JPH05121473A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH05121473A JPH05121473A JP27941291A JP27941291A JPH05121473A JP H05121473 A JPH05121473 A JP H05121473A JP 27941291 A JP27941291 A JP 27941291A JP 27941291 A JP27941291 A JP 27941291A JP H05121473 A JPH05121473 A JP H05121473A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lid portion
- lower lid
- lead frame
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】樹脂封止金型の制限を受けずに所定形状のパッ
ケージを得、パッケージの多種多様化に迅速に対応す
る。 【構成】半導体素子１２を載置したリードフレーム１１
を予め所定の形状，寸法をなすよう作成した有機絶縁材
料よりなる上蓋部１５，下蓋部１６とではさみ込み、下
蓋部１６の底面に設けてある注入口１Ｆよりモールド樹
脂を注入し全体を一体化した構造とする。 【効果】モールド金型に特注のキャビティーを形成する
必要がなく、多種パックージに対しフレキシブルに対応
でき、また金型汚れの低減，捺印性の向上が図れる。
ケージを得、パッケージの多種多様化に迅速に対応す
る。 【構成】半導体素子１２を載置したリードフレーム１１
を予め所定の形状，寸法をなすよう作成した有機絶縁材
料よりなる上蓋部１５，下蓋部１６とではさみ込み、下
蓋部１６の底面に設けてある注入口１Ｆよりモールド樹
脂を注入し全体を一体化した構造とする。 【効果】モールド金型に特注のキャビティーを形成する
必要がなく、多種パックージに対しフレキシブルに対応
でき、また金型汚れの低減，捺印性の向上が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、特に樹脂封止体の構造に関する。
関し、特に樹脂封止体の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置は図４に示
すように、鉄系又は銅系の合金から成るリードフレーム
４１に半導体素子４２を銀ペースト等のろう材（図示せ
ず）により固着し、次いで金等のボンディングワイヤー
４３によりリードフレームと半導体素子とを電気的に接
続した後、上金型４ａ及び下金型４Ｂに上記リードフレ
ームをセットし、モールド樹脂４４をキャビティー部４
Ｃに注入し、硬化させることで封止を完了し、その後図
５に示すように外部のリードを加工，成形して製造して
いた。
すように、鉄系又は銅系の合金から成るリードフレーム
４１に半導体素子４２を銀ペースト等のろう材（図示せ
ず）により固着し、次いで金等のボンディングワイヤー
４３によりリードフレームと半導体素子とを電気的に接
続した後、上金型４ａ及び下金型４Ｂに上記リードフレ
ームをセットし、モールド樹脂４４をキャビティー部４
Ｃに注入し、硬化させることで封止を完了し、その後図
５に示すように外部のリードを加工，成形して製造して
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の樹脂封
止型半導体装置はトランスファー成形金型を用いている
ため、製品外形や外観の均一性，生産性等に優れる半
面、多種多様化している市場の要求に対して小回りが利
かないという欠点がある。すなわち近年要求が高まって
いるパッケージの多種多様化，カスタム化等に対して
は、従来のトランスファー成形では金型自体のコストが
非常に高いこと、金型製作に長期間を要すること、パッ
ケージすなわち金型の切換えに多大のロスタイムがある
等問題がますます大きくなってきている。
止型半導体装置はトランスファー成形金型を用いている
ため、製品外形や外観の均一性，生産性等に優れる半
面、多種多様化している市場の要求に対して小回りが利
かないという欠点がある。すなわち近年要求が高まって
いるパッケージの多種多様化，カスタム化等に対して
は、従来のトランスファー成形では金型自体のコストが
非常に高いこと、金型製作に長期間を要すること、パッ
ケージすなわち金型の切換えに多大のロスタイムがある
等問題がますます大きくなってきている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、半導体素子と半導体素子載置部を有するリー
ドフレームと、上記リードフレームをはさみ込み中空部
を形成する有機絶縁材料よりなる上蓋部及下蓋部と、上
記下蓋部底面に予め設けた注入口よりモールト樹脂を注
入して硬化させ、全体を一体化したことを特徴とする。
体装置は、半導体素子と半導体素子載置部を有するリー
ドフレームと、上記リードフレームをはさみ込み中空部
を形成する有機絶縁材料よりなる上蓋部及下蓋部と、上
記下蓋部底面に予め設けた注入口よりモールト樹脂を注
入して硬化させ、全体を一体化したことを特徴とする。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００６】図１は本発明の第一実施例の樹脂封止型半
導体装置の封止工程を示す断面図であり、図２は第一実
施例の最終製品の断面図である。
導体装置の封止工程を示す断面図であり、図２は第一実
施例の最終製品の断面図である。
【０００７】図１に示すように、半導体素子１２を載置
したリードフレーム１１は、上蓋部１５と下蓋部１６と
ではさみ込まれ、所定のパッケージ形状，外形寸法をな
すように構成されている。下蓋部１６には樹脂の注入口
１Ｆが予め設けてあり、モールド樹脂１４はランナー１
Ｇ，サブランナー１Ｈ，注入口１Ｆを通り、上蓋部１５
と下蓋部１６とで形成された中空部分であるキャビティ
ー部１Ｃに充填されるようになっている。また下金型１
Ｂには樹脂の流路であるランナー１Ｇ，サブランナー１
Ｈが掘り込まれてあり、その上にはランナー，サブラン
ナーから樹脂モレを生じないようにランナー遮へい板１
Ｄをセットしてある。上記ランナー遮へい板１Ｄには予
め樹脂の注入口１Ｆに相当する部位に穴を設けておき、
上蓋部１５と下蓋部１６とではさみこんだリードフレー
ム１１をセットする際、各々位置決めピン等を用いて正
確に注入口１Ｆの位置合わせが行なえるよう考慮してお
く。上金型１Ａにはスペーサー１Ｅが取りつけてある。
スペーサー１Ｅはパッケージ厚さを変更する際にそれを
取り替えることで、常に上蓋部１５と下蓋部１６に対し
適切な型締め圧力がかけられるよう設計しておく。
したリードフレーム１１は、上蓋部１５と下蓋部１６と
ではさみ込まれ、所定のパッケージ形状，外形寸法をな
すように構成されている。下蓋部１６には樹脂の注入口
１Ｆが予め設けてあり、モールド樹脂１４はランナー１
Ｇ，サブランナー１Ｈ，注入口１Ｆを通り、上蓋部１５
と下蓋部１６とで形成された中空部分であるキャビティ
ー部１Ｃに充填されるようになっている。また下金型１
Ｂには樹脂の流路であるランナー１Ｇ，サブランナー１
Ｈが掘り込まれてあり、その上にはランナー，サブラン
ナーから樹脂モレを生じないようにランナー遮へい板１
Ｄをセットしてある。上記ランナー遮へい板１Ｄには予
め樹脂の注入口１Ｆに相当する部位に穴を設けておき、
上蓋部１５と下蓋部１６とではさみこんだリードフレー
ム１１をセットする際、各々位置決めピン等を用いて正
確に注入口１Ｆの位置合わせが行なえるよう考慮してお
く。上金型１Ａにはスペーサー１Ｅが取りつけてある。
スペーサー１Ｅはパッケージ厚さを変更する際にそれを
取り替えることで、常に上蓋部１５と下蓋部１６に対し
適切な型締め圧力がかけられるよう設計しておく。
【０００８】以上によりモールド樹脂１４をキャビティ
ー部１Ｃに注入し、上蓋部１５，下蓋部１６及び半導体
素子１２を載置したリードフレーム１１等を一体化し、
外部リードの仕上げを行なった最終製品が図２に示した
ものである。
ー部１Ｃに注入し、上蓋部１５，下蓋部１６及び半導体
素子１２を載置したリードフレーム１１等を一体化し、
外部リードの仕上げを行なった最終製品が図２に示した
ものである。
【０００９】このように構成された第一実施例によれ
ば、モールド金型に特定のキャビティーを設けることな
く、所定形状のＬＳＩ製品が得られる。また異なるサイ
ズのパッケージを封入する際も樹脂の注入口の位置をサ
ブランナー上に合わせることで容易に対応が可能とな
る。
ば、モールド金型に特定のキャビティーを設けることな
く、所定形状のＬＳＩ製品が得られる。また異なるサイ
ズのパッケージを封入する際も樹脂の注入口の位置をサ
ブランナー上に合わせることで容易に対応が可能とな
る。
【００１０】図３は本発明の第２の実施例の断面図であ
る。第２の実施例では上蓋部１５と下蓋部１６の各々に
素子固定用突起１７を設け、モールド樹脂を注入した際
にその圧力で半導体素子及び半導体素子載置部が動いて
ボンディングワイヤー１３の変形や断線が起こらないよ
うに考慮したものである。このような構造とすること
で、特に薄型パッケージの場合、高粘度のモールド樹脂
を使用する場合とにおいて歩留を高めることができる。
る。第２の実施例では上蓋部１５と下蓋部１６の各々に
素子固定用突起１７を設け、モールド樹脂を注入した際
にその圧力で半導体素子及び半導体素子載置部が動いて
ボンディングワイヤー１３の変形や断線が起こらないよ
うに考慮したものである。このような構造とすること
で、特に薄型パッケージの場合、高粘度のモールド樹脂
を使用する場合とにおいて歩留を高めることができる。
【００１１】なお上蓋部１５及び下蓋部１６の材質は高
強度の有機絶縁材料であれば特に限定されることはない
が、調査の結果、望ましい材料として常温での曲げ強度
１２ｋｇ／ｍｍ2 以上，ガラス転移点温度１７０℃以上
のエポキシ系樹脂，ポリイミド系樹脂等が挙げられる。
またランナー遮へい板１Ｄとしてはリードフレーム材料
として多様している４２合金，銅合金や、アルミイウム
等を用いれば良い。
強度の有機絶縁材料であれば特に限定されることはない
が、調査の結果、望ましい材料として常温での曲げ強度
１２ｋｇ／ｍｍ2 以上，ガラス転移点温度１７０℃以上
のエポキシ系樹脂，ポリイミド系樹脂等が挙げられる。
またランナー遮へい板１Ｄとしてはリードフレーム材料
として多様している４２合金，銅合金や、アルミイウム
等を用いれば良い。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、有機絶縁
材料を用いて予め所定のパッケージ形状外形寸法をなす
ように上蓋部及び下蓋部を形成し、半導体素子を載置し
たリードフレームを上記上蓋部及下蓋部とではさみ込
み、その中空部にモールド樹脂を注入して一体化するこ
とで封止する構造としたことで以下の効果が得られる。 （１）モールド金型に特定のキャブティーを形成する必
要がなく、多種パッケージに対しフレキシブルに対応が
可能となる。 （２）パッケージ表面に封止樹脂が露出しないため、金
型クリーニング回数の減少，捺印性の向上が図れる （３）上，下蓋部の内側に素子固定用の突起を設けるこ
とで樹脂注入時の流動抵抗による半導体素子や半導体載
置部の移動を防止できる。 （４）封止樹脂に対し従来並の作業性を要求する必要が
なく、樹脂設計の自由度を高められる。
材料を用いて予め所定のパッケージ形状外形寸法をなす
ように上蓋部及び下蓋部を形成し、半導体素子を載置し
たリードフレームを上記上蓋部及下蓋部とではさみ込
み、その中空部にモールド樹脂を注入して一体化するこ
とで封止する構造としたことで以下の効果が得られる。 （１）モールド金型に特定のキャブティーを形成する必
要がなく、多種パッケージに対しフレキシブルに対応が
可能となる。 （２）パッケージ表面に封止樹脂が露出しないため、金
型クリーニング回数の減少，捺印性の向上が図れる （３）上，下蓋部の内側に素子固定用の突起を設けるこ
とで樹脂注入時の流動抵抗による半導体素子や半導体載
置部の移動を防止できる。 （４）封止樹脂に対し従来並の作業性を要求する必要が
なく、樹脂設計の自由度を高められる。
【００１３】以上により本発明の効果の一例を数値化す
ると表１のようになった。
ると表１のようになった。
【００１４】
【表１】
【図１】本発明の第一実施例の封止工程を示す断面図。
【図２】第一実施例の最終製品形態を示す断面図。
【図３】第二実施例の最終製品形態を示す断面図。
【図４】従来の樹脂封止型半導体装置の封止工程を示す
断面図。
断面図。
【図５】従来の最終製品形態を示す断面図。
１１，４１ リードフレーム １２，４２ 半導体素子 １３，４３ ボンディングワイヤー １４，４４ モールド樹脂 １５ 上蓋部 １６ 下蓋部 １７ 素子固定用突起 １Ａ，４Ａ 上金型 １Ｂ，４Ｂ 下金型 １Ｃ，４Ｃ キャビティー部 １Ｄ ランナー遮へい板 １Ｅ スペーサー １Ｆ 注入口 １Ｇ ランナー １Ｈ サブランナー
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子と、半導体素子載置部を有す
るリードフレームと、上記リードフレームをはさみ込み
中空部を形成する有機絶縁材料よりなる上蓋部及び下蓋
部と、上記下蓋部底面に予め設けた注入口からモールド
樹脂を注入して硬化させ、全体を一体化したことを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27941291A JPH05121473A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27941291A JPH05121473A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121473A true JPH05121473A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17610736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27941291A Pending JPH05121473A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121473A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0657921A1 (en) * | 1993-12-06 | 1995-06-14 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same |
| US6111306A (en) * | 1993-12-06 | 2000-08-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same and semiconductor device unit and method of producing the same |
| KR100448432B1 (ko) * | 1997-10-28 | 2004-11-16 | 삼성전자주식회사 | 에어-캐버티 플라스틱 패키지용 성형 금형 |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP27941291A patent/JPH05121473A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0657921A1 (en) * | 1993-12-06 | 1995-06-14 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same |
| US5679978A (en) * | 1993-12-06 | 1997-10-21 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having resin gate hole through substrate for resin encapsulation |
| US5804467A (en) * | 1993-12-06 | 1998-09-08 | Fujistsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same |
| US6111306A (en) * | 1993-12-06 | 2000-08-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same and semiconductor device unit and method of producing the same |
| US6379997B1 (en) | 1993-12-06 | 2002-04-30 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same and semiconductor device unit and method of producing the same |
| KR100448432B1 (ko) * | 1997-10-28 | 2004-11-16 | 삼성전자주식회사 | 에어-캐버티 플라스틱 패키지용 성형 금형 |
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