JPS61141165A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS61141165A JPS61141165A JP26401084A JP26401084A JPS61141165A JP S61141165 A JPS61141165 A JP S61141165A JP 26401084 A JP26401084 A JP 26401084A JP 26401084 A JP26401084 A JP 26401084A JP S61141165 A JPS61141165 A JP S61141165A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- leads
- bending
- lead
- semiconductor device
- holes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［Ｒ明の技術分野］
この発明は、例えば樹脂封止型光半導体装置等のキャス
ティングタイプの半導体ＩＡ＠に使用される半導体装置
用リードフレームに関する。
ティングタイプの半導体ＩＡ＠に使用される半導体装置
用リードフレームに関する。
［発明の技術的背景］
一般に、キャスティングタイプの光半導体表示装置にお
いては、リードフレームはエポキシ等で形成された樹脂
外囲器にて支持されている。このため、特に、外部リー
ドに外力が加わると、その付根周辺の樹脂外囲器にひび
割れ等の不良が生じる。したがって、例えばＤＩＰ（Ｄ
ｕａｌＩｎ −ｌ ｉｎｅ Ｐ ａｃｋａｇｅ ）タ
イプの樹脂封止型半導体装置の製造にあたっては、第３
図に示すように、同一平板面から打抜き加工により形成
されたリードフレーム１１を、その外部リード１２ａ、
１２ｂ、・・・とポンディングパッド１３ａ、１３ｂ、
・・・との間の内部リード１４８゜１４ｂ、・・・に沿
りた折曲げ線ＡおよびＡ′より折曲げ、第４因に示すよ
うに、予め所定の型に成形したリードフレーム１１を用
いて組立てを行なっている。
いては、リードフレームはエポキシ等で形成された樹脂
外囲器にて支持されている。このため、特に、外部リー
ドに外力が加わると、その付根周辺の樹脂外囲器にひび
割れ等の不良が生じる。したがって、例えばＤＩＰ（Ｄ
ｕａｌＩｎ −ｌ ｉｎｅ Ｐ ａｃｋａｇｅ ）タ
イプの樹脂封止型半導体装置の製造にあたっては、第３
図に示すように、同一平板面から打抜き加工により形成
されたリードフレーム１１を、その外部リード１２ａ、
１２ｂ、・・・とポンディングパッド１３ａ、１３ｂ、
・・・との間の内部リード１４８゜１４ｂ、・・・に沿
りた折曲げ線ＡおよびＡ′より折曲げ、第４因に示すよ
うに、予め所定の型に成形したリードフレーム１１を用
いて組立てを行なっている。
この場合、上記リードフレーム１１の折曲げ加工には、
例えばベンディングデバイス或いは自動ベンディングマ
シーンを用いて各リードに外部応力を加え、所定の角度
に折曲げている。
例えばベンディングデバイス或いは自動ベンディングマ
シーンを用いて各リードに外部応力を加え、所定の角度
に折曲げている。
［背景技術の問題点］
しかしながら、上記第３図で示したようなフラットなリ
ードフレーム１１では、例えばリード折曲げ加工を行な
う際に、その折曲げ強さが不足していたり、また各リー
ドに対する折曲げ強さのバランスが不均等であったりす
ると、第５図（Ａ）乃至（Ｃ）で示すような、外部リー
ド１２ａ、１２ｂ、・・・の開き過ぎ１曲げ過ぎおよび
ポンディングパッド１３ａ、１３ｂ、・・・の浮き沈み
等を招いてしまう。このため、後のワイヤボンディング
工程における自動ワイヤホンダへの適応性が悪くなるば
かりか、ＩＣソケットに対する装着性も悪化してしまう
。
ードフレーム１１では、例えばリード折曲げ加工を行な
う際に、その折曲げ強さが不足していたり、また各リー
ドに対する折曲げ強さのバランスが不均等であったりす
ると、第５図（Ａ）乃至（Ｃ）で示すような、外部リー
ド１２ａ、１２ｂ、・・・の開き過ぎ１曲げ過ぎおよび
ポンディングパッド１３ａ、１３ｂ、・・・の浮き沈み
等を招いてしまう。このため、後のワイヤボンディング
工程における自動ワイヤホンダへの適応性が悪くなるば
かりか、ＩＣソケットに対する装着性も悪化してしまう
。
［発明の目的］
この発明は上記のような問題点に鑑みなされたもので、
各リードの折曲げ角度にばらつきが生じることなく、半
導体装置の品質向上が可能となる・半導体装置用リード
フレームを提供することを目的とする。
各リードの折曲げ角度にばらつきが生じることなく、半
導体装置の品質向上が可能となる・半導体装置用リード
フレームを提供することを目的とする。
［発明の概要］
すなわちこの発明に係わる半導体装置用リードフレーム
は、同一平面上に並設される複数本のリードそれぞれに
、そのリード折曲げ部に対応する孔を形成すると共に、
この孔を挟んで離間する上記リード面にそのリード折曲
げ線に沿った切り欠き部を形成し、上記各リードに生じ
る曲げ応力が軽減するようにしたものである。
は、同一平面上に並設される複数本のリードそれぞれに
、そのリード折曲げ部に対応する孔を形成すると共に、
この孔を挟んで離間する上記リード面にそのリード折曲
げ線に沿った切り欠き部を形成し、上記各リードに生じ
る曲げ応力が軽減するようにしたものである。
［発明の実施例］
以下図面によりこの発明の一実施例を説明する。
第１図は、その構成を示すもので、それぞれ同一の形状
に形成された複数本のリード２１ａ、２１ｂ、・・・は
、外枠２２にて一平面上に並設配置されている。
に形成された複数本のリード２１ａ、２１ｂ、・・・は
、外枠２２にて一平面上に並設配置されている。
このそれぞれのリード２１ａ、２１ｂ、・・・は、上記
外枠２２に連続的に接続される幅細の外部リード２３ａ
、２３ｂ。
外枠２２に連続的に接続される幅細の外部リード２３ａ
、２３ｂ。
・・・と、この外部リード２３ａ、２３ｂ、・・・に連
続する幅広の内部リード２４ａ、２４ｂ、・・・および
ポンディングパッド２５ａ、２５ｂ、・・・とから構成
される。ここで、上記各リード２１ａ、２１ｂ、・・・
の折曲げ部に対応する内部り一ド２４ａ、 ２４ｂ・・
・には、リード長手方向に対応して楕円形の貫通孔２６
ａ、２６ｂ、・・・を形成する。また、この貫通孔２６
ａ、２６ｂ、・・・を形成したことにより、この孔２６
ａ、２６ｂ、・・・を挟む形で離間する上記内部リード
２４ａ、２４ｂ、・・・の表面には、上記各リード２１
ａ、２１ｂ、・・・の折曲げ部を結んでなる折曲げ線Ａ
およびＡ′に １沿った方向の切り欠き溝２７ａ、２
７ｂ、・・・を形成する。
続する幅広の内部リード２４ａ、２４ｂ、・・・および
ポンディングパッド２５ａ、２５ｂ、・・・とから構成
される。ここで、上記各リード２１ａ、２１ｂ、・・・
の折曲げ部に対応する内部り一ド２４ａ、 ２４ｂ・・
・には、リード長手方向に対応して楕円形の貫通孔２６
ａ、２６ｂ、・・・を形成する。また、この貫通孔２６
ａ、２６ｂ、・・・を形成したことにより、この孔２６
ａ、２６ｂ、・・・を挟む形で離間する上記内部リード
２４ａ、２４ｂ、・・・の表面には、上記各リード２１
ａ、２１ｂ、・・・の折曲げ部を結んでなる折曲げ線Ａ
およびＡ′に １沿った方向の切り欠き溝２７ａ、２
７ｂ、・・・を形成する。
すなわちこのように構成されるリードフレームを用いて
半導体装置を製造する際には、まず、上記各リード２１
ａ、２１ｂ、・・・に予めそれぞれの折曲げ線Ａおよび
Ａ′に対応して折曲げ加工を施す。これにより、リード
２１ａ、２１ｂ、・・・は第２図に示すような所定の型
に折曲げ形成されるようになる。この場合、各リード２
１ａ、２１ｂ、・・・の折曲げ部に対応して貫通孔２６
ａ、２６ｂ、・・・を形成すると共に、この貫通孔２６
ａ、２６ｂ、・・・の両側にはリード折曲げ線Ａおよび
Ａ′に沿った方向の切り欠き溝２７ａ、２７ｂ、・・・
を形成したので、上記各リード２１ａ、２１ｂ、・・・
の折曲げ部に生じる曲げ応力は非常に小さなものとなる
。これにより、例えば自動ベンディングマシンによる小
さな加工力にて、リード２１ａ、２１ｂ、・・・のスム
ーズで容易な曲げと、画一化した曲げ形状が得られるよ
うになり、外部リード２３ａ、２３ｂ、・・・の開き過
ぎ１曲げ過ぎおよびポンディングパッド２５ａ、２５ｂ
、・・・の浮き沈み等は防止されるようになる。したが
って、この後のワイヤボンディング工程における自動ワ
イヤホンダでの適応性が向上すると共に、ＩＣソケット
に対する外部リード２３ａ、２３ｂ、・・・の装着性も
向上するようになり、半導体装置の総合的な品質の向上
を図ることができる。
半導体装置を製造する際には、まず、上記各リード２１
ａ、２１ｂ、・・・に予めそれぞれの折曲げ線Ａおよび
Ａ′に対応して折曲げ加工を施す。これにより、リード
２１ａ、２１ｂ、・・・は第２図に示すような所定の型
に折曲げ形成されるようになる。この場合、各リード２
１ａ、２１ｂ、・・・の折曲げ部に対応して貫通孔２６
ａ、２６ｂ、・・・を形成すると共に、この貫通孔２６
ａ、２６ｂ、・・・の両側にはリード折曲げ線Ａおよび
Ａ′に沿った方向の切り欠き溝２７ａ、２７ｂ、・・・
を形成したので、上記各リード２１ａ、２１ｂ、・・・
の折曲げ部に生じる曲げ応力は非常に小さなものとなる
。これにより、例えば自動ベンディングマシンによる小
さな加工力にて、リード２１ａ、２１ｂ、・・・のスム
ーズで容易な曲げと、画一化した曲げ形状が得られるよ
うになり、外部リード２３ａ、２３ｂ、・・・の開き過
ぎ１曲げ過ぎおよびポンディングパッド２５ａ、２５ｂ
、・・・の浮き沈み等は防止されるようになる。したが
って、この後のワイヤボンディング工程における自動ワ
イヤホンダでの適応性が向上すると共に、ＩＣソケット
に対する外部リード２３ａ、２３ｂ、・・・の装着性も
向上するようになり、半導体装置の総合的な品質の向上
を図ることができる。
尚、上記実施例の第１図おいて示される外枠２２により
一体化された複数のリード２１ａ、２１ｂ、・・・は、
例えば一枚の金属板体に打抜き加工を施して形成される
もので、ここで上記各リード２１ａ、２１ｂ、・・・に
形成される貫通孔２６ａ、２６ｂ、・・・および切り欠
き溝２７ａ、２７ｂ、・・・は、予め位置設定して打抜
き前の金属板体に形成しておいてもよい。
一体化された複数のリード２１ａ、２１ｂ、・・・は、
例えば一枚の金属板体に打抜き加工を施して形成される
もので、ここで上記各リード２１ａ、２１ｂ、・・・に
形成される貫通孔２６ａ、２６ｂ、・・・および切り欠
き溝２７ａ、２７ｂ、・・・は、予め位置設定して打抜
き前の金属板体に形成しておいてもよい。
また、上記実施例では、貫通孔２６ａ、２６ｂ、・・・
の形状を楕円形とし、切り欠き溝２７ａ、２７ｂ、・・
・を各り一ド２１ａ、２１ｂ、・・・の表面側に形成し
ているが、貫通孔の形状は丸あるいは四角等でもよく、
切り欠き溝はリード裏面側に形成してもよい。
の形状を楕円形とし、切り欠き溝２７ａ、２７ｂ、・・
・を各り一ド２１ａ、２１ｂ、・・・の表面側に形成し
ているが、貫通孔の形状は丸あるいは四角等でもよく、
切り欠き溝はリード裏面側に形成してもよい。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、同一平面上に並設され
る複数本のリードそれぞれに、そのリード折曲げ部に対
応する孔を形成すると共に、この孔を挟んで離間する上
記リードの表面にそのリード折曲げ線に沿った切り欠き
部を形成し、上記各リードに生じる曲げ応力が軽減する
ようにしたので、リード折曲げ加工の際にその折曲げ角
度にばらつきが生じることなく、半導体装置の総合的な
品質の向上が可能となり歩留り向上を図ることができる
。
る複数本のリードそれぞれに、そのリード折曲げ部に対
応する孔を形成すると共に、この孔を挟んで離間する上
記リードの表面にそのリード折曲げ線に沿った切り欠き
部を形成し、上記各リードに生じる曲げ応力が軽減する
ようにしたので、リード折曲げ加工の際にその折曲げ角
度にばらつきが生じることなく、半導体装置の総合的な
品質の向上が可能となり歩留り向上を図ることができる
。
第１図はこの発明の一実施例に係わる半導体装置用リー
ドフレームを示す図、第２図は上記第１図における半導
体装置用リードフレームをその折曲げ線に沿って折曲げ
た状態を示す図、第３図は従来の半導体装置用リードフ
レームを示す図、第４図は上記第３図におけるリードフ
レームをその折曲げ線に沿って折曲げた状態を示す図、
第５図（Ａ＞乃至（Ｃ）はそれぞれ上記従来の半導体装
画用リードフレームの折曲げ角度のばらつき状態を示す
図である。 ２１ａ、２１ｂ−・・リード、２６ａ、２６ｂ−＠通孔
、２７ａ。 ２７ｂ・・・切り欠き溝、Ａ、Ａ’・・・折曲げ線。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ””＝ Ｉ Ｅ’Ｊ 第２図
ドフレームを示す図、第２図は上記第１図における半導
体装置用リードフレームをその折曲げ線に沿って折曲げ
た状態を示す図、第３図は従来の半導体装置用リードフ
レームを示す図、第４図は上記第３図におけるリードフ
レームをその折曲げ線に沿って折曲げた状態を示す図、
第５図（Ａ＞乃至（Ｃ）はそれぞれ上記従来の半導体装
画用リードフレームの折曲げ角度のばらつき状態を示す
図である。 ２１ａ、２１ｂ−・・リード、２６ａ、２６ｂ−＠通孔
、２７ａ。 ２７ｂ・・・切り欠き溝、Ａ、Ａ’・・・折曲げ線。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ””＝ Ｉ Ｅ’Ｊ 第２図
Claims (1)
- それぞれ同一形状の複数本のリードが一平面上にて並
設されてなる半導体装置用リードフレームにおいて、上
記各リードの折曲げ部に対応して形成される孔と、この
孔を挟んで離間する上記リード面にそのリード折曲げ線
に沿って形成される切り欠き部とを具備したことを特徴
とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26401084A JPS61141165A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26401084A JPS61141165A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61141165A true JPS61141165A (ja) | 1986-06-28 |
Family
ID=17397292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26401084A Pending JPS61141165A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61141165A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5391439A (en) * | 1990-09-27 | 1995-02-21 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Leadframe adapted to support semiconductor elements |
| US6648399B2 (en) | 1999-11-10 | 2003-11-18 | Denso Corporation | Front end panel |
| WO2003107423A1 (en) * | 2002-06-14 | 2003-12-24 | Lednium Pty. Ltd. | A lamp and method of producing a lamp |
| US7229152B2 (en) | 2003-10-31 | 2007-06-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device with insulating feature |
| US7291905B2 (en) | 2000-08-08 | 2007-11-06 | Nec Electronics Corporation | Lead frame, semiconductor device produced by using the same and method of producing the semiconductor device |
| US7320632B2 (en) | 2000-06-15 | 2008-01-22 | Lednium Pty Limited | Method of producing a lamp |
| US7352127B2 (en) | 2000-06-15 | 2008-04-01 | Lednium Pty Limited | LED lamp with light-emitting junction arranged in three-dimensional array |
| JP2009092963A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Yazaki Corp | 光コネクタ |
| US7961454B2 (en) * | 2005-05-18 | 2011-06-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Multi-layered solid electrolytic capacitor and method of manufacturing same |
-
1984
- 1984-12-14 JP JP26401084A patent/JPS61141165A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5391439A (en) * | 1990-09-27 | 1995-02-21 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Leadframe adapted to support semiconductor elements |
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| AU2003233248B2 (en) * | 2002-06-14 | 2006-11-09 | Lednium Technology Pty Limited | A lamp and method of producing a lamp |
| US7704762B2 (en) | 2002-06-14 | 2010-04-27 | Lednium Technology Pty Limited | Lamp and method of producing a lamp |
| US7229152B2 (en) | 2003-10-31 | 2007-06-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device with insulating feature |
| WO2005044573A3 (en) * | 2003-10-31 | 2008-01-24 | Hewlett Packard Development Co | Fluid ejection device with insulating feature |
| US7961454B2 (en) * | 2005-05-18 | 2011-06-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Multi-layered solid electrolytic capacitor and method of manufacturing same |
| JP2009092963A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Yazaki Corp | 光コネクタ |
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