JPS62168615A - 半導体装置のダイパツト成形金型 - Google Patents
半導体装置のダイパツト成形金型Info
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- JPS62168615A JPS62168615A JP1233486A JP1233486A JPS62168615A JP S62168615 A JPS62168615 A JP S62168615A JP 1233486 A JP1233486 A JP 1233486A JP 1233486 A JP1233486 A JP 1233486A JP S62168615 A JPS62168615 A JP S62168615A
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- pat
- projecting
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 title abstract 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 18
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Bending Of Plates, Rods, And Pipes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、主に集積回路（ＩＣ）に使用されるリード
フレームのダイパットリード部を圧延成形する半導体装
置のダイパット成形金型に関するものである。
フレームのダイパットリード部を圧延成形する半導体装
置のダイパット成形金型に関するものである。
第３図は従来の半導体装置のダイパット成形金型を示す
断面図であり、図において、１は凸形状をした上型ダイ
、２は凹形状をした下型ダイ、３は半導体リードフレー
ム、４はこの半導体リードフレーム３に設けられｔこダ
イパットリードである。
断面図であり、図において、１は凸形状をした上型ダイ
、２は凹形状をした下型ダイ、３は半導体リードフレー
ム、４はこの半導体リードフレーム３に設けられｔこダ
イパットリードである。
次にその成形動作について説明する。半導体リードフレ
ーム３を凹形状をした下型ダイ２の上に置いた後、凸形
状をした上型ダイ１を押し下げることにより、半導体リ
ードフレーム３に設けられたダイパットリード４を圧延
成形する。
ーム３を凹形状をした下型ダイ２の上に置いた後、凸形
状をした上型ダイ１を押し下げることにより、半導体リ
ードフレーム３に設けられたダイパットリード４を圧延
成形する。
従来の半導体装置のダイパット成形金型は以上のように
構成されているので、半導体リードフレーム３に設けら
れたダイパットリード４を圧延成形する際に、成形後、
そのスプリング効果によって、成形量が当初設定した成
形量の値に対して浅くなるという欠点がある。また、第
３図の５に示す成形部分が曲線になり、寸法管理ができ
ず、また半導体リードフレーム３に設けられたダイパッ
トリード４に半導体チップをダイボンドする時、ダイボ
ンドのロウ材にＰｂ−５ｎ半田を使用した場合、ダイパ
ットリード４に沿って半田がはい上がり、そのためワイ
ヤボンド作業において支障をきたすなどの問題点があっ
た。
構成されているので、半導体リードフレーム３に設けら
れたダイパットリード４を圧延成形する際に、成形後、
そのスプリング効果によって、成形量が当初設定した成
形量の値に対して浅くなるという欠点がある。また、第
３図の５に示す成形部分が曲線になり、寸法管理ができ
ず、また半導体リードフレーム３に設けられたダイパッ
トリード４に半導体チップをダイボンドする時、ダイボ
ンドのロウ材にＰｂ−５ｎ半田を使用した場合、ダイパ
ットリード４に沿って半田がはい上がり、そのためワイ
ヤボンド作業において支障をきたすなどの問題点があっ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体フレームに設けられたダイパットリー
ドを安定した成形形状に成形でき、かつダイボンド時に
おいて、半田のはい上がりを防止することができる半導
体装置のダイパット成形金型を得ることを目的とする。
たもので、半導体フレームに設けられたダイパットリー
ドを安定した成形形状に成形でき、かつダイボンド時に
おいて、半田のはい上がりを防止することができる半導
体装置のダイパット成形金型を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置のダイパット成形金型は、凸
形状から成る上型ダイの凸部両端のエツジ部並びに凹形
状から成る下型ダイの上面内側の両方のエツジ部に各々
断面形状が三角形から成る突起辺を設けたものである。
形状から成る上型ダイの凸部両端のエツジ部並びに凹形
状から成る下型ダイの上面内側の両方のエツジ部に各々
断面形状が三角形から成る突起辺を設けたものである。
乙の発明における半導体装置のダイパット成形金型では
、凹形状から成る下型ダイの上に、半導体リードフレー
ムを置いた後、凸形状をした上型ダイを押し下げて半導
体リードフレームに設けられたダイパットリードを圧延
成形すると、その折曲げ成形部分にＶ字型の切欠き溝が
形成される。
、凹形状から成る下型ダイの上に、半導体リードフレー
ムを置いた後、凸形状をした上型ダイを押し下げて半導
体リードフレームに設けられたダイパットリードを圧延
成形すると、その折曲げ成形部分にＶ字型の切欠き溝が
形成される。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は、この発明の一実施例による成形金型を示す断面図
であり、第２図は第１図の成形金型によって成形された
半導体リードフレームを示す断面図イと平面図口である
。
図は、この発明の一実施例による成形金型を示す断面図
であり、第２図は第１図の成形金型によって成形された
半導体リードフレームを示す断面図イと平面図口である
。
第１図において、ｂは断面形状が三角形から成る突起辺
７を凸部の２か所のエツジ部に設けた上型ダイであり、
８は断面形状が三角形から成る突起辺９を凹部内側の２
か所のエツジ部に設けた下型ダイである。また第２図に
おいて、１０と１１は第１図のダイパット成形金型によ
って成形がなされる際、断面形状が三角形からなる突起
辺７，９によって形成されるＶ字型の切欠き溝である。
７を凸部の２か所のエツジ部に設けた上型ダイであり、
８は断面形状が三角形から成る突起辺９を凹部内側の２
か所のエツジ部に設けた下型ダイである。また第２図に
おいて、１０と１１は第１図のダイパット成形金型によ
って成形がなされる際、断面形状が三角形からなる突起
辺７，９によって形成されるＶ字型の切欠き溝である。
上記のように構成された半導体装置のダイパット成形金
型においては、第３図に示す半導体リードフレーム３を
下型ダイ８の上に置いた後、上型ダイ６を押し下げるこ
とにより、半導体リードフレーム３に設けられたダイパ
ットリード４を圧延成形するが、その際、上型ダイ６及
び下型ダイ８に設けられた突起辺７．９が半導体フレー
ム３に設けられたダイパットリード４に喰い込み、その
結果曲げ応力が回部に集中することにより、成形性を高
めることができる。
型においては、第３図に示す半導体リードフレーム３を
下型ダイ８の上に置いた後、上型ダイ６を押し下げるこ
とにより、半導体リードフレーム３に設けられたダイパ
ットリード４を圧延成形するが、その際、上型ダイ６及
び下型ダイ８に設けられた突起辺７．９が半導体フレー
ム３に設けられたダイパットリード４に喰い込み、その
結果曲げ応力が回部に集中することにより、成形性を高
めることができる。
以上のようにＶ字型の切欠き溝１０が形成されることに
より、当初設定した成形量の値どおりに容易に成形でき
、また第３図に示す成形部分５が曲線になるのを防止し
、寸法管理が良好となる。またＶ字型の切欠き溝１１が
形成されるためにダイパットリード４に半導体チップを
ロウ材にＰｂ−３ｎ半田を使用してダイボンドする際、
半田がＶ字型の切欠き溝１１に流れ込むので、ダイパッ
トリード４に沿って半田がはい上がるのを防止できる。
より、当初設定した成形量の値どおりに容易に成形でき
、また第３図に示す成形部分５が曲線になるのを防止し
、寸法管理が良好となる。またＶ字型の切欠き溝１１が
形成されるためにダイパットリード４に半導体チップを
ロウ材にＰｂ−３ｎ半田を使用してダイボンドする際、
半田がＶ字型の切欠き溝１１に流れ込むので、ダイパッ
トリード４に沿って半田がはい上がるのを防止できる。
この発明は以上説明した通り、凸形状から成る上型ダイ
並びに凹形状から成る下型ダイに夫々断面形状が三角形
の突起辺を設けるという簡単な構造により、被成形品を
安定した成形形状に成形しく４） 得るとともに、ダイボンド時に半田のはい上がりを防止
できるなどのすぐれた効果がある。
並びに凹形状から成る下型ダイに夫々断面形状が三角形
の突起辺を設けるという簡単な構造により、被成形品を
安定した成形形状に成形しく４） 得るとともに、ダイボンド時に半田のはい上がりを防止
できるなどのすぐれた効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図は第
１図のダイパット成形金型によって成形された半導体リ
ードフレームの形状を示す断面図イ及び平面図口、第３
図は従来の半導体装置のダイパット成形金型を示す断面
図である。 図中、６は上型ダイ、８は下型ダイ、７．９は突起辺部
、１０．１１はＶ字型の切欠き溝である。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
１図のダイパット成形金型によって成形された半導体リ
ードフレームの形状を示す断面図イ及び平面図口、第３
図は従来の半導体装置のダイパット成形金型を示す断面
図である。 図中、６は上型ダイ、８は下型ダイ、７．９は突起辺部
、１０．１１はＶ字型の切欠き溝である。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 凹形状から成る下型ダイと、凸形状から成る上型ダイと
の間に被成形品を挾み込み、上記上型ダイを押し下げて
成形するようにした金型において、上記上型ダイの凸部
エッジ部に断面形状が三角形から成る突起辺を設け、か
つ上記凹部をもつ下型ダイの内側のエッジ部に断面形状
が三角形から成る突起辺を設けたことを特徴とする半導
体装置のダイパット成形金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1233486A JPS62168615A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体装置のダイパツト成形金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1233486A JPS62168615A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体装置のダイパツト成形金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62168615A true JPS62168615A (ja) | 1987-07-24 |
Family
ID=11802404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1233486A Pending JPS62168615A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体装置のダイパツト成形金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62168615A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6303985B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-10-16 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor lead frame and package with stiffened mounting paddle |
| US6435222B1 (en) * | 1999-12-02 | 2002-08-20 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for manufacturing electronic parts |
| CN103639297A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-03-19 | 江西洪都航空工业集团有限责任公司 | 热压下陷模具 |
| JPWO2015087649A1 (ja) * | 2013-12-11 | 2017-03-16 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 内燃機関のバルブタイミング制御装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5330468A (en) * | 1976-09-01 | 1978-03-22 | Hamasawa Kogyo Kk | Plastic processing method |
| JPS5622416A (en) * | 1979-07-31 | 1981-03-03 | Canon Inc | Digital information setting unit |
| JPS60231347A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | リ−ドフレ−ムのｄｐ加工方法 |
-
1986
- 1986-01-21 JP JP1233486A patent/JPS62168615A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5330468A (en) * | 1976-09-01 | 1978-03-22 | Hamasawa Kogyo Kk | Plastic processing method |
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| JPWO2015087649A1 (ja) * | 2013-12-11 | 2017-03-16 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 内燃機関のバルブタイミング制御装置 |
| JP2017172589A (ja) * | 2013-12-11 | 2017-09-28 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 内燃機関のバルブタイミング制御装置 |
| US10082055B2 (en) | 2013-12-11 | 2018-09-25 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Valve timing control device for internal combustion engine |
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