JPH0451975B2 - - Google Patents
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- JPH0451975B2 JPH0451975B2 JP8691089A JP8691089A JPH0451975B2 JP H0451975 B2 JPH0451975 B2 JP H0451975B2 JP 8691089 A JP8691089 A JP 8691089A JP 8691089 A JP8691089 A JP 8691089A JP H0451975 B2 JPH0451975 B2 JP H0451975B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/481—Disposition
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、樹脂封止形半導体装置、特に短絡事
故が少なくかつ製造が容易な樹脂封止形半導体装
置の製造方法に関連する。
故が少なくかつ製造が容易な樹脂封止形半導体装
置の製造方法に関連する。
従来の技術
従来、一般的な電力用樹脂封止形半導体装置に
おいては、半導体チツプが接着された支持板の裏
面には封止樹脂が形成されていない。このため、
この半導体装置を外部放熱体に取付けるに際して
は、外部放熱体との間に絶縁シートを介在させな
ければならず、取付作業が煩雑になつた。そこ
で、支持板の裏面にも封止樹脂を形成する方法が
提案された。このような樹脂封止技術は、例え
ば、特開昭57−178352号公報や特開昭58−143538
号公報で開示されている。すなわち、リードフレ
ームの一部を構成する支持板上に半導体チツプを
電気伝導可能に接着したのち、半導体チツプは細
線で外部リードと接続される。次に、リードフレ
ームは金型に装着され、キヤビテイ内に融解樹脂
が圧入される。このとき、キヤビテイ内で支持板
が移動しないように、支持板の各側部に連結され
た外部リードと細条が金型で把持される。融解樹
脂が固化したのち、リードフレームが金型から取
外され、リードフレームの所定部分が切断され
る。特開昭57−178352号では、細条を折り曲げて
切断するために、封止樹脂の外面をまたぐように
して細条に小断面部を形成している。
おいては、半導体チツプが接着された支持板の裏
面には封止樹脂が形成されていない。このため、
この半導体装置を外部放熱体に取付けるに際して
は、外部放熱体との間に絶縁シートを介在させな
ければならず、取付作業が煩雑になつた。そこ
で、支持板の裏面にも封止樹脂を形成する方法が
提案された。このような樹脂封止技術は、例え
ば、特開昭57−178352号公報や特開昭58−143538
号公報で開示されている。すなわち、リードフレ
ームの一部を構成する支持板上に半導体チツプを
電気伝導可能に接着したのち、半導体チツプは細
線で外部リードと接続される。次に、リードフレ
ームは金型に装着され、キヤビテイ内に融解樹脂
が圧入される。このとき、キヤビテイ内で支持板
が移動しないように、支持板の各側部に連結され
た外部リードと細条が金型で把持される。融解樹
脂が固化したのち、リードフレームが金型から取
外され、リードフレームの所定部分が切断され
る。特開昭57−178352号では、細条を折り曲げて
切断するために、封止樹脂の外面をまたぐように
して細条に小断面部を形成している。
発明が解決しようとする課題
しかし、細条の切断面が封止樹脂の外面に露出
することには変わりない。そこで、特開昭58−
143538号では、第８図に示す通り、切断後の封止
樹脂の外面５０から突出した細条端部を化学エツ
チング等の方法により除去し、封止樹脂の外面５
０から窪む位置５１に細条の先端を形成してい
た。しかしこの方法は、細条の一部を除去する付
加的な工程が必要となりコストアツプを招いた。
しかも所望の化学エツチング等を量産的に行うこ
と自体に新たな技術を要するので、実用的とは言
い難い。
することには変わりない。そこで、特開昭58−
143538号では、第８図に示す通り、切断後の封止
樹脂の外面５０から突出した細条端部を化学エツ
チング等の方法により除去し、封止樹脂の外面５
０から窪む位置５１に細条の先端を形成してい
た。しかしこの方法は、細条の一部を除去する付
加的な工程が必要となりコストアツプを招いた。
しかも所望の化学エツチング等を量産的に行うこ
と自体に新たな技術を要するので、実用的とは言
い難い。
そこで、本発明では上記問題を解決する樹脂封
止形半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
止形半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
課題を解決するための手段
本発明の樹脂封止形半導体装置の製造方法によ
れば、支持板と、支持板の一端に連結された外部
リードと、支持板の他端に連結されかつ厚さ方向
に貫通する孔が形成された細条とを有し、孔の両
側部分に最小断面部を含む小断面部が設けられて
いると共に支持板に半導体チツプが電気的導通可
能に固着されているリードフレームを準備する工
程と、細条の最小断面部が金型内のキヤビテイ形
成面から実質的に所定距離だけ内側に配置される
ようにリードフレームを金型に装着する工程と、
金型のキヤビテイ内に融解樹脂を圧入する工程
と、融解樹脂の固化後、リードフレームを金型か
ら取出す工程と、細条にその導出方向への引張力
を作用させて、細条の小断面部で細条を切断する
工程とを含む。
れば、支持板と、支持板の一端に連結された外部
リードと、支持板の他端に連結されかつ厚さ方向
に貫通する孔が形成された細条とを有し、孔の両
側部分に最小断面部を含む小断面部が設けられて
いると共に支持板に半導体チツプが電気的導通可
能に固着されているリードフレームを準備する工
程と、細条の最小断面部が金型内のキヤビテイ形
成面から実質的に所定距離だけ内側に配置される
ようにリードフレームを金型に装着する工程と、
金型のキヤビテイ内に融解樹脂を圧入する工程
と、融解樹脂の固化後、リードフレームを金型か
ら取出す工程と、細条にその導出方向への引張力
を作用させて、細条の小断面部で細条を切断する
工程とを含む。
作 用
細条を引張り破断するので、細条の破断部を封
止樹脂の内側に形成することができる。したがつ
て、細条の破断部と外部放熱体との沿面距離を長
くとれる。また、細条にその厚さ方向に貫通した
孔で形成された小断面部が設けられているので、
細条を引張りによつて容易に破断することができ
る。
止樹脂の内側に形成することができる。したがつ
て、細条の破断部と外部放熱体との沿面距離を長
くとれる。また、細条にその厚さ方向に貫通した
孔で形成された小断面部が設けられているので、
細条を引張りによつて容易に破断することができ
る。
実施例
以下図面について、本発明の実施例を説明す
る。本発明で製造される樹脂封止形半導体装置
は、第１図に示すリードフレーム１から作られ
る。リードフレーム１は、トランジスタチツプ等
の半導体チツプ２が一方の主面に半田付けされた
支持板３を有する。半導体チツプ２は、必要に応
じて保護コート４を形成するシリコン樹脂で被覆
される。支持板３には、コレクタリード５が一体
成形される。コレクタリード５は、ベースリード
６とエミツタリード７と共に外部リードと総称さ
れ、タイバー８及び共通細条９により直角方向で
互いに連結される。ベースリード６とエミツタリ
ード７は、それぞれアルミニウム線１０，１１に
より半導体チツプ２の所定位置へ接続される。
る。本発明で製造される樹脂封止形半導体装置
は、第１図に示すリードフレーム１から作られ
る。リードフレーム１は、トランジスタチツプ等
の半導体チツプ２が一方の主面に半田付けされた
支持板３を有する。半導体チツプ２は、必要に応
じて保護コート４を形成するシリコン樹脂で被覆
される。支持板３には、コレクタリード５が一体
成形される。コレクタリード５は、ベースリード
６とエミツタリード７と共に外部リードと総称さ
れ、タイバー８及び共通細条９により直角方向で
互いに連結される。ベースリード６とエミツタリ
ード７は、それぞれアルミニウム線１０，１１に
より半導体チツプ２の所定位置へ接続される。
支持板３には、コレクタリード５に対し反対側
へ伸びる一対の細条１２，１３が一体に成形され
る。外部リード及び細条１２，１３は支持板３よ
りも肉薄に形成されている。また、細条１２，１
３はその一方の主面が支持板３の一方の主面と同
一の平面上に位置するように上方に偏位してい
る。各細条１２，１３の外端は、共通細条１４に
より直角方向で互いに連結される。後工程で形成
される鎖線１５で示す封止樹脂の端面１６から所
定距離だけ内側に離れた位置の各細条１２，１３
には小断面部１７，１８が設けられる。また、小
断面部１７，１８には、細条１２，１３の厚さ方
向に貫通する孔１７ｂ，１８ｂが設けられ、細条
の切断時に引張応力が集中する最小断面部１７
ａ，１８ａが形成される。
へ伸びる一対の細条１２，１３が一体に成形され
る。外部リード及び細条１２，１３は支持板３よ
りも肉薄に形成されている。また、細条１２，１
３はその一方の主面が支持板３の一方の主面と同
一の平面上に位置するように上方に偏位してい
る。各細条１２，１３の外端は、共通細条１４に
より直角方向で互いに連結される。後工程で形成
される鎖線１５で示す封止樹脂の端面１６から所
定距離だけ内側に離れた位置の各細条１２，１３
には小断面部１７，１８が設けられる。また、小
断面部１７，１８には、細条１２，１３の厚さ方
向に貫通する孔１７ｂ，１８ｂが設けられ、細条
の切断時に引張応力が集中する最小断面部１７
ａ，１８ａが形成される。
なお、第１図ではトランジスタ１個分の支持板
３、外部リード及び細条１２，１３を有するリー
ドフレーム１を示すが、実際には、多数の支持
板、外部リード及び細条がタイバー８と共通細条
９，１４により並行に支持された金属製リードフ
レームが使用される。
３、外部リード及び細条１２，１３を有するリー
ドフレーム１を示すが、実際には、多数の支持
板、外部リード及び細条がタイバー８と共通細条
９，１４により並行に支持された金属製リードフ
レームが使用される。
リードフレーム１は、第２図及び第３図に示す
金型１９内に装着される。第２図はコレクタリー
ド５の中心線に沿う断面を示し、第３図は細条１
３の中心線に沿う断面を示す。金型１９は、下型
２０と上型２１とで構成され、リードフレーム１
を収容するキヤビテイ２２を形成する。小断面部
のうちの最小断面部１７ａ，１８ａは、金型のキ
ヤビテイ形成面からｌだけ内側に配置される。
金型１９内に装着される。第２図はコレクタリー
ド５の中心線に沿う断面を示し、第３図は細条１
３の中心線に沿う断面を示す。金型１９は、下型
２０と上型２１とで構成され、リードフレーム１
を収容するキヤビテイ２２を形成する。小断面部
のうちの最小断面部１７ａ，１８ａは、金型のキ
ヤビテイ形成面からｌだけ内側に配置される。
上述の通り金型１９にリードフレーム１を装着
したのち、キヤビテイ２２内に熱硬化性の融解エ
ポキシ樹脂が公知のトランスフアモールド法によ
りゲート（図示せず）から圧入し、支持板３を含
むリードフレーム１の一部分を樹脂１５により封
止する。
したのち、キヤビテイ２２内に熱硬化性の融解エ
ポキシ樹脂が公知のトランスフアモールド法によ
りゲート（図示せず）から圧入し、支持板３を含
むリードフレーム１の一部分を樹脂１５により封
止する。
樹脂１５が固化したのち、第４図に示すリード
フレーム１を金型１９から取出す。次に、樹脂１
５から導出された細条１２，１３を導出方向に引
張ることにより、小断面部１７，１８の最小断面
部１７ａ，１８ａで切断し、共通細条１４と細条
１２，１３の一部を除去する。その後、各外部リ
ードを連結するタイバー８と共通細条９もプレス
切断により除去する。このように製造した半導体
装置の１例を第５図に示す。細条１２，１３が導
出されていた樹脂１５に孔２３，２４が形成され
る。溶解樹脂をキヤビテイ２２内に圧入したとき
に、細条１２，１３に形成された孔１７ｂ，１８
ｂ内に溶解樹脂が侵入しかつ固化する。したがつ
て、細条１２，１３の孔１７ｂ，１８ｂ内で固化
した樹脂は細条１２，１３の引張破断時に細条１
２，１３を固定する作用がある。本出願人は本発
明による製造方法で実際に樹脂封止形半導体装置
の製造したが、孔２３，２４の形状は細条１２，
１３が抜けた跡にほぼ等しく形成された。
フレーム１を金型１９から取出す。次に、樹脂１
５から導出された細条１２，１３を導出方向に引
張ることにより、小断面部１７，１８の最小断面
部１７ａ，１８ａで切断し、共通細条１４と細条
１２，１３の一部を除去する。その後、各外部リ
ードを連結するタイバー８と共通細条９もプレス
切断により除去する。このように製造した半導体
装置の１例を第５図に示す。細条１２，１３が導
出されていた樹脂１５に孔２３，２４が形成され
る。溶解樹脂をキヤビテイ２２内に圧入したとき
に、細条１２，１３に形成された孔１７ｂ，１８
ｂ内に溶解樹脂が侵入しかつ固化する。したがつ
て、細条１２，１３の孔１７ｂ，１８ｂ内で固化
した樹脂は細条１２，１３の引張破断時に細条１
２，１３を固定する作用がある。本出願人は本発
明による製造方法で実際に樹脂封止形半導体装置
の製造したが、孔２３，２４の形状は細条１２，
１３が抜けた跡にほぼ等しく形成された。
また、細条１２，１３は支持板３よりも肉薄に
形成されており、最小断面部１７ａ，１８ａの断
面積は十分に小さいから、引抜きによつて容易に
破断できた。更に、細条１２，１３はその上面が
支持板３の上面の延長上に位置するように形成さ
れており、コレクタリード５のように支持板３の
上方までは偏位していないので、周辺の樹脂１５
に特性変動及び外観不良の点で実用上問題にすべ
きクラツク、そり等の異常は全く発生しなかつ
た。
形成されており、最小断面部１７ａ，１８ａの断
面積は十分に小さいから、引抜きによつて容易に
破断できた。更に、細条１２，１３はその上面が
支持板３の上面の延長上に位置するように形成さ
れており、コレクタリード５のように支持板３の
上方までは偏位していないので、周辺の樹脂１５
に特性変動及び外観不良の点で実用上問題にすべ
きクラツク、そり等の異常は全く発生しなかつ
た。
第６図に示す通り、細条１３の端面２５は、樹
脂の端面１６より長さl1だけ内側に窪み、そこに
孔２４が形成される。また、細条１２，１３は上
述のように支持板３の上面側に偏位しており、細
条１２，１３の下面と支持板３の下面との間に段
差が形成されている。したがつて、支持板３の下
面側の樹脂１５を肉薄に形成しても、細条１２，
１３の外部放熱体２６からの高さl2を大きくとる
ことができる。結果として、細条１２，１３から
外部放熱体２６までの沿面距離l0はl0＝l1＋l2と長
くなり、絶縁不良が確実に防止される。更に、孔
２３，２４が小さいため、他の素子、キヤビテイ
または人体等を含む周囲と細条１２，１３との接
触による短絡事故も防止される。孔２３，２４に
は、絶縁不良を完全に防止するため、樹脂を充填
してもよい。しかし、この樹脂を充填しなくても
実用上は問題はない。また、放熱性の点において
も、支持板３が肉厚に形成されているし、支持板
３の下面側の樹脂１５も十分に肉薄に形成できる
から、支持板３の下面側が露出したタイプの半導
体装置と同程度の放熱効果が期待できる。
脂の端面１６より長さl1だけ内側に窪み、そこに
孔２４が形成される。また、細条１２，１３は上
述のように支持板３の上面側に偏位しており、細
条１２，１３の下面と支持板３の下面との間に段
差が形成されている。したがつて、支持板３の下
面側の樹脂１５を肉薄に形成しても、細条１２，
１３の外部放熱体２６からの高さl2を大きくとる
ことができる。結果として、細条１２，１３から
外部放熱体２６までの沿面距離l0はl0＝l1＋l2と長
くなり、絶縁不良が確実に防止される。更に、孔
２３，２４が小さいため、他の素子、キヤビテイ
または人体等を含む周囲と細条１２，１３との接
触による短絡事故も防止される。孔２３，２４に
は、絶縁不良を完全に防止するため、樹脂を充填
してもよい。しかし、この樹脂を充填しなくても
実用上は問題はない。また、放熱性の点において
も、支持板３が肉厚に形成されているし、支持板
３の下面側の樹脂１５も十分に肉薄に形成できる
から、支持板３の下面側が露出したタイプの半導
体装置と同程度の放熱効果が期待できる。
また、本実施例では、本発明に基づいて小断面
部１７，１８が細条１２，１３を貫通する孔１７
ｂ，１８ｂによつて形成されている。このため、
細条１２，１３の引張り破断を容易に行える。つ
まり、最小断面部１７ａ，１８ａの断面積は小断
面部１７，１８の形状にかかわらず細条１２，１
３の強度保持のため所定の大きさの断面積を必要
とする。したがつて、切欠きや溝によつて小断面
部を形成した場合には、細条の引張り破断を容易
に行えない。本実施例における小断面部１７，１
８によれば最小断面部１７ａ，１８ａが貫通孔の
両側に分割して形成され、個々の最小断面部１７
ａ，１８ａの断面積が十分に小さく形成されるの
で、引張り破断によつて容易に破断することがで
きる。
部１７，１８が細条１２，１３を貫通する孔１７
ｂ，１８ｂによつて形成されている。このため、
細条１２，１３の引張り破断を容易に行える。つ
まり、最小断面部１７ａ，１８ａの断面積は小断
面部１７，１８の形状にかかわらず細条１２，１
３の強度保持のため所定の大きさの断面積を必要
とする。したがつて、切欠きや溝によつて小断面
部を形成した場合には、細条の引張り破断を容易
に行えない。本実施例における小断面部１７，１
８によれば最小断面部１７ａ，１８ａが貫通孔の
両側に分割して形成され、個々の最小断面部１７
ａ，１８ａの断面積が十分に小さく形成されるの
で、引張り破断によつて容易に破断することがで
きる。
なお、上記実施例ではトランジスタについて説
明したが、この説明はダイオード、サイリスタ等
他の半導体装置にも応用できることは明らかであ
る。また、細条に形成する孔は円形に限られな
い。第７図は菱形の孔３２で小断面部を形成した
例を示す。
明したが、この説明はダイオード、サイリスタ等
他の半導体装置にも応用できることは明らかであ
る。また、細条に形成する孔は円形に限られな
い。第７図は菱形の孔３２で小断面部を形成した
例を示す。
発明の効果
上述の通り、本発明は、封止樹脂の内部に細条
の最小断面部が実質的に位置するようにリードフ
レームを樹脂封止したのち、最小断面部において
細条を引張力によつて切断する工程を採用した。
このため、細条の切断後に更に細条の端面を内側
に窪ませる工程を必要とせず、細条の切断のみで
簡単に半導体装置の短絡事故や絶縁不良を確実に
防止できる優れた効果が得られる。また、細条を
貫通する孔によつて小断面部を形成したので、細
条の引張り破断を容易に行うことができる。した
がつて、半導体装置を大量生産する場合、製造コ
ストの低減や良品率の向上に寄与するところ大で
ある。
の最小断面部が実質的に位置するようにリードフ
レームを樹脂封止したのち、最小断面部において
細条を引張力によつて切断する工程を採用した。
このため、細条の切断後に更に細条の端面を内側
に窪ませる工程を必要とせず、細条の切断のみで
簡単に半導体装置の短絡事故や絶縁不良を確実に
防止できる優れた効果が得られる。また、細条を
貫通する孔によつて小断面部を形成したので、細
条の引張り破断を容易に行うことができる。した
がつて、半導体装置を大量生産する場合、製造コ
ストの低減や良品率の向上に寄与するところ大で
ある。
第１図は本発明による樹脂封止形半導体装置の
製造方法に使用するリードフレームの平面図、第
２図及び第３図はこのリードフレームを金型に装
着して樹脂封止したときのそれぞれコレクタリー
ド及び細条の中心線に沿う断面図、第４図は金型
から取出されたリードフレームの斜視図、第５図
は本発明による樹脂封止形半導体装置の製造方法
で作られた半導体装置の斜視図、第６図は細条切
断部の部分的拡大断面図、第７図は細条の小断面
部に関する形状の変形例を示す断面図、第８図は
従来の樹脂封止形半導体装置の例を示す破砕断面
図である。 １……リードフレーム、２……半導体チツプ、
３……支持板、５，６，７……外部リード、１
２，１３……細条、１５……封止樹脂、１７，１
８……小断面部、１７ａ，１８ａ……小段面部の
うちの最小断面部、１７ｂ，１８ｂ……孔、１９
……金型、２２……キヤビテイ。
製造方法に使用するリードフレームの平面図、第
２図及び第３図はこのリードフレームを金型に装
着して樹脂封止したときのそれぞれコレクタリー
ド及び細条の中心線に沿う断面図、第４図は金型
から取出されたリードフレームの斜視図、第５図
は本発明による樹脂封止形半導体装置の製造方法
で作られた半導体装置の斜視図、第６図は細条切
断部の部分的拡大断面図、第７図は細条の小断面
部に関する形状の変形例を示す断面図、第８図は
従来の樹脂封止形半導体装置の例を示す破砕断面
図である。 １……リードフレーム、２……半導体チツプ、
３……支持板、５，６，７……外部リード、１
２，１３……細条、１５……封止樹脂、１７，１
８……小断面部、１７ａ，１８ａ……小段面部の
うちの最小断面部、１７ｂ，１８ｂ……孔、１９
……金型、２２……キヤビテイ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持板と、該支持板の一端に連結された外部
リードと、前記支持板の他端に連結されかつ厚さ
方向に貫通する孔が形成された細条とを有し、前
記孔の両側部分に最小断面部を含む小断面部が設
けられていると共に前記支持板に半導体チツプが
電気的導通可能に固着されているリードフレーム
を準備する工程と、 前記細条の最小断面部が金型内のキヤビテイ形
成面から実質的に所定距離だけ内側に配置される
ように前記リードフレームを金型に装着する工程
と、 前記金型のキヤビテイ内に融解樹脂を圧入する
工程と、 前記融解樹脂の固化後、前記リードフレームを
前記金型から取出す工程と、 前記細条にその導出方向への引張力を作用させ
て、前記細条の小断面部で前記細条を切断する工
程と、 を含むことを特徴とする樹脂封止形半導体装置の
製造方法。 ２ 前記細条の小断面部は前記金型内のキヤビテ
イ形成面から所定距離だけ内側の位置に置かれる
最小断面部を有し、該最小断面部において前記細
条が切断される特許請求の範囲第１項記載の樹脂
封止形半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8691089A JPH01315147A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8691089A JPH01315147A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59159047A Division JPS6156420A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01315147A JPH01315147A (ja) | 1989-12-20 |
| JPH0451975B2 true JPH0451975B2 (ja) | 1992-08-20 |
Family
ID=13899999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8691089A Granted JPH01315147A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01315147A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1252624B (it) * | 1991-12-05 | 1995-06-19 | Cons Ric Microelettronica | Dispositivo semiconduttore incapsulato in resina e elettricamente isolato di migliorate caratteristiche di isolamento,e relativo processo di fabbricazione |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP8691089A patent/JPH01315147A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01315147A (ja) | 1989-12-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |