JPH02137253A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02137253A JPH02137253A JP29298788A JP29298788A JPH02137253A JP H02137253 A JPH02137253 A JP H02137253A JP 29298788 A JP29298788 A JP 29298788A JP 29298788 A JP29298788 A JP 29298788A JP H02137253 A JPH02137253 A JP H02137253A
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- Japan
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- lead
- semiconductor element
- lead frame
- mounting part
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- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 14
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- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、リードフレームの載置部に半導体素子を固
着し、封止してリードを呂した半導体装置に関し、特に
リードフレーム部の改良にかかわる〇 〔従来の技術〕 ＠４図は打抜き形成された従来の半導体装置のリードフ
レームの一部を示す。図において、１は多連のリードフ
レームで１図では１セクションバー分を示し、このセク
ションが複数配列されている。
着し、封止してリードを呂した半導体装置に関し、特に
リードフレーム部の改良にかかわる〇 〔従来の技術〕 ＠４図は打抜き形成された従来の半導体装置のリードフ
レームの一部を示す。図において、１は多連のリードフ
レームで１図では１セクションバー分を示し、このセク
ションが複数配列されている。
２は連続する両倶］の外枠、３はこれらの外枠を直角に
つなぐセクションバーで、複数が子行に設けられている
０４は両外枠２１！１及び両セクションパー３間のほぼ
中央に位置する載置部で、各セクションバーのほぼ中央
から直角に延びた両方の宙づｆ） リード５に両持ちさ
れている０６は各外枠２から内方に延びた複数のリード
部で、後工程で成形される樹脂封止体の内方になる内部
リード部６ａと外方になる外部リード部６ｂとからなる
。
つなぐセクションバーで、複数が子行に設けられている
０４は両外枠２１！１及び両セクションパー３間のほぼ
中央に位置する載置部で、各セクションバーのほぼ中央
から直角に延びた両方の宙づｆ） リード５に両持ちさ
れている０６は各外枠２から内方に延びた複数のリード
部で、後工程で成形される樹脂封止体の内方になる内部
リード部６ａと外方になる外部リード部６ｂとからなる
。
上記リードフレーム１は、第５図に示すように。
両方づυリード５が下方に折曲げプレス加工され、載置
部４がリード部６に平行を保ち下げられた位置にされ、
かつ１両外枠２間及び両セクションバ−３間のほぼ中央
位置を保っている０ このように、載置部４を下げ九位置に成形し。
部４がリード部６に平行を保ち下げられた位置にされ、
かつ１両外枠２間及び両セクションバ−３間のほぼ中央
位置を保っている０ このように、載置部４を下げ九位置に成形し。
後工程で載置部４に固着された半導体素子の上面が各リ
ード部６の上面とほぼ同じ高さになるようＫしている。
ード部６の上面とほぼ同じ高さになるようＫしている。
したがって、半導体素子１の厚さが大きくなると、載置
部４の下げ寸法が大きくなるｏしかし。
部４の下げ寸法が大きくなるｏしかし。
画室づシリード５の下方への折曲げ塑性変形には限度が
あり、載置部４の下げ寸法も限界があり大きくはできな
い０ 第５図のリードフレーム１を用いて製作された半導体装
置を、第６図に示す。リードフレーム１の載置部４に半
導体素子８を固着し、この半導体素子とリード部６との
上面高さがそろえられている。この状態で、半導体素子
８の電Ｗｉ９と内部リード部６ａとに金属細線１０でワ
イヤポンディングする。このように、半導体素子８と内
部リード部６ａの上面高さをそろえていることにより、
ワイヤボンディング乍業を容易にしている。
あり、載置部４の下げ寸法も限界があり大きくはできな
い０ 第５図のリードフレーム１を用いて製作された半導体装
置を、第６図に示す。リードフレーム１の載置部４に半
導体素子８を固着し、この半導体素子とリード部６との
上面高さがそろえられている。この状態で、半導体素子
８の電Ｗｉ９と内部リード部６ａとに金属細線１０でワ
イヤポンディングする。このように、半導体素子８と内
部リード部６ａの上面高さをそろえていることにより、
ワイヤボンディング乍業を容易にしている。
このワイヤポンディングされた金属細線１０の形状を、
第７図に示す。山形に曲った金属細線１０は、半導体素
子８の角部から離れていて、絶縁間隔があけられている
。
第７図に示す。山形に曲った金属細線１０は、半導体素
子８の角部から離れていて、絶縁間隔があけられている
。
第６図に戻υ、ワイヤボンディングが終ると。
この状態のリードフレーム１を各セクション１ａごとに
、半導体素子８部及び内部リード部６ａ部を樹脂封止体
１１により封止し、外枠２．セクションパー３を切断除
去する０つづいて１両側の外部リード部６ｂを下方に折
曲げ成形する。こうして、デュテルΦイン・ライン形の
半導体装置７が形成される。
、半導体素子８部及び内部リード部６ａ部を樹脂封止体
１１により封止し、外枠２．セクションパー３を切断除
去する０つづいて１両側の外部リード部６ｂを下方に折
曲げ成形する。こうして、デュテルΦイン・ライン形の
半導体装置７が形成される。
上記のように、リードフレーム１の載置部５の下げ寸法
は余り大きくできず、この状態の載置部５に、第８図の
ように厚い半導体素子１日を固着すると１次のようにな
る。半導体素子１日の電極９と内部リード部６ａとに金
属線［１０をワイヤポンディングすると１図のような形
状になシ、金属細線１０が半導体素子１日の上面の端に
接触する事態を生じる。
は余り大きくできず、この状態の載置部５に、第８図の
ように厚い半導体素子１日を固着すると１次のようにな
る。半導体素子１日の電極９と内部リード部６ａとに金
属線［１０をワイヤポンディングすると１図のような形
状になシ、金属細線１０が半導体素子１日の上面の端に
接触する事態を生じる。
上記のような従来の半導体装置では、半導体素子１８の
厚さが大きくなると、リードフレーム１の載置部４の下
げ寸法の限界により、半導体素子１日の上面がリード部
６上面よシ大きく突出した高さになり、金属細線１０が
半導体素子１日の上面端部に接触し、短絡事故が生じ、
信頼性を低下するという問題点があったＯ この発明は、このような間０点を解決するためになされ
たもので、半導体素子の厚さが大きくなっても、ワイヤ
ポンディングの金属細線が半導体素子の上面端部に接触
することのないようにし。
厚さが大きくなると、リードフレーム１の載置部４の下
げ寸法の限界により、半導体素子１日の上面がリード部
６上面よシ大きく突出した高さになり、金属細線１０が
半導体素子１日の上面端部に接触し、短絡事故が生じ、
信頼性を低下するという問題点があったＯ この発明は、このような間０点を解決するためになされ
たもので、半導体素子の厚さが大きくなっても、ワイヤ
ポンディングの金属細線が半導体素子の上面端部に接触
することのないようにし。
信頼性を向上した半導体装置を得ることを目的としてい
る。
る。
この発明にかかる半導体装置は、リードフレームの載置
部の宙づりリードを片側のみとし、厚さの大きい半導体
素子に対応し、リードフレームの載置部を半導体素子の
ほぼ厚さ寸法だけ下方位置にしたものである０このため
には、あらかじめ。
部の宙づりリードを片側のみとし、厚さの大きい半導体
素子に対応し、リードフレームの載置部を半導体素子の
ほぼ厚さ寸法だけ下方位置にしたものである０このため
には、あらかじめ。
宙づりリードの長さを、後工程での折曲げ成形可能な寸
法にして打抜いてあり、下方位置に成形し九載置部に半
導体素子を固着し、リード部との間にワイヤポンディン
グし、封止して外部リードを出したものである。
法にして打抜いてあり、下方位置に成形し九載置部に半
導体素子を固着し、リード部との間にワイヤポンディン
グし、封止して外部リードを出したものである。
この発明においては、厚い半導体素子に対し。
載置部がほぼその厚さ寸法だけ下げた位置に成形されて
おり、半４体素子とリード部の土面高さがほぼ同一にな
シ、ワイヤポンディングされた金属細線が半導体素子の
上面端部に接触することがなくされる〇 〔実施例〕 第１図はこの発明による半導体装置の一実施例に用いら
れるリードフレームの一部を、１セクション２１ａ分示
し、２ 、３ 、４ 、６ 、６ａ 、 ６ｂは上記従
来装置と同一のものである。リードフレーム２１のセク
ションパー３から出され載置部４につながる片側の宙づ
ｌ）リード２５は、あらかじめ。
おり、半４体素子とリード部の土面高さがほぼ同一にな
シ、ワイヤポンディングされた金属細線が半導体素子の
上面端部に接触することがなくされる〇 〔実施例〕 第１図はこの発明による半導体装置の一実施例に用いら
れるリードフレームの一部を、１セクション２１ａ分示
し、２ 、３ 、４ 、６ 、６ａ 、 ６ｂは上記従
来装置と同一のものである。リードフレーム２１のセク
ションパー３から出され載置部４につながる片側の宙づ
ｌ）リード２５は、あらかじめ。
厚い半導体素子１日に対応し長くしである０後工程で載
置部４がほぼその厚さ寸法だけ下方位置にされ、その位
置でリードフレームのセクション２１ａのほぼ中央にく
るように、宙づりリード２５の長さ寸法を設定し打抜い
であるＯ こうして、第２図に示すように、大きい厚さの半導体素
子に対応し、はぼその厚さ寸法だけ載置部４を下げた位
置に、かつ、リード部６と平行を保つように、宙づりリ
ード２５を折曲げプレス加工している０こうして、載置
部４はセクション２１ａのほぼ中央に位置している０ このように成形されたリードフレーム２１を用い、厚い
半導体素子１８を装着して製作された半導体装置を、第
３図に示す０半導体素子１８の上面はり−ド６の上面と
ほぼ同じ高さになっている０この状態で、半導体素子１
８の電極９と内部リード部６ａとに金属細線１０でワイ
ヤボンディングする。半導体素子１８と内部リード部６
ａとは上面高さがそろえられておシ、厚い半導体素子１
８であってもワイヤボンディング作業が容易にでき、金
属細線１０は半導体素子１日の上面端部から十分離され
ている０ この状態のリードフレーム２１ヲ、セクション２１ａご
とに樹脂封止体１１で封止し、外枠２．セクションパー
３を切断除去し、外部リード部６ｂを下方に折曲げ成形
する。こうして、半導体装置１７が形成される０ なお、上記実施例では、下方位置にされた１６！置ｍｔ
は、リードフレーム２１のセクション２１ａの中央にな
るようにしたが、場合によってはずれた位置にしてもよ
い０ また、主起実施例では、宙づりリード２５はセクション
パー３から出したが、外枠２から出してもよく、直角で
なくてもよい。さらに、外枠２とセクションパー３の直
交部から出してもよいＯまた。一方何に複数本であって
もよく、直線状でなく曲線状であってもよい口 なおまた、リード部６は外枠２に限らず、セクションパ
ー３から出してもよく、双方から出した場合にも適用で
きるものであるＯ またさらに、封止体として樹脂封止体１１に限らず、セ
ラミック封止体、金属封正体などであってもよいＣ さらにまた、半導体装置としてデュアル・イン−ライン
形に限らス、シングル・イン・ライン形などにも適用で
きるものであるＯ 〔伯明の効果〕 以上のように、この絶間によれば、１ノードフレームの
載は部の宙づりリードを片側のみとし、厚さの大きい半
導体素子に対応し、はぼこの厚さ寸法だけリードフレー
ムの載置部を下方位置に成形し、リードフレームの中の
所定水平方向位置にし。
置部４がほぼその厚さ寸法だけ下方位置にされ、その位
置でリードフレームのセクション２１ａのほぼ中央にく
るように、宙づりリード２５の長さ寸法を設定し打抜い
であるＯ こうして、第２図に示すように、大きい厚さの半導体素
子に対応し、はぼその厚さ寸法だけ載置部４を下げた位
置に、かつ、リード部６と平行を保つように、宙づりリ
ード２５を折曲げプレス加工している０こうして、載置
部４はセクション２１ａのほぼ中央に位置している０ このように成形されたリードフレーム２１を用い、厚い
半導体素子１８を装着して製作された半導体装置を、第
３図に示す０半導体素子１８の上面はり−ド６の上面と
ほぼ同じ高さになっている０この状態で、半導体素子１
８の電極９と内部リード部６ａとに金属細線１０でワイ
ヤボンディングする。半導体素子１８と内部リード部６
ａとは上面高さがそろえられておシ、厚い半導体素子１
８であってもワイヤボンディング作業が容易にでき、金
属細線１０は半導体素子１日の上面端部から十分離され
ている０ この状態のリードフレーム２１ヲ、セクション２１ａご
とに樹脂封止体１１で封止し、外枠２．セクションパー
３を切断除去し、外部リード部６ｂを下方に折曲げ成形
する。こうして、半導体装置１７が形成される０ なお、上記実施例では、下方位置にされた１６！置ｍｔ
は、リードフレーム２１のセクション２１ａの中央にな
るようにしたが、場合によってはずれた位置にしてもよ
い０ また、主起実施例では、宙づりリード２５はセクション
パー３から出したが、外枠２から出してもよく、直角で
なくてもよい。さらに、外枠２とセクションパー３の直
交部から出してもよいＯまた。一方何に複数本であって
もよく、直線状でなく曲線状であってもよい口 なおまた、リード部６は外枠２に限らず、セクションパ
ー３から出してもよく、双方から出した場合にも適用で
きるものであるＯ またさらに、封止体として樹脂封止体１１に限らず、セ
ラミック封止体、金属封正体などであってもよいＣ さらにまた、半導体装置としてデュアル・イン−ライン
形に限らス、シングル・イン・ライン形などにも適用で
きるものであるＯ 〔伯明の効果〕 以上のように、この絶間によれば、１ノードフレームの
載は部の宙づりリードを片側のみとし、厚さの大きい半
導体素子に対応し、はぼこの厚さ寸法だけリードフレー
ムの載置部を下方位置に成形し、リードフレームの中の
所定水平方向位置にし。
この載置部に半導体素子を固着し、リード部との間にワ
イヤボンディングしたので、大きい厚さの半導体素子で
あっても、金属細線が半導体素子の上面端部に接触する
ことがなく、短絡事故がなくされ、信頼性の高い半導体
装置が得られる０
イヤボンディングしたので、大きい厚さの半導体素子で
あっても、金属細線が半導体素子の上面端部に接触する
ことがなく、短絡事故がなくされ、信頼性の高い半導体
装置が得られる０
第１図はこの尾明による半導体装置の一実施例に用いる
リードフレームの斜視図、第２図は第１図のリードフレ
ームの宙づりリードを折曲げ載置部を下方位置に成形し
た状態の斜視図、第３図（ａ）及び（１））は第２図の
リードフレームを使用シテ形成さられたこの宅間による
半導体装置の一実施例の正面断面図及び側面断面図、第
４図は従来の半導体装置に用いるリードフレームの斜視
図、第５図は第４図のリードフレームの宙づりリードヲ
折血げ載置部を下方位置に成形した状態の斜視図、第６
図は第５図のリードフレームを使用して形成された従来
の半導体装置の正面断面図及び側面断面図、第７図は第
５図リードフレームの載置部に固着された厚さの小さい
半導体素子のワイヤボンディング部を示す正図図、第８
図は第５図のリードフレームの載置部に固着された厚さ
の大きい半導体素子のワイヤボンディング部を示す側面
図である０ ２・・・外枠、３・・・セクションパー ４・・・載置
部。 ６・・・リード部、 ６ａ・・・内部リード部、 ６ｂ
・・・外部リード部、８．１８・・・半導体素子、 １
０・・・金属細線。 １１・・・樹脂封止体、２１・・・リードフレーム、２
５・・・宙づりリード。 なお１図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
リードフレームの斜視図、第２図は第１図のリードフレ
ームの宙づりリードを折曲げ載置部を下方位置に成形し
た状態の斜視図、第３図（ａ）及び（１））は第２図の
リードフレームを使用シテ形成さられたこの宅間による
半導体装置の一実施例の正面断面図及び側面断面図、第
４図は従来の半導体装置に用いるリードフレームの斜視
図、第５図は第４図のリードフレームの宙づりリードヲ
折血げ載置部を下方位置に成形した状態の斜視図、第６
図は第５図のリードフレームを使用して形成された従来
の半導体装置の正面断面図及び側面断面図、第７図は第
５図リードフレームの載置部に固着された厚さの小さい
半導体素子のワイヤボンディング部を示す正図図、第８
図は第５図のリードフレームの載置部に固着された厚さ
の大きい半導体素子のワイヤボンディング部を示す側面
図である０ ２・・・外枠、３・・・セクションパー ４・・・載置
部。 ６・・・リード部、 ６ａ・・・内部リード部、 ６ｂ
・・・外部リード部、８．１８・・・半導体素子、 １
０・・・金属細線。 １１・・・樹脂封止体、２１・・・リードフレーム、２
５・・・宙づりリード。 なお１図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- リードフレームの中に形成された載置部が宙づりリード
につながり支持されており、この宙づりリードが下方に
折曲げ成形されて載置部がリードフレームのリード部に
平行を保ち下方位置にされ、この載置部に半導体素子が
固着され、この半導体素子と上記リード部の内部リード
部とがワイヤボンディングされ封止されてなる半導体装
置において、上記宙づりリードは上記載置部の片側に設
けられ片持ちしており、載置部が上記半導体素子のほぼ
厚さ寸法だけ下方位置にされ、かつ、リードフレームの
中の所定水平方向位置にされてあることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29298788A JPH02137253A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29298788A JPH02137253A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02137253A true JPH02137253A (ja) | 1990-05-25 |
Family
ID=17789005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29298788A Pending JPH02137253A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02137253A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4231325A1 (de) * | 1991-09-19 | 1993-04-01 | Mitsubishi Electric Corp | Zufuehrungsrahmen fuer eine halbleitervorrichtung |
| US5535509A (en) * | 1992-06-05 | 1996-07-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a lead on chip (LOC) semiconductor device |
| US6635955B2 (en) | 2000-11-15 | 2003-10-21 | Vishay Semiconductor Gmbh | Molded electronic component |
| US6653564B2 (en) | 2000-11-25 | 2003-11-25 | Vishay Semiconductor Gmbh | Conductor strip arrangement for a molded electronic component and process for molding |
-
1988
- 1988-11-17 JP JP29298788A patent/JPH02137253A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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