JPS6347344B2 - - Google Patents
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- JPS6347344B2 JPS6347344B2 JP15821682A JP15821682A JPS6347344B2 JP S6347344 B2 JPS6347344 B2 JP S6347344B2 JP 15821682 A JP15821682 A JP 15821682A JP 15821682 A JP15821682 A JP 15821682A JP S6347344 B2 JPS6347344 B2 JP S6347344B2
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- JP
- Japan
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- strips
- reinforcing
- lead frame
- conductive
- strip
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体用リードフレームにかかり、
特に発光ダイオード用リードフレームにおける寸
法精度の向上を図つたものである。
特に発光ダイオード用リードフレームにおける寸
法精度の向上を図つたものである。
半導体用リードフレームの製作手段は金属板体
を食刻法でパターニングする手法と、プレス加工
で所定パターンを打抜形成する手法とに大別され
るが、近年後者の手法が賞用されている。この半
導体用リードフレームに用いられる材料としては
鉄、鉄−ニツケル合金、銅、銅合金、あるいは叙
上の金属層をクラツドした金属材料等が適用され
ており、その硬度としてはマイクロビツカース硬
度で70〜250Hv程度のものが採用されている。
を食刻法でパターニングする手法と、プレス加工
で所定パターンを打抜形成する手法とに大別され
るが、近年後者の手法が賞用されている。この半
導体用リードフレームに用いられる材料としては
鉄、鉄−ニツケル合金、銅、銅合金、あるいは叙
上の金属層をクラツドした金属材料等が適用され
ており、その硬度としてはマイクロビツカース硬
度で70〜250Hv程度のものが採用されている。
ところで個別半導体装置には多くの型式のリー
ドフレームが用いられているが、このうちの発光
ダイオード（LEDと略称）用リードフレームを
例に説明する。
ドフレームが用いられているが、このうちの発光
ダイオード（LEDと略称）用リードフレームを
例に説明する。
一例のLED用リードフレームを示す第１図に
おいて、１は金属枠で、これに複数の導電性細片
２，２…が植立されてなり、これら細片の端末は
遊端になつているものがある。また、前記金属枠
には量産時におけるインデツクス指標となる透孔
３，３…が所定の間隔で設けられている。さらに
前記導電性細片はこれらを相互に締結する補強細
条４によつて橋絡され、半導体素子の組立時には
２本を対にして使用される。そして、前記対の導
電性細片の一端は第２図に拡大した一部の断面図
で示すように凹部５が設けられ、他方の導電性細
片端が対向配置され、両者間は不連続になつてい
る。換言すれば導電性細片端は遊端になつてい
る。
おいて、１は金属枠で、これに複数の導電性細片
２，２…が植立されてなり、これら細片の端末は
遊端になつているものがある。また、前記金属枠
には量産時におけるインデツクス指標となる透孔
３，３…が所定の間隔で設けられている。さらに
前記導電性細片はこれらを相互に締結する補強細
条４によつて橋絡され、半導体素子の組立時には
２本を対にして使用される。そして、前記対の導
電性細片の一端は第２図に拡大した一部の断面図
で示すように凹部５が設けられ、他方の導電性細
片端が対向配置され、両者間は不連続になつてい
る。換言すれば導電性細片端は遊端になつてい
る。
叙上の如きパターニングを備えたリードフレー
ムはプレス加工で作製されるものも含め、補強細
条４の切断を容易にするために一般にその幅と厚
さとを夫々の比で１：１ないし１：1.5程度に設
計される。そして、プレスによつて打抜き加工を
施すと金属板の中央部に設定される金属枠１の加
工歪による寸法変化に比し端部に設定される補強
細条４は加工度も大きく寸法の変化が大きい。こ
のため、第３図に誇張して示すようにＡ寸法がＣ
寸法よりも長大となつて湾曲Ｂを生ずる。
ムはプレス加工で作製されるものも含め、補強細
条４の切断を容易にするために一般にその幅と厚
さとを夫々の比で１：１ないし１：1.5程度に設
計される。そして、プレスによつて打抜き加工を
施すと金属板の中央部に設定される金属枠１の加
工歪による寸法変化に比し端部に設定される補強
細条４は加工度も大きく寸法の変化が大きい。こ
のため、第３図に誇張して示すようにＡ寸法がＣ
寸法よりも長大となつて湾曲Ｂを生ずる。
叙上の難点を防ぐため前記金属枠１の透孔３，
３…の間に第２図に破線で示す切込み６を形成
し、この金属枠と補強細条との伸びの差を調節す
るようにしていた。なお、上記切込みの形状と設
置位置は発生する伸びによつて適当に設定してよ
い。
３…の間に第２図に破線で示す切込み６を形成
し、この金属枠と補強細条との伸びの差を調節す
るようにしていた。なお、上記切込みの形状と設
置位置は発生する伸びによつて適当に設定してよ
い。
叙上の如く、従来の変形に対する対策は補強細
条４と金属枠１の伸び量を平衡させることでＡ、
Ｃ間の寸法差を低減させる手段に頼つていたが、
実際に規定寸法に対し補強細条側が約0.08〜0.18
mm長大になつていた。また、湾曲も0.05〜0.10mm
程発生していた。このため、後に施される補強細
条４の切断工程で位置ずれに基づく問題が発生
し、また湾曲の発生によつて組立工程における製
品歩留りが低下する要因となつていた。
条４と金属枠１の伸び量を平衡させることでＡ、
Ｃ間の寸法差を低減させる手段に頼つていたが、
実際に規定寸法に対し補強細条側が約0.08〜0.18
mm長大になつていた。また、湾曲も0.05〜0.10mm
程発生していた。このため、後に施される補強細
条４の切断工程で位置ずれに基づく問題が発生
し、また湾曲の発生によつて組立工程における製
品歩留りが低下する要因となつていた。
この発明は叙上の従来の問題点に鑑みてなされ
たもので、特に寸法精度を向上させて組立工程に
おける製品歩留りの向上をはかることを目的とす
る。
たもので、特に寸法精度を向上させて組立工程に
おける製品歩留りの向上をはかることを目的とす
る。
この発明は叙上の導電性細片端を遊端とした半
導体用リードフレームにおける補強細条の伸びを
抑制する手法として１対の導電性細片とこれに橋
絡した補強細条とで画定される隅部に膨出部を形
成したものである。すなわち、金属板体に所定の
パターンをプレスによつて順次打抜き形成するプ
レス工程で、補強細条とこれより遊端側の導電性
細片との交差部内角部（隅部）が形成された直後
に第１の治工具で予めテーパーのある膨出部を形
成しておき、次にプレス打抜き工程で補強細条と
導電性細片を形成して所望のパターンを得る。
導体用リードフレームにおける補強細条の伸びを
抑制する手法として１対の導電性細片とこれに橋
絡した補強細条とで画定される隅部に膨出部を形
成したものである。すなわち、金属板体に所定の
パターンをプレスによつて順次打抜き形成するプ
レス工程で、補強細条とこれより遊端側の導電性
細片との交差部内角部（隅部）が形成された直後
に第１の治工具で予めテーパーのある膨出部を形
成しておき、次にプレス打抜き工程で補強細条と
導電性細片を形成して所望のパターンを得る。
上記工程によつて補強細条は多少伸びるが１組
の導電性細片間の間隔、すなわちピツチを前記テ
ーパーのある膨出部によつて第２の治工具を当接
押圧し矯正を施す。この治工具はテーパーのある
膨出部に見合う形状を備えているが、導電性細片
間の間隔が所定の間隔よりも若干小に形成されて
おり、かつテーパ部の存在によつて充分嵌合され
矯正が達成される。
の導電性細片間の間隔、すなわちピツチを前記テ
ーパーのある膨出部によつて第２の治工具を当接
押圧し矯正を施す。この治工具はテーパーのある
膨出部に見合う形状を備えているが、導電性細片
間の間隔が所定の間隔よりも若干小に形成されて
おり、かつテーパ部の存在によつて充分嵌合され
矯正が達成される。
叙上の位置精度を向上させるにあたつては基準
の位置が必要であるので、１組の導電性細片の遊
端側とこれに橋絡する補強細条とで形成される四
角形の一部にテーパーのある膨出部を形成した
が、これは補強細条を境として導電性細片間のピ
ツチに差がある構造であるからで、ピツチが等し
いものでは導電性細片と補強細条との金属枠側の
交差部にテーパーのある膨出部を形成し、あるい
は前記遊端側の交差部と金属枠側の交差部との両
方に設けてもよい。
の位置が必要であるので、１組の導電性細片の遊
端側とこれに橋絡する補強細条とで形成される四
角形の一部にテーパーのある膨出部を形成した
が、これは補強細条を境として導電性細片間のピ
ツチに差がある構造であるからで、ピツチが等し
いものでは導電性細片と補強細条との金属枠側の
交差部にテーパーのある膨出部を形成し、あるい
は前記遊端側の交差部と金属枠側の交差部との両
方に設けてもよい。
次にこの発明を１実施例につき第４図以降を参
照して詳細に説明する。第４図は一例のLED用
リードフレームをプレス打抜き加工によつて形成
する状態を示し、図の左側はリードフレーム素材
１１に対するプレス加工工程の始めの段階を、中
央部と右側はのちに述べる成形工程を含む終段々
階を夫々示す。すなわち、素材が右へ送られるに
従つて逐次プレス抜きの単位の型が抜かれて導電
性細片１２、補強細条４、金属枠１およびこれに
設けられた透孔３，３等が形成されるが、まず導
電性細片が形成された図のF1域で第５図のよう
な第１成形治工程１３（１３ａ，１３ｂ）の合わ
せ型でプレスを施す。この治工具は導電性細片の
幅よりもやや小さい辺Ｌで例えば断面が８角形の
キヤビテイ１４を備え、導電性細片は第６図に示
すようにプレス後の断面４角形が８角形に成形さ
れ、同時にこれと補強細条との交差部でリードの
遊端側の交差部の隅部に第７図に示すようなテー
パーのある膨出部分１５が形成される。なお、上
記加工によつて補強細条側が加工歪によつて伸び
た分を矯正する第２成形を容易にするとともに位
置精度を向上するための基準位置確守するのに有
効である。ついで第４図のF2域で第８図に示さ
れる第２成形治工具１６（１６ａ，１６ｂ）で成
形する。この治工具は上型１６ａと下型１６ｂと
に導電性細片とこれに設けられたテーパーのある
膨出部とを含む台形の凹みで、１組の導電性細片
１２，１２間を規制するピツチが正規のＰよりも
若干小なるP′に形成されている。これにより加工
歪による伸びが生じている補強細条側に矯正を施
して正規の寸法Ｐにする。
照して詳細に説明する。第４図は一例のLED用
リードフレームをプレス打抜き加工によつて形成
する状態を示し、図の左側はリードフレーム素材
１１に対するプレス加工工程の始めの段階を、中
央部と右側はのちに述べる成形工程を含む終段々
階を夫々示す。すなわち、素材が右へ送られるに
従つて逐次プレス抜きの単位の型が抜かれて導電
性細片１２、補強細条４、金属枠１およびこれに
設けられた透孔３，３等が形成されるが、まず導
電性細片が形成された図のF1域で第５図のよう
な第１成形治工程１３（１３ａ，１３ｂ）の合わ
せ型でプレスを施す。この治工具は導電性細片の
幅よりもやや小さい辺Ｌで例えば断面が８角形の
キヤビテイ１４を備え、導電性細片は第６図に示
すようにプレス後の断面４角形が８角形に成形さ
れ、同時にこれと補強細条との交差部でリードの
遊端側の交差部の隅部に第７図に示すようなテー
パーのある膨出部分１５が形成される。なお、上
記加工によつて補強細条側が加工歪によつて伸び
た分を矯正する第２成形を容易にするとともに位
置精度を向上するための基準位置確守するのに有
効である。ついで第４図のF2域で第８図に示さ
れる第２成形治工具１６（１６ａ，１６ｂ）で成
形する。この治工具は上型１６ａと下型１６ｂと
に導電性細片とこれに設けられたテーパーのある
膨出部とを含む台形の凹みで、１組の導電性細片
１２，１２間を規制するピツチが正規のＰよりも
若干小なるP′に形成されている。これにより加工
歪による伸びが生じている補強細条側に矯正を施
して正規の寸法Ｐにする。
１実施例の加工寸法を第６図における導電性細
片の１辺の長さＧ＝0.30（mm）、主面の落し幅Ｈ＝
0.10（mm）、側面の落し幅Ｉ＝0.10（mm）、第２成形
治工具の上型１６ａと下型１６ｂ間の間隙Ｋ＝
0.04（mm）、凹み間隔Ｊ＝0.5（mm）、凹みにおける
細片の１辺の長さＬ＝Ｇ＝0.30（mm）、θ＝90゜
P′＝699（mm）にて第１１〜１３図によつて示す結
果が得られた。これは正規のピツチＰ＝7.00（mm）
に対しほとんど無視してよい高い精度である。
片の１辺の長さＧ＝0.30（mm）、主面の落し幅Ｈ＝
0.10（mm）、側面の落し幅Ｉ＝0.10（mm）、第２成形
治工具の上型１６ａと下型１６ｂ間の間隙Ｋ＝
0.04（mm）、凹み間隔Ｊ＝0.5（mm）、凹みにおける
細片の１辺の長さＬ＝Ｇ＝0.30（mm）、θ＝90゜
P′＝699（mm）にて第１１〜１３図によつて示す結
果が得られた。これは正規のピツチＰ＝7.00（mm）
に対しほとんど無視してよい高い精度である。
なお、この発明はリードフレームの素材の材質
が高張力材の場合には第１成形を省いてもよいこ
とがある。また、LEDリードフレーム以外のパ
ワートランジスタ、IC、ダイオード等に用いら
れるリードフレームにも応用できることはいうま
でもない。さらに、この発明は導電性細片に対す
る加工を叙上の補強細条に対し反対側に施す第１
０図に例示した如く施しても、あるいは導電性細
片の全長にわたつて施しても、さらには補強細条
にも加工を施してもよい。
が高張力材の場合には第１成形を省いてもよいこ
とがある。また、LEDリードフレーム以外のパ
ワートランジスタ、IC、ダイオード等に用いら
れるリードフレームにも応用できることはいうま
でもない。さらに、この発明は導電性細片に対す
る加工を叙上の補強細条に対し反対側に施す第１
０図に例示した如く施しても、あるいは導電性細
片の全長にわたつて施しても、さらには補強細条
にも加工を施してもよい。
この発明によれば、リードフレームの打抜加工
において補強細条側に加工歪によつて発生する伸
び、湾曲等（第３図におけるＡ、Ｂ、Ｃ寸法の寸
法誤差）が極減し、リードフレームによつて施さ
れるのちの加工、すなわち、ダイボンデイング、
ワイヤボンデイング、樹脂モールド、補強細条切
除等の工程における位置ずれ、工程歩留りの低下
等を生じない顕著な効果がある。上記、伸びや湾
曲等を示す寸法のＡ、Ｂ、Ｃの変化を従来と比較
して第１１図にＢ寸法を、第１２図にＡ寸法を、
また第１３図にＣ寸法を夫々示す。図において、
×は従来、〇は本発明にかかる夫々を示す。
において補強細条側に加工歪によつて発生する伸
び、湾曲等（第３図におけるＡ、Ｂ、Ｃ寸法の寸
法誤差）が極減し、リードフレームによつて施さ
れるのちの加工、すなわち、ダイボンデイング、
ワイヤボンデイング、樹脂モールド、補強細条切
除等の工程における位置ずれ、工程歩留りの低下
等を生じない顕著な効果がある。上記、伸びや湾
曲等を示す寸法のＡ、Ｂ、Ｃの変化を従来と比較
して第１１図にＢ寸法を、第１２図にＡ寸法を、
また第１３図にＣ寸法を夫々示す。図において、
×は従来、〇は本発明にかかる夫々を示す。
また、この発明はプレス工程の途中でプレスに
よりオンマシンにて施せるので実施が容易で工程
の延長とならない利点もある。
よりオンマシンにて施せるので実施が容易で工程
の延長とならない利点もある。
第１図は従来の一例のLED用リードフレーム
の正面図、第２図は第１図の１部を示す正面図、
第３図はリードフレームの寸法変形を説明するた
めのリードフレームの正面図、第４図はリードフ
レームのプレス加工を説明するためのリードフレ
ームの正面図、第５図は１実施例の第１成形治工
具の断面図、第６図は第１成形加工後の導電性細
片の断面図、第７図はリードフレームに対する第
１成形加工を示す正面図、第８図は第２成形治工
具の断面図、第９図はリードフレームに対する第
２成形加工を示す正面図、第１０図は他の実施例
を示すリードフレームの正面図、第１１図ないし
第１３図はいずれも本発明の効果を説明するため
の線図である。 １……金属枠、４……補強細条、１１……リー
ドフレーム素材、１２……導電性細片、１３……
第１成形治工具、１３ａ……第１成形治工具の上
型、１３ｂ……第１成形治工具の下型、１４……
治工具のキヤビテイ、１５……テーパーのある膨
出部、１６……第２成形治工具、１６ａ……第２
成形治工具の上型、１６ｂ……第２成形治工具の
下型、P′……ピツチ。
の正面図、第２図は第１図の１部を示す正面図、
第３図はリードフレームの寸法変形を説明するた
めのリードフレームの正面図、第４図はリードフ
レームのプレス加工を説明するためのリードフレ
ームの正面図、第５図は１実施例の第１成形治工
具の断面図、第６図は第１成形加工後の導電性細
片の断面図、第７図はリードフレームに対する第
１成形加工を示す正面図、第８図は第２成形治工
具の断面図、第９図はリードフレームに対する第
２成形加工を示す正面図、第１０図は他の実施例
を示すリードフレームの正面図、第１１図ないし
第１３図はいずれも本発明の効果を説明するため
の線図である。 １……金属枠、４……補強細条、１１……リー
ドフレーム素材、１２……導電性細片、１３……
第１成形治工具、１３ａ……第１成形治工具の上
型、１３ｂ……第１成形治工具の下型、１４……
治工具のキヤビテイ、１５……テーパーのある膨
出部、１６……第２成形治工具、１６ａ……第２
成形治工具の上型、１６ｂ……第２成形治工具の
下型、P′……ピツチ。
Claims (1)
- １ 金属枠と、これに植立され端末が遊端である
複数の導電性細片と、この各導電性細片と橋絡し
前記金属枠に対向して設けた補強細条とを具備
し、前記導電性細片の所定部分の上、下面にテー
パ部分を形成する第１成形工程と、第１成形後前
記成形テーパ部分を加圧成形する第２成形工程を
具備する金型により前記補強細条のプレス歪によ
る伸びを矯正し、湾曲およびリードフレームピツ
チ伸びの無いことを特徴とする半導体用リードフ
レーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158216A JPS5947780A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 半導体用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158216A JPS5947780A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 半導体用リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5947780A JPS5947780A (ja) | 1984-03-17 |
| JPS6347344B2 true JPS6347344B2 (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=15666813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57158216A Granted JPS5947780A (ja) | 1982-09-13 | 1982-09-13 | 半導体用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5947780A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3685057B2 (ja) * | 1999-12-08 | 2005-08-17 | 日亜化学工業株式会社 | Ｌｅｄランプ及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5313358A (en) * | 1976-07-22 | 1978-02-06 | Toshiba Corp | Manufacture of lead frame |
| JPS53139973A (en) * | 1977-05-13 | 1978-12-06 | Toshiba Corp | Production of lead frame for semiconductor device |
-
1982
- 1982-09-13 JP JP57158216A patent/JPS5947780A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5313358A (en) * | 1976-07-22 | 1978-02-06 | Toshiba Corp | Manufacture of lead frame |
| JPS53139973A (en) * | 1977-05-13 | 1978-12-06 | Toshiba Corp | Production of lead frame for semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5947780A (ja) | 1984-03-17 |
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