JPH01286343A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は樹脂封止型゛ト導体装置に関するものであり
、特に、パッケージの小型化に対応し得る構造を有する
樹脂封止型半導体装置に関するものである。

［従来の技術〕 第２Ａ図は従来の半導体装置のパッケージ）構造を示し
たものである。外部導出リード１を備えた半導体装置が
、該外部導出リード１を残して、上パッケージ２ａと下
パッケージ２ｂとからなる樹脂製のパッケージ２で封止
されている。第２Ａ図中において、パッケージ２で隠れ
て見えないか、外部導出リード１はリードフレームに一
体的に形成されている。リードフレームの一主面には、
半導体素子、半導体素子の電極、これらの電極を結ぶＡ
ｕ線等の金属細線等が搭載され、これらはエポキシ樹脂
等で形成されるパッケージ２で封１１−されている。パ
ッケージ２で封止する際に用いる封止金型は、通常、上
下に分離できる構造のものであり、上型に対応するのが
上パッケージ２ａであり、下型に対応するのが下パッケ
ージ２ｂである。

この後、リードフレームの不要な部分が金型により切断
される。次いで、プリント基板等に実装しやすいように
、外部導出リード１は、たとえば、第２Ｃ図に示すごと
く、ベンド加工され、最終の外形が作られる。

次に、この外部導出リード１のベンド加工の方法につい
て説明する。第２Ｂ図を参照して、パッケージ２の部分
を十分に包囲できる大きさのクランパ３を準（Ｇする。

クランパ３は下クランパ４と−Ｌクランパ５とからなる
。外部導出り−１・１は、パッケージ２との境界付返て
、下クランパ４と上クランパ５により、その一部分がク
ランプされる。

この後、ベンド治具たとえばベンド用ローラ６が下方に
移動し、外部導出リード１を一部かに押し下げる。これ
により、第２Ｃ図をづ照して、外部導出リード１はベン
ド加工される。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上クランパ５と下クランパ４で外部導出
リード１を適切にクランプしておかないと、第２Ｂ図お
よび第２Ｄ図をり照して、ベンド用ローラ６が下方に移
動する際、ベンド用ローラ６が外部導出リード１の表面
を擦りながら下がるので、その摩擦力により、外部導出
リード１が下方に引張られ、パッケージ２て封１１″さ
れていた部分１ａがパッケージ２の外側に引張り出され
ることがある。このような場合、パッケージ２の内部に
埋設されている金属細線か破断し、半導体装ｉ１の特性
が損なイ〕れるということがあった。１．、たがって、
かかる事態が発生するのを同市するために、従来のベン
ド加下方法では、外部導出リード］をしっかりと固定す
るクランパ３が必要欠くべからざるものであった。

しかしながら、クランパ３でクランプされる外部導出リ
ード１の部分、の寸法（以ド、クランプ寸法という）は
かなり大きい（通常１ｍｍ前後）。

また、クランパ３とパッケージ２とのクリアランスも考
慮しなければならない。その結果、第２Ｃ図を参照して
、左右の外部導出リード１の端部１ｅ間の・」法が大き
くなり、ひいては樹脂封［Ｉ−型半導体装置の最終外形
−・」法が大きくなり、パッケージの小型化の要求に追
随できないという問題点かあった。

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、パッケージの小型化の要求に追随できる樹脂
封止型半導体装置を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ この発明は、外部導出リードを備えた半導体装置を、上
記外部導出リードを残して、上パッケージと下パッケー
ジとからなる樹脂製のパッケージで封止してなる樹脂封
止型半導体装置に係るものである。そして、上記問題点
を解決するために、上パッケージと下パッケージのいず
れか一方を他方より幅広に形成し、この幅広部に、前記
外部導出リードの一部を埋設させたことを特徴とする。

［作用］ 上パッケージと下パッケージのいずれか一方を他方より
幅広に形成し、この幅広部に、外部導出リードの一部を
埋設させたので、パッケージ自身がクランパの役目を果
たし、ベンド加工の際に、クランパか不要となる。

［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１Ａ図はこの発明の一実施例に係る樹脂封止型半導体
装置の斜視図である。

実施例に係る樹脂封止型半導体装置は、外部導出リード
１を備えた半導体装置を、この外部導出リード１を残し
て、上パッケージ２ａと下パッケージ２ｂとからなる樹
脂製のパッケージ２で封止してなるものである。そして
、上パッケージ２ａと下パッケージ２ｂのいずれか一方
を他方より幅広に形成し、この幅広部２Ｃに、外部導出
リード〕の一部を埋設させている。実施例では、下パッ
ケージ２ｂが上パッケージ２ａより幅広に形成されてい
る。

次に、この樹脂封止型半導体装置のリードベンド加工方
法について説明する。

上述のとおり、幅広部２Ｃに外部導出リード１の一部が
埋設されているので、外部導出リード１は下パッケージ
２ｂにしっかりとクランプされる。

したがって、ベンド加工の際に、従来のようなりランパ
は不要となる。第１Ｂ図および第１Ｃ図を参照して、外
部導出リード１をベンド用ローラ６で下方に押し下げる
。すると、下パッケージ２ｂの端部で外部導出リード１
は折曲げられる。この際、外部導出リード］はドパソケ
ージ２ｂでしっかりとクランプされているので、バフケ
ーン２内にあった外部専用リード１がパッケージ２の外
側に引張り出されることはなく、良好な状態にベンド加
工される。また、外部導出リード１が下パッケージ２ｂ
でクランプされるので、従来のようなりランバは不要と
なり、クランプ寸法に太き（とられるということがない
。また、クランパが不要となるので、従来のように、パ
ッケージ２とクランパとのクリアランスを考慮する必要
もない。したがって、外部導出リード１の端部１ｅ間の
寸法を短くとることができ、ひいては、パッケージ２の
小型化を実現できるようになる。

なお、第１Ｂ図を参照して、本実施例ではパッケージの
二方向から導出された外部導出リード１を備えた樹脂１
１止型半導体装置について説明したが、この発明はこれ
に限られるものでなく、四方から外部導出リードが導出
されている場合であってもよい。このような場合には、
」下パッケージと丁パッケージの境界部分において、下
パッケージは、その全周にわたって、上パッケージより
幅広に形成する必要がある。

また、上記実施例では、下パッケージ２ｂを上パッケー
ジ２ａより幅広に形成した場合について説明したが、上
パッケージ２ａを下パッケージ２ｂより幅広に形成して
も、実施例と同様の効果を実現する。

なお、この場合には、ベンド用ローラ６は、下パッケー
ジから上パッケージに向けて、外部導出リード１を押圧
することは言うまでもない。

以上、具体的な実施例を挙げて、この発明の樹脂封止型
半導体装置について説明したが、本発明は、その精神ま
たは主要な特徴から逸脱することなく、他の色々な形で
実施することができる。それゆえ、前述の実施例はあら
ゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはなら
ない。本発明の範囲は、特７Ｆ　６＋７求の範囲によっ
て示すものであって、明細書本文には何ら拘束されない
。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変
更は、すべて本発明の範囲内のものである。

［発明の効果］ 以上説明したとおり、この発明によれば、上パッケージ
と下パッケージのいずれか一方を他方より幅広に形成し
、この幅広部に、外部導出リードの一部を埋設させたの
で、パッケージ自身が従来のクランパの役目を果たし、
その結果、ベンド加圧の際に、クランパか不要となる。

そのため、従来のように、クランプ寸法に大きくとられ
るということがない。

また、クランパが不要となるので、従来のようにパッケ
ージとクランパとのクリアランスを考慮する必要もない
。その結果、外部導出リードの９コシ部間のス」法を短
くとることができ、ひいては、パッケージの小型化を実
現できるようになる。

また、外部導出リードが下パッケージまたは上パッケー
ジでしっかりとクランプされているので、パッケージ内
にあった外部導出リードが外側に引張り出されるという
ことがない。その結果、パ・ンゲージの内部に埋設され
ている金属細線が破１析するという事態も回避される。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図はこの発明の一実施例の斜視図である。 第１Ｂ図および第１Ｃ図はこの発明の一実施例に係る樹
脂封止型半導体装置のベンド加工の方法を示した図であ
る。第２Ａ図は従来の樹脂封止型半導体装置の正面図で
ある。第２Ｂ図および第２Ｃ図は従来の樹脂封止型半導
体装置のベンド加」−の方法を示した図である。第２Ｄ
図は従来の樹脂封止型半導体装置の問題点を示した図で
ある。 図において、１は外部導出リード、２はパッケージ、２
ａは上パッケージ、２ｂは下パッケージ、２ｃは幅広部
である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　外部導出リードを備えた半導体装置を、前記外部導出
   リードを残して、上パッケージと下パッケージからなる
   樹脂製のパッケージで封止してなる樹脂封止型半導体装
   置において、 前記上パッケージと下パッケージのいずれか一方を他方
   より幅広に形成し、この幅広部に、前記外部導出リード
   の一部を埋設させたことを特徴とする、樹脂封止型半導
   体装置。