JPH0834268B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0834268B2 JPH0834268B2 JP1157682A JP15768289A JPH0834268B2 JP H0834268 B2 JPH0834268 B2 JP H0834268B2 JP 1157682 A JP1157682 A JP 1157682A JP 15768289 A JP15768289 A JP 15768289A JP H0834268 B2 JPH0834268 B2 JP H0834268B2
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- mounting portion
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置に関する。
従来、樹脂封止型半導体装置は第６図に示すように、
鉄系又は銅系の合金から成るリードフレーム3Lに半導体
素子36を銀ペースト等のろう材37により固着し、次いで
金等のボンディングワイヤー39によりリードフレームと
半導体素子とを電気的に接続した後、金型3B及び3Cに上
記リードフレームをセットし、モールド樹脂3Dをキャビ
ティー部3Mに圧入，硬化させることで封止を完了し、そ
の後第７図に示すように、外部のリードを加工，成形し
て製造していた。
鉄系又は銅系の合金から成るリードフレーム3Lに半導体
素子36を銀ペースト等のろう材37により固着し、次いで
金等のボンディングワイヤー39によりリードフレームと
半導体素子とを電気的に接続した後、金型3B及び3Cに上
記リードフレームをセットし、モールド樹脂3Dをキャビ
ティー部3Mに圧入，硬化させることで封止を完了し、そ
の後第７図に示すように、外部のリードを加工，成形し
て製造していた。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置はトランスファ
ー成形金型を用いているため、製品外形や外観の均一性
や生産性等に優れる反面、多種多様化している市場の要
求に対して小回りが利かない欠点がある。
ー成形金型を用いているため、製品外形や外観の均一性
や生産性等に優れる反面、多種多様化している市場の要
求に対して小回りが利かない欠点がある。
特に近年要求が高まっているパッケージの軽薄短小
化，カスタム化に対しては、従来のトランスファー成形
では金型自体のコストが非常に高いこと、パッケージ、
すなわち金型の切換えに多大なロスタイムがある等問題
がますます大きくなってきている。
化，カスタム化に対しては、従来のトランスファー成形
では金型自体のコストが非常に高いこと、パッケージ、
すなわち金型の切換えに多大なロスタイムがある等問題
がますます大きくなってきている。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置に対し、本発明
は半導体素子の載置部に樹脂注入孔を、素子載置部及び
その吊りリード部にエアーベントを設け、絶縁枠を介し
て上記素子載置部とキャップによりリード部をはさみ込
み、その空間部に樹脂を上記注入孔から流し込むという
相違点を有する。
は半導体素子の載置部に樹脂注入孔を、素子載置部及び
その吊りリード部にエアーベントを設け、絶縁枠を介し
て上記素子載置部とキャップによりリード部をはさみ込
み、その空間部に樹脂を上記注入孔から流し込むという
相違点を有する。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子を載置
するフレームの素子載置部と、素子載置部とは別個に形
成されたリード部と、上記素子載置部と上記リード部と
を絶縁分離する枠と、キャップと、上記キャップと上記
リード部とを絶縁分離する枠とを有する樹脂封止型半導
体装置において、上記素子搭載部には樹脂注入孔が設け
られ、かつ上記素子搭載部及びその吊りリードにはエア
ーベント部が設けられているものである。
するフレームの素子載置部と、素子載置部とは別個に形
成されたリード部と、上記素子載置部と上記リード部と
を絶縁分離する枠と、キャップと、上記キャップと上記
リード部とを絶縁分離する枠とを有する樹脂封止型半導
体装置において、上記素子搭載部には樹脂注入孔が設け
られ、かつ上記素子搭載部及びその吊りリードにはエア
ーベント部が設けられているものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図及び第２図は本発明の第１の実施例を説明する
ための素子搭載用フレーム及びリード用フレームの上面
図、第３図及び第４図は上記フレームを金型に入れた場
合の断面図及び最終製品の断面図である。
ための素子搭載用フレーム及びリード用フレームの上面
図、第３図及び第４図は上記フレームを金型に入れた場
合の断面図及び最終製品の断面図である。
第１図に示すように、素子搭載用フレーム11の素子搭
載部12には、樹脂注入孔13が設けられており、更に素子
搭載部12の吊りリードの一部にはエアーベント14が設け
られている。また素子搭載部12の周囲には樹脂注入孔13
及びエアーベント14を塞がないように絶縁性の第１の枠
15が設けてある。
載部12には、樹脂注入孔13が設けられており、更に素子
搭載部12の吊りリードの一部にはエアーベント14が設け
られている。また素子搭載部12の周囲には樹脂注入孔13
及びエアーベント14を塞がないように絶縁性の第１の枠
15が設けてある。
次に第２図に示すように、上述の素子搭載用フレーム
11に半導体素子16をろう材17を用いて固着し、さらにリ
ード用フレーム18を上述の第１の枠15上に絶縁性接着剤
等を用いて固着後、ボンディングワイヤー19を用いて半
導体素子16と内部リード1Aとを電気的に接続する。
11に半導体素子16をろう材17を用いて固着し、さらにリ
ード用フレーム18を上述の第１の枠15上に絶縁性接着剤
等を用いて固着後、ボンディングワイヤー19を用いて半
導体素子16と内部リード1Aとを電気的に接続する。
次いで第３図に示すように、第２図に示した素子搭載
済のフレームをキャビティーを有さない上金型1B及び下
金型1Cにてはさみ込み、モールド樹脂1Dをランナー1E,
サブランナー1F,樹脂注入孔13を通して流し込む。
済のフレームをキャビティーを有さない上金型1B及び下
金型1Cにてはさみ込み、モールド樹脂1Dをランナー1E,
サブランナー1F,樹脂注入孔13を通して流し込む。
本実施例においては、金型にキャビティーを形成する
代りに、所定形状のキャップ1Gを予め上金型側にセット
しておくか、又は予めリード用フレーム18に固着してお
く。その際、キャップ1Gに金属材料を用いる場合は絶縁
性の第２の枠1Hを予め形成しておくことで、リード間の
ショートをできる。
代りに、所定形状のキャップ1Gを予め上金型側にセット
しておくか、又は予めリード用フレーム18に固着してお
く。その際、キャップ1Gに金属材料を用いる場合は絶縁
性の第２の枠1Hを予め形成しておくことで、リード間の
ショートをできる。
次に、第４図に示すように、樹脂封止後に素子搭載用
フレーム11の余分な吊りリードやフレームの外枠を外
し、次いでリード用フレーム18の外部リードを仕上げ加
工し樹脂封止型半導体装置を完成させる。
フレーム11の余分な吊りリードやフレームの外枠を外
し、次いでリード用フレーム18の外部リードを仕上げ加
工し樹脂封止型半導体装置を完成させる。
このように構成された第１の実施例によれば、モール
ド金型に特定のキャビティを設けることなく所定形状の
LSI製品が得られる。またエアーベント及び樹脂注入孔
が金型上でなく、素子搭載用フレーム11に設けられてい
ること、並びに樹脂注入孔13の位置をサブランナー上
（又は下）に合わせることで容易に様々なサイズの素子
の封入が可能となる。
ド金型に特定のキャビティを設けることなく所定形状の
LSI製品が得られる。またエアーベント及び樹脂注入孔
が金型上でなく、素子搭載用フレーム11に設けられてい
ること、並びに樹脂注入孔13の位置をサブランナー上
（又は下）に合わせることで容易に様々なサイズの素子
の封入が可能となる。
第５図は本発明の第２の実施例の断面図である。
本第２の実施例では、リード用フレーム28の内部リー
ド部の先端を微細加工して、半導体素子26にバンプ2Jを
介して直接接続したものである。ここでは外部リードを
第７図の実施例とは逆に曲げ、さらに素子搭載用フレー
ム21の裏面にはヒートシンク2Kを固着してある。
ド部の先端を微細加工して、半導体素子26にバンプ2Jを
介して直接接続したものである。ここでは外部リードを
第７図の実施例とは逆に曲げ、さらに素子搭載用フレー
ム21の裏面にはヒートシンク2Kを固着してある。
このような構造とすることにより、第１の実施例より
もさらにパッケージの薄型化や、熱放散性の向上を図る
ことができる。
もさらにパッケージの薄型化や、熱放散性の向上を図る
ことができる。
以上説明したように本発明は、半導体素子搭載部に樹
脂注入孔を、また素子搭載部及びその吊りリード部にエ
アーベント部を設け、絶縁枠を介して上記素子搭載部と
キャップによりリードをはさみ込み、樹脂を上記注入孔
より流し込むという構造をとることで、以下の効果が得
られる。
脂注入孔を、また素子搭載部及びその吊りリード部にエ
アーベント部を設け、絶縁枠を介して上記素子搭載部と
キャップによりリードをはさみ込み、樹脂を上記注入孔
より流し込むという構造をとることで、以下の効果が得
られる。
（１） モールド金型に特定のキャビティを形成する必
要がなく多種パッケージの封入が可能である。
要がなく多種パッケージの封入が可能である。
（２） 素子載置部の裏面が露出しているため、放熱性
に優れ、さらにヒートシンクを取付けることで一段と放
熱効果を高めることができる。
に優れ、さらにヒートシンクを取付けることで一段と放
熱効果を高めることができる。
（３） パッケージ表面に封止樹脂がほとんど露出しな
いため、金型クリーニング回数の減少，捺印性の向上が
図れる。またキャップ及び素子載置部に金属を採用する
ことで、パッケージ内への吸湿スピードの遅延，パッケ
ージ強度の向上も図れる。
いため、金型クリーニング回数の減少，捺印性の向上が
図れる。またキャップ及び素子載置部に金属を採用する
ことで、パッケージ内への吸湿スピードの遅延，パッケ
ージ強度の向上も図れる。
（４） TAB技術を利用したボンディングを行なうこと
でパッケージ外観の良い薄型パッケージを容易に作るこ
とが可能となる。
でパッケージ外観の良い薄型パッケージを容易に作るこ
とが可能となる。
第１図及び第２図は本発明の第１の実施例を説明するた
めの素子搭載用フレーム及びリード用フレームの上面
図、第３図及び第４図は上記フレームを金型に入れた場
合の断面図及び最終製品の断面図、第５図は本発明の第
２の実施例の断面図、第６図及び第７図は従来の樹脂封
止型半導体装置の工程途中での断面図及び最終製品の断
面図である。 11,21……素子搭載用フレーム、12……素子搭載部、13
……樹脂注入孔、14……エアーベント部、15……第１の
絶縁枠、16,26,36……半導体素子、17,37……ろう材、1
8,28……リード用フレーム、19,39……ボンディングワ
イヤー、1A……内部リード、1B,3B……上金型、1C,3C…
…下金型、1D,3D…モールド樹脂、1E,3E……ランナー、
1F……サブランナー、1G,2G……キャップ、1H,2H……第
２の絶縁枠、2J……バンプ、2K……ヒートシンク、3L…
…リードフレーム、3M……キャビティー部。
めの素子搭載用フレーム及びリード用フレームの上面
図、第３図及び第４図は上記フレームを金型に入れた場
合の断面図及び最終製品の断面図、第５図は本発明の第
２の実施例の断面図、第６図及び第７図は従来の樹脂封
止型半導体装置の工程途中での断面図及び最終製品の断
面図である。 11,21……素子搭載用フレーム、12……素子搭載部、13
……樹脂注入孔、14……エアーベント部、15……第１の
絶縁枠、16,26,36……半導体素子、17,37……ろう材、1
8,28……リード用フレーム、19,39……ボンディングワ
イヤー、1A……内部リード、1B,3B……上金型、1C,3C…
…下金型、1D,3D…モールド樹脂、1E,3E……ランナー、
1F……サブランナー、1G,2G……キャップ、1H,2H……第
２の絶縁枠、2J……バンプ、2K……ヒートシンク、3L…
…リードフレーム、3M……キャビティー部。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子を載置するフレームの素子載置
部と、素子載置部とは別個に形成されたリード部と、上
記素子載置部と上記リード部とを絶縁分離する枠と、キ
ャップと、上記キャップと上記リード部とを絶縁分離す
る枠とを有する樹脂封止型半導体装置において、上記素
子搭載部には樹脂注入孔が設けられ、かつ上記素子搭載
部及びその吊りリードにはエアーベント部が設けられて
いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1157682A JPH0834268B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1157682A JPH0834268B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322464A JPH0322464A (ja) | 1991-01-30 |
| JPH0834268B2 true JPH0834268B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=15655085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1157682A Expired - Lifetime JPH0834268B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834268B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831988A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-02-02 | Nec Corp | テープキャリアパッケージの封止構造 |
| NL1005780C2 (nl) * | 1997-04-09 | 1998-10-12 | Fico Bv | Werkwijze en afdekelement voor het omhullen van electronische componenten. |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP1157682A patent/JPH0834268B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0322464A (ja) | 1991-01-30 |
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