JPH04165634A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止形半導体装置の製造方法

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JPH04165634A
JPH04165634A JP29284590A JP29284590A JPH04165634A JP H04165634 A JPH04165634 A JP H04165634A JP 29284590 A JP29284590 A JP 29284590A JP 29284590 A JP29284590 A JP 29284590A JP H04165634 A JPH04165634 A JP H04165634A
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semiconductor element
spacer
resin
lead frame
mold
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Hideyuki Nishikawa
秀幸 西川
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止形半導体装置の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来の樹脂封止形半導体装置の製造方法を説明するため
に、第4図は、リードフレームの部分平面図、第5図は
半導体素子を搭載した第4図のリードフレームを樹脂封
止金型で型締めした状態の部分断面図をそれぞれ示す。
従来の樹脂封止形半導体装置の製造方法は、第4図、お
よび、第5図に示すように、まず、リードフレームのつ
りピン7に保持された素子搭載部1に半導体素子2を搭
載する。
次に、半導体素子2とリード3の先端を金属細線4で接
続する。
次に、リードフレーム3を上金型5と下金型6とではさ
み、キャビティ10内に封止用樹脂を注入することによ
り、素子搭載部1に搭載された半導体素子2、金属細線
4、内部リードなどを樹脂封止する。
最後に、外部リードを形成するというのが一般的であっ
た。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の樹脂封止形半導体装置の製造方法は、上
金型と下金型とにより形成されるキャビティ内に封入用
樹脂を注入する際の樹脂の圧力により、リードフレーム
が変形して素子搭載部が浮上がり、金属細線が半導体素
子に接触して、電気的な短絡事故を発生するという欠点
があった。
このような素子搭載部の浮」−がりを防止するには、素
子搭載部を保持するつりピンを太く丈夫な構造にすれば
よいが、素子搭載部がつりピンを介して%iとコンタク
トしている構造であるので、つりピンを過度に太くする
と、外部より水分等が封止樹脂とつりピンの界面を伝わ
って進入し、半導体素子に悪影響を及ぼすことにより半
導体装置の信頼性を低下させるので、十分な強度が得ら
れるほど太くできないという欠点があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の樹脂封止形半導体装置の製造方法は、樹脂封止
対象半導体素子の表面と樹脂封止用金型の内面との間隔
を保持する絶縁祠料製のスペーサを固着するものである
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は、本発明の樹脂封止形半導体装置の製造方法の
一実施例を示すリードフレームの部分断面図、第2図は
、第1図のリードフレームを樹脂封止用の金型で型締め
したときの部分断面図である。
第1図に示すように、本発明の樹脂封止形半導体装置の
製造方法では、ます、リードフレームの素子搭載部1に
半導体素子2を搭載する。
次に、半導体素子2とリード3の先端を金属細線4で接
続する。ここまでは、前述の従来の技術と同様である。
次に、半導体素子2の表面に、直方体の固形樹脂製のス
ペーサ8をエポキシ接着剤により接着する。
次に、以上の工程で組立てられたリードフレームを第2
図に示すように、上金型5、および、下金型6により型
締めする。
ここで、スペーサ8の高さは、リードフレームを型締め
したときに、上金型5のキャビティ10の底面に丁度接
するように、すなわち、半導体素子2と上金型5との間
隔の寸法に設計されている。
一例として、リードフレームの素子搭載部1から、上金
型5のキャビティ10の底面までの高さを1. m m
 N半導体素子の厚さ0.4mmとすれば、スペーサ8
の萬さは、O−ei m mとなる。
最後に、キャビティ10に、封止用樹脂を注入する。
素子搭載部1は、スペーサ8により保持されるため、封
止用樹脂の注入圧力により素子搭載部1が変形して浮上
がることはない。
次に1本発明の第二の実施例について説明する。
第3図は、本発明の第二の実施例を示すリードフレーム
を樹脂封止用の金型で型締めしたときの部分断面図であ
る。
第3図において、第一の実施例との相違点は、上金型5
のキャビティ10の底面にスペーサ8が丁度はまり込む
ような凹部9が設けられていることである。
したがって、スペーサ8の高さは、凹部9の底面に接す
るように設計されている。
第一の実施例に示した寸法例を用いると、凹部9の附加
さを0.2mmとすれば、スペーサ8の高さは0.8m
mとなる。
本実施例では、リードフレームの素子搭載部1の浮上が
りたけでなく、水平方向の変形も防止できるという利点
がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、半導体素子搭載
部は、スペーサにより保持されるため、封止用樹脂の注
入圧力により素子搭載部が変形して浮上がることはない
という効果がある。
したがって、金属細線が半導体素子と接触する電気的短
絡事故は発生しないという効果がある。
さらに、つりピンを過度に太くする必要はないので、外
部より水分等が封止樹脂とつりピンの界面を伝わって進
入し、半導体素子に悪影響を及ぼすことにより半導体装
置の信頼性を低下させるということを防止できるという
効果がある。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例を示すリードフレームの部分
断面図、第2図は第1図のリードフレームを樹脂封止用
の金型で型締めしたときの部分断面図、第3図は本発明
の第二の実施例を示すリードフレームを樹脂封止用の金
型で型締めしたときの部分断面図、第4図は従来の樹脂
封止形半導体装置の製造方法を説明するためのリードフ
レームの部分平面図、第5図は第4図のリードフレーム
を樹脂封止金型で型締めした状態の部分断面図である。 1・・・素子搭載部、2・・・半導体素子、3・・・リ
ード、4・・・金属細線、5・・・上金型5.6・・・
下金型、7・・・つりピン、8・・・スペーサ、9・・
・凹部、10・・・キャビティ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  樹脂封止対象半導体素子の表面と樹脂封止用金型の内
    面との間隔を保持する絶縁材料製のスペーサを固着する
    ことを特徴とする樹脂封止形半導体装置の製造方法。
JP2292845A 1990-10-30 1990-10-30 樹脂封止形半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JP2973506B2 (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6383841B2 (en) * 1998-03-12 2002-05-07 Delta Electronics, Inc. Method for encapsulating with a fixing member to secure an electronic device
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US8420450B2 (en) 2010-06-28 2013-04-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of molding semiconductor package
CN104599982A (zh) * 2014-12-11 2015-05-06 南通富士通微电子股份有限公司 全包封半导体晶圆级封装模具

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US9184065B2 (en) 2010-06-28 2015-11-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of molding semiconductor package
CN104599982A (zh) * 2014-12-11 2015-05-06 南通富士通微电子股份有限公司 全包封半导体晶圆级封装模具

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