JP2979724B2 - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number
JP2979724B2
JP2979724B2 JP14432691A JP14432691A JP2979724B2 JP 2979724 B2 JP2979724 B2 JP 2979724B2 JP 14432691 A JP14432691 A JP 14432691A JP 14432691 A JP14432691 A JP 14432691A JP 2979724 B2 JP2979724 B2 JP 2979724B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
lead frame
lead
semiconductor device
mold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP14432691A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04368138A (ja
Inventor
秀幸 西川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP14432691A priority Critical patent/JP2979724B2/ja
Publication of JPH04368138A publication Critical patent/JPH04368138A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2979724B2 publication Critical patent/JP2979724B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置
よびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置は、図4に
示す工程線図に従って組立てられていた。まず、ステッ
プS1で、図5に示すようなリードフレーム10の素子
搭載部1に半導体素子を搭載し、次にステップS2で素
子とリード2の先端とを金属細線で接続し、その後ステ
ップS4でリードフレーム10を樹脂封止し金型で型締
めし、型内に封止樹脂を注入することにより、素子搭載
部1に搭載された半導体素子,金属細線,内部リードな
どを樹脂封止して製造される。
【0003】この場合、樹脂封止金型の上型と下型に形
成された型の周辺部において、隣り合う複数のリードの
すきまに充填される樹脂は、型の周囲を所定の間隔で取
り囲んで、複数のリードを連結するタイバー3によって
せき止められるようにしているのが一般的である。
【0004】その後、ステップS4aでタイバーを切断
除去し、ステップS5で外部リードに半田めっき等の外
装処理を行い、ステップS6で外部リードを所定の形状
に成形して、半導体装置は完成する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の製造方
法では、樹脂封止後に複数のリードを連結しているタイ
バー3を切断除去しなければならない。このタイバー3
は通常、金型により切断除去されているが、半導体装置
の形状が異なるごとに、専用の金型を製作しなければな
らず、多大の費用がかかるという問題がある。
【0006】また、外部リードのピッチが小さくなるに
つれて、金型の製造は難しくなり、種々の問題が生じて
きた。例えば、外部リード2のピッチが0.4mmで、
その幅が0.2mmの場合には、切断刃の先端の厚さを
最大でも0.4−0.2=0.2mmにしかならない。
このように細い切断刃はかすづまり等の負荷により刃先
が容易に破損してしまうため、保守に手間がかかるとい
う問題がある。
【0007】また、金型によりタイバーを切断除去する
ときのリードフレーム10の位置合せは、通常リードフ
レームに設けられている位置決め穴に、金型に設けられ
ている位置決めピンを挿入することによってなされる
が、リードフレームおよび金型の製作時の誤差により多
少の位置ずれを生じる。外部リードピッチが小さい半導
体装置の場合には、たとえわずかの位置ずれであって
も、切断パンチがリードにくいこんでしまい、歩留りを
低下させてしまうという問題がある。
【0008】本発明の目的は、これらの問題を解決し、
タイバーの切断除去を不要とし、安定したリード形状が
得られると共に、品質向上も図られる樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、隣り合
う複数のリードのすきまのうち外部リードの根元に位置
する部分に樹脂などの絶縁物を設けてタイバーを除去し
たリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置におい
て、前記外部リードの前記絶縁物を設けた端部にはその
外部リードの側面絶縁物固定用に突起が形成され、この
突起により前記絶縁物が固定されることを特徴とする。
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の構成
は、タイバーを設けないリードフレームの隣り合う複数
のリードのすきまのうち外部リードの根元に位置する外
部リード側面の絶縁物固定用突起と接する部分に樹脂な
どの絶縁物を形成する工程と、前記リードフレームを樹
脂封止金型で型締めし樹脂封止する工程と、前記リード
フレームを切断して前記外部リードを所定形状に成形す
る工程とを有することを特徴とする。
【0010】
【実施例】図1は本発明に関連する技術を説明するリー
ドフレームの部分平面図、図2はこの関連技術を説明す
る工程線図である。
【0011】本関連技術においては、図2に示す工程線
図に従い、まずステップS1でリードフレーム10の素
子搭載部1に半導体素子を搭載し、次にステップS2で
素子とリードの先端とを金属細線で接続した後に、ステ
ップS3で隣り合う複数のリード2のすきまに樹脂4を
形成し(図1(b))、ステップS4で樹脂封止金型で
型締めし、型内に封止樹脂を注入することにより樹脂封
止し、その後ステップS5で外部リードに半田めっき等
の外装処理を行い、ステップS6で外部リードを所定の
形状に成形することにより、半導体装置を製造する。
【0012】本関連技術では、図1(a)に示すタイバ
ーのないリードフレーム10を用いる。隣り合う複数の
リードのすきまに樹脂を形成するには、図1(a)のリ
ードフレーム10の隣り合う複数のリード2のすきまに
液状の熱硬化性樹脂を滴下し、熱硬化させればよい。形
成する樹脂の大きさと一は、図1(b)の通りである。
【0013】すなわち、図1(b)では、リード2の幅
が0.2mm,隣り合う複数のリード2のすきまが0.
2mmであり、樹脂4は樹脂封止される部分の外縁をま
たぐように形成されており、この樹脂4の幅は0.2m
m,長さは約0.5mmあれば十分である。
【0014】次にこのリードフレームを樹脂封止金型で
型締めし、型内に封止樹脂を注入することにより、樹脂
封止するのであるが、隣り合う複数のリード2のすきま
にすべてに形成されている樹脂4によって、封止樹脂は
せき止められる。
【0015】図3は本発明の一実施例を説明するリード
フレームの部分平面図である。本実施例では、図1の場
合と同様、タイバーのないリードフレーム10を用い、
図2に示す工程線図に従って、半導体装置を製造する
が、図3(a)に示すようにリード2に突起6が設けら
れているリードフレーム10を使用している。
【0016】図3は本発明の第2実施例を説明するリー
ドフレームの部分平面図である。本実施例では、第1の
実施例と同様、タイバーのないリードフレーム10を用
い、図2に示す工程線図に従って、半導体装置を製造す
るが、図3(a)に示すようにリード2に突起6が設け
られているリードフレーム10を使用している。
【0017】このようなリードフレーム10を用いる
と、図3(b)に示すように、隣り合う複数のリード2
のすきまに形成された樹脂4が突起6によりしっかりと
固定されるので、樹脂封止時に封止樹脂の圧力により、
樹脂4が移動することがなく、封止樹脂を安定して行う
ことができるという利点がある。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、タイバー
のないリードフレームを用い、リードフレームを樹脂封
止する前に、タイバーのないリードフレームの隣り合う
複数のリードのすきまに樹脂を設けることにより、従来
半導体装置の形状が異なるごとに製作する必要があった
高価なタイバー切断除去用プレス金型を不要にすること
ができるという効果がある。また、従来では、リード間
ピッチが小さくなるにつれて、タイバー切断ずれによる
不良が増加する傾向にあったが、本発明では、タイバー
切断ずれによる不良を完全になくすことができ、安定し
たリード形状を得ることができ、また、タイバー切断除
去時にプレスにより生ずる衝撃が全くなくなり、半導体
装置の品質向上が図られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の関連技術を説明するリードフレーム部
分の部分平面図。
【図2】図1の製造工程を説明する工程線図。
【図3】本発明の一実施例を説明するリードフレームの
部分平面図。
【図4】従来の半導体製造方法を説明する工程線図。
【図5】図4を説明するためのリードフレームの部分平
面図。
【符号の説明】
1 素子搭載部 2 リード 3 タイバー 4 樹脂 5 樹脂封止される部分の外縁 6 突起 10 リードフレーム

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 隣り合う複数のリードのすきまのうち外
    部リードの根元に位置する部分に樹脂などの絶縁物を設
    けてタイバーを除去したリードフレームを用いた樹脂封
    止型半導体装置において、前記外部リードの前記絶縁物
    を設けた端部にはその外部リードの側面に絶縁物固定用
    突起が形成され、この突起により前記絶縁物が固定され
    ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項2】 タイバーを設けないリードフレームの隣
    り合う複数のリードのすきまのうち外部リードの根元に
    位置する外部リード側面の絶縁物固定用突起と接する部
    分に樹脂などの絶縁物を形成する工程と、前記リードフ
    レームを樹脂封止金型で型締めし樹脂封止する工程と、
    前記リードフレームを切断して前記外部リードを所定形
    状に成形する工程とを有することを特徴とする樹脂封止
    型半導体装置の製造方法。
JP14432691A 1991-06-17 1991-06-17 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 Expired - Lifetime JP2979724B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14432691A JP2979724B2 (ja) 1991-06-17 1991-06-17 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14432691A JP2979724B2 (ja) 1991-06-17 1991-06-17 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04368138A JPH04368138A (ja) 1992-12-21
JP2979724B2 true JP2979724B2 (ja) 1999-11-15

Family

ID=15359507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14432691A Expired - Lifetime JP2979724B2 (ja) 1991-06-17 1991-06-17 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2979724B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04368138A (ja) 1992-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20020020929A1 (en) Semiconductor device and a method of manufacturing the same
EP3440697B1 (en) Flat no-leads package with improved contact leads
JP7010737B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2979724B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPS58215061A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US6303983B1 (en) Apparatus for manufacturing resin-encapsulated semiconductor devices
JP2712957B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH05226569A (ja) 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
KR0145647B1 (ko) 수지 봉지 반도체 장치의 제조방법
JP2648353B2 (ja) リードフレームの製造方法
JP2630686B2 (ja) 電子部品製造用フレーム、およびこれを用いた電子部品製造方法、ならびにこの製造方法により製造された電子部品
JPH0555282A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
KR970000966B1 (ko) 집적회로 패키지의 몰딩방법 및 그 장치
JP2535358B2 (ja) 電子部品におけるモ―ルド部の製造方法
JP2603814B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR200168394Y1 (ko) 반도체 패키지의 리드 프레임
JP3127104B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の封止用金型およびこれを用いた製造方法
JPH0563937B2 (ja)
JPH05206347A (ja) 半導体装置及びその製造方法及び半導体装置用リードフレーム
JP2737356B2 (ja) リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2714002B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
KR200331874Y1 (ko) 반도체의다핀형태패키지
JPS6366956A (ja) 半導体装置
JPH0274063A (ja) 半導体装置製造リード・フレーム
JPH04364766A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990817