JP2000046859A - 加速度センサ - Google Patents
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- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
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- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加速度センサにおいて、全体の小型化を支障
なく行え、また、センサ取り付けの際に余分な手間とコ
ストがかからずに、検出誤差要因となる他軸出力を最小
にできるようにする。 【解決手段】 パッケージ１０内に実装基板７が配置さ
れるとともに、センサチップ１を搭載するブロック２０
を有し、このブロック２０は、実装基板７との接合面２
eが、センサチップ１の搭載面２０bに対して、他軸出力
が最小となるように所定角度θだけ傾斜して形成されて
いる。
なく行え、また、センサ取り付けの際に余分な手間とコ
ストがかからずに、検出誤差要因となる他軸出力を最小
にできるようにする。 【解決手段】 パッケージ１０内に実装基板７が配置さ
れるとともに、センサチップ１を搭載するブロック２０
を有し、このブロック２０は、実装基板７との接合面２
eが、センサチップ１の搭載面２０bに対して、他軸出力
が最小となるように所定角度θだけ傾斜して形成されて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、加速度センサに関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の加速度センサとして、図７および
図８に示す構成のものがある。
図８に示す構成のものがある。
【０００３】図７はその加速度センサを構成するセンサ
チップ部分のみを取り出して示す外観斜視図、図８はそ
の側面断面図である。
チップ部分のみを取り出して示す外観斜視図、図８はそ
の側面断面図である。
【０００４】この加速度センサを構成するセンサチップ
１は、ガラス製のベース２の上に半導体基板３が陽極接
合等によって一体に設けられている。半導体基板３は、
電気化学的エッチング等の手法により、フレーム部３
a、マス部３b、および一対の梁部３cが一体形成されて
おり、マス部３bの一端側が各梁部３cを介してフレーム
部３aに揺動自在に支持されている。これにより、マス
部３bは片持ち梁の構造となり、また、その支点が梁部
３bとなっている。
１は、ガラス製のベース２の上に半導体基板３が陽極接
合等によって一体に設けられている。半導体基板３は、
電気化学的エッチング等の手法により、フレーム部３
a、マス部３b、および一対の梁部３cが一体形成されて
おり、マス部３bの一端側が各梁部３cを介してフレーム
部３aに揺動自在に支持されている。これにより、マス
部３bは片持ち梁の構造となり、また、その支点が梁部
３bとなっている。
【０００５】一方、ベース２とマス部３bとは所定の隙
間を介して互いに対向しており、その対向するベース２
側の上面には固定電極５が形成され、また、マス部３b
の下面は可動電極３dとされ、このセンサチップ１に加
わる加速度によって両電極５，３d間の距離が変化して
静電容量が変わることで検出出力が得られるようになっ
ている。
間を介して互いに対向しており、その対向するベース２
側の上面には固定電極５が形成され、また、マス部３b
の下面は可動電極３dとされ、このセンサチップ１に加
わる加速度によって両電極５，３d間の距離が変化して
静電容量が変わることで検出出力が得られるようになっ
ている。
【０００６】この構成において、通常、ベース２のチッ
プ取付面２aに平行な水平軸方向Ｈに直交する垂直軸方
向Ｖが加速度の検出方向として設定される。また、この
センサチップ１は、上記のように、マス部３bの一端側
が各梁部３cによって支持されているので、マス部３bの
重心Ｇと、マス部３bの揺動中心である梁部３cの支点Ｍ
とを結ぶ直線の方向(以下、これを重支方向と称する)Ｌ
xは、ベース２のチップ取付面２aに対してある角度θだ
け傾斜したものとなっている。
プ取付面２aに平行な水平軸方向Ｈに直交する垂直軸方
向Ｖが加速度の検出方向として設定される。また、この
センサチップ１は、上記のように、マス部３bの一端側
が各梁部３cによって支持されているので、マス部３bの
重心Ｇと、マス部３bの揺動中心である梁部３cの支点Ｍ
とを結ぶ直線の方向(以下、これを重支方向と称する)Ｌ
xは、ベース２のチップ取付面２aに対してある角度θだ
け傾斜したものとなっている。
【０００７】この構成のセンサチップ１を、図８に示す
ように、水平配置された実装基板７上に単純に搭載した
場合には、水平軸方向Ｈに沿った加速度が発生すると、
重支方向Ｌxに直交する方向Ｌyに分力が生じ、これがマ
ス部３bに対する回転モーメントとして作用して可動電
極３dと固定電極５との間の静電容量が変化し、その結
果、センサチップ１に検出出力が発生する。つまり、加
速度の検出方向である垂直軸方向Ｖには、実際上、何ら
加速度が発生していないにもかかわらず、センサチップ
１からは加速度が発生したかのような誤った検出出力が
得られる。
ように、水平配置された実装基板７上に単純に搭載した
場合には、水平軸方向Ｈに沿った加速度が発生すると、
重支方向Ｌxに直交する方向Ｌyに分力が生じ、これがマ
ス部３bに対する回転モーメントとして作用して可動電
極３dと固定電極５との間の静電容量が変化し、その結
果、センサチップ１に検出出力が発生する。つまり、加
速度の検出方向である垂直軸方向Ｖには、実際上、何ら
加速度が発生していないにもかかわらず、センサチップ
１からは加速度が発生したかのような誤った検出出力が
得られる。
【０００８】このように、ある軸方向Ｈに加速度が加わ
った場合に、これに直交する軸方向Ｖに発生する誤差要
因となる検出出力を、以下では他軸出力と称することと
する。なお、上記の説明は、水平軸方向Ｈに直交する垂
直方向Ｖを加速度の検出方向に設定しているが、水平軸
方向Ｈを加速度の検知方向に設定する場合も事情は同じ
で、このときには垂直軸方向Ｖを重支方向Ｌxに一致さ
せないと、他軸出力が発生してしまう。
った場合に、これに直交する軸方向Ｖに発生する誤差要
因となる検出出力を、以下では他軸出力と称することと
する。なお、上記の説明は、水平軸方向Ｈに直交する垂
直方向Ｖを加速度の検出方向に設定しているが、水平軸
方向Ｈを加速度の検知方向に設定する場合も事情は同じ
で、このときには垂直軸方向Ｖを重支方向Ｌxに一致さ
せないと、他軸出力が発生してしまう。
【０００９】このような他軸出力が発生するのを防ぐに
は、図９に示すように、センサチップ１を所定角度θだ
け傾けて、重支方向Ｌxが水平軸方向Ｈに一致するよう
に配置すればよい。こうすると、水平軸方向Ｈに沿った
加速度が発生しても、重支方向Ｌxに直交する垂直軸方
向Ｖ(＝加速度検出方向)には分力が作用せず、マス部３
bは変位しないので、他軸出力は発生しない。
は、図９に示すように、センサチップ１を所定角度θだ
け傾けて、重支方向Ｌxが水平軸方向Ｈに一致するよう
に配置すればよい。こうすると、水平軸方向Ｈに沿った
加速度が発生しても、重支方向Ｌxに直交する垂直軸方
向Ｖ(＝加速度検出方向)には分力が作用せず、マス部３
bは変位しないので、他軸出力は発生しない。
【００１０】そこで、従来技術では、センサチップ１に
他軸出力が生じないようにするため、図１０あるいは図
１１に示すような構成を採用している。
他軸出力が生じないようにするため、図１０あるいは図
１１に示すような構成を採用している。
【００１１】図１０に示す加速度センサでは、センサチ
ップ１を実装するパッケージ１０をケース１１と蓋１２
とで構成し、ケース１１の内壁に高低差のある段部１１
a、１１bを設け、これらの段部１１a，１１bによって実
装基板７をケース１１の底部１１cに対して所定角度θ
だけ傾斜して配置し、この実装基板７上に平板状のステ
ム１３を介して図７に示したセンサチップ１を搭載して
いる。
ップ１を実装するパッケージ１０をケース１１と蓋１２
とで構成し、ケース１１の内壁に高低差のある段部１１
a、１１bを設け、これらの段部１１a，１１bによって実
装基板７をケース１１の底部１１cに対して所定角度θ
だけ傾斜して配置し、この実装基板７上に平板状のステ
ム１３を介して図７に示したセンサチップ１を搭載して
いる。
【００１２】一方、図１１に示す加速度センサでは、パ
ッケージ１０をケース１１と蓋１２とで構成し、ケース
１１に実装基板７を配置し、この実装基板７上にステム
１３を介してセンサチップ１を搭載している点は図１０
の加速度センサと同じであるが、ケース１１の内壁には
同じ高さの段部１１dを設けて実装基板７をケース１１
の底部１１cと平行に配置している。このように、実装
基板７を傾斜しない代わりに、この加速度センサをブラ
ケット１５を介して躯体１６に所定角度θだけ傾斜して
固定して他軸出力を少なくしている。
ッケージ１０をケース１１と蓋１２とで構成し、ケース
１１に実装基板７を配置し、この実装基板７上にステム
１３を介してセンサチップ１を搭載している点は図１０
の加速度センサと同じであるが、ケース１１の内壁には
同じ高さの段部１１dを設けて実装基板７をケース１１
の底部１１cと平行に配置している。このように、実装
基板７を傾斜しない代わりに、この加速度センサをブラ
ケット１５を介して躯体１６に所定角度θだけ傾斜して
固定して他軸出力を少なくしている。
【００１３】なお、図１０および図１１において、１
７，１８はセンサチップ１を実装基板７に電気的に接続
するためのワイヤポストとワイヤリードである。
７，１８はセンサチップ１を実装基板７に電気的に接続
するためのワイヤポストとワイヤリードである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】図１０および図１１に
示す構成にすれば、センサチップ１からの他軸出力を最
小にすることができて誤検知を防ぐことができるもの
の、次のような問題がある。
示す構成にすれば、センサチップ１からの他軸出力を最
小にすることができて誤検知を防ぐことができるもの
の、次のような問題がある。
【００１５】(１) 図１０に示す構成の場合には、ケー
ス１１内で実装基板７を傾斜させているので、パッケー
ジ１０全体の内容積が増加し、加速度センサの小型化を
十分に図ることができない。
ス１１内で実装基板７を傾斜させているので、パッケー
ジ１０全体の内容積が増加し、加速度センサの小型化を
十分に図ることができない。
【００１６】(２) 図１１に示す構成の場合には、セン
サ全体の小型化を図ることは可能であるが、他軸出力を
抑える上で、センサ以外にブラケット１５のようなセン
サ取付部品が別途必要となるため、余分なコストがかか
るばかりか、センサの取り付けにも手間を要する。
サ全体の小型化を図ることは可能であるが、他軸出力を
抑える上で、センサ以外にブラケット１５のようなセン
サ取付部品が別途必要となるため、余分なコストがかか
るばかりか、センサの取り付けにも手間を要する。
【００１７】したがって、本発明においては、従来のか
かる問題を解消し、他軸出力を最小にする上で、センサ
全体の小型化を支障なく行え、また、センサの取り付け
の際に余分な手間とコストがかからないようにすること
を課題とする。
かる問題を解消し、他軸出力を最小にする上で、センサ
全体の小型化を支障なく行え、また、センサの取り付け
の際に余分な手間とコストがかからないようにすること
を課題とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために、パッケージ内に実装基板が配置され、
この実装基板上にセンサチップが設けられ、このセンサ
チップは、可動電極を有するマス部が、前記可動電極に
対向配置された固定電極を有するベースに対して揺動自
在に支持されている加速度センサにおいて、次の構成を
採用している。
解決するために、パッケージ内に実装基板が配置され、
この実装基板上にセンサチップが設けられ、このセンサ
チップは、可動電極を有するマス部が、前記可動電極に
対向配置された固定電極を有するベースに対して揺動自
在に支持されている加速度センサにおいて、次の構成を
採用している。
【００１９】すなわち、請求項１記載の発明では、セン
サチップを搭載するブロックを有し、このブロックは、
前記実装基板との接合面が、前記センサチップの搭載面
に対して、他軸出力が最小となるように所定角度だけ傾
斜して形成されている。
サチップを搭載するブロックを有し、このブロックは、
前記実装基板との接合面が、前記センサチップの搭載面
に対して、他軸出力が最小となるように所定角度だけ傾
斜して形成されている。
【００２０】これにより、他軸出力を最小にする上で、
実装基板を傾斜する必要がないので小型化が可能で、ま
た、センサ以外の取付部品を別途準備する必要もない。
実装基板を傾斜する必要がないので小型化が可能で、ま
た、センサ以外の取付部品を別途準備する必要もない。
【００２１】また、請求項２記載の発明では、請求項１
記載の構成において、ブロックのセンサチップの搭載面
には、センサチップをスポット的に支持する突起部が設
けられている。
記載の構成において、ブロックのセンサチップの搭載面
には、センサチップをスポット的に支持する突起部が設
けられている。
【００２２】これにより、センサチップとブロックとの
材質の違いによる熱膨張差に起因した応力を緩和でき、
センサの温度変動の影響を低減することができる。
材質の違いによる熱膨張差に起因した応力を緩和でき、
センサの温度変動の影響を低減することができる。
【００２３】請求項３記載の発明では、請求項１または
請求項２記載の構成において、ブロックには、その壁面
上に導電性パターンが形成され、この導電性パターンを
介してセンサチップと実装基板とが電気的に接続されて
いる。
請求項２記載の構成において、ブロックには、その壁面
上に導電性パターンが形成され、この導電性パターンを
介してセンサチップと実装基板とが電気的に接続されて
いる。
【００２４】これにより、センサチップと実装基板との
接続を極めて容易に行うことができ、配線接続の手間を
省くことができる。
接続を極めて容易に行うことができ、配線接続の手間を
省くことができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】(実施形態１)図１はこの実施形態
１の加速度センサの正面断面図、図２は同センサのブロ
ック内にセンサチップを搭載した状態の外観を示す斜視
図、図３は図２のＡ−Ａ線に沿う断面図であり、図１０
および図１１に示した従来技術に対応する部分には同一
の符号を付す。
１の加速度センサの正面断面図、図２は同センサのブロ
ック内にセンサチップを搭載した状態の外観を示す斜視
図、図３は図２のＡ−Ａ線に沿う断面図であり、図１０
および図１１に示した従来技術に対応する部分には同一
の符号を付す。
【００２６】この実施形態１の加速度センサは、たとえ
ば高耐熱性樹脂を成型したパッケージ１０を有し、この
パッケージ１０は、上方が開口した箱型のケース１１
と、このケース１１の上に被せられるキャップ１２とを
有し、両者１１，１２がシリコン接着剤などで固定され
て内部が密閉されている。
ば高耐熱性樹脂を成型したパッケージ１０を有し、この
パッケージ１０は、上方が開口した箱型のケース１１
と、このケース１１の上に被せられるキャップ１２とを
有し、両者１１，１２がシリコン接着剤などで固定され
て内部が密閉されている。
【００２７】そして、ケース１１の内壁には同じ高さの
段部１１dが設けられ、この段部１０dに平板状の実装基
板７が配置されており、これにより実装基板７がケース
１１の底部１１cと平行に位置している。
段部１１dが設けられ、この段部１０dに平板状の実装基
板７が配置されており、これにより実装基板７がケース
１１の底部１１cと平行に位置している。
【００２８】実装基板７の上には、ブロック２０が載置
されている。このブロック２０は、その中央に凹部２０
aが設けられ、この凹部２０aの底部には、平坦なセンサ
チップ１の搭載面２０bと、平坦な集積回路素子２２の
搭載面２０dとが互いに段差をもってそれぞれ形成され
ている。そして、一方の搭載面２０bの複数箇所にはセ
ンサチップ１をスポット的に支持する突起部２０cが設
けられ、この突起部２０cにセンサチップ１が半田付け
固定されている。また、他方の搭載面２０dには集積回
路素子２２がたとえばシリコン接着剤などで固着されて
いる。なお、センサチップ１の構成は、図７ないし図９
に示したものと同じであるからここでは詳しい説明は省
略する。
されている。このブロック２０は、その中央に凹部２０
aが設けられ、この凹部２０aの底部には、平坦なセンサ
チップ１の搭載面２０bと、平坦な集積回路素子２２の
搭載面２０dとが互いに段差をもってそれぞれ形成され
ている。そして、一方の搭載面２０bの複数箇所にはセ
ンサチップ１をスポット的に支持する突起部２０cが設
けられ、この突起部２０cにセンサチップ１が半田付け
固定されている。また、他方の搭載面２０dには集積回
路素子２２がたとえばシリコン接着剤などで固着されて
いる。なお、センサチップ１の構成は、図７ないし図９
に示したものと同じであるからここでは詳しい説明は省
略する。
【００２９】このように、センサチップ１が突起部２０
cによりスポット的に支持されることにより、センサチ
ップ１とブロック２０との材質の違いによる熱膨張差に
起因した応力を緩和でき、温度変動の影響を低減するこ
とができる。
cによりスポット的に支持されることにより、センサチ
ップ１とブロック２０との材質の違いによる熱膨張差に
起因した応力を緩和でき、温度変動の影響を低減するこ
とができる。
【００３０】また、このブロック２０は、その底面が実
装基板７との接合面２０eとされ、この接合面２０eは、
センサチップ１の搭載面２０bに対して、他軸出力が最
小となるように所定角度θだけ傾斜して形成されてい
る。
装基板７との接合面２０eとされ、この接合面２０eは、
センサチップ１の搭載面２０bに対して、他軸出力が最
小となるように所定角度θだけ傾斜して形成されてい
る。
【００３１】さらに、このブロック２０には、その壁面
上の所要箇所に導電性パターン２４が形成されている。
この導電性パターン２４は、たとえば、銅めっき、ある
いは必要に応じてその上からニッケルめっきや金めっき
等を施して形成される。
上の所要箇所に導電性パターン２４が形成されている。
この導電性パターン２４は、たとえば、銅めっき、ある
いは必要に応じてその上からニッケルめっきや金めっき
等を施して形成される。
【００３２】したがって、ブロック２０の接合面２eを
下にして実装基板７上に載置してから、導電性パターン
２４を実装基板７に半田２６で取り付けることで、セン
サチップ１と集積回路素子２２とがワイヤリード１８お
よび導電性パターン２４を介して実装基板７と電気的に
接続される。これにより、ブロック２０からの配線の外
部引き出しが容易になり、配線接続の手間を省くことが
できる。
下にして実装基板７上に載置してから、導電性パターン
２４を実装基板７に半田２６で取り付けることで、セン
サチップ１と集積回路素子２２とがワイヤリード１８お
よび導電性パターン２４を介して実装基板７と電気的に
接続される。これにより、ブロック２０からの配線の外
部引き出しが容易になり、配線接続の手間を省くことが
できる。
【００３３】また、センサチップ１を搭載したブロック
２０を実装基板７に取り付けたとき、センサチップ１の
重支方向Ｌxが実装基板７の取り付け面に沿う水平軸方
向に一致するので、その水平軸方向に沿った加速度が発
生しても、重支方向Ｌxに直交する垂直軸方向(＝加速度
検出方向)には分力が作用せず、他軸出力は発生しな
い。
２０を実装基板７に取り付けたとき、センサチップ１の
重支方向Ｌxが実装基板７の取り付け面に沿う水平軸方
向に一致するので、その水平軸方向に沿った加速度が発
生しても、重支方向Ｌxに直交する垂直軸方向(＝加速度
検出方向)には分力が作用せず、他軸出力は発生しな
い。
【００３４】そして、この実施形態１の構成では、他軸
出力を最小にする上で、従来のように、実装基板７を傾
斜する必要がないのでパッケージ１０の小型化が可能で
あり、また、センサ以外の取付部品を別途準備する必要
もなく便利である。
出力を最小にする上で、従来のように、実装基板７を傾
斜する必要がないのでパッケージ１０の小型化が可能で
あり、また、センサ以外の取付部品を別途準備する必要
もなく便利である。
【００３５】(実施形態２)図４はこの実施形態２の加速
度センサの正面断面図、図５は同センサのブロック内に
センサチップを搭載した状態の外観を示す斜視図、図６
は図５のＢ−Ｂ線に沿う断面図であり、図１ないし図３
に示した実施形態１の加速度センサの各部品に対応する
部分には同一の符号を付す。
度センサの正面断面図、図５は同センサのブロック内に
センサチップを搭載した状態の外観を示す斜視図、図６
は図５のＢ−Ｂ線に沿う断面図であり、図１ないし図３
に示した実施形態１の加速度センサの各部品に対応する
部分には同一の符号を付す。
【００３６】この実施形態２の加速度センサの特徴は、
センサチップ１を搭載するためのブロック２０の上面が
実装基板７との接合面２０fとされ、この接合面２０fが
センサチップ１の搭載面２０bに対して、他軸出力が最
小となるように所定角度θだけ傾斜して形成されてい
る。
センサチップ１を搭載するためのブロック２０の上面が
実装基板７との接合面２０fとされ、この接合面２０fが
センサチップ１の搭載面２０bに対して、他軸出力が最
小となるように所定角度θだけ傾斜して形成されてい
る。
【００３７】その他の構成は、実施形態１の場合と同様
であるから、ここでは詳しい説明は省略する。
であるから、ここでは詳しい説明は省略する。
【００３８】この実施形態２では、ブロック２０の接合
面２fを実装基板７上に接触してから、導電性パターン
２４を実装基板７に半田２６で取り付ることで、センサ
チップ１と集積回路素子２２とがワイヤリード１８およ
び導電性パターン２４を介して実装基板７と電気的に接
続される。
面２fを実装基板７上に接触してから、導電性パターン
２４を実装基板７に半田２６で取り付ることで、センサ
チップ１と集積回路素子２２とがワイヤリード１８およ
び導電性パターン２４を介して実装基板７と電気的に接
続される。
【００３９】また、このブロック２０を実装基板７に取
り付けたとき、センサチップ１の重支方向Ｌxが実装基
板７の取り付け面に沿う水平軸方向に一致するので、そ
の水平軸方向に沿った加速度が発生しても、重支方向Ｌ
xに直交する垂直軸方向(＝加速度検出方向)には分力が
作用せず、他軸出力は発生しない。
り付けたとき、センサチップ１の重支方向Ｌxが実装基
板７の取り付け面に沿う水平軸方向に一致するので、そ
の水平軸方向に沿った加速度が発生しても、重支方向Ｌ
xに直交する垂直軸方向(＝加速度検出方向)には分力が
作用せず、他軸出力は発生しない。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、次の効果が得られる。
【００４１】(１) 請求項１記載の発明では、検出誤差
要因となる他軸出力を最小にする上で、実装基板を傾斜
する必要がないので小型化が可能で、また、センサ以外
の取付部品を別途準備する必要もないので、従来のよう
な余分なコストがかからない。 (２) 請求項２記載の発明では、センサチップとブロッ
クとの材質の違いによる熱膨張差に起因した応力を緩和
でき、センサの温度変動の影響を低減することができ
る。
要因となる他軸出力を最小にする上で、実装基板を傾斜
する必要がないので小型化が可能で、また、センサ以外
の取付部品を別途準備する必要もないので、従来のよう
な余分なコストがかからない。 (２) 請求項２記載の発明では、センサチップとブロッ
クとの材質の違いによる熱膨張差に起因した応力を緩和
でき、センサの温度変動の影響を低減することができ
る。
【００４２】(３) 請求項３記載の発明では、センサチ
ップと実装基板との接続を極めて容易に行うことがで
き、配線接続の手間を省くことができる。
ップと実装基板との接続を極めて容易に行うことがで
き、配線接続の手間を省くことができる。
【図１】本発明の実施形態１の加速度センサの正面断面
図
図
【図２】図１の加速度センサにおいて、ブロック内にセ
ンサチップを搭載した状態の外観を示す斜視図
ンサチップを搭載した状態の外観を示す斜視図
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う断面図
【図４】本発明の実施形態２の加速度センサの正面断面
図
図
【図５】図４の加速度センサにおいて、ブロック内にセ
ンサチップを搭載した状態の外観を示す斜視図
ンサチップを搭載した状態の外観を示す斜視図
【図６】図５のＢ−Ｂ線に沿う断面図
【図７】加速度センサを構成するセンサチップの斜視図
【図８】図７のセンサチップの断面図
【図９】他軸出力を最小にするためにセンサチップを傾
斜して配置した状態を示す説明図
斜して配置した状態を示す説明図
【図１０】従来の加速度センサの正面断面図
【図１１】従来の加速度センサの設置状態を示す断面図
１…センサチップ、２…ベース、３…半導体基板、３a
…フレーム、３b…マス部、３c…梁部、３d…可動電
極、５…固定電極、７…実装基板、２０…ブロック、２
０b…センサチップの搭載面、２０c…突起部、２０e，
２０f…接合面、２４…導電性パターン、Ｌx…重支方
向。
…フレーム、３b…マス部、３c…梁部、３d…可動電
極、５…固定電極、７…実装基板、２０…ブロック、２
０b…センサチップの搭載面、２０c…突起部、２０e，
２０f…接合面、２４…導電性パターン、Ｌx…重支方
向。
Claims (3)
- 【請求項１】 パッケージ内に実装基板が配置され、こ
の実装基板上にセンサチップが設けられ、このセンサチ
ップは、可動電極を有するマス部が、前記可動電極に対
向配置された固定電極を有するベースに対して揺動自在
に支持されている加速度センサにおいて、 前記センサチップを搭載するブロックを有し、このブロ
ックは、前記実装基板との接合面が、前記センサチップ
の搭載面に対して、他軸出力が最小となるように所定角
度だけ傾斜して形成されていることを特徴とする加速度
センサ。 - 【請求項２】 請求項１記載の加速度センサにおいて、 前記ブロックのセンサチップの搭載面には、センサチッ
プをスポット的に支持する突起部が設けられていること
を特徴とする加速度センサ。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の加速度セ
ンサにおいて、 前記ブロックには、その壁面上に導電性パターンが形成
され、この導電性パターンを介して前記センサチップと
実装基板とが電気的に接続されていることを特徴とする
加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10212551A JP2000046859A (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10212551A JP2000046859A (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000046859A true JP2000046859A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16624567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10212551A Pending JP2000046859A (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000046859A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003102601A1 (fr) * | 2002-05-31 | 2003-12-11 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Boitier capteur |
| JP2010190849A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体物理量センサ |
| US9322837B2 (en) | 2012-09-12 | 2016-04-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
-
1998
- 1998-07-28 JP JP10212551A patent/JP2000046859A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003102601A1 (fr) * | 2002-05-31 | 2003-12-11 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Boitier capteur |
| EP1510825A1 (en) * | 2002-05-31 | 2005-03-02 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Sensor package |
| US6906412B2 (en) | 2002-05-31 | 2005-06-14 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Flexible sensor package responsive to thermally induced distortion |
| EP1510825A4 (en) * | 2002-05-31 | 2009-01-07 | Matsushita Electric Works Ltd | SENSOR HOUSING |
| JP2010190849A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体物理量センサ |
| US9322837B2 (en) | 2012-09-12 | 2016-04-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
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