JPS6285453A - Ｉｃ用リ−ドフレ−ム材 - Google Patents
Ｉｃ用リ−ドフレ−ム材Info
- Publication number
- JPS6285453A JPS6285453A JP22371485A JP22371485A JPS6285453A JP S6285453 A JPS6285453 A JP S6285453A JP 22371485 A JP22371485 A JP 22371485A JP 22371485 A JP22371485 A JP 22371485A JP S6285453 A JPS6285453 A JP S6285453A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin
- alloy
- lead frame
- frame material
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Conductive Materials (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＩＣ用リードフレーム素材の改良に関するもの
である。
である。
ＩＣ用リードフレーム素材としては、鉄・ニッケル・コ
バルト合金としてコバール、鉄・ニッケル合金として４
２アロイ、５２アμイの他、銅。
バルト合金としてコバール、鉄・ニッケル合金として４
２アロイ、５２アμイの他、銅。
銅合金などが一般的に用いられている。この素材から半
導体装置を成形するには、これら素材の条材を打抜きあ
るいはエツチングの方法によりり一ドフレームの形状を
形成し、半導体素子の搭載部には縞状又はスポット状に
貴金属メッキ金子め打抜き前又はリードの形成後施し、
このメッキ部の上に半導体素子？ろう付けし、金線、ア
ルミニウム線等のコネクター線で素子上の電極と内部リ
ード先端部全接続し、素子、コネクター線及び内部リー
ドを包含するように樹脂でモールドし、最後に樹脂モー
ルドから露出した外部リードに錫又は錫合金メッキを施
して製造されている。
導体装置を成形するには、これら素材の条材を打抜きあ
るいはエツチングの方法によりり一ドフレームの形状を
形成し、半導体素子の搭載部には縞状又はスポット状に
貴金属メッキ金子め打抜き前又はリードの形成後施し、
このメッキ部の上に半導体素子？ろう付けし、金線、ア
ルミニウム線等のコネクター線で素子上の電極と内部リ
ード先端部全接続し、素子、コネクター線及び内部リー
ドを包含するように樹脂でモールドし、最後に樹脂モー
ルドから露出した外部リードに錫又は錫合金メッキを施
して製造されている。
近年半導体装置の製造工程の技術革新は目ざましく、素
子の接合技術、コネクター線の接合技術等は大きな進歩
を見たが、最後の列部リードのメッキ処理は殆んど進歩
がなく、半導体装置の外部リードになる部分に予め錫又
は錫合金メッキを施した例えば特開昭５１−１１５７７
５号の提案が見られる程度である。このような提案のリ
ードフレーム条材は一般には半導体搭載部の貴金属メッ
キを施す部分をマスキングして条材の外縁に近い部分の
みに錫又は錫合金メッキを施している。
子の接合技術、コネクター線の接合技術等は大きな進歩
を見たが、最後の列部リードのメッキ処理は殆んど進歩
がなく、半導体装置の外部リードになる部分に予め錫又
は錫合金メッキを施した例えば特開昭５１−１１５７７
５号の提案が見られる程度である。このような提案のリ
ードフレーム条材は一般には半導体搭載部の貴金属メッ
キを施す部分をマスキングして条材の外縁に近い部分の
みに錫又は錫合金メッキを施している。
この発明は前述したように外部リード部分て予め錫又は
錫合金メッキを施しておくことにょシ。
錫合金メッキを施しておくことにょシ。
半導体装置の組立時の製品収率を向上させることおよび
プレス打抜き時の金型の磨耗を減少して、生産性を向上
することのできるリードフレーム材を提供するものであ
る。
プレス打抜き時の金型の磨耗を減少して、生産性を向上
することのできるリードフレーム材を提供するものであ
る。
本発明は上述の目的を達成するために１通常のリードフ
レーム材として用いられる鉄 ・ニッケル合金、銅、銅
合金などの帯条の表面全面に錫又は錫・鉛合金をメッキ
又はクラッドにょシ被覆してＩＣ用リードフレーム材と
したものである。
レーム材として用いられる鉄 ・ニッケル合金、銅、銅
合金などの帯条の表面全面に錫又は錫・鉛合金をメッキ
又はクラッドにょシ被覆してＩＣ用リードフレーム材と
したものである。
被覆は電気メッキ、クラッド等で公知の方法を用いて行
うことができる。被覆の厚さは１μｍ以下ではプレス打
抜きのときの金型の磨耗を防ぐための効果が少なく、１
５μｍ以上となっても金型の寿命を延長するための効果
はもはや向上しなり０また通常の半導体装置の外部リー
ドの錫又は錫合金メッキのメッキ厚としても１５μｍま
での厚さで十分である。被覆は全面に均等な厚さであっ
ても良く、また外部リードになる部分を除いて条材の中
央部分のみを薄くしておくと半導体搭載部に貴金属メッ
キを施す場合の、この部分のメッキを剥離するのに容易
である。
うことができる。被覆の厚さは１μｍ以下ではプレス打
抜きのときの金型の磨耗を防ぐための効果が少なく、１
５μｍ以上となっても金型の寿命を延長するための効果
はもはや向上しなり０また通常の半導体装置の外部リー
ドの錫又は錫合金メッキのメッキ厚としても１５μｍま
での厚さで十分である。被覆は全面に均等な厚さであっ
ても良く、また外部リードになる部分を除いて条材の中
央部分のみを薄くしておくと半導体搭載部に貴金属メッ
キを施す場合の、この部分のメッキを剥離するのに容易
である。
本発明のリードフレーム材？プレス打抜きしてリードフ
レームに加工する際、プレスの金型の刃先は最初に比較
約款かい錫又は錫・鉛合金の被＆層に６９１次いで表面
層よｐも硬い下地材に肖るので１表面の軟かい被覆層は
金型の刃先に対し潤滑剤的役割を果して磨耗が減少する
ものと考えられる。また、打抜かれた部分が抜は出る条
材の下面側は下地材のみのときは所謂かえ！ンが生じて
、これによって他の製品に傷をつけるおそれがあるが、
本発明のように軟かい表面被覆の場合にはこのかえシが
発生しないので、他の製品を傷つけるおそれが少くなる
。
レームに加工する際、プレスの金型の刃先は最初に比較
約款かい錫又は錫・鉛合金の被＆層に６９１次いで表面
層よｐも硬い下地材に肖るので１表面の軟かい被覆層は
金型の刃先に対し潤滑剤的役割を果して磨耗が減少する
ものと考えられる。また、打抜かれた部分が抜は出る条
材の下面側は下地材のみのときは所謂かえ！ンが生じて
、これによって他の製品に傷をつけるおそれがあるが、
本発明のように軟かい表面被覆の場合にはこのかえシが
発生しないので、他の製品を傷つけるおそれが少くなる
。
実施例１
１２３．５ ｔａｎ 、厚さ０．２５ｗでｔ］質リン青
銅からなるリードフレーム材にＳｎ ６０ ％ 、 Ｐ
ｂ ４０ ％（７） ５ｎ−ｐｂ金合金被接全電気メッ
キ法により２μ、５μ、１０μの厚さに施し、金型によ
り打抜きを行ったところ、従来被覆を施していない場合
金型の寿命は１００〜１５０万パンチであったものが、
メッキ厚２μの場合金型寿命は３００万パンチ、５μ及
び１０μの場合はいずれも約３５０万パンチであったー 実施例２ 巾２４．６ ｍ ＋厚さ０．２５ｍで材質４２７０イ（
４２％Ｎｉ ＋５８ ％Ｆｓ ）からなるリードフレー
ム材に５ｎ６０％、Ｐｂ４０％のＳｎ −ｐｂ金合金被
覆を電気メツキ法により１０μの厚さに施し、金型によ
り打抜きを行ったところ金型寿命は約３５０万パンチで
あった。又、巾３１．５ｍ、厚さ０．２５＋ｗの４２ア
ロイのリードフレーム材に前記と同様の５ｎ−ｐｂ合金
メッキを７μの厚さに施し打抜き全行ったところ、金型
寿命は約３００万パンチであったＯ 〔効 果〕 本発明に従ってリードフレーム材に錫又は錫・鉛合金を
被覆するとプレス打抜時の金型の磨耗が大巾に減少し、
−研磨当シの生産能力が従来の２〜３倍とな９、また打
抜き時に発生する小さなかえシによる他の製品の傷の発
生が大巾に減少する。
銅からなるリードフレーム材にＳｎ ６０ ％ 、 Ｐ
ｂ ４０ ％（７） ５ｎ−ｐｂ金合金被接全電気メッ
キ法により２μ、５μ、１０μの厚さに施し、金型によ
り打抜きを行ったところ、従来被覆を施していない場合
金型の寿命は１００〜１５０万パンチであったものが、
メッキ厚２μの場合金型寿命は３００万パンチ、５μ及
び１０μの場合はいずれも約３５０万パンチであったー 実施例２ 巾２４．６ ｍ ＋厚さ０．２５ｍで材質４２７０イ（
４２％Ｎｉ ＋５８ ％Ｆｓ ）からなるリードフレー
ム材に５ｎ６０％、Ｐｂ４０％のＳｎ −ｐｂ金合金被
覆を電気メツキ法により１０μの厚さに施し、金型によ
り打抜きを行ったところ金型寿命は約３５０万パンチで
あった。又、巾３１．５ｍ、厚さ０．２５＋ｗの４２ア
ロイのリードフレーム材に前記と同様の５ｎ−ｐｂ合金
メッキを７μの厚さに施し打抜き全行ったところ、金型
寿命は約３００万パンチであったＯ 〔効 果〕 本発明に従ってリードフレーム材に錫又は錫・鉛合金を
被覆するとプレス打抜時の金型の磨耗が大巾に減少し、
−研磨当シの生産能力が従来の２〜３倍とな９、また打
抜き時に発生する小さなかえシによる他の製品の傷の発
生が大巾に減少する。
また半導体装置の組立工程において外装メッキ工程が不
要となり、組立時の製品の収率向上に寄与するところ大
である。
要となり、組立時の製品の収率向上に寄与するところ大
である。
Claims (1)
- 鉄・ニッケル合金、銅および銅合金のうちいずれかの
金属の帯条の表面全面に錫又は錫・鉛合金をメッキ又は
クラッドにより被覆してなるＩＣ用リードフレーム材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22371485A JPS6285453A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22371485A JPS6285453A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6285453A true JPS6285453A (ja) | 1987-04-18 |
Family
ID=16802516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22371485A Pending JPS6285453A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | Ｉｃ用リ−ドフレ−ム材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6285453A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4942455A (en) * | 1986-10-13 | 1990-07-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame for a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device using the lead frame |
| US5198883A (en) * | 1988-08-06 | 1993-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an improved lead arrangement and method for manufacturing the same |
| JPH05291449A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用電極の製造方法 |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP22371485A patent/JPS6285453A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4942455A (en) * | 1986-10-13 | 1990-07-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame for a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device using the lead frame |
| US5026669A (en) * | 1986-10-13 | 1991-06-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of eliminating burrs on a lead frame with a thin metal coating |
| US5198883A (en) * | 1988-08-06 | 1993-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an improved lead arrangement and method for manufacturing the same |
| JPH05291449A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用電極の製造方法 |
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