JPH03290937A - バンプ付き金属リード及びその製造方法 - Google Patents
バンプ付き金属リード及びその製造方法Info
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- JPH03290937A JPH03290937A JP1344014A JP34401489A JPH03290937A JP H03290937 A JPH03290937 A JP H03290937A JP 1344014 A JP1344014 A JP 1344014A JP 34401489 A JP34401489 A JP 34401489A JP H03290937 A JPH03290937 A JP H03290937A
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- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 9
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ＴＡＢテープのバンプ付き金属リード及びそ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、第４図に示すようなＴＡＢテープのデバイス穴１
８内に突出するバンプ付き金属リード１１は。
８内に突出するバンプ付き金属リード１１は。
第５図に示すように、絶縁部材１３に配した金属リード
】ｌをエツチング又はプレス加工により凹部１１ａを形
成することにより、金属リード１１の一部をバンプ１２
とし、絶縁部材１３から直線的に突出した形状がしられ
ている。金属リード１１は、半導体素子とハンプ１２の
接合前には断面方向の折り曲げ形状を設けない。
】ｌをエツチング又はプレス加工により凹部１１ａを形
成することにより、金属リード１１の一部をバンプ１２
とし、絶縁部材１３から直線的に突出した形状がしられ
ている。金属リード１１は、半導体素子とハンプ１２の
接合前には断面方向の折り曲げ形状を設けない。
半導体素子と金属リードの接合時に於いては、接合時の
金属リード１１の熱変形やバンプのつぶれ等により、第
６図に示すような金属リード１１と半導体素子】４の端
が、接触し易く、誤動作の原因となる。この誤動作を回
避するため、第７図に示すように、ダウンセット加工と
呼ばれる金属リード１１の折り曲げ成形を、半導体素子
１４と金属リード１５の接合時に同時に成形する方法が
知られている。
金属リード１１の熱変形やバンプのつぶれ等により、第
６図に示すような金属リード１１と半導体素子】４の端
が、接触し易く、誤動作の原因となる。この誤動作を回
避するため、第７図に示すように、ダウンセット加工と
呼ばれる金属リード１１の折り曲げ成形を、半導体素子
１４と金属リード１５の接合時に同時に成形する方法が
知られている。
（発明が解決しようとする課Ｂ）
しかし、このような形状の金属リードにおいては。
第８図に示すように、予めリード形状、接合条件等を考
慮した上で、必要なダウンセット量に相当する断面方向
の隙間ｇをパン１１２表面と半導体素子１４の表面間に
保ちつつ、バンプ１２と半導体素子１４の外部電極であ
るアルミバッドの１４ａ相対位置合せを行なった後、ボ
ンディングツール１７により。
慮した上で、必要なダウンセット量に相当する断面方向
の隙間ｇをパン１１２表面と半導体素子１４の表面間に
保ちつつ、バンプ１２と半導体素子１４の外部電極であ
るアルミバッドの１４ａ相対位置合せを行なった後、ボ
ンディングツール１７により。
金属リード１１を下方に押し下げつつ加熱加圧するダウ
ンセット加工を接合と同時におこなった場合。
ンセット加工を接合と同時におこなった場合。
バンプ１２の中心は、アルミパッド１４ａの中心に対し
てｅのズレが生じる。ズレ量ｅは、隙間ｇが大きくなる
ほど大きくなる傾向があり、ボンディングツール１７の
加熱加圧による接合前のバンプ１２とアルミバンド１４
ａの相対位置合わせが、不完全な場合、前述のズレｅと
相俟って、半導体素子１４の表面上の保護膜１４ｂにバ
ンプ１２が乗り上げるという問題がある。
てｅのズレが生じる。ズレ量ｅは、隙間ｇが大きくなる
ほど大きくなる傾向があり、ボンディングツール１７の
加熱加圧による接合前のバンプ１２とアルミバンド１４
ａの相対位置合わせが、不完全な場合、前述のズレｅと
相俟って、半導体素子１４の表面上の保護膜１４ｂにバ
ンプ１２が乗り上げるという問題がある。
従って隙間ｇは、小さい程正確な位置への接合が可能で
あるが、過少の場合は、所定のダウンセント量を得られ
ないという問題がある。
あるが、過少の場合は、所定のダウンセント量を得られ
ないという問題がある。
本発明は、バンプ１２とアルくパッド１４ａのズレ量を
低減し、かつ、所定のダウンセット量が得られる金属リ
ード形状を提供すると共に、その製造方法を提供するも
のである。
低減し、かつ、所定のダウンセット量が得られる金属リ
ード形状を提供すると共に、その製造方法を提供するも
のである。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するため１本発明は半導体素子１４との
接合前に予め金属リードを断面方向に所定の角度に折り
曲げ形状とすると共に、バンプ周辺部の接合時ボンディ
ングツールと接する面２ａを、 ＴＡＢテープの平面方
向と平行をなす折り曲げ形状（以下ダウンセント形状と
いう）を形成するようにした。
接合前に予め金属リードを断面方向に所定の角度に折り
曲げ形状とすると共に、バンプ周辺部の接合時ボンディ
ングツールと接する面２ａを、 ＴＡＢテープの平面方
向と平行をなす折り曲げ形状（以下ダウンセント形状と
いう）を形成するようにした。
このような形状を得る製造方法としては、第３図に示す
ように、予めエツチング等によりバンプのない状態にリ
ードを成形した金属リード１０１を、ハンプを成形すべ
き位置に対応した？Ｊ＠の凹部を上型または、下型に設
け、上下型に金属リードの中間付近を成形するための斜
面を設けた金型を用いたバンプの形成と、ダウンセット
形状の成形をプレス加工により同時に行い、金属リード
１の形状を得るようにした。
ように、予めエツチング等によりバンプのない状態にリ
ードを成形した金属リード１０１を、ハンプを成形すべ
き位置に対応した？Ｊ＠の凹部を上型または、下型に設
け、上下型に金属リードの中間付近を成形するための斜
面を設けた金型を用いたバンプの形成と、ダウンセット
形状の成形をプレス加工により同時に行い、金属リード
１の形状を得るようにした。
（作用）
このようにダウンセット形状が予め形成された金属リー
ド１に於いては、第９図番こ示すように、半導体素子４
とバンプ２の接合時、金属リードｌは、予め下方に押し
下げられているため、バンプ２と半導体素子４の表面間
の隙間Ｇは、従来の隙間ｇと比較して少ない量で接合を
可能とする。その結果、アル〔パッド４ａの所定の平面
座標とバンプ２の中心のズレ量Ｅは、従来のズレ量ｅと
の比較し低減することができ、より正確な位置への接合
が可能となるのである。さらに、言うまでもなく、金属
リード１は予めダウンセット形状に成形されているため
、所定のダウンセント量かえられる。
ド１に於いては、第９図番こ示すように、半導体素子４
とバンプ２の接合時、金属リードｌは、予め下方に押し
下げられているため、バンプ２と半導体素子４の表面間
の隙間Ｇは、従来の隙間ｇと比較して少ない量で接合を
可能とする。その結果、アル〔パッド４ａの所定の平面
座標とバンプ２の中心のズレ量Ｅは、従来のズレ量ｅと
の比較し低減することができ、より正確な位置への接合
が可能となるのである。さらに、言うまでもなく、金属
リード１は予めダウンセット形状に成形されているため
、所定のダウンセント量かえられる。
また、第３図番こ示すように製造方法番こおいては。
バンプ２の中心座標は、金型の凹部６ａの平面座標をア
ルミバッド４ａの所定の平面座標と一致させ−ることに
より、アルミバッド４ａの所定の平面座標と−ｉｔさせ
ることができる。
ルミバッド４ａの所定の平面座標と一致させ−ることに
より、アルミバッド４ａの所定の平面座標と−ｉｔさせ
ることができる。
さらに、ダウンセント形状となす成形を同時に行なって
いるため、金属リードの伸びによるハンプ２の中心座標
のズレは生しない。
いるため、金属リードの伸びによるハンプ２の中心座標
のズレは生しない。
さらに、フィルムキャリアと接着剤と金属リードの熱膨
張係数の違いにより、金属リードが半導体素子側に変形
して生しるエッヂショートも、金属リードをあらかじめ
ダウンセ・）卜することで、ボンディング時に半導体素
子側への変形が防止されるため。
張係数の違いにより、金属リードが半導体素子側に変形
して生しるエッヂショートも、金属リードをあらかじめ
ダウンセ・）卜することで、ボンディング時に半導体素
子側への変形が防止されるため。
生しない。
（実施例）
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図はバンプ付き金属リードの断面図である。
金属リード１は、厚さ約３０μｍまたは７０μｍの銅箔
に金めつきを施したものであり、絶縁部材３のデバイス
穴に突出し、ダウンセット形状を威し、金属リード１の
先端部には、半導体素子と接合するためのバンプ２が成
形されている。ダウンセント形状とは、バンプ２を含む
ハンプ周辺部２ａが接着剤層３ａと金属リードｌとの接
する面より約２２０−１Ｏ０ａ下方に位置し、かつＴＡ
Ｂテープの平面方向と平行を保ち、平行をなす長さは、
接合時ボンディングツールが接触する金属リード部の長
さと同等またはそれ以上であり、その中間部の金属リー
ドは傾斜をなしている。バンプ２はその中心が所定の平
面座標となるように成形されている。
に金めつきを施したものであり、絶縁部材３のデバイス
穴に突出し、ダウンセット形状を威し、金属リード１の
先端部には、半導体素子と接合するためのバンプ２が成
形されている。ダウンセント形状とは、バンプ２を含む
ハンプ周辺部２ａが接着剤層３ａと金属リードｌとの接
する面より約２２０−１Ｏ０ａ下方に位置し、かつＴＡ
Ｂテープの平面方向と平行を保ち、平行をなす長さは、
接合時ボンディングツールが接触する金属リード部の長
さと同等またはそれ以上であり、その中間部の金属リー
ドは傾斜をなしている。バンプ２はその中心が所定の平
面座標となるように成形されている。
このように予めダウンセット形状に形成したバンプ付き
金属リードは、半導体素子との接合の際、バンプと半導
体素子の相対位置合わせ時、バンプ表面と半導体素子表
面間の隙間を少なくすることができる。その結果、予め
ダウンセントを施さない従来の金属リードに比べ実施例
の金属リードは、接合時の位置ズレ量を低減でき、より
正確な位置への接合が可能となる。
金属リードは、半導体素子との接合の際、バンプと半導
体素子の相対位置合わせ時、バンプ表面と半導体素子表
面間の隙間を少なくすることができる。その結果、予め
ダウンセントを施さない従来の金属リードに比べ実施例
の金属リードは、接合時の位置ズレ量を低減でき、より
正確な位置への接合が可能となる。
第１図は１片面ＴＡＢテープのパターン面側に半導体素
子を接合すべくバンプ２を形成した例であるが、絶縁部
材の面倒に半導体素子を接合する場合は第２図のように
、ダウンセント形状及びバンプを絶縁部材の面倒に設け
れは良い。また、金属リードの中間部は傾斜をなしてい
るが、傾斜に限らず段階的な段差でもよい。
子を接合すべくバンプ２を形成した例であるが、絶縁部
材の面倒に半導体素子を接合する場合は第２図のように
、ダウンセント形状及びバンプを絶縁部材の面倒に設け
れは良い。また、金属リードの中間部は傾斜をなしてい
るが、傾斜に限らず段階的な段差でもよい。
第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、製造方法を説明する
図である。下型６には複数の凹部６ａがハンプを所定の
平面座標に成型すべく、半導体素子の四角いアルミバッ
ドの辺に対して１／２〜１／３の長さを有する断面幅で
、金属リード厚の約１／２の深さに設けられている。ま
た、上下の型には、金属リードの中間部を傾斜に加工す
るための斜面を有している。
図である。下型６には複数の凹部６ａがハンプを所定の
平面座標に成型すべく、半導体素子の四角いアルミバッ
ドの辺に対して１／２〜１／３の長さを有する断面幅で
、金属リード厚の約１／２の深さに設けられている。ま
た、上下の型には、金属リードの中間部を傾斜に加工す
るための斜面を有している。
このような上型５．下型６に第３図（ａ）に示すように
予めエツチング等の方法を用い形成された金属リード１
０１をセントする。このとき、金属り−ド１０１の長さ
は、プレス成型後確実にハンプ２が形成できるように充
分な長さを要する。次に第３図（ｂ）、 （ｃ）のよ
うにプレス加工することにより。
予めエツチング等の方法を用い形成された金属リード１
０１をセントする。このとき、金属り−ド１０１の長さ
は、プレス成型後確実にハンプ２が形成できるように充
分な長さを要する。次に第３図（ｂ）、 （ｃ）のよ
うにプレス加工することにより。
第１図又は第２図に示すようなバンプの成型とダウンセ
ット成型が可能である。
ット成型が可能である。
第３図の凹部は、下型に設けた例を示したが、上下型の
関係は逆にしてもさしつかえない。また、金属リードの
めっきについてもプレス前後どちらでもさしつかえない
。
関係は逆にしてもさしつかえない。また、金属リードの
めっきについてもプレス前後どちらでもさしつかえない
。
本発明は、ＴＡＢテープの金属リートの場合について示
したが、ハンプ付きリードフレー五等乙こも応用可能な
技術である。
したが、ハンプ付きリードフレー五等乙こも応用可能な
技術である。
（発明の効果）
本発明は以上説明したように、接合前のバンプ付き金属
リードを予めダウンセント形状にすることで精度の高い
半導体素子との接合が可能に謀る効果があり、多ビン、
狭いピッチのＴＡＢ実装に有効である。また、金属リー
ドのハンプ形成とダウンセット形状を同時にプレス成形
することにより、所定の位置にハンプを有し、ダウンセ
ント加工を施した金属リードを容易に製造でき、ボンデ
ィング時に工・ノヂシジート等が生ずる恐れがなくなる
。
リードを予めダウンセント形状にすることで精度の高い
半導体素子との接合が可能に謀る効果があり、多ビン、
狭いピッチのＴＡＢ実装に有効である。また、金属リー
ドのハンプ形成とダウンセット形状を同時にプレス成形
することにより、所定の位置にハンプを有し、ダウンセ
ント加工を施した金属リードを容易に製造でき、ボンデ
ィング時に工・ノヂシジート等が生ずる恐れがなくなる
。
第１図は本発明の一実施例を示すＴＡＢテープのハンプ
を有する金属リードの断面図、第２図は本発明の他の実
施例を示す金属リードの断面図、第３図（ａ）、（ｂ）
、（ｃ）は本発明のＴＡＢテープのハンプを有する金属
Ｊ−ドの製造方法の説明図、第第４図はＴＡＢテープの
平面図、第５図は従来のＴＡＢテープのハンプを有する
金属リードの断面図第６図は半導体素子接合時の不良を
説明する断面図第７図は半導体素子接合時の艮好な状態
を説明する断面図、第８図二ま従来の金属リードと半導
体素子との接合時の作用を説明する断面図、第９図は本
発明の金属リートと半導体素子との接合時の作用を説明
する断面図である。 １・・・金属リード １０１・・・金属リード ２・・・バンプ ４・・・半導体素子 ５・・・上型 ６・・・下型 ６ａ・・・凹部 ７・・・ボンディングツール １１・・・金属リード １２・・・バンプ １４・・・半導体素子 １８・・・デバイス穴 実用新案登録出願人 オリエント時計株式会社 第 図 （ｂ） （Ｃ） 第 ６ 図 第 図 第 図 第 図
を有する金属リードの断面図、第２図は本発明の他の実
施例を示す金属リードの断面図、第３図（ａ）、（ｂ）
、（ｃ）は本発明のＴＡＢテープのハンプを有する金属
Ｊ−ドの製造方法の説明図、第第４図はＴＡＢテープの
平面図、第５図は従来のＴＡＢテープのハンプを有する
金属リードの断面図第６図は半導体素子接合時の不良を
説明する断面図第７図は半導体素子接合時の艮好な状態
を説明する断面図、第８図二ま従来の金属リードと半導
体素子との接合時の作用を説明する断面図、第９図は本
発明の金属リートと半導体素子との接合時の作用を説明
する断面図である。 １・・・金属リード １０１・・・金属リード ２・・・バンプ ４・・・半導体素子 ５・・・上型 ６・・・下型 ６ａ・・・凹部 ７・・・ボンディングツール １１・・・金属リード １２・・・バンプ １４・・・半導体素子 １８・・・デバイス穴 実用新案登録出願人 オリエント時計株式会社 第 図 （ｂ） （Ｃ） 第 ６ 図 第 図 第 図 第 図
Claims (2)
- （１）デバイス穴に突出する金属リードの先端部にバン
プを有する半導体素子接合前のＴＡＢテープに於いて、
前記金属リードが、ＴＡＢテープの断面方向に所定の角
度で折り曲げ形状を有し、かつ、前記バンプ周辺の接合
時ボンディングツールと接する面がＴＡＢテープの平面
方向と平行をなすように折り曲げ形状を有することを特
徴とするバンプ付き金属リード。 - （２）予めＴＡＢテープのデバイス穴内に突出する金属
リードを形成し、前記金属リードのバンプを形成すべき
位置に対応した複数の凹部を設けた上型または下型を用
い、バンプを成形する工程と、前記金属リードをＴＡＢ
テープの断面方向に所定の角度に折り曲げ成形する工程
と、バンプ周辺の接合時ボンディングツールと接する面
をＴＡＢテープの平面方向と平行をなす折り曲げ成形す
る工程をプレス加工により同時に行なうことを特徴とす
るバンプ付き金属リードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1344014A JPH03290937A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | バンプ付き金属リード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1344014A JPH03290937A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | バンプ付き金属リード及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03290937A true JPH03290937A (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=18365992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1344014A Pending JPH03290937A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | バンプ付き金属リード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03290937A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0730047A (ja) * | 1993-07-13 | 1995-01-31 | Nec Corp | 半導体装置のリードフレーム並びにその製造装置及び方法 |
| DE19504543A1 (de) * | 1995-02-11 | 1996-08-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Formung von Anschlußhöckern auf elektrisch leitenden mikroelektronischen Verbindungselementen zum lothöcker-freien Tab-Bonden |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59139636A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ボンデイング方法 |
| JPH01104031A (ja) * | 1987-07-03 | 1989-04-21 | Ajinomoto Co Inc | フッ素系化合物及び液晶組成物 |
| JPH02192747A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-30 | Hitachi Cable Ltd | Ｔａｂ用テープキャリア |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP1344014A patent/JPH03290937A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59139636A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ボンデイング方法 |
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