JPH0322464A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0322464A JPH0322464A JP1157682A JP15768289A JPH0322464A JP H0322464 A JPH0322464 A JP H0322464A JP 1157682 A JP1157682 A JP 1157682A JP 15768289 A JP15768289 A JP 15768289A JP H0322464 A JPH0322464 A JP H0322464A
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- resin
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000725 suspension Substances 0.000 abstract description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関する。
従来、樹脂封止型半導体装置は第6図に示すように、鉄
系又は銅系の合金から戒るリードフレーム3Lに半導体
素子36を銀ペースト等のろう材37により固着し、次
いで金等のポンディングワイヤー39によりリードフレ
ームと半導体素子とを電気的に接続した後、金型3B及
び3Cに上記リードフレームをセットし、モールド樹脂
3Dをキャビティ一部3Mに圧入,硬化させることで封
止を完了し、その後第7図に示すように、外部のリード
を加工,或形して製造していた。
系又は銅系の合金から戒るリードフレーム3Lに半導体
素子36を銀ペースト等のろう材37により固着し、次
いで金等のポンディングワイヤー39によりリードフレ
ームと半導体素子とを電気的に接続した後、金型3B及
び3Cに上記リードフレームをセットし、モールド樹脂
3Dをキャビティ一部3Mに圧入,硬化させることで封
止を完了し、その後第7図に示すように、外部のリード
を加工,或形して製造していた。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置はトランスファー
或形金型を用いているため、製品外形や外観の均一性や
生産性等に優れる反面、多種多様化している市場の要求
に対して小回りが利かない欠点がある。
或形金型を用いているため、製品外形や外観の均一性や
生産性等に優れる反面、多種多様化している市場の要求
に対して小回りが利かない欠点がある。
特に近年要求が高まっているパッケージの軽薄短小化,
カスタム化に対しては、従来のトランスファー戒形では
金型自体のコストが非常に高いこと、パッケージ、すな
わち金型の切換えに多大なロスタイムがある等問題がま
すます大きくなってきている。
カスタム化に対しては、従来のトランスファー戒形では
金型自体のコストが非常に高いこと、パッケージ、すな
わち金型の切換えに多大なロスタイムがある等問題がま
すます大きくなってきている。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置に対し、本発明は
半導体素子の載置部に樹脂注入孔を、素子載置部及びそ
の吊りリード部にエアーベントを設け、絶縁枠を介して
上記素子載置部とキャップによりリード部をはさみ込み
、その空間部に樹脂を上記注入孔から流し込むという相
違点を有する。
半導体素子の載置部に樹脂注入孔を、素子載置部及びそ
の吊りリード部にエアーベントを設け、絶縁枠を介して
上記素子載置部とキャップによりリード部をはさみ込み
、その空間部に樹脂を上記注入孔から流し込むという相
違点を有する。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子を載置す
るフレームの素子載置部と、素子載置部とは別個に形威
されたリード部と、上記素子載置部と上記リード部とを
絶縁分離する枠と、キャップと、上記キャップと上記リ
ード部とを絶縁分離する枠とを有する樹脂封止型半導体
装置において、上記素子搭載部には樹脂注入孔が設けら
れ、かつ上記素子搭載部及びその吊りリードにはエアー
ベント部が設けられているものである。
るフレームの素子載置部と、素子載置部とは別個に形威
されたリード部と、上記素子載置部と上記リード部とを
絶縁分離する枠と、キャップと、上記キャップと上記リ
ード部とを絶縁分離する枠とを有する樹脂封止型半導体
装置において、上記素子搭載部には樹脂注入孔が設けら
れ、かつ上記素子搭載部及びその吊りリードにはエアー
ベント部が設けられているものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図及び第2図は本発明の第1の実施例を説明するた
めの素子搭載用フレーム及びリード用フレームの上面図
、第3図及び第4図は上記フレームを金型に入れた場合
の断面図及び最終製品の断面図である。
めの素子搭載用フレーム及びリード用フレームの上面図
、第3図及び第4図は上記フレームを金型に入れた場合
の断面図及び最終製品の断面図である。
第1図に示すように、素子搭載用フレーム11の素子搭
載部12には、樹脂注入孔13が設けられており、更に
素子搭載部12の吊りリードの一部にはエアーベント1
4が設けられている。また素子搭載部12の周囲には樹
脂注入孔13及びエアーベント14を塞がないように絶
縁性の第1の枠15が設けてある。
載部12には、樹脂注入孔13が設けられており、更に
素子搭載部12の吊りリードの一部にはエアーベント1
4が設けられている。また素子搭載部12の周囲には樹
脂注入孔13及びエアーベント14を塞がないように絶
縁性の第1の枠15が設けてある。
次に第2図に示すように、上述の素子搭載用フレーム1
lに半導体素子l6をろう材l7を用いて固着し、さら
にリード用フレームl8を上述の第1の枠15上に絶縁
性接着剤等を用いて固着後、ポンディングワイヤー19
を用いて半導体素子16と内部リード1Aとを電気的に
接続する。
lに半導体素子l6をろう材l7を用いて固着し、さら
にリード用フレームl8を上述の第1の枠15上に絶縁
性接着剤等を用いて固着後、ポンディングワイヤー19
を用いて半導体素子16と内部リード1Aとを電気的に
接続する。
次いで第3図に示すように、第2図に示した素子搭載済
のフレームをキャビティーを有さない上金型IB及び下
金型ICにてはさみ込み、モールド樹脂IDをランナー
IE,サブランナーIF,樹脂注入孔13を通して流し
込む。
のフレームをキャビティーを有さない上金型IB及び下
金型ICにてはさみ込み、モールド樹脂IDをランナー
IE,サブランナーIF,樹脂注入孔13を通して流し
込む。
本実施例においては、金型にキャビティーを形戒する代
りに、所定形状のキャップlGを予め上金型側にセット
しておくか、又は予めリード用フレーム18に固着して
お・く。その際、キャップIGに金属材料を用いる場合
は絶縁性の第2の枠IHを予め形威しておくことで、リ
ード間のショートをできる。
りに、所定形状のキャップlGを予め上金型側にセット
しておくか、又は予めリード用フレーム18に固着して
お・く。その際、キャップIGに金属材料を用いる場合
は絶縁性の第2の枠IHを予め形威しておくことで、リ
ード間のショートをできる。
次に、第4図に示すように、樹脂封止後に素子搭載用フ
レーム11の余分な吊りリードやフレームの外枠を外し
、次いでリード用フレームl8の外部リードを仕上げ加
工し樹脂封止型半導体装置を完威させる。
レーム11の余分な吊りリードやフレームの外枠を外し
、次いでリード用フレームl8の外部リードを仕上げ加
工し樹脂封止型半導体装置を完威させる。
このように構或された第1の実施例によれば、モールド
金型に特定のキャビティを設けることなく所定形状のL
SI製品が得られる。またエアーベント及び樹脂注入孔
が金型上でなく、素子搭載用フレーム11に設けられて
いること、並びに樹5 脂注入孔13の位置をサブランナー上(又は下)に合わ
せることで容易に様々なサイズの素子の封入が可能とな
る。
金型に特定のキャビティを設けることなく所定形状のL
SI製品が得られる。またエアーベント及び樹脂注入孔
が金型上でなく、素子搭載用フレーム11に設けられて
いること、並びに樹5 脂注入孔13の位置をサブランナー上(又は下)に合わ
せることで容易に様々なサイズの素子の封入が可能とな
る。
第5図は本発明の第2の実施例の断面図である。
本第2の実施例では、リード用フレーム28の内部リー
ド部の先端を微細加工して、半導体素子26にバンプ2
Jを介して直接接続したものである。ここでは外部リー
ドを第7図の実施例とは逆に曲げ、さらに素子搭載用フ
レーム21の裏面にはヒートシンク2Kを固着してある
。
ド部の先端を微細加工して、半導体素子26にバンプ2
Jを介して直接接続したものである。ここでは外部リー
ドを第7図の実施例とは逆に曲げ、さらに素子搭載用フ
レーム21の裏面にはヒートシンク2Kを固着してある
。
このような構造とすることにより、第1の実施例よりも
さらにパッケージの薄型化や、熱放散性の向上を図るこ
とができる。
さらにパッケージの薄型化や、熱放散性の向上を図るこ
とができる。
以上説明したように本発明は、半導体素子搭載部に樹脂
注入孔を、また素子搭載部及びその吊りリード部にエア
ーベント部を設け、絶縁枠を介して上記素子搭載部とキ
ャップによりリードをはさみ込み、樹脂を上記注入孔よ
り流し込むという構造をとることで、以下の効果が得ら
れる。
注入孔を、また素子搭載部及びその吊りリード部にエア
ーベント部を設け、絶縁枠を介して上記素子搭載部とキ
ャップによりリードをはさみ込み、樹脂を上記注入孔よ
り流し込むという構造をとることで、以下の効果が得ら
れる。
−6−
(1)モールド金型に特定のキャビティを形成する必要
がなく多種パッケージの封入が可能である。
がなく多種パッケージの封入が可能である。
(2)素子載置部の裏面が露出しているため、放熱性に
優れ、さらにヒートシンクを取付けることで一段と放熱
効果を高めることができる。
優れ、さらにヒートシンクを取付けることで一段と放熱
効果を高めることができる。
(3)パッケージ表面に封止樹脂がほとんど露出しない
ため、金型クリーニング回数の減少,捺印性の向上が図
れる。またキャップ及び素子載置部に金属を採用するこ
とで、パッケージ内への吸湿スピードの遅延,パッケー
ジ強度の向上も図れる。
ため、金型クリーニング回数の減少,捺印性の向上が図
れる。またキャップ及び素子載置部に金属を採用するこ
とで、パッケージ内への吸湿スピードの遅延,パッケー
ジ強度の向上も図れる。
(4)TAB技術を利用したポンディングを行なうこと
でパッケージ外観の良い薄型パッケージを容易に作るこ
とが可能となる。
でパッケージ外観の良い薄型パッケージを容易に作るこ
とが可能となる。
第1図及び第2図は本発明の第1の実施例を説明するた
めの素子搭載用フレーム及びリード用フレームの上面図
、第3図及び第4図は上記フレームを金型に入れた場合
の断面図及び最終製品の断面図、第5図は本発明の第2
の実施例の断面図、第6図及び第7図は従来の樹脂封止
型半導体装置の工程途中での断面図及び最終製品の断面
図である。 11.21・・・・・・素子搭載用フレーム、12・・
・・・素子搭載部、13・・・・・・樹脂注入孔、14
・・・・・・エアーベント部、15・・・・・・第4の
絶縁枠、16,26.36・・・・・・半導体素子、1
7.37・・・・・・ろう材、18,28・・・・・・
リード用フレーム、19,39・・・・・・ポンディン
グワイヤー、IA・旧・・内部リード、IB,3B・・
・・・・上金型、IC,3C・・・・・・下金型、LD
,3D・・・・・・モールド樹脂、IE,3E2J・・
・・・・バンプ、2K・・・・・・ヒートシンク、3L
・・・・・・リードフレーム、3M・・・・・・キャビ
ティ一部。
めの素子搭載用フレーム及びリード用フレームの上面図
、第3図及び第4図は上記フレームを金型に入れた場合
の断面図及び最終製品の断面図、第5図は本発明の第2
の実施例の断面図、第6図及び第7図は従来の樹脂封止
型半導体装置の工程途中での断面図及び最終製品の断面
図である。 11.21・・・・・・素子搭載用フレーム、12・・
・・・素子搭載部、13・・・・・・樹脂注入孔、14
・・・・・・エアーベント部、15・・・・・・第4の
絶縁枠、16,26.36・・・・・・半導体素子、1
7.37・・・・・・ろう材、18,28・・・・・・
リード用フレーム、19,39・・・・・・ポンディン
グワイヤー、IA・旧・・内部リード、IB,3B・・
・・・・上金型、IC,3C・・・・・・下金型、LD
,3D・・・・・・モールド樹脂、IE,3E2J・・
・・・・バンプ、2K・・・・・・ヒートシンク、3L
・・・・・・リードフレーム、3M・・・・・・キャビ
ティ一部。
Claims (1)
- 半導体素子を載置するフレームの素子載置部と、素子載
置部とは別個に形成されたリード部と、上記素子載置部
と上記リード部とを絶縁分離する枠と、キャップと、上
記キャップと上記リード部とを絶縁分離する枠とを有す
る樹脂封止型半導体装置において、上記素子搭載部には
樹脂注入孔が設けられ、かつ上記素子搭載部及びその吊
りリードにはエアーベント部が設けられていることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1157682A JPH0834268B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1157682A JPH0834268B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0322464A true JPH0322464A (ja) | 1991-01-30 |
JPH0834268B2 JPH0834268B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=15655085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1157682A Expired - Lifetime JPH0834268B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0834268B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0831988A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-02-02 | Nec Corp | テープキャリアパッケージの封止構造 |
NL1005780C2 (nl) * | 1997-04-09 | 1998-10-12 | Fico Bv | Werkwijze en afdekelement voor het omhullen van electronische componenten. |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP1157682A patent/JPH0834268B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0831988A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-02-02 | Nec Corp | テープキャリアパッケージの封止構造 |
NL1005780C2 (nl) * | 1997-04-09 | 1998-10-12 | Fico Bv | Werkwijze en afdekelement voor het omhullen van electronische componenten. |
WO1998045878A1 (en) * | 1997-04-09 | 1998-10-15 | Fico B.V. | Method and covering element for encapsulating electronic components |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0834268B2 (ja) | 1996-03-29 |
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