JPH05291449A - 半導体装置用電極の製造方法 - Google Patents

半導体装置用電極の製造方法

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JPH05291449A
JPH05291449A JP4090493A JP9049392A JPH05291449A JP H05291449 A JPH05291449 A JP H05291449A JP 4090493 A JP4090493 A JP 4090493A JP 9049392 A JP9049392 A JP 9049392A JP H05291449 A JPH05291449 A JP H05291449A
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JP
Japan
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electrode
semiconductor device
shape
state
bent
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Pending
Application number
JP4090493A
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English (en)
Inventor
Yoshio Takagi
義夫 高木
Hideki Tsukamoto
英樹 塚本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH05291449A publication Critical patent/JPH05291449A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電極が曲げ加工後に変形するのを抑えて半田
付け不良を減らし、半導体装置の信頼性を高める。 【構成】 金属板を平板状に形成し、この金属板の表面
に導電性めっきを施した後、前記金属板から電極形成部
分を打ち抜く。その後、半導体装置用外囲ケースに装着
される形状に曲げ加工して電極を形成する。曲げ加工工
程で完成形状に成形された状態で次工程の組込み工程へ
移行される。このため、完成形状に曲げ加工された状態
で電極を組込んで半導体装置を組立てることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、外囲ケースを使用した
半導体装置に使用する電極の製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、外囲ケースを使用した半導体装置
としては、その半導体装置を外部装置に接続する電極が
外囲ケースを貫通して上部に突出するように構成された
ものがある。この種の半導体装置に使用する電極は、全
体に導電性めっきが施されており、上部が外囲ケースの
上面側に延設され、かつ下端部が外囲ケース内において
半導体素子実装用基板に半田付けされていた。
【0003】また、この電極における外囲ケース内に位
置づけられる部位には、熱膨張に起因する伸びを吸収す
るために、その部分を横向きU字状に曲げ加工すること
によって屈曲部が形成されていた。
【0004】この電極を製造するには、先ず、平板状の
銅板から電極形成部分を打ち抜き、次に、その打ち抜か
れた電極材料を、外囲ケースから突出する端子部分,前
記屈曲部,基板側半田付け部等を所定形状に曲げ加工し
て完成形状に成形する。しかる後、完成形状の電極材料
に導電性めっきを施して電極が完成する。ここで、この
電極を製造する手順を図5によって説明する。
【0005】図5は従来の電極の製造方法を示すフロー
チャートである。電極を製造するには、先ず、ステップ
1 において、均一な厚みの銅製平板をロール状に巻い
てなる電極材料を用意する。なお、この銅製平板の厚み
としては、製造しようとする半導体装置の電流容量によ
り多種である。
【0006】次に、ステップP2 において前記電極材料
を完成形状に対応させて打ち抜き加工を行う。この電極
形状も製造しようとする半導体装置によって様々に変わ
る。打ち抜き加工後は、打ち抜かれた電極形成部分をス
テップP3 において完成形状に曲げ加工する。曲げ後の
形状も製造しようとする半導体装置によって様々であ
る。
【0007】このように曲げ加工を施した後、ステップ
4 において電極材料に導電性めっきが施され、ステッ
プP5 にて電極が完成する。なお、前記めっき作業は、
電極材料を個別に治具に吊るした状態で行われる。従来
ではこのようにして電極が製造されていた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上述した製
造方法によって製造された電極を使用した半導体装置で
は、電極の半田付け不良等に起因する故障を生じること
があった。
【0009】これは、電極材料を完成形状に曲げ加工し
た後にめっきを施していたからであり、複雑な形状に加
工された電極はめっき前後の移載時やめっき中に変形さ
れることがあるからである。変形が目視にて確認できる
場合にはめっき工程終了後に手直しすれば修正すること
ができるが、変形量が目視確認できない程度に僅かであ
る場合には、その電極は変形した状態のまま外囲ケース
に組み込まれて基板に半田付けされることになる。
【0010】すなわち、電極がこのように変形した状態
で組み込まれると、基板との接合部等が半田付け不良を
起こしやすくなってしまい、組立後の半導体装置は信頼
性が低くなってしまう。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
用電極の製造方法は、金属板を平板状に形成し、この金
属板の表面に導電性めっきを施した後、前記金属板から
電極形成部分を打ち抜き、半導体装置用外囲ケースに装
着される形状に曲げ加工して電極を形成するものであ
る。
【0012】
【作用】曲げ加工工程で完成形状に成形された状態で次
工程の組込み工程へ移行される。
【0013】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1ないし図4に
よって詳細に説明する。図1は本発明に係る製造方法に
よって製造された電極を採用した半導体装置の平面図、
図2は同じく正面図、図3は図1におけるIII−III線断
面図、図4は本発明に係る半導体装置用電極の製造方法
を示すフローチャートである。
【0014】これらの図において、1はインサートケー
スまたはアウトサートケース(以下、単に外囲ケースと
いう)、2はこの外囲ケース1を貫通するように外囲ケ
ース1に取付けられた電極である。なお、図2中符号1
aはこの半導体装置を外部装置に固定する不図示の取付
ねじが挿通される取付穴を示す。
【0015】前記電極2は、表裏両面に導電性めっきが
施されており、上部3が不図示の外部装置に接続可能な
ように外囲ケース1の上面側に突出され、かつ下部4が
所定形状に折曲げられて後述する絶縁メタライズ基板5
に半田付けされている。また、この電極2における外囲
ケース1内に位置する部分には、熱膨張等に起因する伸
びを吸収するために図3に示すように横向きU字状の屈
曲部6が形成されている。
【0016】絶縁メタライズ基板5は放熱用金属ベース
板7上に設けられ、この絶縁メタライズ基板5上に実装
された半導体素子8と前記電極2とを不図示の配線パタ
ーンを介して電気的に接続するように構成されている。
【0017】前記電極2は銅材からなり、平板状の銅板
から電極形成部分を打ち抜き、その後に所定形状に曲げ
加工して形成されている。ここで、この電極2の製造方
法を図4によって詳細に説明する。
【0018】電極2を製造するには、先ず、ステップS
1 において、均一な厚みの銅製平板からなる電極材料を
用意する。次に、ステップS2 において未加工状態の平
板状電極材料に導電性めっきを施す。このときには、電
極材料の全面がめっきされることになる。
【0019】めっき終了後は、ステップS3 において平
板状の電極材料を完成形状に対応させて打ち抜き加工を
行う。打ち抜かれた電極形成部分は、表裏両面にはめっ
きが施されているが、打ち抜き面(側面)にはめっきは
施されていない状態となる。
【0020】打ち抜き加工後は、打ち抜かれた電極形成
部分をステップS4 において完成形状となるように曲げ
加工する。このように電極2の上部3,下部4,屈曲部
6等を曲げ加工することによって、ステップS5 に示す
よう電極2が完成する。
【0021】したがって、曲げ加工工程S4 で完成形状
に成形された状態で次工程の組込み工程へ移行されるよ
うになる。このため、変形しやすい複雑な形状に形成さ
れた電極であっても、完成形状に成形された後に直ちに
組込み工程へ送ることができるから、完成状態がきわめ
て複雑で寸法公差が比較的小さい電極を高精度に製造す
ることができるようになる。
【0022】また、電極材料は平板状態でめっきが施さ
れる関係から、完成形状によってめっき状態が変化する
ようなことがないので、めっき時の取扱いが簡単にな
る。すなわち、打ち抜き前は全て平板状であるので、異
形状の電極を一つずつめっきする場合に較べて作業が簡
単となり、信頼性の高い半導体装置を得ることができる
ようになる。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
装置用電極の製造方法は、金属板を平板状に形成し、こ
の金属板の表面に導電性めっきを施した後、前記金属板
から電極形成部分を打ち抜き、半導体装置用外囲ケース
に装着される形状に曲げ加工して電極を形成するため、
曲げ加工工程で完成形状に成形された状態で次工程の組
込み工程へ移行される。
【0024】したがって、本発明の電極の製造方法によ
れば、完成形状に曲げ加工された状態で組込みを行うこ
とができるから、電極が変形するのを可及的抑えつつ半
導体装置を組立てることができる。このため、電極半田
付け部が半田付け不良を起こし難くなって信頼性の高い
半導体装置を得ることができるようになる。
【0025】また、電極材料は平板状態でめっきが施さ
れるから、電極の完成形状に係わることなく同一条件で
めっきを行うことができるので、電極を高精度に形成す
ることができるようになる。さらに、電極を成形した後
に一つずつ治具に吊り下げてめっきを行う場合に較べ、
めっき作業を単純化でき、しかも、精度の高いものが得
られるという利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る製造方法によって製造された電極
を採用した半導体装置の平面図である。
【図2】本発明に係る製造方法によって製造された電極
を採用した半導体装置の正面図である。
【図3】図1におけるIII−III線断面図である。
【図4】本発明に係る半導体装置用電極の製造方法を示
すフローチャートである。
【図5】従来の電極の製造方法を示すフローチャートで
ある。
【符号の説明】
1 外囲ケース 2 電極 3 上部 4 下部 5 絶縁メタライズ基板 6 屈曲部 8 半導体素子

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属板を平板状に形成し、この金属板の
    表面に導電性めっきを施した後、前記金属板から電極形
    成部分を打ち抜き、半導体装置用外囲ケースに装着され
    る形状に曲げ加工して電極を形成することを特徴とする
    半導体装置用電極の製造方法。
JP4090493A 1992-04-10 1992-04-10 半導体装置用電極の製造方法 Pending JPH05291449A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014073517A (ja) * 2012-10-04 2014-04-24 Denso Corp 金属片の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6285453A (ja) * 1985-10-09 1987-04-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ic用リ−ドフレ−ム材
JPH0438860A (ja) * 1990-06-04 1992-02-10 Nec Corp 半導体装置用リードフレームの製造方法

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