JPH0661285A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び金型 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法及び金型

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JPH0661285A
JPH0661285A JP22932692A JP22932692A JPH0661285A JP H0661285 A JPH0661285 A JP H0661285A JP 22932692 A JP22932692 A JP 22932692A JP 22932692 A JP22932692 A JP 22932692A JP H0661285 A JPH0661285 A JP H0661285A
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JP
Japan
Prior art keywords
resin
mold
lead piece
semiconductor device
lead
Prior art date
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Pending
Application number
JP22932692A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Furusato
広治 古里
Takahiro Onishi
高弘 大西
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Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 タイバ−のあるリ−ドフレ−ムを用いた樹脂
封止型半導体装置の製造過程におけるタイバ−切断に伴
う問題点を解決し、信頼性が高く、外観が優れ、かつ、経
済的な樹脂封止型半導体装置を得るための製造方法及び
金型を提供することを目的とする。 【構成】 耐熱性弾性材を、その装着位置が樹脂モ−ル
ド金型の外部リ−ド片導出部の空所近傍となるように、
上型及び下型の一方又は両方に装着し、樹脂注入時に、
上型及び下型の結合により、耐熱性弾性材が各外部リ−
ド片を包囲して、樹脂の流出を防止するようにしたこと
を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂モ−ルド金型によ
り半導体組立体を封止する樹脂封止型半導体装置の製造
方法及びその金型に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、整流ダイオ−ド、トランジスタ、
サイリスタ、IC等の半導体チップを金属支持板に載置
し、接続子等、その他の部品と共に、半導体組立体を構
成し、その半導体組立体をエポキシ樹脂等で封止し、外
部に複数のリ−ド片を導出するようにした樹脂封止型半
導体装置が知られている。
【0003】又、それらを複数個、多量に製造する手段
として、外部リ−ド片、内部リ−(2)ド片、金属支持
板等をフレ−ムに結合したリ−ドフレ−ムにより半導体
組立体及び外部リ−ドを構成し、又、樹脂モ−ルド金型
を用いて、トランスファモ−ルド方式等により樹脂封止
し、その後、個々の半導体装置に分離するごとく、リ−
ドフレ−ムの不要部分を切除する製造方法が知られてい
る。
【0004】図1は、従来のリ−ドフレ−ムによる樹脂
封止型半導体装置の組立構造図で、(a)はシングルイ
ンライン型、(b)はデュアルインライン型である。1
はリ−ドフレ−ム、2は外部リ−ド片、3はタイバ−、
4はフレ−ム、5は封止樹脂である。封止樹脂5の内部
には、図示しないが、リ−ドフレ−ム1の金属支持板や
接続子等により半導体組立体が構成され、収容されてい
る。図1(a)(b)共に、樹脂モ−ルド直後の半導体
装置1個分を示し、通常、多数個がリ−ドフレ−ム1に連
結されている。
【0005】タイバ−3は、外部リ−ド片2の根元、即
ち、封止樹脂5の近傍に設けられ、樹脂注入時の樹脂流出
を防止する役割をする。しかし、樹脂封止後において、タ
イバ−3は不必要部分であり、切断し、除去される。
【0006】図2は、リ−ドフレ−ム1のタイバ−3及
びフレ−ム4を除去した後の構造図で、図1と同一符号
は同等部分をあらわす。タイバ−3は封止樹脂5の近傍
で切断するため、封止樹脂5に機械的ストレスがかか
り、クラック等のダメ−ジを残す可能性がある。
【0007】又、図3は、外部リ−ド片のタイバ−切断
部の拡大図であり、切断部に若干の段差を発生すること
は避けられない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】タイバ−の切断時に、
封止樹脂にクラック等のダメ−ジを残す可能性のあるこ
と、及び、外部リ−ド片を直線状に切断できず、段差を
生じることが解決(3)すべき問題点である。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、耐熱性弾性材
を、その装着位置が樹脂モ−ルド金型の外部リ−ド片導
出部の空所近傍となるように、上型及び下型の一方又は
両方に装着し、樹脂注入時に、上型及び下型の結合によ
り、耐熱性弾性材が各外部リ−ド片を包囲して、樹脂の
流出を防止するようにしたことを特徴とする製造方法及
びその樹脂モ−ルド金型である。従って、問題点の原因
をなすタイバ−をもたないリ−ドフレ−ムによって製造
することができ、信頼性が高く、外観の良好な樹脂封止
型半導体装置を得る。
【0010】
【実施例】図4は、本発明の実施例による樹脂封止型半
導体装置の組立構造図で(a)はシングルインライン
型、(b)はデュアルインライン型である。図1と同一
符号は同等部分を示し、図1と同様に、樹脂モ−ルド直
後、リ−ドフレ−ム1切断前の半導体装置1個分を図示
している。図4では図1のように、タイバ−3が存在し
ないことに特徴がある。
【0011】図5は、本発明の製造方法を説明する要部
工程図であり、(a)は上型と下型の結合前の工程図、
(b)は(a)のA−A′断面図、(c)は上型と下型
の結合時の工程図、(d)は(c)のA−A′断面図で
ある。図において、6は半導体チップ、7は接続子、8は
樹脂モ−ルド金型の上型、9は下型、10は耐熱性弾性
材、11は金型の空所、12は金型の外部リ−ド片導出
部である。
【0012】上型8、下型9、耐熱性弾性材10によ
り、本発明の樹脂モ−ルド金型を構成する。耐熱性弾性
材10の装着位置は金型の空所11近傍の外部リ−ド片
導出部12に設ける。つまり、従来のタイバ−が存在す
るはずの位置の近傍(4)とする。又、耐熱性弾性材1
0は例えば、シリコン系、テフロン系等の樹脂等であっ
て、耐熱性、弾性及び樹脂モ−ルド後の剥離性を有する
棒状をなす。金型への耐熱性弾性材10の装着は、例え
ば、上型8又は下型9に凹部を設け、それに圧入、接着
等により固定する。
【0013】まず、図5(a)(b)のように半導体チ
ップ6、接続子7等の組立体を空所11に収容するごと
く、リ−ドフレ−ム1をセットする。次いで図5(c)
(d)のように上型8及び下型9を結合し、空所11内
に図示しないゲ−ト口から樹脂を注入する。この場合、
図5(d)のように、外部リ−ド片2は耐熱性弾性材1
0によって包囲され注入樹脂の流出を防止する。なお、
10の弾性が小さくて、硬い材質では、2の側方に隙間
ができ、樹脂流出の原因となる。なお、耐熱性弾性材1
0は上型8及び下型9の結合時に外部リ−ド片2を十分
に包囲し、その状態を保てばよく、樹脂注入時に必ずし
も弾性を要するものではない。
【0014】本発明によれば、従来のタイバ−を不要と
するが、切断時に封止樹脂への悪影響を及ぼさない程度
に封止樹脂から離した位置に外部リ−ド片を連結する線
条を設け、製造上、取扱上の便を図るようにするリ−ド
フレ−ムを用いても本発明を実施し得るのは当然であ
る。
【0015】本発明の製造方法及び金型によって、タイ
バ−を設けないリ−ドフレ−ムを用いて、外部リ−ド片
部分から注入樹脂の流出がなく、個々の半導体装置への
分離において、封止樹脂への機械的ストレスが小さく、
かつ外部リ−ド片を直線状に形成し得る。なお、耐熱性
弾性材10の装着は実施例のごとく必ずしも上型8と下
型9の両方に装着するを要せず、いずれか一方だけの装
着によっても本発明を実施し得るものである。
【0016】本発明の実施例は本発明の要旨の範囲で、
種々に変形、変換、付加等の変更(5)をなし得るもの
である。
【0017】
【発明の効果】以上説明のように、信頼性が高く、外観
が良好で、かつ、経済的な樹脂封止型半導体装置の製造
方法及び金型を提供するので、各種個別素子、集積回路
等の半導体装置に利用して、その産業上の効果、極め
て、大なるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のリ−ドフレ−ムによる樹脂封止型半導体
装置の組立構造図で、(a)はシングルインライン型、
(b)はデュアルライン型である。
【図2】リ−ドフレ−ムのタイバ−とフレ−ムを除去し
た後の構造図である。
【図3】タイバ−切断部の拡大図である。
【図4】本発明の実施例による組立構造図で、(a)は
シングルインライン型、(b)はデュアルインライン型
である。
【図5】本発明の製造方法を説明する要部工程図で、
(a)は上型と下型の結合前の工程図、(b)は(a)
のA−A′断面図、(c)は上型と下型の結合時の工程
図、(d)は(c)のA−A′断面図である。
【符号の説明】
1 リ−ドフレ−ム 2 外部リ−ド片 3 タイバ− 4 フレ−ム 5 封止樹脂 6 半導体チップ (6)7 接続子 8 樹脂モ−ルド金型の上型 9 樹脂モ−ルド金型の下型 10 耐熱性弾性材 11 金型の空所 12 金型の外部リ−ド片導出部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップを搭載する支持板、内部リ
    −ド片、接続子等から成る組立体を収容する空所を有す
    る上型及び下型から成る樹脂モ−ルド金型により樹脂封
    止し、外部リ−ド片を導出するごときリ−ドフレ−ムを
    用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法において、耐熱
    性弾性材を、その装着位置が樹脂モ−ルド金型の外部リ
    −ド片導出部の空所近傍となるように、上型及び下型の
    一方又は両方に装着し、樹脂注入時に、上型及び下型の
    結合により、耐熱性弾性材が各外部リ−ド片を包囲し
    て、樹脂の流出を防止するようにしたことを特徴とする
    樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 半導体チップを搭載する支持板、内部リ
    −ド片、接続子等から成る組立体を収容する空所及び外
    部リ−ド片導出部をもつ、上型及び下型から成る樹脂モ
    −ルド金型において、外部リ−ド片導出部の空所近傍に
    耐熱性弾性材を装着したことを特徴とする樹脂封止型半
    導体装置の金型。
JP22932692A 1992-08-05 1992-08-05 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び金型 Pending JPH0661285A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2741191A1 (fr) * 1995-11-14 1997-05-16 Sgs Thomson Microelectronics Procede de fabrication d'un micromodule, notamment pour cartes a puces

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2741191A1 (fr) * 1995-11-14 1997-05-16 Sgs Thomson Microelectronics Procede de fabrication d'un micromodule, notamment pour cartes a puces
EP0774779A1 (fr) * 1995-11-14 1997-05-21 STMicroelectronics S.A. Procédé de fabrication d'un micromodule, notamment pour cartes à puces
US5898216A (en) * 1995-11-14 1999-04-27 Sgs-Thomson Microelectronics S.A. Micromodule with protection barriers and a method for manufacturing the same

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