JPS6243159A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6243159A JPS6243159A JP60183342A JP18334285A JPS6243159A JP S6243159 A JPS6243159 A JP S6243159A JP 60183342 A JP60183342 A JP 60183342A JP 18334285 A JP18334285 A JP 18334285A JP S6243159 A JPS6243159 A JP S6243159A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead pin
- bent
- pin
- bending
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、リードピンの折り曲げにおけるマイクロク
ランクの発生を防止した半導体装置に関する。
ランクの発生を防止した半導体装置に関する。
（従来の技術）
半導体の成形工程では、パンゲージ封止後にリートピン
の曲げ加工が行われている。
の曲げ加工が行われている。
また、近年、半導体装置の高密度化薄型化の要請が高ま
っている。そのためパンケージ４と折り曲げたリードピ
ン２との間隔Ｅを狭く形成している（第１３図参脇）。
っている。そのためパンケージ４と折り曲げたリードピ
ン２との間隔Ｅを狭く形成している（第１３図参脇）。
そして、この加工ではり一ドピンの折り曲げ金型の下型
を薄く形成したものを用いたり、また下型を用いずにパ
ンケージのリードピンの延出するエッヂ部（下パッケー
ジ）を下型として用いる方法もある。
を薄く形成したものを用いたり、また下型を用いずにパ
ンケージのリードピンの延出するエッヂ部（下パッケー
ジ）を下型として用いる方法もある。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、パッケージと折り曲げたリードピンとの
間隔が狭い場合には次のような欠点がある。
間隔が狭い場合には次のような欠点がある。
第１３図に示すよう、リードピン２の上面側が延ばされ
て板厚が薄くなる。この板厚が薄くなる部分の範囲Ｌ（
変形部分）は、パッケージ４に封止されたリートピン２
０部分まで達しパッケージ４とリートピン２に？１１離
（マイクロクラック）を生ずる。
て板厚が薄くなる。この板厚が薄くなる部分の範囲Ｌ（
変形部分）は、パッケージ４に封止されたリートピン２
０部分まで達しパッケージ４とリートピン２に？１１離
（マイクロクラック）を生ずる。
このクラック部分は、外観」−見た目も恋＜、また半導
体装置の動作時に、非動作時の温度の上昇、降下の差が
大きいため空気中の水分が結露し、特にクラック部分は
幅狭で水分が溜り易く茎発しにくい。したがって、リン
青釘司様にｔｌメッキを施したリードの使用にあっては
、クラック部分で電気分解が生し、銀イオンの析出が増
大しついには隣接するリードピン間をショートさせ、半
導体装置を不良とする弊害があった。
体装置の動作時に、非動作時の温度の上昇、降下の差が
大きいため空気中の水分が結露し、特にクラック部分は
幅狭で水分が溜り易く茎発しにくい。したがって、リン
青釘司様にｔｌメッキを施したリードの使用にあっては
、クラック部分で電気分解が生し、銀イオンの析出が増
大しついには隣接するリードピン間をショートさせ、半
導体装置を不良とする弊害があった。
そこで、この発明は上記事情に鑑がみてなされるもので
あり、マイクロクラックを発生することなく、リードピ
ンを折り曲げるのみで容易に形成ずろことができる半導
体装置を提供することを目的とする。
あり、マイクロクラックを発生することなく、リードピ
ンを折り曲げるのみで容易に形成ずろことができる半導
体装置を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
この発明に係る半導体装置は上記問題点を一掃ず乙ため
に次の構成を備えてなる。
に次の構成を備えてなる。
゛（７導体パッケージ１４から延出するリードピン１２
のＪ、Ｆｉ ＋ｕ＋部分を他のリードピン１２部分に比
較し、て肉薄とし、この肉薄とした折曲部分を折曲した
ことを特徴とする。
のＪ、Ｆｉ ＋ｕ＋部分を他のリードピン１２部分に比
較し、て肉薄とし、この肉薄とした折曲部分を折曲した
ことを特徴とする。
（実施例）
以下、この発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
・：第１実施例〕
第１図で、全体符号１０は半導体装置を示す。
１２はリードピンであり、パッケージ１４から延出ソ垂
角に折り曲げられている。そして、リードピン１２の折
曲部分Ｉｌｌの内側うこ切欠き１６が設けられている。
角に折り曲げられている。そして、リードピン１２の折
曲部分Ｉｌｌの内側うこ切欠き１６が設けられている。
第２図は、リートピン１２を折曲加工する前の状態を示
ず。リートピン１２の折曲位置Ｍ（一点鎖線で図示）を
中心にＺＶ字状の切欠き１６が形成されている。また、
この切欠き１６はほぼ垂直に切り欠かれている。
ず。リートピン１２の折曲位置Ｍ（一点鎖線で図示）を
中心にＺＶ字状の切欠き１６が形成されている。また、
この切欠き１６はほぼ垂直に切り欠かれている。
したがって、リードピン１２を折曲部ＥＭを中心に下方
へ折り曲げると、切欠器１６の対向面１６ａ、１６ａが
接近した状態となる。また、折曲部分１２ａの肉厚ａは
、Ｉノードピン１２の肉厚Ａより薄く（ａ ＜ Ａ）形
成されているため、リートピン１２の折り曲げの際の変
形範囲ａは、切欠き１６を設けない場合の変形範囲りに
比較して狭く （Ｎ＜Ｌ）なる。したがって、リードピ
ン１２の変形範囲がリードピン１２が封止されたパッケ
ージ１４の延出縁まで達していない。
へ折り曲げると、切欠器１６の対向面１６ａ、１６ａが
接近した状態となる。また、折曲部分１２ａの肉厚ａは
、Ｉノードピン１２の肉厚Ａより薄く（ａ ＜ Ａ）形
成されているため、リートピン１２の折り曲げの際の変
形範囲ａは、切欠き１６を設けない場合の変形範囲りに
比較して狭く （Ｎ＜Ｌ）なる。したがって、リードピ
ン１２の変形範囲がリードピン１２が封止されたパッケ
ージ１４の延出縁まで達していない。
この実施例は以−トのように形成される。次に加工工程
について述べる。
について述べる。
まず、パッケージ１４の封止を行う。続いて、リードピ
ン１２の折曲位置Ｍの折曲方向の面に切欠き１６を形成
する。そして、リードピン１２に下型を用いずに下方に
力を加えて、折げ加工を行・）。
ン１２の折曲位置Ｍの折曲方向の面に切欠き１６を形成
する。そして、リードピン１２に下型を用いずに下方に
力を加えて、折げ加工を行・）。
また、上記実施例において、パッケージ１４側面とリー
ドピン１２の間隔Ｔを零に近づけたとし°こも、リート
ピン１２の内側面１２ｂの延長線より右側に変形範囲で
か位置するため（第１図参照）マイクロクラックが発生
しない。
ドピン１２の間隔Ｔを零に近づけたとし°こも、リート
ピン１２の内側面１２ｂの延長線より右側に変形範囲で
か位置するため（第１図参照）マイクロクラックが発生
しない。
さらに、上記実施例は各種の半導体装置用い得る。例え
ば、第３図は裏面実装形デュアルインラインパッケージ
、第４図は表面実装形りオービタ”−７，・トバノケー
ジ、第５図は表面実装正逆Ｌフォームベ、ケージ、第６
図および第７図表面実装形、Ｊフオームパッケージを示
す。
ば、第３図は裏面実装形デュアルインラインパッケージ
、第４図は表面実装形りオービタ”−７，・トバノケー
ジ、第５図は表面実装正逆Ｌフォームベ、ケージ、第６
図および第７図表面実装形、Ｊフオームパッケージを示
す。
〔第２実施例）
次に、第８図及び第９図を参照しつつ、第２実施例につ
いて述べる。
いて述べる。
全体符号２０は半導体装置を示す。パッケージ２４から
リードピン２２が延出している。そして、リードピン２
２の反折り曲げ方向のＦ面２２ｃの折曲位置ＭにｔＪ字
状切欠き２６が設けられている（第９図参照）。
リードピン２２が延出している。そして、リードピン２
２の反折り曲げ方向のＦ面２２ｃの折曲位置ＭにｔＪ字
状切欠き２６が設けられている（第９図参照）。
そして、第８図に示すように、リードピン２２を折り曲
げると、折曲位置Ｍを中心に切欠き２６がほぼ垂直に開
かれる。また、リートピン２２の変形範囲は、リートピ
ン２２下側の切欠き２６部分のみである。
げると、折曲位置Ｍを中心に切欠き２６がほぼ垂直に開
かれる。また、リートピン２２の変形範囲は、リートピ
ン２２下側の切欠き２６部分のみである。
また、第１０図は切欠き２６がリートピン２２の折げ方
向の上面２２Ｃの折曲位置ＭでＶ字状に形成された状態
を示す。また、切欠き２６の切り欠き角度はほぼ直角で
ある。そして、第１１図はり一トピン２２を折り曲げた
伏、聾を示す。
向の上面２２Ｃの折曲位置ＭでＶ字状に形成された状態
を示す。また、切欠き２６の切り欠き角度はほぼ直角で
ある。そして、第１１図はり一トピン２２を折り曲げた
伏、聾を示す。
したがって、第２実施例ではリードピン２２の折曲加工
の変形範囲が狭いため、マイクロクラックが発生しない
他、第１実施例と同様の作用・効果を奏する。
の変形範囲が狭いため、マイクロクラックが発生しない
他、第１実施例と同様の作用・効果を奏する。
〔第３実施例〕
第１２図は第３実施例を示す。
この実施例は、半導体装置３０のバ、ケージ３４から延
出するリードピン３２の幅方向の肉厚を薄くするため両
側面に切欠き３６が設けられている（−側面のみでもよ
い）。そして、リードピン３２を折り曲げると、リード
ピン３２の折曲部分３２ａの幅が狭いため、変形範囲が
小さくマイクロクランクが発生しない。
出するリードピン３２の幅方向の肉厚を薄くするため両
側面に切欠き３６が設けられている（−側面のみでもよ
い）。そして、リードピン３２を折り曲げると、リード
ピン３２の折曲部分３２ａの幅が狭いため、変形範囲が
小さくマイクロクランクが発生しない。
（発明の効果）
以上、この発明の実施例について説明してきたが、この
発明は以下のような著効を奏する。
発明は以下のような著効を奏する。
■半導体パ、ケージとリードピンとの間隙を狭く形成す
ることができ、半導体装置の小型化を図ることができる
。
ることができ、半導体装置の小型化を図ることができる
。
■リートピンの厚みをコイニング加工で薄くしているが
、曲げ加工は折曲部分で加工硬化を起こすので、実装す
るのに必要な強度が得られる。
、曲げ加工は折曲部分で加工硬化を起こすので、実装す
るのに必要な強度が得られる。
■折曲部分が肉薄に形成されているため、曲げ加工の力
が小さくてもよい。
が小さくてもよい。
■曲げ位置と切欠きの中心が一致しているので、容易に
曲げ加工ができるとともに、上型のみでも所定の曲げ形
状を得ることができる。
曲げ加工ができるとともに、上型のみでも所定の曲げ形
状を得ることができる。
以上、この発明について好適な実施例を挙げて種々説明
してきたが、この発明が上述した実施例に限定されるも
のでないことはいうまでもなく、発明の精神を逸脱しな
い範囲内で多くの改変を施しうろことはもちろんである
。
してきたが、この発明が上述した実施例に限定されるも
のでないことはいうまでもなく、発明の精神を逸脱しな
い範囲内で多くの改変を施しうろことはもちろんである
。
第１図および第２図は第１実施例の半導体装置の要部部
分断面図、第３図（ａ）、 （ｂ）、第４図（ａ）、
（ｂ）、第５図（ａ）、 （ｂ）、第６図（ａ）
、 （ｂ）はそれぞれ半導体装置の正面図および底面
図、第７図はトフォームパソケージの四方からリードピ
ンが延出する半導体装置の底面図、第８図〜第１１図は
第２実施例の半導体装置の要部部分断面図、第１２図は
第３実施例の半導体装置の部分平面図、第１３図は従来
の半導体装置の部分断面図である。 １０．２０．３０・・・半導体装置、 １２．２２．３２・・・リードピン、 １４．２４．３４・・・パ・２ケージ、１６．２６．３
６・・・切欠き。 第 １ 図 ユＱ 第 ２ 図 星 （ｂ） 二 （ＬＬｌ （ｂ’″“°１
３．５） （ａ） 第 ｌＯ図 第 １１ ズ
分断面図、第３図（ａ）、 （ｂ）、第４図（ａ）、
（ｂ）、第５図（ａ）、 （ｂ）、第６図（ａ）
、 （ｂ）はそれぞれ半導体装置の正面図および底面
図、第７図はトフォームパソケージの四方からリードピ
ンが延出する半導体装置の底面図、第８図〜第１１図は
第２実施例の半導体装置の要部部分断面図、第１２図は
第３実施例の半導体装置の部分平面図、第１３図は従来
の半導体装置の部分断面図である。 １０．２０．３０・・・半導体装置、 １２．２２．３２・・・リードピン、 １４．２４．３４・・・パ・２ケージ、１６．２６．３
６・・・切欠き。 第 １ 図 ユＱ 第 ２ 図 星 （ｂ） 二 （ＬＬｌ （ｂ’″“°１
３．５） （ａ） 第 ｌＯ図 第 １１ ズ
Claims (1)
- １、半導体パッケージから延出するリードピンの折曲部
分を他の部分に比較し肉薄に形成したことを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60183342A JPS6243159A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60183342A JPS6243159A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6243159A true JPS6243159A (ja) | 1987-02-25 |
Family
ID=16134045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60183342A Pending JPS6243159A (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6243159A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7229152B2 (en) | 2003-10-31 | 2007-06-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device with insulating feature |
| JP2014166369A (ja) * | 2014-03-14 | 2014-09-11 | Daito Giken:Kk | 遊技台 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53112272U (ja) * | 1977-02-10 | 1978-09-07 | ||
| JPS58215061A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS59103454U (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-12 | 松下電工株式会社 | 電子部品のｄｉｌ端子 |
-
1985
- 1985-08-21 JP JP60183342A patent/JPS6243159A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53112272U (ja) * | 1977-02-10 | 1978-09-07 | ||
| JPS58215061A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS59103454U (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-12 | 松下電工株式会社 | 電子部品のｄｉｌ端子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7229152B2 (en) | 2003-10-31 | 2007-06-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device with insulating feature |
| WO2005044573A3 (en) * | 2003-10-31 | 2008-01-24 | Hewlett Packard Development Co | Fluid ejection device with insulating feature |
| JP2014166369A (ja) * | 2014-03-14 | 2014-09-11 | Daito Giken:Kk | 遊技台 |
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