JPH02106061A - 半導体リードフレームのテーピング方法 - Google Patents
半導体リードフレームのテーピング方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体チップを実装するために使用される半
導体リードフレームをテーピングする方法に関する。
導体リードフレームをテーピングする方法に関する。
(従来の技術)
近年、半導体リードフレームのインナーリード部分が多
ビン化するに伴って、搬送時や工程中等に半導体リード
フレームが変形し、インナーリード同志が接触したり、
インナーリードの先端が上下にばらついたりすることが
ある。
ビン化するに伴って、搬送時や工程中等に半導体リード
フレームが変形し、インナーリード同志が接触したり、
インナーリードの先端が上下にばらついたりすることが
ある。
そこで、プラスチックテープでテーピングを行い、半導
体リードフレームのインナーリード部分の変形を防ぐ手
段が採られている。
体リードフレームのインナーリード部分の変形を防ぐ手
段が採られている。
第3図は、半導体リードフレーム(a)を示すものであ
る。
る。
そして、従来はかかる半導体リードフレーム(a)のイ
ンナーリード(20>の変形を防ぐため、第4図のよう
にインナーリード(20)の中央部分に互ってプラスチ
ックテープ(10)を接着している。
ンナーリード(20>の変形を防ぐため、第4図のよう
にインナーリード(20)の中央部分に互ってプラスチ
ックテープ(10)を接着している。
そして、第5図のように半導体チップ(30)を半導体
リードフレーム(a)のグイパッド部(21)上にグイ
ボンドし、半導体チップ(30)の電極部(31)とイ
ンナーリード(20)とをそれぞれワイヤ(22)で接
続する。
リードフレーム(a)のグイパッド部(21)上にグイ
ボンドし、半導体チップ(30)の電極部(31)とイ
ンナーリード(20)とをそれぞれワイヤ(22)で接
続する。
(発明が解決しようとする課題)
しかし、半導体チップ(30)のパッド数が多くなるに
連れてワイヤ(22)が長くなるので、従来のような、
インナーリード中央部にプラスチツクテープが接着され
た半導体リードフレームにあっては、第6図に示すよう
にワイヤ(22)同志が接触してショートしたり、ワイ
ヤ(22)が垂れ下がってダイパッド部分(21)に接
触してショートを起こすといった問題が発生する。
連れてワイヤ(22)が長くなるので、従来のような、
インナーリード中央部にプラスチツクテープが接着され
た半導体リードフレームにあっては、第6図に示すよう
にワイヤ(22)同志が接触してショートしたり、ワイ
ヤ(22)が垂れ下がってダイパッド部分(21)に接
触してショートを起こすといった問題が発生する。
本発明の目的は、以上の技術的課題を解決し、ワイヤ同
志がショートしたり、垂れ下って、ダイパッド部分とシ
ョートすることのない半導体リードフレームを提供する
ことにある。
志がショートしたり、垂れ下って、ダイパッド部分とシ
ョートすることのない半導体リードフレームを提供する
ことにある。
(課組を解決するための手段)
以上の技術的を解決するために、リードフレームのダイ
パッド周縁とインナーリード部の先端をフィルムで接続
するようにして半導体リードフレームのテーピング方法
を構成した。
パッド周縁とインナーリード部の先端をフィルムで接続
するようにして半導体リードフレームのテーピング方法
を構成した。
(作用)
リードフレームのダイパッド周縁とインナーリード部の
先端をフィルムで接続すると、インナーリード部分はし
っかりと保持され、変形しない。
先端をフィルムで接続すると、インナーリード部分はし
っかりと保持され、変形しない。
しかも、半導体チップの電極部と半導体リードフレーム
のインナーリードとの間を接続するワイヤは、フィルム
に当接するので、ふらついてワイヤ同志がショートした
り、垂れ下がってダイパッド部分とショートすることが
ない。
のインナーリードとの間を接続するワイヤは、フィルム
に当接するので、ふらついてワイヤ同志がショートした
り、垂れ下がってダイパッド部分とショートすることが
ない。
(実施例)
以下、図面を基にして本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明にかかるフィルム(1)が接着された
半導体リードフレーム(a)を示している。
半導体リードフレーム(a)を示している。
半導体リードフレーム(a)は、鋼合金、42アロイな
どの金属からなるものである。
どの金属からなるものである。
フィルム(1)の下面には接着剤(2)が塗布されてお
り、その接着剤(2)によって、半導体リードフレーム
(a)のダイパッド部分(21)周縁とインナーリード
(20)先端を接続するようにフィルム(1)が接着固
定されている。
り、その接着剤(2)によって、半導体リードフレーム
(a)のダイパッド部分(21)周縁とインナーリード
(20)先端を接続するようにフィルム(1)が接着固
定されている。
フィルム(1)には、接肴剤付きの、ポリイミド、PE
T等からなるプラスチック製フィルムなどが好適に使用
される。
T等からなるプラスチック製フィルムなどが好適に使用
される。
また、フィルム(1)の中央には角形の窓孔(1′)が
穿設されており、フィルム(1)をダイパッド部分(2
1)に接着したときにこの窓孔(1′)からダイパッド
部分(21)上面が露呈するようになっている。
穿設されており、フィルム(1)をダイパッド部分(2
1)に接着したときにこの窓孔(1′)からダイパッド
部分(21)上面が露呈するようになっている。
以上のような半導体リードフレーム(a)に半導体チッ
プ(30)を接続する方法としては、−般にワイヤボン
ディング法が広く利用されている。
プ(30)を接続する方法としては、−般にワイヤボン
ディング法が広く利用されている。
第2図に示すように、窓孔(1′)から露呈した半導体
リードフレーム(a)のダイパッド部分(21)上面に
半導体チップ(30)をダイボンドした後、半導体チッ
プ(30)の電極部(31)と半導体リードフレーム(
a)のインナーリード(20)との間を、適当な太さの
金線等からなるワイヤ(22)でそれぞれ接続するもの
である。
リードフレーム(a)のダイパッド部分(21)上面に
半導体チップ(30)をダイボンドした後、半導体チッ
プ(30)の電極部(31)と半導体リードフレーム(
a)のインナーリード(20)との間を、適当な太さの
金線等からなるワイヤ(22)でそれぞれ接続するもの
である。
なお、ワイヤボンディング法には、金線を主体とした熱
圧着法、アルミニウム線を主体とした超音波ボンディン
グ法、両者を組み合わせたサーモソニック法などがある
。
圧着法、アルミニウム線を主体とした超音波ボンディン
グ法、両者を組み合わせたサーモソニック法などがある
。
以上のように構成されたものにあっては、ダイパッド部
分(21)周縁とインナーリード(20)先端を接続す
るようにしてフィルム(1)が固定されているので、イ
ンナーリード(20)はしっかりと保持され、搬送時や
工程中等においても変形しない。
分(21)周縁とインナーリード(20)先端を接続す
るようにしてフィルム(1)が固定されているので、イ
ンナーリード(20)はしっかりと保持され、搬送時や
工程中等においても変形しない。
また、電極部(31)と半導体リードフレーム(a)の
インナーリード(20)を接続するワイヤ(22)は、
フィルム(1)上に係止されるので、ワイヤ(30)同
志がふらついて接触しあったり、ワイヤ(30)が垂れ
下がってダイパッド部分(4)に接触したりすることが
なく、ショートの心配がない。
インナーリード(20)を接続するワイヤ(22)は、
フィルム(1)上に係止されるので、ワイヤ(30)同
志がふらついて接触しあったり、ワイヤ(30)が垂れ
下がってダイパッド部分(4)に接触したりすることが
なく、ショートの心配がない。
(発明の効果)
以上何れにしても本発明によれば、インナーリードをし
っかりと保持して、搬送時や工程中等における変形を防
止することができる。
っかりと保持して、搬送時や工程中等における変形を防
止することができる。
しかも、電極部とインナーリードを接続するワイヤは、
フィルム上に係止されるので、ワイヤ同志がふらついて
接触しあったり、垂れ下がってダイパッド部分に接触し
たりすることがなく、ショートの心配がない 従って、ワイヤのショートのない信頼性の高い半導体製
品を得ることができる。
フィルム上に係止されるので、ワイヤ同志がふらついて
接触しあったり、垂れ下がってダイパッド部分に接触し
たりすることがなく、ショートの心配がない 従って、ワイヤのショートのない信頼性の高い半導体製
品を得ることができる。
第1図(イン、(口獅本発明方法にかかる半導体リード
フレームの平面図と拡大図、 第2図は第1図の半導体リードフレームで構成された半
導体の一部縦断面図、 第3図は半導体リードフレームの平面図、第4図は従来
方法のかかる半導体リードフレームの平面図、 第5.6図は何れも第4図の半導体リードフレームで構
成した半導体の一部縦断面図を表す。 22・・・ワイヤ 30・・・半導体チップ 31・・・電極部 a・・・半導体リードフレーム 1.10・・・フィルム 1′・・・窓孔 2・・・接着剤 20・・・インナーリード 21・・・グイパッド部分 aq祷4手リートす7レーム (ロ) (イン 第 1 図 弔 図 第 図
フレームの平面図と拡大図、 第2図は第1図の半導体リードフレームで構成された半
導体の一部縦断面図、 第3図は半導体リードフレームの平面図、第4図は従来
方法のかかる半導体リードフレームの平面図、 第5.6図は何れも第4図の半導体リードフレームで構
成した半導体の一部縦断面図を表す。 22・・・ワイヤ 30・・・半導体チップ 31・・・電極部 a・・・半導体リードフレーム 1.10・・・フィルム 1′・・・窓孔 2・・・接着剤 20・・・インナーリード 21・・・グイパッド部分 aq祷4手リートす7レーム (ロ) (イン 第 1 図 弔 図 第 図
Claims (1)
- (1)リードフレームのダイパッド周縁とインナーリー
ド部の先端をフィルムで接続したことを特徴とする半導
体リードフレームのテーピング方法(2)上記フィルム
は接着剤付きのプラスチックフィルムであることを特徴
とする請求項第1項に記載の半導体リードフレームのテ
ーピング方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25911588A JPH02106061A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体リードフレームのテーピング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25911588A JPH02106061A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体リードフレームのテーピング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02106061A true JPH02106061A (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=17329525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25911588A Pending JPH02106061A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 半導体リードフレームのテーピング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02106061A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09321208A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Nec Kyushu Ltd | リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
US6037652A (en) * | 1997-05-29 | 2000-03-14 | Nec Corporation | Lead frame with each lead having a peel generation preventing means and a semiconductor device using same |
WO2013145532A1 (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-03 | パナソニック株式会社 | 樹脂パッケージ |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP25911588A patent/JPH02106061A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09321208A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Nec Kyushu Ltd | リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
US6037652A (en) * | 1997-05-29 | 2000-03-14 | Nec Corporation | Lead frame with each lead having a peel generation preventing means and a semiconductor device using same |
WO2013145532A1 (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-03 | パナソニック株式会社 | 樹脂パッケージ |
JPWO2013145532A1 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-12-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 樹脂パッケージ |
US9252090B2 (en) | 2012-03-28 | 2016-02-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Resin package |
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