JPH09321208A - リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置

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JPH09321208A JP8137146A JP13714696A JPH09321208A JP H09321208 A JPH09321208 A JP H09321208A JP 8137146 A JP8137146 A JP 8137146A JP 13714696 A JP13714696 A JP 13714696A JP H09321208 A JPH09321208 A JP H09321208A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】樹脂封止型半導体装置の実装ストレスによるボ
ンディングワイヤの断線を防止する。 【解決手段】内部リード１のボンディングワイヤ８が接
続される面にめっき層２を施し、内部リード１の先端と
ボンディングボールの間に内部リード１と樹脂の剥離を
防ぐ絶縁テープ３を貼ることによって、実装ストレスに
よるボンディングワイヤ８の断線を防止することができ
るリードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装
置を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリードフレーム及び
それを用いた樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６（ａ），（ｂ）及び（ｃ），（ｄ）
は従来のリードフレームの一例の平面図、その内部リー
ドの部分拡大平面図及びそれを用いた樹脂封止型半導体
装置の断面図、ボンディングワイヤとリードの接続部の
部分拡大断面図である。従来のリードフレームは、図６
（ａ），（ｂ）に示すように、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金も
しくは銅を材料とするリード１の先端にボンディングエ
リアとしてめっき層２を施したものがある。この内部リ
ード１先端にめっき層２を施すのは、ワイヤボンディン
グ用下地として導電性，接合性を確保するためである。
なお、めっき層２の材料としては、通常銀めっきが用い
られる。
【０００３】次に、図６（ｃ）に示すように、リードフ
レームのアイランド４に半導体チップ６をマウントし、
金を材料とするボンディングワイヤ８を接続しエポキシ
樹脂７で封止する。尚ボンディングワイヤ８とリード１
の接続面は、図６（ｄ）に示すようにリード１先端とボ
ンディングの間はめっき層２のみの平坦な形状となって
いる。また、ボンディングボールは、つぶれた形で接続
されており、つぶれた部分は、ワイヤ部に比べ薄く変形
している。
【０００４】図７（ａ）及び（ｂ），（ｃ）は従来のリ
ードフレームの問題点を説明する樹脂封止型半導体装置
の断面図及びそのＡ部の剥離の発生を説明する断面図で
ある。従来の樹脂封止型半導体装置は、図７（ａ）及び
（ｂ），（ｃ）に示すように、ユーザーでの実装時にパ
ッケージ（以下、ＰＫＧと記す）が吸湿していると熱応
力によるＰＫＧ内の水分の膨張により樹脂７とめっき層
２の界面で水分の膨張が生じリード１先端よりめっき層
２に沿って剥離が発生するという問題点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】第１の問題点は、従来
の樹脂封止型半導体装置は、ユーザーでの実装時にＰＫ
Ｇが吸湿していると、熱応力によるＰＫＧ内の水分の膨
張によりボンディングワイヤが断線し、導通故障に至っ
てしまう。その理由は、実装時のＰＫＧ内部での水分膨
張がリード先端部で生じるためである。リード先端のめ
っきエリアは、銀めっきであり、この銀めっきはリード
フレームが樹脂封止されるまでの製造工程中に酸化を生
じてしまう。その結果、樹脂と銀めっきの界面の密着性
が悪くなりこの箇所で実装時に水分膨張による樹脂とめ
っき層との界面の剥離を生じてしまう。尚、剥離はリー
ド先端からめっき層に沿って進行しボンディングボール
のつぶれ部（ワイヤが薄い箇所）でボンディングワイヤ
の断線を生じてしまう。
【０００６】本発明はユーザーでの実装性を向上させた
信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、リードのボンディングワイヤが接続される先端面に
めっき層を施し、このめっき層の内側に接着剤を介して
先端面を接続するか、先端面を分離するか、先端面を分
離するように滴下樹脂にて貼りつけられていることを特
徴とする。
【０００８】本発明の樹脂封止型半導体装置は、リード
のボンディングワイヤが接続される先端面にめっき層を
施し、このめっき層の内側に接着剤を介して先端面を接
続するか、先端面を分離するか、先端面を分離するよう
に滴下樹脂にて貼りつけられたリードフレームに半導体
チップをマウントし、樹脂封止したことを特徴とする。
【０００９】本発明によると、まず、図２に示すよう
に、リード１先端からボンディングボールの間にストッ
パーとなる絶縁テープ３を設けることによりリード１先
端より生じた剥離は、絶縁テープ３の位置で止まってし
まい、ボンディングワイヤ８の断線に至らない。
【００１０】次に、図５に示すように、ボンディングボ
ールを滴下樹脂９にてコーティングすることにより、リ
ード１先端から生じた剥離は、めっき層２及び滴下樹脂
９の上側に沿って生じる。滴下樹脂９をコーティングす
ることにより、ボンディングボールの薄い箇所は保護さ
れる為、剥離部分のボンディングワイヤ８の強度は強
く、ボンディングワイヤ８の断線には至らない。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
【００１２】図１（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施
の形態のリードフレームの平面図、部分拡大平面図、そ
の断面図及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の断面
図、部分拡大断面図、図２は第１の実施の形態の効果を
説明する断面図である。本発明の第１の実施の形態のリ
ードフレームは図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、リー
ド１の先端面に膜厚が１０μｍ程度のフィルム樹脂から
なる接着剤５を介してポリイミドからなる絶縁テープ３
を貼りつけたことを特徴としている。この絶縁テープ３
は、リード１間を接続するように貼りつけている。ま
た、この絶縁テープ３の外側のボンディングエリアに
は、めっき層２が施されている。リード１の絶縁テープ
３貼り付け部分にめっき層２を施していないのは銀めっ
き層のマイグレーションが接着剤５及び絶縁テープ３の
部分に発生するのを防止するためである。
【００１３】本発明の第１の実施の形態のリードフレー
ムを用いた半導体装置は、図１（ｄ），（ｅ）に示すよ
うに、リード１のボンディングエリアのめっき層２と半
導体チップ６を接続するが、リード１先端とボンディン
グボールの間には接着剤５によって接着された絶縁テー
プ３が介在する形となる。このため、図２に示すよう
に、ユーザー実装時の水分膨張によるリード１先端部の
剥離をボンディングボール手前で防ぎボンディングワイ
ヤ８の断線を防止することができる。
【００１４】図３（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の実施
の形態のリードフレームの平面図、部分拡大平面図、そ
の断面図及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の断面
図、部分拡大断面図である。本発明の第２の実施の形態
のリードフレームは図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、
リード１の先端面のみにリード１間を分離した形状で膜
厚が１０μｍ程度のフィルム樹脂からなる接着剤５を介
してポリイミドからなる絶縁テープ３を貼り付けたこと
を特徴としている。リードフレームをこのように形成す
ることにより、絶縁テープ３がリード１間にないので接
着剤５への不純物の溶け出し及び銀めっき層からのマイ
グレーション発生等の不具合によるリード１間のショー
ト故障の発生を防止することができる。従って、リード
１に接着剤５を介して絶縁テープ３を貼りつけるエリア
にめっき層２の有無にかかわらず問題がなくなる。ま
た、絶縁テープ３の材質も絶縁物の必要はない。このリ
ードフレームの製造は、めっき層２形成後に絶縁テープ
３を貼りつけ、リード２と同時に絶縁テープ３をプレス
加工すればよい。リードフレームをこのように形成する
ことにより、図３（ｄ），（ｅ）に示すように、第１の
実施の形態の半導体装置と同様ユーザー実装時の水分膨
張によるリード１先端面の剥離をボンディングボール手
前で防ぎボンディングワイヤ８の断線を防止することが
できる。
【００１５】図４（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３の実施
の形態のリードフレームのリードの部分の拡大平面図、
その断面図及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の断
面図、図５は第３の実施の形態の効果を説明する断面図
である。本発明のリードフレーム及びそれを用いた樹脂
封止型半導体装置は、図４（ａ）〜（ｃ）に示すよう
に、従来のリードフレームにボンディングワイヤ８を接
続した後にボンディングボールを滴下樹脂９により保護
したことを特徴としている。この滴下樹脂９は液状のボ
リイミド樹脂またはアクリル樹脂を滴下し、ポリイミド
樹脂の場合は熱硬化、アクリル樹脂の場合はＵＶ硬化さ
せることによって保護層を形成している。滴下樹脂９の
滴下量は、ボンディングボールが埋まる程度で良い。そ
の後、樹脂７で封止しパッケージングする。半導体装置
をこのように構成することにより、図５に示すように、
剥離が発生してもボンディングワイヤ８のつぶれ部の肉
厚の薄い部分が滴下樹脂９にて保護されているのでボン
ディングワイヤ８の断線に至ることはない。
【００１６】
【発明の効果】第１の効果は、ユーザー実装時の水分膨
張によるリード先端面の剥離をボンディングボール手前
で防ぎ、ボンディングワイヤ断線を防止することができ
ることである。その理由は、実装時の熱ストレスで生じ
るリード先端面からの剥離がボンディングボール手前の
絶縁テープ部分で止まるからである。
【００１７】第２の効果は、ボンディングボールを保護
することにより、ユーザー実装時の水分膨張によるリー
ド先端面の剥離によるボンディングワイヤ断線を抑制で
きる。その理由は、ボンディングワイヤがつぶれ薄くな
ってボンディングボールを保護することによって、リー
ド先端の剥離は通常ボンディングワイヤ部分に生じる
が、ボンディングワイヤ断線しにくくなるためである。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施の形態の
リードフレームの平面図、部分拡大平面図、その断面図
及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の断面図、部分
拡大断面図である。
【図２】第１の実施の形態の効果を説明する断面図であ
る。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の実施の形態の
リードフレームの平面図、部分拡大平面図、その断面図
及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の断面図、部分
拡大断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３の実施の形態の
リードフレームのリードの部分拡大平面図、その断面図
及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の断面図であ
る。
【図５】第３の実施の形態の効果を説明する断面図であ
る。
【図６】（ａ），（ｂ）及び（ｃ），（ｄ）は、従来の
リードフレームの一例の平面図、その内部リードの部分
拡大平面図及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の断
面図、ボンディングワイヤとリードの接続部の部分拡大
断面図である。
【図７】（ａ）及び（ｂ），（ｃ）は従来のリードフレ
ームの問題点を説明する樹脂封止型半導体装置の断面図
及びそのＡ部の剥離の発生を説明する断面図である。
【符号の説明】
１ リード ２ めっき層 ３ 絶縁テープ ４ アイランド ５ 接着剤 ６ 半導体チップ ７ 樹脂 ８ ボンディングワイヤ ９ 滴下樹脂

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードのボンディングワイヤが接続され
    る先端面にめっき層を施し、このめっき層の内側に接着
    剤を介して絶縁テープを貼着したことを特徴とするリー
    ドフレーム。
  2. 【請求項２】 前記絶縁テープがリードのボンディング
    ワイヤが接続される先端面を接続するように貼りつけら
    れていることを特徴とする請求項１記載のリードフレー
    ム。
  3. 【請求項３】 前記絶縁テープがリードのボンディング
    ワイヤが接続される先端面を分離するように貼りつけら
    れていることを特徴とする請求項１記載のリードフレー
    ム。
  4. 【請求項４】 前記絶縁テープがリードのボンディング
    ワイヤが接続される先端面を分離するように滴下樹脂に
    て貼りつけられていることを特徴とする請求項１記載の
    リードフレーム。
  5. 【請求項５】 請求項１記載のリードフレームに半導体
    チップをマウントし、樹脂封止したことを特徴とする樹
    脂型半導体装置。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0246754A (ja) * 1988-08-08 1990-02-16 Nec Corp 半導体装置用リードフレーム
JPH02106061A (ja) * 1988-10-14 1990-04-18 Dainippon Printing Co Ltd 半導体リードフレームのテーピング方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661411A (ja) * 1992-08-04 1994-03-04 Nec Kyushu Ltd 半導体装置用リードフレーム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0246754A (ja) * 1988-08-08 1990-02-16 Nec Corp 半導体装置用リードフレーム
JPH02106061A (ja) * 1988-10-14 1990-04-18 Dainippon Printing Co Ltd 半導体リードフレームのテーピング方法

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