JPH0427148A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH0427148A JPH0427148A JP2132271A JP13227190A JPH0427148A JP H0427148 A JPH0427148 A JP H0427148A JP 2132271 A JP2132271 A JP 2132271A JP 13227190 A JP13227190 A JP 13227190A JP H0427148 A JPH0427148 A JP H0427148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- semiconductor device
- lead frame
- outer lead
- showing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 18
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 241000272168 Laridae Species 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
半導体装置用リードフレームの構造に関する。
[従来の技術]
半導体装置1は基板9実装方法によってリード挿入型と
表面実装置型に大別でき、表面実装型半導体装置には第
4図に示すごと((a)ガルウィング (、b ) J
リード (c)ドツトリード 等のリード形状がある。
表面実装置型に大別でき、表面実装型半導体装置には第
4図に示すごと((a)ガルウィング (、b ) J
リード (c)ドツトリード 等のリード形状がある。
特にガルウィングは他に比べ、I)基板9実装時のはん
だ付は性が良い。
だ付は性が良い。
11)はんだ付は後の検査がし易い。+n ) + )
++ )のことからリードピッチを縮小できる。iv
)はんだ付は前後の温度変化による半導体装置の膨張
。
++ )のことからリードピッチを縮小できる。iv
)はんだ付は前後の温度変化による半導体装置の膨張
。
収縮に対する応力吸収構造になっている等の利点から表
面実装型半導体装置のリード形状の主流になってきてい
る。
面実装型半導体装置のリード形状の主流になってきてい
る。
ここでガルウィングの加工順序の概要を第5図を用いて
説明する。但、し、便宜上リード数本しか示さないもの
とし、樹脂封止の半導体装置を例にとるものとする。ま
ず、半導体チップ12表面に形成された電極パッドとり
一ド5を導電性細線13にて接続後、ダムバー8の内側
までプラスチック等樹脂にて封止する(以下封止部を本
体15と称スる。またリード5の本体15より外側部分
をアウターリード3αと称する。第5図(α))。
説明する。但、し、便宜上リード数本しか示さないもの
とし、樹脂封止の半導体装置を例にとるものとする。ま
ず、半導体チップ12表面に形成された電極パッドとり
一ド5を導電性細線13にて接続後、ダムバー8の内側
までプラスチック等樹脂にて封止する(以下封止部を本
体15と称スる。またリード5の本体15より外側部分
をアウターリード3αと称する。第5図(α))。
次に、ダムバー8を切断しく第5図(b))、アウタ−
リード3α表面にはんだめっき7を施こしく第5図(C
))、半導体装置1をリードフレーム枠部11より切り
離しく以下個片切断と称する。第5図(d))、アウタ
ーリード3αを所定の形状に成型加工し半導体装置1の
形状が完成する(第5図(C))。
リード3α表面にはんだめっき7を施こしく第5図(C
))、半導体装置1をリードフレーム枠部11より切り
離しく以下個片切断と称する。第5図(d))、アウタ
ーリード3αを所定の形状に成型加工し半導体装置1の
形状が完成する(第5図(C))。
アウターリード60表面にはんだめっき7を施こすのは
、リードフレーム2材の42A11oyあるいは鋼材は
フラックス等無でじかにはんだ10をつけるのが困難な
ためで、めっき時の取扱い性やアウターリード5α変形
防止等の理由から半導体装置1個片切断前に行われるの
が一般的である。(はんだめっき7の他にアウターリー
ド6αを溶融はんだに浸漬するはんだデイツプ法もある
が、隣接アウターリード5aとブリッジしやすい他、厚
みの管理が難かしくアウタ−リード5a成形加工精度が
落ちるため、表面実装型半導体装置の場合一般的ではな
い。) 半導体装置1をリードフレーム枠部11より個片切断す
る場合、各アウターリード5αの基板9実装時はんだ付
は部分(以下、リード平担部3bと称する)の基板9実
装面に対する高さ方向ばらつき(以下コブラナリ、ティ
と称する)を小さくするために、第5図(−)のように
バリ6が上を向くように切断するのが一般的である。コ
プラナリティは、ますます多ビン化する表面実装型半導
体装置の最重要管理項目の1つである。
、リードフレーム2材の42A11oyあるいは鋼材は
フラックス等無でじかにはんだ10をつけるのが困難な
ためで、めっき時の取扱い性やアウターリード5α変形
防止等の理由から半導体装置1個片切断前に行われるの
が一般的である。(はんだめっき7の他にアウターリー
ド6αを溶融はんだに浸漬するはんだデイツプ法もある
が、隣接アウターリード5aとブリッジしやすい他、厚
みの管理が難かしくアウタ−リード5a成形加工精度が
落ちるため、表面実装型半導体装置の場合一般的ではな
い。) 半導体装置1をリードフレーム枠部11より個片切断す
る場合、各アウターリード5αの基板9実装時はんだ付
は部分(以下、リード平担部3bと称する)の基板9実
装面に対する高さ方向ばらつき(以下コブラナリ、ティ
と称する)を小さくするために、第5図(−)のように
バリ6が上を向くように切断するのが一般的である。コ
プラナリティは、ますます多ビン化する表面実装型半導
体装置の最重要管理項目の1つである。
[発明が解決しようとする課題]
第6図は、ガルウィングを基板9にはんだ付けした状態
を示す斜視図で、リード平担部5b先端部をA@面部を
B5曲げ後方部をCで示すものとする。
を示す斜視図で、リード平担部5b先端部をA@面部を
B5曲げ後方部をCで示すものとする。
A部は前述のように、個片切断部であるためはんだめつ
き7が施こされておらず、また下面に切断時のだれがあ
るため、従来より基板9特装時はんだ10が付きづらい
部分とされており、はんだ付は強度は主にB、0部の接
合力で得られていたしかし半導体装置1の多ピン化及び
アウターリード6αピツチの縮小化のなかで、B部平面
面積が確保できなくなってきており、その分を接合面積
確保の意味で余裕のあるA部で補わな(てはならなくな
ってきている。また、はんだ付は外観検査において、ア
ウターリード6αピツチの縮小化のなかでA部が最も識
別しやすい箇所であり、A部への確実なはんだ付け′は
、外観検査の自動化を行ううえでも重要な課題となって
いる。その他として、半導体チップ12が高集積化し処
理速度が高速化しそれにともなう発熱に対し半導体装置
1の放熱性向上の要求がある。その手段の1つとして、
従来第7図(α)のように半導体チップ12表面が上向
きになるよう基板9実装されていたものを、第7図(b
)のように半導体チップ12表面を下向きにし、裏面の
半導体チップ搭載部を厚くし放熱性基板14として用い
る場合がでてきたこの場合のアウターリード3α成形加
工は、リードフレーム2形状の制約、加工装置の制約等
から、前述した第5図(d)の個片切断後半導体装置1
を上下逆さにしてアウターリード5αを成型するのが一
般的である(以下この方法を逆面げと称する)。この場
合、リード平担部5bA部は固片切断時のバリ6が下向
きにでるためコプラナリティが大きくなり基板9実装時
のはんだ付は性が悪くなるという問題が生じる。
き7が施こされておらず、また下面に切断時のだれがあ
るため、従来より基板9特装時はんだ10が付きづらい
部分とされており、はんだ付は強度は主にB、0部の接
合力で得られていたしかし半導体装置1の多ピン化及び
アウターリード6αピツチの縮小化のなかで、B部平面
面積が確保できなくなってきており、その分を接合面積
確保の意味で余裕のあるA部で補わな(てはならなくな
ってきている。また、はんだ付は外観検査において、ア
ウターリード6αピツチの縮小化のなかでA部が最も識
別しやすい箇所であり、A部への確実なはんだ付け′は
、外観検査の自動化を行ううえでも重要な課題となって
いる。その他として、半導体チップ12が高集積化し処
理速度が高速化しそれにともなう発熱に対し半導体装置
1の放熱性向上の要求がある。その手段の1つとして、
従来第7図(α)のように半導体チップ12表面が上向
きになるよう基板9実装されていたものを、第7図(b
)のように半導体チップ12表面を下向きにし、裏面の
半導体チップ搭載部を厚くし放熱性基板14として用い
る場合がでてきたこの場合のアウターリード3α成形加
工は、リードフレーム2形状の制約、加工装置の制約等
から、前述した第5図(d)の個片切断後半導体装置1
を上下逆さにしてアウターリード5αを成型するのが一
般的である(以下この方法を逆面げと称する)。この場
合、リード平担部5bA部は固片切断時のバリ6が下向
きにでるためコプラナリティが大きくなり基板9実装時
のはんだ付は性が悪くなるという問題が生じる。
そこで本発明はこのような課題を解決しようとするもの
で、その目的とするところは、・高品質で信頼性の優れ
た基板実装が可能になるとともに、基板実装の自動化及
び基板実装後の外観検査の自動化が可能になる半導体装
置用リードフレームを提供するところにある。
で、その目的とするところは、・高品質で信頼性の優れ
た基板実装が可能になるとともに、基板実装の自動化及
び基板実装後の外観検査の自動化が可能になる半導体装
置用リードフレームを提供するところにある。
[課題を解決するための手段]
本発明の半導体装置用リードフレームは、少な(とも半
導体チップ搭載部の周囲に配された複数リードと、前記
リードの中間に位置し、前記複数リードをつなぐダムバ
ーと、前記複数リードの外周部を保持する枠部をもつ半
導体装置用リードフレームにおいて、前記リードの半導
体装置の前記半導体装置用リードフレームからの切り離
し箇所の表面あるいは裏面に溝あるいは窪を設けたこと
を特徴とすす [実施例コ 第1図(α)は、本実施例を示す半導体装置用リードフ
レーム2のアウタ−リード3α部分を示す側面図。第1
図(h)は、前記リードフレーム2にはんだめっき7を
施こしたところを示す側面図。第1図(c)は前記はん
だめっき7後アウターリード3αをガルウィングに成形
加工したところを示す側面図、第1図(d)は、前記ガ
ルウィングを基板9にはんだ付けしたところを示す側面
図である。本実施例によれば、エツチングで製造される
半導体装置用リードフレーム2の全アウターリード3α
の半導体装置1固片切断箇所の裏面に、ハーフエツチン
グにより断面U字状の溝4を設けたものである。
導体チップ搭載部の周囲に配された複数リードと、前記
リードの中間に位置し、前記複数リードをつなぐダムバ
ーと、前記複数リードの外周部を保持する枠部をもつ半
導体装置用リードフレームにおいて、前記リードの半導
体装置の前記半導体装置用リードフレームからの切り離
し箇所の表面あるいは裏面に溝あるいは窪を設けたこと
を特徴とすす [実施例コ 第1図(α)は、本実施例を示す半導体装置用リードフ
レーム2のアウタ−リード3α部分を示す側面図。第1
図(h)は、前記リードフレーム2にはんだめっき7を
施こしたところを示す側面図。第1図(c)は前記はん
だめっき7後アウターリード3αをガルウィングに成形
加工したところを示す側面図、第1図(d)は、前記ガ
ルウィングを基板9にはんだ付けしたところを示す側面
図である。本実施例によれば、エツチングで製造される
半導体装置用リードフレーム2の全アウターリード3α
の半導体装置1固片切断箇所の裏面に、ハーフエツチン
グにより断面U字状の溝4を設けたものである。
固片切断箇所は、半導体装置本体15のアウターリード
6α付は根部から、ねらいのアウターリード形状の展開
長さ分離れたところにある。溝4の部分は、はんだめり
き7が施されているため、固片切断後のリード先端部3
bにもしつかりは人だ10がつくので、はんだ付は強度
が低下することない。
6α付は根部から、ねらいのアウターリード形状の展開
長さ分離れたところにある。溝4の部分は、はんだめり
き7が施されているため、固片切断後のリード先端部3
bにもしつかりは人だ10がつくので、はんだ付は強度
が低下することない。
第2図(α)は、他の実施例を示す半導体装置用リード
フレーム2のアウタ−リード5a部分を示す側面図で、
第2図Cb)はその平面図であるこれは、エツチングで
製造される半導体装置用リードフレーム2に、前述した
実施例と同等の箇所に、ハーフエツチングにより窪5を
設けたもので、窪5の部分は、はんだめりき7が施され
ているため、前述した実施例と同等の効果が得られる第
3図(α)は、さらに他の実施例を示す半導体装置用リ
ードフレーム2のアウタ−リード6α部分を示す側面図
で、第3図(b)は、はんだめっき7後面片切断直後の
アウタ−リード5α先端部を示す側面図、第5図(c)
は、固片切断後半導体装置1を逆面げしたところを示す
側面図、第6図Cd)は逆面げした半導体装置9を基板
9にはんだ付けしたところを示す側面図である。これは
、エツチングで製造される半導体装置用リードフレーム
2の全アウターリード5αの半導体装置1固片切断箇所
の表面に、ハーフエツチングにより断面U字状の溝4を
設けたものである。これによれば、前述の実施例と同様
のはんだ付は強度が得られる他、固片切断の際に生じる
バリ6が溝4の内側にできることになるため、逆面げし
ても通常の曲げと同じコプラナリティを得ることができ
る。
フレーム2のアウタ−リード5a部分を示す側面図で、
第2図Cb)はその平面図であるこれは、エツチングで
製造される半導体装置用リードフレーム2に、前述した
実施例と同等の箇所に、ハーフエツチングにより窪5を
設けたもので、窪5の部分は、はんだめりき7が施され
ているため、前述した実施例と同等の効果が得られる第
3図(α)は、さらに他の実施例を示す半導体装置用リ
ードフレーム2のアウタ−リード6α部分を示す側面図
で、第3図(b)は、はんだめっき7後面片切断直後の
アウタ−リード5α先端部を示す側面図、第5図(c)
は、固片切断後半導体装置1を逆面げしたところを示す
側面図、第6図Cd)は逆面げした半導体装置9を基板
9にはんだ付けしたところを示す側面図である。これは
、エツチングで製造される半導体装置用リードフレーム
2の全アウターリード5αの半導体装置1固片切断箇所
の表面に、ハーフエツチングにより断面U字状の溝4を
設けたものである。これによれば、前述の実施例と同様
のはんだ付は強度が得られる他、固片切断の際に生じる
バリ6が溝4の内側にできることになるため、逆面げし
ても通常の曲げと同じコプラナリティを得ることができ
る。
以上実施例としてエツチングリードフレーム2について
述べたが、プレスリードフレームについてもVノツチ等
を設けることによって同等の効果を得ることができる。
述べたが、プレスリードフレームについてもVノツチ等
を設けることによって同等の効果を得ることができる。
溝4あるいは窪5の断面形状はU字状にかぎらず、■字
状、凹状、半円状等であってもかまわない。但し、溝4
あるいは窪5の効果としては、深さは半導体装置用リー
ドフレーム2の厚さの2分の1以上はあったほうがよい
。
状、凹状、半円状等であってもかまわない。但し、溝4
あるいは窪5の効果としては、深さは半導体装置用リー
ドフレーム2の厚さの2分の1以上はあったほうがよい
。
[発明の効果コ
以上の説明からもわかるように、本発明のように、半導
体装置用リードフレームのアウターリードの半導体装置
固片切断箇所の表面あるいは裏面に溝あるいは窪を設け
ることによって、1、 固片切断されるアウターリード
先端部にもはんだめっきが施されるため、基板実装時に
IJ −ド平担部に確実なはんだ付けが行なえ、十分な
はんだ付は強度が得られる。
体装置用リードフレームのアウターリードの半導体装置
固片切断箇所の表面あるいは裏面に溝あるいは窪を設け
ることによって、1、 固片切断されるアウターリード
先端部にもはんだめっきが施されるため、基板実装時に
IJ −ド平担部に確実なはんだ付けが行なえ、十分な
はんだ付は強度が得られる。
2、基板実装時、確実なはんだ付けが行えるため、はん
だ付は外観検査の自動化を行なえるようになる。
だ付は外観検査の自動化を行なえるようになる。
3 逆面げの場合、固片切断時のパリが溝あるいは窪の
内側におさまるため、正常の曲げと同等のフプラナリテ
ィが得られる。
内側におさまるため、正常の曲げと同等のフプラナリテ
ィが得られる。
さらには、
4、 半導体装置固片切断時の負荷が少な(なるため、
固片切断用パンチの寿命を長(することができる。
固片切断用パンチの寿命を長(することができる。
等の効果が得ることができる。
第1図(α)〜(d)は本発明の実施例を示す図で、第
1図(cL)はアウターリード部分を示す側面図、第1
図Cb)はリードフレームにはんだめbきを施こしたこ
とを示す側面図、第1図(C)は、アウターリードを成
形加工したところを示す側面図、第1図(d)はアウタ
ーリードを基板にはんだ付けしたところを示す側面図。 第2図(α)〜・(b)は本発明の他の実施例を示す図
で、第2図(α)は、アウターリード部分を示す側面図
、第2図Cb)は、アウターリード部分を示す平面図。 第6図(−)〜(d)は本発明のさらに他の実施例を示
す図で、第6図(α)は、アウターリード部分を示す側
面図、第6図(b)は、固片切断直後のアウターリード
先端部を示す側面図、第6図(c)は、アクタ−リード
を逆曲げに成形加工したところを示す側面図、第5図(
d)は、アウターリードを基板にはんだ付けしたところ
を示す側面図。 第4図(α)〜(c)は、表面実装型半導体装置のアウ
ターリード形状を示す図で、第4図(α)は、ガルウィ
ングを示す側面図、第4図Cb)はJリードを示す側面
図、第4図(C)は、バットリードを示す側面図。 第5図(a)〜(e)は、アウターリードを成形加工す
る際の手順を示す図で、第5図(α)は半導体チップ等
の封止直後を示す斜視図、第5図Cb)は、タイバー切
断直後を示す斜視図、第5図(C)は、はんだめっき直
後を示す斜視図、第5図(d)は、固片切断直後を示す
斜視図、第5図(−)は、アウターリード成形直後を示
す斜視図。 第6図は、基板にアウターリードをはんだ付けしたとこ
ろを示す斜視図。 第7図(−)〜Cb)は、半導体装置の構造を示す図で
、第7図(α)は、通常曲げ方向を示す断面図、第7図
(b)は、逆曲げ方向を示す、放熱板付き半導体装置の
断面を示す断面図。 1−・・・・・・・半導体装置 2・・・・・・・・・半導体装置用リードフレーム5−
−−・−・・−リード 6α・・・・・・アウターリード 5h、・・・・・リード平担部 4−・・・・・−溝 5・・・・・・・・・窪 6−−・・・・パ リ アー・・・・・・はんだめっき 一8=・−・・・・ダムバー 8α・・・・・・タムバー切断部 9・・・・・・−・基 板 10・・・・・・・・・はんだ 11・・・・・・・・・半導体装置用リードフレーム枠
部12・・・・・・・・・半導体チップ 15・・・・・・・・・導電性細線 14・・・・・・・・、放熱性基板 15・・・・・・・・・本 体 A・・・・・・・・・リード平担部先端部のはんだ付は
状態 11−・・・・・−・リード平担部側面部のはんだ付は
状C−・・ −・ ・・・ リ ド平担部曲げ後方部のはんだ付 は状態 以 上
1図(cL)はアウターリード部分を示す側面図、第1
図Cb)はリードフレームにはんだめbきを施こしたこ
とを示す側面図、第1図(C)は、アウターリードを成
形加工したところを示す側面図、第1図(d)はアウタ
ーリードを基板にはんだ付けしたところを示す側面図。 第2図(α)〜・(b)は本発明の他の実施例を示す図
で、第2図(α)は、アウターリード部分を示す側面図
、第2図Cb)は、アウターリード部分を示す平面図。 第6図(−)〜(d)は本発明のさらに他の実施例を示
す図で、第6図(α)は、アウターリード部分を示す側
面図、第6図(b)は、固片切断直後のアウターリード
先端部を示す側面図、第6図(c)は、アクタ−リード
を逆曲げに成形加工したところを示す側面図、第5図(
d)は、アウターリードを基板にはんだ付けしたところ
を示す側面図。 第4図(α)〜(c)は、表面実装型半導体装置のアウ
ターリード形状を示す図で、第4図(α)は、ガルウィ
ングを示す側面図、第4図Cb)はJリードを示す側面
図、第4図(C)は、バットリードを示す側面図。 第5図(a)〜(e)は、アウターリードを成形加工す
る際の手順を示す図で、第5図(α)は半導体チップ等
の封止直後を示す斜視図、第5図Cb)は、タイバー切
断直後を示す斜視図、第5図(C)は、はんだめっき直
後を示す斜視図、第5図(d)は、固片切断直後を示す
斜視図、第5図(−)は、アウターリード成形直後を示
す斜視図。 第6図は、基板にアウターリードをはんだ付けしたとこ
ろを示す斜視図。 第7図(−)〜Cb)は、半導体装置の構造を示す図で
、第7図(α)は、通常曲げ方向を示す断面図、第7図
(b)は、逆曲げ方向を示す、放熱板付き半導体装置の
断面を示す断面図。 1−・・・・・・・半導体装置 2・・・・・・・・・半導体装置用リードフレーム5−
−−・−・・−リード 6α・・・・・・アウターリード 5h、・・・・・リード平担部 4−・・・・・−溝 5・・・・・・・・・窪 6−−・・・・パ リ アー・・・・・・はんだめっき 一8=・−・・・・ダムバー 8α・・・・・・タムバー切断部 9・・・・・・−・基 板 10・・・・・・・・・はんだ 11・・・・・・・・・半導体装置用リードフレーム枠
部12・・・・・・・・・半導体チップ 15・・・・・・・・・導電性細線 14・・・・・・・・、放熱性基板 15・・・・・・・・・本 体 A・・・・・・・・・リード平担部先端部のはんだ付は
状態 11−・・・・・−・リード平担部側面部のはんだ付は
状C−・・ −・ ・・・ リ ド平担部曲げ後方部のはんだ付 は状態 以 上
Claims (1)
- 少なくとも半導体チップ搭載部の周囲に配された複数
リードと、前記リードの中間に位置し前記複数リードを
つなぐダムバーと、前記複数リードの外周部を保持する
枠部をもつ半導体装置用リードフレーム、において、前
記リードの半導体装置の前記半導体装置用リードフレー
ムからの切り離し箇所の表面あるいは裏面に溝あるいは
窪を設けたことを特徴とする半導体装置用リードフレー
ム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2132271A JPH0427148A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2132271A JPH0427148A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0427148A true JPH0427148A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15077378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2132271A Pending JPH0427148A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0427148A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04134852A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム |
JP2006351846A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US7195953B2 (en) | 2003-04-02 | 2007-03-27 | Yamaha Corporation | Method of manufacturing a semiconductor package using a lead frame having through holes or hollows therein |
US7397112B2 (en) | 2004-12-24 | 2008-07-08 | Yamaha Corporation | Semiconductor package and lead frame therefor |
EP2852002A1 (en) * | 2013-09-20 | 2015-03-25 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Electric part soldered onto printed circuit board |
-
1990
- 1990-05-22 JP JP2132271A patent/JPH0427148A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04134852A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム |
US7195953B2 (en) | 2003-04-02 | 2007-03-27 | Yamaha Corporation | Method of manufacturing a semiconductor package using a lead frame having through holes or hollows therein |
US7397112B2 (en) | 2004-12-24 | 2008-07-08 | Yamaha Corporation | Semiconductor package and lead frame therefor |
JP2006351846A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
EP2852002A1 (en) * | 2013-09-20 | 2015-03-25 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Electric part soldered onto printed circuit board |
US9668347B2 (en) | 2013-09-20 | 2017-05-30 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Electric part soldered onto printed circuit board |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3971435B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP3572628B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US6650020B2 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
KR19990031914A (ko) | 칩 스케일 패키지 | |
JPH0427148A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JP2936769B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JPS61141165A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
JPS61170053A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
JPH05315517A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0311607A (ja) | 電子装置のリード取り付け構造 | |
JPH01120856A (ja) | リードフレーム | |
JPH06232317A (ja) | 多端子電子部品とその製造方法 | |
JP2565115B2 (ja) | 集積回路パッケージ | |
JPS62198143A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
JPS622560A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH04171854A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JPH01119045A (ja) | リードフレーム | |
JP2005093616A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH06334090A (ja) | 樹脂封止型半導体装置のリード構造およびその製造方法 | |
JPS62169354A (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
JP2616571B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH04276648A (ja) | 電子部品製造用フレーム、およびこれを用いた電子部品製造方法、ならびにこの製造方法により製造された電子部品 | |
JPH03290937A (ja) | バンプ付き金属リード及びその製造方法 | |
JPS6024047A (ja) | ダイオ−ド | |
JPS6347272B2 (ja) |