JPS58215061A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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JPS58215061A
JPS58215061A JP57097678A JP9767882A JPS58215061A JP S58215061 A JPS58215061 A JP S58215061A JP 57097678 A JP57097678 A JP 57097678A JP 9767882 A JP9767882 A JP 9767882A JP S58215061 A JPS58215061 A JP S58215061A
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Keizo Matsukawa
松川 敬三
Akira Suzuki
明 鈴木
Takeshi Shimizu
猛 清水
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田畑 克弘
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は外部リードを折曲形成してなる半導体装置Sよ
びその製造方法に関するものである。
一般にプーアルインライン型を始めとする多くの半導体
装置は、樹脂やセラミック等からなるパッケージ本体か
ら突出される外部リードを所定の方向に揃うよう沈析曲
加工している。この場合、加工上の理由からセラミック
をパッケージ本体とする半導体装置では予め外部リード
を折曲した上でパッケージへの組付けを行なっているが
、樹脂パッケージではパッケージの組付は後洗外部リー
ドを折曲するようにしているうこのため1.従来では、
第1図に示すように、平板から形成したリードフレーム
1をパンケージ本体2の周囲、つまり外部リード3の根
本部でクランパ4によっ℃上下から挾持し、その上で外
部リード3の先端側乞押し型或いはローラ5により所定
の方向に折曲する方法が採用されている。
しかしながら、近年における半導体素子ペレットのサイ
ズの増大に伴なうパッケージ本体のサイズの増大から、
外部リード30対向間隔寸法β1はこの寸法を保持しな
げればならないため、必然的に外部リード3の根本の水
平寸法p、を小さくせざるを得なくなってきた。これに
より前述したクランパ4にて外部11−ドを挾持する余
裕がなくなってクランパを使用する前述方法でのリード
折曲ができにくくなる。このため、外部11−ド根本を
クランパしないで折曲することが考えられる。
しかし、これでは外部リードに加える曲げ力がパッケー
ジ本体2の側面に集中し、パッケージ本体にクラックを
生じたりリードとパッケージとの間に隙間が生じたりし
て外観上や耐湿性等の点において不利が生ずる一方、外
部リードの折曲箇所が一定しなくなりリード間隔の前記
寸法β1を安定して得る二とができないという問題もあ
る。
したがって本発明の目的は、パッケージ本体のクラック
や隙間を生じることなく外部リードの折曲を容易にかつ
所望の箇所に行なうことができ。
さらに折曲後における外部リードの折曲部の強度を向上
することができる半導体装置およびその製造方法を提供
することにある。
このような目的を達成するために、本発明は外部リード
の折曲箇所の肉を低減した易変形部を設けるようにして
いる。さらに、本発明は折曲形成後に易変形部に補強材
を一体に付着してその強度を向上させるようにしている
う 以下、本発明を図示の実施例忙より説明する。
第2図は本発明による半導体装置の要部を示し、特に樹
脂封止のプーアルインライン型の半導体装置の例を示し
ている。図において−10は金属薄板を打抜き等して形
成したリードフレームであり、その略中央に形成したタ
ブ11上に半導体素子ペレット12を固着した上で複数
水のり−ド13の各内部リード(インナリード)14と
前記ペレット12の電極パッドとをワイヤ1′5に℃接
続し、かつこれらをレジン16にて封止することにより
パッケージ本体17を構成している。また、18は前記
内部リード14に続く外部リードであり、前記パッケー
ジ本体17の側面に水平方向に突設されると共に、この
側面の近傍部位において板厚方向罠折曲されて各先端部
を略下方に向けるよう忙している。そして、この外部リ
ード18をよ、一点鎖線IK沿った断面を第3図に拡大
断面図で合わせて示すように、外部リード18の前述し
1こ折曲箇所のリード幅中央に方形の穴19を形成し、
この穴19内に半田20を充填した構成になっている。
即ち、前記穴19は外部1j−ド18の肉を幅方向に低
減させて折曲箇所におけるリードの曲げ強度な低下させ
たもので、これにより易変形部として外部11−ドを折
曲箇所から曲げ易くする。一方、半田20は補強材とし
て用いられ、前記穴19内罠充填されてリードと一体化
されることにより折曲箇所のリード肉を復旧させ或いは
肉厚の増大を図って折曲箇所の強度を高めることができ
る。
前記した半導体装置は次のような方法によって製造され
る。
先ス、第4図(Nのように、リードフレーム10の形成
と同時に外部リード18の折曲(相当)箇所21のリー
ド幅中央に穴19を形成し、11−ド幅の実質的な寸法
(即ち、リードの幅方向の肉)を低減する。しかる上で
、同図(B)のようにパッケージ時程により完成された
パッケージ本体17を固定した状態で外部リード18の
先端側にローラ5等を当接してこれを下方に押圧すれば
、外部リード18には曲げ力が作用し、外部リード18
は穴19を形成した箇所、換言すれば易変形部(折曲箇
所)21から容易に折曲される。次に折曲した外部リー
ド18を半田浴内に浸漬すると、外部11−ドの表面は
半田コートされて後工程に′36ける実装が容易なもの
にされると共に、半田は前記穴19内に入り込み表面張
力によって穴19内に充填されr U−ドの一部20と
して構成゛される。これにより前述した半導体装置が製
造されることになる。
したがって、以上説明した半導体装置およびその型造方
法によれば、外部九人19を形成して折曲を行なうので
、クランパ等を使用しなくとも外部リード18を所望の
箇所において折曲でさ、しかもこのとき曲げ力が外部リ
ード18の根本部に作用することが少なくなりパッケー
ジ本体17のクラックやリードとの間の隙間が発生する
ことは殆んどない。一方、折曲後においては、穴19内
への半田20の充填により、折曲箇所21は少なくとも
穴形成前の強度には復旧されることになり、外力に対す
るリード強度を保って折曲箇所21からのリードの折損
等を防止することができる。
第5図は不発明の他の実施例を示すもので、同図(A)
 、 (B) 、 tc)に同発明方法と装置を合わせ
て示している。本実施例は外部リード18に形成する易
変形部21Aをリード幅方向の両側に形成したU字状の
切欠き22.22にて形成し、これらの切欠き22.2
2にて1)−ド幅を実質的に低減してリードの折曲を容
易なものにしている。また、折曲後忙おける補強に際し
ても各切欠き22内に半田20を充填し、これKより外
部リード18の強度の向上を図って折損等の事故を防止
している。
したがって、本実施例においても前記実施例と同様な効
果を得ることが゛できる。
第6図は更に他の実施例を示し、同図tAl 、 (1
3) 。
(Qに方法と装置を示している。本実施例では、外部リ
ード18に、形成する易変形部21Bをリード18の裏
面(下面)に11−ド幅方向にわたって形成した開溝2
3にて構成し、これによりリード折曲箇所のリード肉厚
を低減して折曲し易い構造としている。また、折曲後に
おいては開溝23内に半田20を充填することにより、
リードの肉厚を復旧ないし増大させ、折曲箇所のリード
強度の増大を図っている。
本実施例においても前記各実施例と同様の効果を奏する
ことができるが、本例では更に易変形部21Bとしての
開溝23を外部11−ド18の裏面に形成しているため
に半導体装置の表面側:(は開溝23や半田20が露呈
することはな(、外観の向上に有効となる。
なお、本例の製造沈際しては、第7図(A) 、 (B
)に示すように、折曲箇所21Bのリード両側部18a
を幅方向に突設した上で幅方向の両端を残した溝(凹部
)24をリードの2裏面に形成し、このリード(フレー
ム)を用いてパッケージ(レジン封止)を行なった後に
前記両側部18aを切断させるようにしてもよい。この
場合、両側部18aの切断は図外のダムの切断と同時に
行なえばよい。また、切断後における折曲、半田充填の
工程は前例と全く同様である。更に前記切断は折曲と同
時であってもよい。
このようにすれば、パッケージ時には、前記溝24は外
部リード18の側面に開放していないので、パッケージ
用の上下モールド型にて外部リードを挾んだときには溝
24は下モールド型との間で完全に閉塞状態とされ、し
たがってバクケージ用のレジンフラッシェが溝24内面
に付着して半田の充填を阻害するような不具合を防止で
きる。
更に、第8図(A) 、 (B) 、 (C)に示すよ
うに、外部リード18の易変形部21Cに形成する溝(
凹部)25をリードの裏側でかつリード幅方向の両側を
除いた中央部分にのみ形成するようKしてもよい。
このようにすれば、前例のようにパッケージ時に溝(凹
部)25をモールド型との間で閉塞できるので溝25内
面へのレジンの付着を防止できるのはもとより、リード
の折曲、半田充填により形成された半導体装置の上方、
側方の両方からも溝や半田が露呈されることはなく、外
観を一層向上することができる。
ここで、前記各実施例は樹脂を用し・たパッケージに適
用した例であるがセラミックパッケージにも適用するこ
とができる。また、デュアルインライン型のリードに限
らず他の型式のリードにも同様に適用することができる
以上のように本発明の半導体装置およびその製造方法に
よれば、折曲する外部リードの折曲箇所にリード肉を低
減して易変形部を形成した上で、この易変形部に補強材
を付着して強度を高めるよう罠しているので、パッケー
ジ本体にクラックや隙間を生じることがないと共に外部
リードの折曲を容易にかつ所望の箇所に行なうことがで
き、しかも折曲後における外部リードの強度の向上を図
ることかできるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来におけるリード折曲方法を示す側面図、 第2図は本発明の半導体装置の要部の破断斜視図、 第3図は第2図のillll線断大断面図4図FA)〜
(C>は本発明方法を説明するために工程類に示した斜
視図、 第5図(N〜(C)と第6図(N〜(qは夫々異なる実
施例における第4図(A)〜(qと同様の図、第7図囚
、(B)は第6図の変形例の工程斜視図、第8図(A)
〜(C)は更に他の実施例の工程斜視図と同図囚のC−
C線拡大断面図である。 10・・・リードフレーム、12・・・ペレット、13
・・・リード、17・・パッケージ本体、18・・・外
部リード、18a・・両側部、19・:穴、20 ・半
田、21.21A〜C・・・易変形部、22・・・切欠
き、23・・・開τ背、24.25・・・溝。 代理人 弁理士  薄 1)利 幸 (4) 第 (A) 2ノ/3 5図 (E)   (C) 第  □ ■ 銅 8 (、」) 0°) 、、、。 7図 89 (B)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、パッケージ本体から突設されてなる外部リードを折
    曲形成してなる半導体装置において、前記外部リードの
    折曲箇所Dリード肉を低減して易変形部を設けたことを
    特徴とする半導体装置。 2、易変形部はリードの折曲箇所に穴またはリード幅方
    向の切欠きを設けて実質的リード幅寸法を低減し又なる
    特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。 3、易変形部は+1−ドの折曲箇所に11−ド幅方向の
    溝を板厚方向罠形成してなる特許請求の範囲第1項記載
    の半導体装置。 4、パッケージ本体から突設されてなる外部リードを折
    曲形成してなる半導体装置におい℃、前記外部リードの
    折曲箇所のリード肉を低減して易変形部を設けかつこの
    易変形部に半田等の補強材を一体的に付着したことを特
    徴とする半導体装置。 5、パッケージ工程の後でパッケージ本体から突設した
    外部リードを、折曲形成する半導体装置の製造方法にお
    いて、前記外部リードの折曲箇所にリードの肉を低減し
    た易変形部を設げ、この易変形部において外部リードを
    折曲した後に半田等の補強材を前記易変形部に付着して
    前記低減された肉を復旧−ないし増大したことを特徴と
    する半導体装置の製造方法。 6、 リードの折曲箇所に易変形部として穴またはリー
    ド幅方向の切欠きを設げ、折曲後にこの穴または切欠き
    内に半田を充填させてなる特許請求の範囲第5項記載の
    半導体装置の製造方法。 7、 リードの折曲箇所に易変形部としてリード幅方向
    の溝を板厚方向に形成し、折曲後にこの溝内に半田を充
    填させ℃なる特許請求の範囲第5項記載の半導体装置の
    製造方法。 8、溝はリード幅の両側を除いた中央部分に形成した特
    許請求の範囲第7項記載の半導体装置の製造方法。 9、リード折曲箇所のリード幅方向両側を幅方向に突設
    した上でこの両側部を除いた中央部に溝を形成し、パッ
    ケージ本体の後にこの両側部を切除してなる特許請求の
    範囲第7項または第8項記載の半導体の製造方法。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61266711A (ja) * 1985-05-21 1986-11-26 Kensetsu Kogaku Kk フトン篭工法
JPS6217152U (ja) * 1985-07-17 1987-02-02
JPS6243159A (ja) * 1985-08-21 1987-02-25 Yamada Seisakusho:Kk 半導体装置
US4987474A (en) * 1987-09-18 1991-01-22 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH09283684A (ja) * 1996-04-09 1997-10-31 Omron Corp 電子部品およびその製造方法
EP1684345A2 (en) 2005-01-21 2006-07-26 Stanley Electric Co., Ltd. Surface mount semiconductor device
JP2006228661A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Anzen Dengu Kk 温度ヒューズ
JP2015090960A (ja) * 2013-11-07 2015-05-11 株式会社デンソー 半導体パッケージ
JP2015153946A (ja) * 2014-02-17 2015-08-24 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2018116987A (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 株式会社豊田自動織機 半導体モジュール
CN110797269A (zh) * 2019-11-07 2020-02-14 温州胜泰智能科技有限公司 一种集成芯片封装方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5390868A (en) * 1977-01-21 1978-08-10 Hitachi Ltd Semiconductor device of glass ceramic package type

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5390868A (en) * 1977-01-21 1978-08-10 Hitachi Ltd Semiconductor device of glass ceramic package type

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61266711A (ja) * 1985-05-21 1986-11-26 Kensetsu Kogaku Kk フトン篭工法
JPS6217152U (ja) * 1985-07-17 1987-02-02
JPS6243159A (ja) * 1985-08-21 1987-02-25 Yamada Seisakusho:Kk 半導体装置
US4987474A (en) * 1987-09-18 1991-01-22 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH09283684A (ja) * 1996-04-09 1997-10-31 Omron Corp 電子部品およびその製造方法
US7595549B2 (en) 2005-01-21 2009-09-29 Stanley Electric Co., Ltd. Surface mount semiconductor device
EP1684345A2 (en) 2005-01-21 2006-07-26 Stanley Electric Co., Ltd. Surface mount semiconductor device
EP1684345A3 (en) * 2005-01-21 2008-04-02 Stanley Electric Co., Ltd. Surface mount semiconductor device
JP2006228661A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Anzen Dengu Kk 温度ヒューズ
JP2015090960A (ja) * 2013-11-07 2015-05-11 株式会社デンソー 半導体パッケージ
JP2015153946A (ja) * 2014-02-17 2015-08-24 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2018116987A (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 株式会社豊田自動織機 半導体モジュール
CN110797269A (zh) * 2019-11-07 2020-02-14 温州胜泰智能科技有限公司 一种集成芯片封装方法

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