品として
大量生産され、大量消費される。この様な半導体
装置は、コスト低下や生産性の向上の為にほとん
どのものがパターン状に打ち抜かれた金属性のリ
ードフレームに半導体チツプを搭載し、これらを
樹脂により封止して製造する様になつた。この様
なリードフレームについては特公昭45−1137号公
報に詳細に記載されている。
大量生産され、大量消費される。この様な半導体
装置は、コスト低下や生産性の向上の為にほとん
どのものがパターン状に打ち抜かれた金属性のリ
ードフレームに半導体チツプを搭載し、これらを
樹脂により封止して製造する様になつた。この様
なリードフレームについては特公昭45−1137号公
報に詳細に記載されている。
この様なリードフレームで半導体装置を製造す
る際、上記公報Fig、４にも記載されている様に
合成樹脂被覆体（以下樹脂体という）と、リード
線間隔片（以下タイバーという）と支持片（以下
リードという）との間及び、樹脂体と連結条帯
（以下外枠という）とリードとの間に薄い合成樹
脂板（以下薄膜という）が形成される。なお、タ
イバー及び外枠は、リードを連結する役割を持つ
他、封止時に樹脂が流出しない様にする樹脂流出
防止板としての働きをする。
る際、上記公報Fig、４にも記載されている様に
合成樹脂被覆体（以下樹脂体という）と、リード
線間隔片（以下タイバーという）と支持片（以下
リードという）との間及び、樹脂体と連結条帯
（以下外枠という）とリードとの間に薄い合成樹
脂板（以下薄膜という）が形成される。なお、タ
イバー及び外枠は、リードを連結する役割を持つ
他、封止時に樹脂が流出しない様にする樹脂流出
防止板としての働きをする。
これらタイバー及び外枠は封止後取り除くが、
これらをリードから切断するときに切断刃が樹脂
体にキズを付けたり、逆に樹脂体により切断刃が
破壊されたりしない様に、これらは樹脂体から離
れた位置となる様に形成される。この為に樹脂体
の外郭を越えた薄膜が必然的に形成される。
これらをリードから切断するときに切断刃が樹脂
体にキズを付けたり、逆に樹脂体により切断刃が
破壊されたりしない様に、これらは樹脂体から離
れた位置となる様に形成される。この為に樹脂体
の外郭を越えた薄膜が必然的に形成される。
従来、この様な薄膜は樹脂流出防止板を取り除
く際に同時に切断刃により取り除いていた（前記
公報P5左第14行〜21行）。
く際に同時に切断刃により取り除いていた（前記
公報P5左第14行〜21行）。
しかしながら、近年、樹脂の膨張率を小さくす
る為に樹脂中に石英粉等硬度の大きい粒子（フイ
ラ）を混入する様になると、切断刃が著しく磨耗
する様になつた。
る為に樹脂中に石英粉等硬度の大きい粒子（フイ
ラ）を混入する様になると、切断刃が著しく磨耗
する様になつた。
この為、まず薄膜を工具により打ち抜いてから
タイバーや外枠を切断刃により取り除く様になつ
た。
タイバーや外枠を切断刃により取り除く様になつ
た。
第２図は従来の薄膜除去の工程を説明する為の
斜視図、第３図はそのA1−A2線に沿う断面図で
あつて、ａ１は打ち抜き前、ａ２は打ち抜き後の
工程を示し、第４図は第２図における平面図であ
る。
斜視図、第３図はそのA1−A2線に沿う断面図で
あつて、ａ１は打ち抜き前、ａ２は打ち抜き後の
工程を示し、第４図は第２図における平面図であ
る。
第２図は、リード１０、タイバー２０及び外枠
３０から構成されたリードフレーム４０に図示し
ない半導体チツプが搭載され、樹脂により封止し
て樹脂体５０が形成された状態を示す。樹脂体５
０からはタイバー２０に向かつて薄膜６０が形成
されている。この様に形成された薄膜６０は工具
７０により打ち抜く。工具７０は第３図及び第４
図で示す様に薄膜６０の面の大きさより先端部及
びその断面（薄膜６０の面に平行な切断面、以下
工具７０の断面とはこれをいう）が小さい、柱状
のものを使用する。薄膜６０とほとんど同じ大き
さの断面のものを使用すると薄膜６０の周囲のリ
ードフレーム４０のエツジのいずれかの部分とぶ
つかり、工具７０が破壊される恐れがあるからで
ある。
３０から構成されたリードフレーム４０に図示し
ない半導体チツプが搭載され、樹脂により封止し
て樹脂体５０が形成された状態を示す。樹脂体５
０からはタイバー２０に向かつて薄膜６０が形成
されている。この様に形成された薄膜６０は工具
７０により打ち抜く。工具７０は第３図及び第４
図で示す様に薄膜６０の面の大きさより先端部及
びその断面（薄膜６０の面に平行な切断面、以下
工具７０の断面とはこれをいう）が小さい、柱状
のものを使用する。薄膜６０とほとんど同じ大き
さの断面のものを使用すると薄膜６０の周囲のリ
ードフレーム４０のエツジのいずれかの部分とぶ
つかり、工具７０が破壊される恐れがあるからで
ある。
この後、図示しない切断刃によりタイバー２０
及び外枠３０を切断する。
及び外枠３０を切断する。
この様な薄膜除去工程の導入により切断刃の磨
耗は、かなり解消されてきているが、第３図ａ２
で示す様にカス６１が残り未だ完全には解消され
ない。すなわち、切断刃はタイバー２０を切断す
るとともにカス６１をも同時に除去することとな
り、この樹脂のカス６１中のフイラにより磨耗す
るのである。カス６１が残る理由は、前述の様
に、薄膜６０の面の大きさより断面が小さい工具
７０を使用する為、この工具７０の先端と当接す
る部分の薄膜部分だけが、工具７０の先端の形状
に切断されて打ち抜かれるからである。
耗は、かなり解消されてきているが、第３図ａ２
で示す様にカス６１が残り未だ完全には解消され
ない。すなわち、切断刃はタイバー２０を切断す
るとともにカス６１をも同時に除去することとな
り、この樹脂のカス６１中のフイラにより磨耗す
るのである。カス６１が残る理由は、前述の様
に、薄膜６０の面の大きさより断面が小さい工具
７０を使用する為、この工具７０の先端と当接す
る部分の薄膜部分だけが、工具７０の先端の形状
に切断されて打ち抜かれるからである。
更に、工具７０についても、薄膜６０を打ち抜
く際、カス６１の切断面と摩擦され、磨耗すると
いう問題点もあつた。又、樹脂体５０側にカス６
１が残ると、後のリードメツキ工程でハンダメツ
キの付着が不十分となつたり、塩酸等を使用する
洗浄工程で、塩酸がこのすき間に浸入してリード
を腐食させたりし、信頼性の観点からも問題があ
つた。
く際、カス６１の切断面と摩擦され、磨耗すると
いう問題点もあつた。又、樹脂体５０側にカス６
１が残ると、後のリードメツキ工程でハンダメツ
キの付着が不十分となつたり、塩酸等を使用する
洗浄工程で、塩酸がこのすき間に浸入してリード
を腐食させたりし、信頼性の観点からも問題があ
つた。
（発明の目的）
本発明は以上の様な問題点を解決する為になさ
れたもので、その目的は、樹脂体と樹脂流出防止
板との間に形成された樹脂の薄膜を完全に取り去
る半導体装置の製造方法を得ることにある。
れたもので、その目的は、樹脂体と樹脂流出防止
板との間に形成された樹脂の薄膜を完全に取り去
る半導体装置の製造方法を得ることにある。
（発明の構成）
以上の様な目的を達成する為の本発明の構成
は、 リード相互を連結するとともに該リードのすき
間から樹脂流出を防止する樹脂流出防止板を備え
たリードフレームに搭載した半導体チツプを樹脂
により封止して樹脂体を形成するとともに、前記
樹脂体の側面から一平面上に複数突出したリード
と前記樹脂流出防止板とに囲まれ前記樹脂体から
延びる薄膜を形成する工程と、 該薄膜の一の面から工具を挿入して前記薄膜を
除去する工程とを含む半導体装置の製造方法にお
いて、前記薄膜を前記リードとの境界部分を除く
部分より前記樹脂体との境界部分が薄くなるよう
に形成することを特徴とする半導体装置の製造方
法である。
は、 リード相互を連結するとともに該リードのすき
間から樹脂流出を防止する樹脂流出防止板を備え
たリードフレームに搭載した半導体チツプを樹脂
により封止して樹脂体を形成するとともに、前記
樹脂体の側面から一平面上に複数突出したリード
と前記樹脂流出防止板とに囲まれ前記樹脂体から
延びる薄膜を形成する工程と、 該薄膜の一の面から工具を挿入して前記薄膜を
除去する工程とを含む半導体装置の製造方法にお
いて、前記薄膜を前記リードとの境界部分を除く
部分より前記樹脂体との境界部分が薄くなるよう
に形成することを特徴とする半導体装置の製造方
法である。
（実施例）
以下本発明の実施例を図面により説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明する為の断面
図であつて、ａ１，ａ２は第２図のA1−A2線に
沿う断面に相当する図、ｂ１，ｂ２はB1−B2線
に沿う断面に相当する図である。
図であつて、ａ１，ａ２は第２図のA1−A2線に
沿う断面に相当する図、ｂ１，ｂ２はB1−B2線
に沿う断面に相当する図である。
第１図ａ１，ｂ１によりあらかじめ形成してお
くべく薄膜６２の形状を説明する。図に示す様に
薄膜６２は、リードフレーム４０よりも肉厚に形
成する。肉厚の程度は工具７０により切断されな
い程度である。例えば、250μの厚さのリードフ
レーム４０では、上側250μ、下側250μ突出させ
て合計750μ程度がよい。ここで樹脂体５０との
境界に括６３を形成しておけば樹脂体５０からの
はがれが容易になる。
くべく薄膜６２の形状を説明する。図に示す様に
薄膜６２は、リードフレーム４０よりも肉厚に形
成する。肉厚の程度は工具７０により切断されな
い程度である。例えば、250μの厚さのリードフ
レーム４０では、上側250μ、下側250μ突出させ
て合計750μ程度がよい。ここで樹脂体５０との
境界に括６３を形成しておけば樹脂体５０からの
はがれが容易になる。
薄膜６２をこの様にリードフレーム４０から各
250μ突出させて形成する為には、従来の半導体
封止型の薄膜形成部分をあらかじめ前記薄膜を形
成する様な形状にざぐつておき、この半導体封止
型を用いて樹脂封止作業を行なう。又、リードフ
レーム４０の一方の側だけ樹脂の薄膜を突出させ
る場合は、半導体封止型の一方のみ、例えば下型
のみをざぐつておけばよい。
250μ突出させて形成する為には、従来の半導体
封止型の薄膜形成部分をあらかじめ前記薄膜を形
成する様な形状にざぐつておき、この半導体封止
型を用いて樹脂封止作業を行なう。又、リードフ
レーム４０の一方の側だけ樹脂の薄膜を突出させ
る場合は、半導体封止型の一方のみ、例えば下型
のみをざぐつておけばよい。
次に、第１図ａ２及びｂ２に示す様に薄膜６２
を工具により打ち抜く。工具７０は従来より使用
しているものでよいが、薄膜６２はカスを残すこ
となく除去されるので、従来の様に薄膜６２の面
の大きさに近い大きさの断面を持つものを使用す
る必要がない。逆に、工具７０としてこの様に断
面の小さいものを使用すると薄膜６２との位置合
わせの余裕が大きくなつて、薄膜６２の除去の為
の位置合わせは非常に容易となる。
を工具により打ち抜く。工具７０は従来より使用
しているものでよいが、薄膜６２はカスを残すこ
となく除去されるので、従来の様に薄膜６２の面
の大きさに近い大きさの断面を持つものを使用す
る必要がない。逆に、工具７０としてこの様に断
面の小さいものを使用すると薄膜６２との位置合
わせの余裕が大きくなつて、薄膜６２の除去の為
の位置合わせは非常に容易となる。
肉厚に形成された薄膜はこの工具７０により打
ち抜かれるというよりも、リードフレーム４０か
ら押し出される様にして除去される。従つて工具
７０はこの押し出しに耐える強度があればよい。
ち抜かれるというよりも、リードフレーム４０か
ら押し出される様にして除去される。従つて工具
７０はこの押し出しに耐える強度があればよい。
尚、薄膜６２は第１図の各図に示す様に、リー
ドフレーム４０からの突出部分は全てテーパー状
に形成しておけば封止型からの離型が容易となる
とともに、リードフレーム４０から除去されると
きの除去が容易となる。
ドフレーム４０からの突出部分は全てテーパー状
に形成しておけば封止型からの離型が容易となる
とともに、リードフレーム４０から除去されると
きの除去が容易となる。
この後、タイバー２０を切断刃により切断し、
リード１０を曲げ、リードメツキ工程等を経て半
導体装置が完成する。
リード１０を曲げ、リードメツキ工程等を経て半
導体装置が完成する。
（発明の効果）
以上説明した様に本発明によればリードとの境
界部分を除く部分より樹脂体との境界部分が薄く
なるように薄膜を形成したので薄膜のカスを残す
ことなく除去することができる。
界部分を除く部分より樹脂体との境界部分が薄く
なるように薄膜を形成したので薄膜のカスを残す
ことなく除去することができる。
本発明の効果を具体的に説明すれば以下の様に
なる。
なる。
(a) カスを残すことなく薄膜を除去することがで
きる様になる為、このカスの中に混入した石英
等のフイラの影響によるタイバーの切断刃の著
しい磨耗がなくなるとともに、この工程後のリ
ード曲げ用の工具が磨耗しなくなる。
きる様になる為、このカスの中に混入した石英
等のフイラの影響によるタイバーの切断刃の著
しい磨耗がなくなるとともに、この工程後のリ
ード曲げ用の工具が磨耗しなくなる。
(b) 薄膜の面より小さい断面を持つ工具を用い
て、薄膜を完全に除去することができる様にな
る為、薄膜と工具との位置合わせ余裕が増大
し、薄膜除去が容易となる。
て、薄膜を完全に除去することができる様にな
る為、薄膜と工具との位置合わせ余裕が増大
し、薄膜除去が容易となる。
(c) 薄膜は工具により押し出される様にして除去
される為、この工具に切断刃の様な刃を設ける
ことがなくなるとともに、切断された樹脂の断
面との摩擦による磨耗がなくなる。
される為、この工具に切断刃の様な刃を設ける
ことがなくなるとともに、切断された樹脂の断
面との摩擦による磨耗がなくなる。
(d) リードにカスが付着していない為、その後の
リード酸洗い工程でカスとリードのすき間への
酸洗い液等の浸入により引き起こされるリード
の腐食がなくなつて、半導体装置の信頼性が向
上する。又、カスにより妨害されなくなる為、
リードへのメツキ工程でのメツキの付着も完全
となる。
リード酸洗い工程でカスとリードのすき間への
酸洗い液等の浸入により引き起こされるリード
の腐食がなくなつて、半導体装置の信頼性が向
上する。又、カスにより妨害されなくなる為、
リードへのメツキ工程でのメツキの付着も完全
となる。
第１図ａ１，ａ２，ｂ１，ｂ２は本発明の一実
施例を説明する為の第２図A1−A2及びB1−B2線
に沿う断面図、第２図は従来例及び本発明の一実
施例を説明する為の斜視図、第３図ａ１，ａ２は
従来例を説明する為の第２図A1−A2線に沿う断
面図、第４図は従来例を説明する為の第２図の平
面図。 １０……リード、２０……タイバー、３０……
外枠、４０……リードフレーム、５０……樹脂
体、６０，６２……薄膜、７０……工具。
施例を説明する為の第２図A1−A2及びB1−B2線
に沿う断面図、第２図は従来例及び本発明の一実
施例を説明する為の斜視図、第３図ａ１，ａ２は
従来例を説明する為の第２図A1−A2線に沿う断
面図、第４図は従来例を説明する為の第２図の平
面図。 １０……リード、２０……タイバー、３０……
外枠、４０……リードフレーム、５０……樹脂
体、６０，６２……薄膜、７０……工具。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ リード相互を連結するとともに前記リードの
すき間から樹脂流出を防止する樹脂流出防止板を
備えたリードフレームに搭載した半導体チツプを
樹脂により封止して樹脂体を形成するとともに、
前記樹脂体の側面から一平面上に複数突出したリ
ードと前記樹脂流出防止板とに囲まれ前記樹脂体
から延びる薄膜を形成する工程と、 前記薄膜の一の面から工具を挿入して前記薄膜
を除去する工程とを含む半導体装置の製造方法に
おいて、 前記薄膜を前記リードとの境界部分を除く部分
より前記樹脂体との境界部分が薄くなるように形
成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10660484A JPS60251634A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10660484A JPS60251634A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60251634A JPS60251634A (ja) | 1985-12-12 |
| JPH0515065B2 true JPH0515065B2 (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=14437725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10660484A Granted JPS60251634A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60251634A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62274734A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Nec Corp | 樹脂封止型電子部品の樹脂カス除去法 |
| JPH01304758A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-08 | Yamada Seisakusho:Kk | リードフレームのスクラップ除去方法 |
| JPH0812894B2 (ja) * | 1992-05-27 | 1996-02-07 | アピックヤマダ株式会社 | リードフレームのディゲート方法およびこれに用いるリードフレーム |
-
1984
- 1984-05-28 JP JP10660484A patent/JPS60251634A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60251634A (ja) | 1985-12-12 |
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