JPH0246754A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH0246754A JPH0246754A JP63198322A JP19832288A JPH0246754A JP H0246754 A JPH0246754 A JP H0246754A JP 63198322 A JP63198322 A JP 63198322A JP 19832288 A JP19832288 A JP 19832288A JP H0246754 A JPH0246754 A JP H0246754A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- lead
- insulator
- leads
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 2
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用リードフレームに関する。
従来の半導体装置用リードフレームは、主としてリード
側のボンディング点の外側を絶縁体で固着していた。
側のボンディング点の外側を絶縁体で固着していた。
第5図は従来の半導体装置用リードフレームの第1の例
の平面図である。
の平面図である。
第5図に示すように、それぞれがボンディング点2を有
する複数のり−ド3と、搭載される半導体素子7から見
てボンデング点2の外側でリード3を固着する絶縁体1
とを有している。
する複数のり−ド3と、搭載される半導体素子7から見
てボンデング点2の外側でリード3を固着する絶縁体1
とを有している。
第6図は従来の半導体装置用リードフレームの第2の例
の平面図である。
の平面図である。
第6図に示すように、絶縁体1.は複数のり−ド3と半
導体素子搭載台部6の吊りリード5とを、半導体素子7
から見てボンディング点2と21の外側で固着している
。
導体素子搭載台部6の吊りリード5とを、半導体素子7
から見てボンディング点2と21の外側で固着している
。
上述した従来の半導体装置用リードフレームは、ボンデ
ィング点の外側だけを絶縁体で固着しているので、ボン
ディング点を含むリードの内側のリードの寄り、ばらつ
き及び傾きを生じ、半導体素子とリードを金属細線にて
導通がとれる様にするワイヤーボンディング工程におい
て、リードのボンディング点に金属細線が結線されない
という欠点がある。又、半導体素子を半導体素子搭載台
部に固着するダイボンディング工程においてA。
ィング点の外側だけを絶縁体で固着しているので、ボン
ディング点を含むリードの内側のリードの寄り、ばらつ
き及び傾きを生じ、半導体素子とリードを金属細線にて
導通がとれる様にするワイヤーボンディング工程におい
て、リードのボンディング点に金属細線が結線されない
という欠点がある。又、半導体素子を半導体素子搭載台
部に固着するダイボンディング工程においてA。
SI共晶合金の結合の場合、半導体素子搭載台部を支持
する吊りリードにAu−8I共晶合金が流れワイヤーボ
ンディングできないという欠点がある。
する吊りリードにAu−8I共晶合金が流れワイヤーボ
ンディングできないという欠点がある。
本発明の目的は、ワイヤーボンディングが正確かつ安定
して行われ、リードと金属細線の接触がない半導体装置
用リードフレームを提供することにある。又、A、−3
l共晶合金によりダイボンディング工程を実施する場合
、半導体素子搭載台部を支持する吊りリードへのワイヤ
ーボンディングを可能にできる半導体装置用リードフレ
ームを提供することにある。
して行われ、リードと金属細線の接触がない半導体装置
用リードフレームを提供することにある。又、A、−3
l共晶合金によりダイボンディング工程を実施する場合
、半導体素子搭載台部を支持する吊りリードへのワイヤ
ーボンディングを可能にできる半導体装置用リードフレ
ームを提供することにある。
本発明の半導体装置用リードフレームは、内部リードの
ボンディング点と搭載される半導体素子との間の前記内
部リードを少くとも前記ボンディング点の内側で固着す
る絶縁体を有している。
ボンディング点と搭載される半導体素子との間の前記内
部リードを少くとも前記ボンディング点の内側で固着す
る絶縁体を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の平面図、第2図は第1
図のA部拡大斜視図である。
図のA部拡大斜視図である。
第1図及び第2図に示すように、複数のリード3のボン
ディング点2から内側の搭載される半導体素子7側でリ
ード3が絶縁体1で固着されている。絶縁体1としては
セラミック又はポリイミドを使用する。
ディング点2から内側の搭載される半導体素子7側でリ
ード3が絶縁体1で固着されている。絶縁体1としては
セラミック又はポリイミドを使用する。
このように複数のり−ド3をボンディング点2の内側で
絶縁体1で被覆かつ固定することにより、複数のり−ド
3のボンディング点2を含む先端部のリード寄り、ばら
つき及び傾きの発生を防止でき、かつボンディングワイ
ヤーと隣接リードとの接触による不良の発生を低減でき
る。
絶縁体1で被覆かつ固定することにより、複数のり−ド
3のボンディング点2を含む先端部のリード寄り、ばら
つき及び傾きの発生を防止でき、かつボンディングワイ
ヤーと隣接リードとの接触による不良の発生を低減でき
る。
第3図は本発明の第2の実施例の平面図である。
第3図に示すように、半導体素子7を半導体素子搭載台
部6にAu−3,共晶合金で結合してダイボンディング
する場合、絶縁体11は複数のリード3及び半導体素子
搭載台部6を支持する吊りリード5のそれぞれのボンデ
ィング点2の内側で、リード3及び吊りリード5を固着
する。
部6にAu−3,共晶合金で結合してダイボンディング
する場合、絶縁体11は複数のリード3及び半導体素子
搭載台部6を支持する吊りリード5のそれぞれのボンデ
ィング点2の内側で、リード3及び吊りリード5を固着
する。
これにより、グイボンディング工程時に発生したAu−
3+共晶合金の流れが絶縁体1.の手前で止り、吊りリ
ード5のボンディング点2.へのワイヤーボンディング
を安定かつ正確に行える。
3+共晶合金の流れが絶縁体1.の手前で止り、吊りリ
ード5のボンディング点2.へのワイヤーボンディング
を安定かつ正確に行える。
第4図は本発明の第3の実施例の平面図である。
第4図に示すように、絶縁体1bは複数のり−ド3のボ
ンディング点2に対応して穴8を設け・、ボンディング
点2とボンディング点2の周囲を除いて複数のリード3
を覆って固着している。これにより、ボンディング装置
のボンディング位置検出を正確に行うことができる。
ンディング点2に対応して穴8を設け・、ボンディング
点2とボンディング点2の周囲を除いて複数のリード3
を覆って固着している。これにより、ボンディング装置
のボンディング位置検出を正確に行うことができる。
第3の実施例では、リードの寄り、ばらつき及び傾きを
防止するとともに、リード側のボンディング位置が上述
した第1図の第1の実施例に比べてより正確にできる利
点がある。
防止するとともに、リード側のボンディング位置が上述
した第1図の第1の実施例に比べてより正確にできる利
点がある。
以上説明したように本発明は、リードのボンディング点
の少くとも内側を絶縁体で固着することにより、組立製
造工程中に発生するリードの寄り、ばらつきを減少せし
めかつ隣接リードとボンディングワイヤーの接触を防止
できる効果がある。
の少くとも内側を絶縁体で固着することにより、組立製
造工程中に発生するリードの寄り、ばらつきを減少せし
めかつ隣接リードとボンディングワイヤーの接触を防止
できる効果がある。
又、半導体素子を半導体素子搭載台部に固着するグイボ
ンディング工程でA、 S+共晶合金の流れを止め、
半導体素子搭載台部を支持する吊りリードへのワイヤー
ボンディングを可能にする効果がある。
ンディング工程でA、 S+共晶合金の流れを止め、
半導体素子搭載台部を支持する吊りリードへのワイヤー
ボンディングを可能にする効果がある。
第1図は本発明の第1の実施例の平面図、第2図は第1
図のA部拡大斜視図、第3図及び第4図はそれぞれ本発
明の第2及び第3の実施例の平面図、第5図及び第6図
はそれぞれ従来の半導体装置用リードフレームの第1及
び第2の例の平面図である。 1.1.、lb・・・絶縁体、2,21・・・ボンディ
ング点、3・・・リード、4・・・ボンディングワイヤ
ー5・・・吊りリード、6・・・半導体素子搭載台部、
7・・・半導体素子、8・・・穴。
図のA部拡大斜視図、第3図及び第4図はそれぞれ本発
明の第2及び第3の実施例の平面図、第5図及び第6図
はそれぞれ従来の半導体装置用リードフレームの第1及
び第2の例の平面図である。 1.1.、lb・・・絶縁体、2,21・・・ボンディ
ング点、3・・・リード、4・・・ボンディングワイヤ
ー5・・・吊りリード、6・・・半導体素子搭載台部、
7・・・半導体素子、8・・・穴。
Claims (1)
- 内部リードのボンディング点と搭載される半導体素子と
の間の前記内部リードを少くとも前記ボンディング点の
内側で固着する絶縁体を有することを特徴とする半導体
装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63198322A JPH0246754A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63198322A JPH0246754A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0246754A true JPH0246754A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16389188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63198322A Pending JPH0246754A (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0246754A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0529159U (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-16 | ローム株式会社 | 電子部品用リードフレームの構造 |
JPH09321208A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Nec Kyushu Ltd | リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
US6037652A (en) * | 1997-05-29 | 2000-03-14 | Nec Corporation | Lead frame with each lead having a peel generation preventing means and a semiconductor device using same |
JP2009001131A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Tcm Corp | 搬送台車の荷台装置 |
-
1988
- 1988-08-08 JP JP63198322A patent/JPH0246754A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0529159U (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-16 | ローム株式会社 | 電子部品用リードフレームの構造 |
JPH09321208A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Nec Kyushu Ltd | リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
US6037652A (en) * | 1997-05-29 | 2000-03-14 | Nec Corporation | Lead frame with each lead having a peel generation preventing means and a semiconductor device using same |
JP2009001131A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Tcm Corp | 搬送台車の荷台装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR900004006A (ko) | 개선된 리드구조를 갖춘 반도체장치와 그 제조방법 | |
JPH08193897A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JPH0246754A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JPS61144576A (ja) | 半導体加速度センサ | |
JP2001345412A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JPH03266459A (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
JP2504187B2 (ja) | リ―ドフレ―ム | |
JPH0546280Y2 (ja) | ||
JPH0496356A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム | |
JPH0379065A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JPH01255260A (ja) | リードフレームの構造 | |
JP2000046859A (ja) | 加速度センサ | |
JPH02253646A (ja) | リードフレーム | |
JPH0666831A (ja) | 半導体歪ゲージユニット | |
JPH01244654A (ja) | リードフレーム | |
JPS622626A (ja) | 半導体装置 | |
KR0150705B1 (ko) | 홈을 갖는 히터 블록 | |
JPH0684993A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04188660A (ja) | リードフレーム | |
JPS60210845A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH0553252U (ja) | リードフレーム | |
JPS6228780Y2 (ja) | ||
JPH0513658A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JPS61161730A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0855953A (ja) | リードフレームおよび半導体装置 |