JPH0553252U - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH0553252U JPH0553252U JP110130U JP11013091U JPH0553252U JP H0553252 U JPH0553252 U JP H0553252U JP 110130 U JP110130 U JP 110130U JP 11013091 U JP11013091 U JP 11013091U JP H0553252 U JPH0553252 U JP H0553252U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- heat sink
- pad portion
- lead frame
- space
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ワイヤがダイパット部またはヒートシンクと
の間でショートするのを防止可能なリードフレームを提
供することを目的とする。 【構成】 インナーリード間にインナーリードと離間し
て配設されると共に、中央部分がくり抜かれた枠状に形
成されたダイパット部１２と、該ダイパット部１２のく
り抜かれた空間１６内に挿入、固定されたヒートシンク
１４とを具備するリードフレームにおいて、前記ヒート
シンク１４は、前記ダイパット部１２に形成された保持
部１８により、前記空間１６内において、上面がダイパ
ット部１２の上面と同一高さに保持され、前記ダイパッ
ト部１２の上面と前記ヒートシンク１４の上面とは絶縁
接着テープ２２で連結されている。
の間でショートするのを防止可能なリードフレームを提
供することを目的とする。 【構成】 インナーリード間にインナーリードと離間し
て配設されると共に、中央部分がくり抜かれた枠状に形
成されたダイパット部１２と、該ダイパット部１２のく
り抜かれた空間１６内に挿入、固定されたヒートシンク
１４とを具備するリードフレームにおいて、前記ヒート
シンク１４は、前記ダイパット部１２に形成された保持
部１８により、前記空間１６内において、上面がダイパ
ット部１２の上面と同一高さに保持され、前記ダイパッ
ト部１２の上面と前記ヒートシンク１４の上面とは絶縁
接着テープ２２で連結されている。
Description
【０００１】
本考案はリードフレームに関し、一層詳細には、インナーリード間にインナー リードと離間して配設されると共に、中央部分がくり抜かれた枠状に形成された ダイパット部と、ダイパット部のくり抜かれた空間内に挿入、固定されたヒート シンクとを具備するリードフレームに関する。
【０００２】
従来、インナーリード間にインナーリードと離間して配設されると共に、中央 部分がくり抜かれた枠状に形成されたダイパット部と、ダイパット部のくり抜か れた空間内に挿入、固定されたヒートシンクとを具備するリードフレームとして 特開平１−２９３５５１号公報に開示される技術が有る。 このリードフレームは、集積回路を載置するヒートシンクと、ダイパット部と を備え、ダイパット部には少なくとも１個の貫通孔を設け、ヒートシンクをその 貫通孔へ嵌入、固定してなるものである。
【０００３】
しかしながら、上記の従来のリードフレームには次のような課題がある。 ヒートシンクをダイパット部の貫通孔内へ嵌入、固定し、ヒートシンク上に集 積回路を載置した後、集積回路とインナーリードとの間をワイヤで結線（ワイヤ ボンディング）する。ところが、ワイヤボンディングを施したワイヤが自重で垂 れ下がり、ダイパット部またはヒートシンクとの間でショートすることがあると いう課題がある。 従って、本考案はワイヤがダイパット部またはヒートシンクとの間でショート するのを防止可能なリードフレームを提供することを目的とする。
【０００４】
上記課題を解決するため、本考案は次の構成を備える。 すなわち、インナーリード間にインナーリードと離間して配設されると共に、 中央部分がくり抜かれた枠状に形成されたダイパット部と、該ダイパット部のく り抜かれた空間内に挿入、固定されたヒートシンクとを具備するリードフレーム において、前記ヒートシンクは、前記ダイパット部に形成された保持部により、 前記空間内において、上面がダイパット部の上面と同一高さに保持され、前記ダ イパット部の上面と前記ヒートシンクの上面とは絶縁接着テープで連結されてい ることを特徴とする。
【０００５】
作用について説明する。 ヒートシンクの上面はダイパット部の上面と同一高さに保持され、ダイパット 部の上面とヒートシンクの上面とは絶縁接着テープで連結されているので、ワイ ヤボンディングを施したワイヤが自重で垂れ下がり、ダイパット部またはヒート シンク方向に移動しても絶縁接着テープがダイパット部またはヒートシンクとの 間のショートを防止可能となる。
【０００６】
以下、本考案の好適な実施例について添付図面と共に詳述する。 図２に本実施例のリードフレーム１０のダイパット部１２を示す。ダイパット 部１２はリードフレーム１０の幅方向の中央に形成され、インナーリード（不図 示）の先端に囲繞された空間内に、インナーリードとは離間して配設されている 。ダイパット部１２は、図３に図示する形状のヒートシンク１４が通過可能な空 間部１６を有する枠状に形成されている。 １８は保持部であり、ダイパット部１２の空間部１６の内縁から内側へ対向す るよう２個突設されている。保持部１８は、ダイパット部１２の空間部１６内に 挿入されたヒートシンク１４の上部に形成されている突縁部２０と係合可能にな っており、突縁部２０を下方から支持可能になっている。保持部１８の上面の高 さレベルはダイパット部１２の上面の高さレベルより低位になるよう形成されて おり、その差は前記突縁部２０の厚さと一致する。つまり、ヒートシンク１４は 、保持部１８により、空間部１６内において、上面がダイパット部１２の上面と 同一高さに保持される。なお、保持部１８の平面的位置、形状、個数等は本実施 例に限定されない。
【０００７】 続いて、上記のリードフレーム１０にヒートシンク１４を取り付ける方法につ いて図１および図４と共に説明する。 リードフレーム１０のダイパット部１２の空間部１６内へヒートシンク１４を 挿入する。 ヒートシンク１４の突縁部２０をダイパット部１２の保持部１８へ係合させ、 ヒートシンク１４の位置決めを行う。ヒートシンク１４の位置決めを行うと、ヒ ートシンク１４の上面とダイパット部１２の上面との高さレベルは一致する（図 ４参照）。 ヒートシンク１４の位置決めが終了したら、図１に示すような枠状に形成され ると共に、下面に接着（粘着）剤層が形成され、電気的絶縁性を有する片面接着 テープ２２をダイパット部１２とヒートシンク１４との間のギャップを跨ぐと共 に、ダイパット部１２上面とヒートシンク１４上面とに亘り接着し、両者を連結 する（図４参照）。この状態でヒートシンク１４はリードフレーム１０へ固定さ れる。その際、ダイパット部１２上面とヒートシンク１４上面の高さレベルが同 一なので接着作業は容易である。なお、ヒートシンク１４の固定手段としては片 面接着テープ２２に限定されるものではない。 上記のようにしてヒートシンク１４がダイパット部１２へ固定されたらヒート シンク１４へ集積回路２４が載置固定され、ワイヤ２６が集積回路２４とインナ ーリード２８との間にボンディングされる。仮にワイヤ２６が自重で垂れ下がり 、ダイパット部１２またはヒートシンク１４の上に垂れ下がっても片面接着テー プ２２がダイパット部１２またはヒートシンク１４との間のショートを防止可能 となる。
【０００８】 この製造工程において、保持部１８がヒートシンク１４を支持するため、簡単 にヒートシンク１４を取付可能であり、片面接着テープによる固定も容易に行う ことができる。 また、保持部１８がヒートシンク１４を支持するため、ヒートシンク１４の重 量がダイパット部１２とヒートシンク１４間の固定強度を低下させるおそれは無 い。 ダイパット部１２はインナーリード２８と離間しているから（図４参照）、ダ イパット部１２の空間部１６内に支持されたヒートシンク１４とインナーリード ２８との間の電流リークのおそれは全く無い。 以上、本考案の好適な実施例について種々述べてきたが、本考案は上述の実施 例に限定されるのではなく、考案の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得 るのはもちろんである。
【０００９】
本考案に係るリードフレームを用いると、ヒートシンクの上面はダイパット部 部の上面と同一高さに保持され、ダイパット部部の上面とヒートシンクの上面と は絶縁接着テープで連結されているので、ワイヤボンディングを施したワイヤが 自重で垂れ下がり、ダイパット部部またはヒートシンク方向に移動しても絶縁接 着テープがダイパット部またはヒートシンクとの間のショートを防止可能となる 。 また、保持部によりヒートシンクの上面はダイパット部部の上面と同一高さに 保持されるので、絶縁接着テープの貼着も容易であり、製造作業の作業性を向上 させることができる等の著効を奏する。
【図１】本考案に係るリードフレームの実施例を示した
分解斜視図。
分解斜視図。
【図２】リードフレームのダイパット部を示した斜視
図。
図。
【図３】ヒートシンクの斜視図。
【図４】ヒートシンクをリードフレームへ取り付けた状
態を示した断面図。
態を示した断面図。
１０ リードフレーム １２ ダイパット部 １４ ヒートシンク １６ 空間部 １８ 保持部 ２２ 片面接着テープ ２８ インナーリード
Claims (1)
- 【請求項１】 インナーリード間にインナーリードと離
間して配設されると共に、中央部分がくり抜かれた枠状
に形成されたダイパット部と、 該ダイパット部のくり抜かれた空間内に挿入、固定され
たヒートシンクとを具備するリードフレームにおいて、 前記ヒートシンクは、前記ダイパット部に形成された保
持部により、前記空間内において、上面がダイパット部
の上面と同一高さに保持され、 前記ダイパット部の上面と前記ヒートシンクの上面とは
絶縁接着テープで連結されていることを特徴とするリー
ドフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP110130U JPH0553252U (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP110130U JPH0553252U (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0553252U true JPH0553252U (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=14527791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP110130U Pending JPH0553252U (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0553252U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006065007A1 (en) * | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP110130U patent/JPH0553252U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006065007A1 (en) * | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method |
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