JPH04276414A - Ｉｃカード用基板及びその樹脂封止用金型 - Google Patents
Ｉｃカード用基板及びその樹脂封止用金型Info
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- JPH04276414A JPH04276414A JP3037107A JP3710791A JPH04276414A JP H04276414 A JPH04276414 A JP H04276414A JP 3037107 A JP3037107 A JP 3037107A JP 3710791 A JP3710791 A JP 3710791A JP H04276414 A JPH04276414 A JP H04276414A
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Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣカード等に用いら
れる電子部品を搭載した基板、及びそれをトランスファ
ー成型により樹脂封止するための金型に関する。
れる電子部品を搭載した基板、及びそれをトランスファ
ー成型により樹脂封止するための金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣカードで代表される薄型電子機器は
、例えばガラスエポキシ基板の一方の面上に本体システ
ムとコンタクトさせるための端子が形成され（図示しな
い）、他方の面上には各種電子部品が搭載され基板上の
配線とワイヤボンディングされる構造を有する（図５）
。前記他方の面上には、電子部品を覆う目的でエポキシ
樹脂等の熱硬化性樹脂により封止される。完成したモジ
ュール品（図４）の厚さは０．５乃至０．７ｍｍと薄い
。
、例えばガラスエポキシ基板の一方の面上に本体システ
ムとコンタクトさせるための端子が形成され（図示しな
い）、他方の面上には各種電子部品が搭載され基板上の
配線とワイヤボンディングされる構造を有する（図５）
。前記他方の面上には、電子部品を覆う目的でエポキシ
樹脂等の熱硬化性樹脂により封止される。完成したモジ
ュール品（図４）の厚さは０．５乃至０．７ｍｍと薄い
。
【０００３】従来、薄型電子機器の樹脂封止はポッティ
ングにより行っていたが、使用材料や工数が多く量産に
は不向きであり、耐湿性が低く信頼性に欠けるなどの欠
点があった。このため、最近ではトランスファー成形に
より樹脂封止する方法の開発が進められている。
ングにより行っていたが、使用材料や工数が多く量産に
は不向きであり、耐湿性が低く信頼性に欠けるなどの欠
点があった。このため、最近ではトランスファー成形に
より樹脂封止する方法の開発が進められている。
【０００４】トランスファー成形による樹脂封止は、電
子部品の搭載・ワイヤボンディングがなされた基板を成
形金型内に装着した後、加熱溶融した樹脂をランナ・ゲ
ートを通してキャビティー内に注入し成形することによ
って行われる。通常、基板は数１０個乃至数１０００個
のモジュール部（５６）を有し、封止されたモジュール
部はプレス加工により基板から打ち抜かれる。このため
、前述のポッティングに比し工数が少なく製造コストが
低廉で、量産が可能である。
子部品の搭載・ワイヤボンディングがなされた基板を成
形金型内に装着した後、加熱溶融した樹脂をランナ・ゲ
ートを通してキャビティー内に注入し成形することによ
って行われる。通常、基板は数１０個乃至数１０００個
のモジュール部（５６）を有し、封止されたモジュール
部はプレス加工により基板から打ち抜かれる。このため
、前述のポッティングに比し工数が少なく製造コストが
低廉で、量産が可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図６に示すごとく、ト
ランスファー成形後の基板（６１）はランナ（６４）・
ゲート（６３）とともに金型から取り出され、ゲートカ
ットし、モジュール部（６２）を打抜いて完成品を得る
。
ランスファー成形後の基板（６１）はランナ（６４）・
ゲート（６３）とともに金型から取り出され、ゲートカ
ットし、モジュール部（６２）を打抜いて完成品を得る
。
【０００６】しかし、封止材はモジュール部（６２）の
みならず後の工程で切り取られるべきゲート（６３）に
おいても基板（６１）と接合している。このため、離型
時及びゲートカットの際に、ゲート（６３）を介して基
板（６１）やモジュール部（６２）の封止材に応力が加
わる。その結果、ゲート（６３）付近の封止材にクラッ
クが生じたり封止材と基板（６１）が剥離して耐湿性が
損なわれるため、製造歩留りや製品の信頼性を低下させ
ることとなる。
みならず後の工程で切り取られるべきゲート（６３）に
おいても基板（６１）と接合している。このため、離型
時及びゲートカットの際に、ゲート（６３）を介して基
板（６１）やモジュール部（６２）の封止材に応力が加
わる。その結果、ゲート（６３）付近の封止材にクラッ
クが生じたり封止材と基板（６１）が剥離して耐湿性が
損なわれるため、製造歩留りや製品の信頼性を低下させ
ることとなる。
【０００７】そこで、本発明は、金型から離型する時や
ゲートカットの際に、封止材のクラック発生や封止材と
基板の剥離を防止できるＩＣカード用基板及びその樹脂
封止用金型を提供することを目的とする。 ［発明の構成］
ゲートカットの際に、封止材のクラック発生や封止材と
基板の剥離を防止できるＩＣカード用基板及びその樹脂
封止用金型を提供することを目的とする。 ［発明の構成］
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、各種電子機器
を搭載したモジュール部を有するＩＣカード用基板にお
いて、その外周部より前記モジュール部に伸びる切欠き
部を設けることにより上記目的を達成しようとするＩＣ
カード用基板である。
を搭載したモジュール部を有するＩＣカード用基板にお
いて、その外周部より前記モジュール部に伸びる切欠き
部を設けることにより上記目的を達成しようとするＩＣ
カード用基板である。
【０００９】また、本発明は、上金型と下金型とからな
り、前記ＩＣカード用基板のモジュール部をトランスフ
ァー成形により樹脂封止するのに用いる樹脂封止用金型
において、上金型には前記突起部の上方にゲート溝を設
け、下金型には装着した基板の切欠き部と嵌合する突起
部を設けることにより上記目的を達成しようとする樹脂
封止用金型である。
り、前記ＩＣカード用基板のモジュール部をトランスフ
ァー成形により樹脂封止するのに用いる樹脂封止用金型
において、上金型には前記突起部の上方にゲート溝を設
け、下金型には装着した基板の切欠き部と嵌合する突起
部を設けることにより上記目的を達成しようとする樹脂
封止用金型である。
【００１０】
【作用】上記のごとく基板に切欠き部を設けたことによ
り、基板とゲート相当部の樹脂との接合部分がなくなり
、離型時やゲートカットの際に封止材はゲートより負荷
を受けることはなく、従って封止材のクラック発生や封
止材と基板との剥離を起こさない。
り、基板とゲート相当部の樹脂との接合部分がなくなり
、離型時やゲートカットの際に封止材はゲートより負荷
を受けることはなく、従って封止材のクラック発生や封
止材と基板との剥離を起こさない。
【００１１】また、上記のごとく下金型に切欠き部に嵌
合する突起部を設けたことにより、溶融樹脂をキャビテ
ィー内に注入する際に前記切欠き部より樹脂が基板裏面
に侵入することがなくなる。
合する突起部を設けたことにより、溶融樹脂をキャビテ
ィー内に注入する際に前記切欠き部より樹脂が基板裏面
に侵入することがなくなる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１３】図１は本発明の実施例に係る基板を示す図
である。ガラスエポキシ基板（１１）上の各モジュール
部（１６）にはＣＰＵ（１２）、耐静電素子（１３）等
が搭載され、各素子が基板上の配線とワイヤボンディン
グされている点は従来と同様である。本発明に係るガラ
スエポキシ基板（１１）には各モジュール部（１６）ご
とに切欠き部（１４）が設けられている。
である。ガラスエポキシ基板（１１）上の各モジュール
部（１６）にはＣＰＵ（１２）、耐静電素子（１３）等
が搭載され、各素子が基板上の配線とワイヤボンディン
グされている点は従来と同様である。本発明に係るガラ
スエポキシ基板（１１）には各モジュール部（１６）ご
とに切欠き部（１４）が設けられている。
【００１４】図２ （ａ）は基板を本発明の実施例に係
る金型の断面図（基板を装着した状態）、図２ （ｂ）
は下金型の上面図である。ランナ（２４）及びゲート（
２３）を経て各キャビティー（２９）に樹脂が流入され
る構造は従来と同様である。本発明品では、上金型（２
６）には装着したガラスチエポキシ基板の切欠き部の上
方にゲート溝が設けられ、下金型（２７）には切欠き部
に嵌合する突起部（２８）を設けられている。図３は本
発明の実施例に係る成形品の上面図及び断面図である。 成形品はゲート（３３）部の封止体と基板（３１）が分
離しており、離型時・ゲートカット時等にモジュール部
（３２）に余分な負荷を基板に与えない。従って、封止
材のクラックや基板（３１）との剥離を誘発しない。ま
た、突起部（２８）は基板（１１）の切欠き部（１４）
に嵌合しているため、樹脂流入時にガラスエポキシ基板
（１１）裏面への樹脂の侵入を防止することができる。 また、本実施例では、突起部（２８）の高さは基板（１
１）の厚さと同一（０．１０ｍｍ乃至０．２０ｍｍ程度
）で基板（１１）表面と面一をなすため、ゲート（２３
）を経て流入した樹脂は突起部（２８）及び基板（１１
）上を淀みなく通過でき円滑にキャビティー（２９）内
に充填される。 なお、本実施例においては、突起部
（２８）は下金型（２７）のゲート相当部分に設けた貫
通穴から裏面（図示しない）より棒材（２８）を突き出
すことによって形成される。棒材（２８）の他端は、例
えばねじ止め等の方法で固定され（図示しない）、突起
部（２８）の突き出し量は可変である。下金型の貫通穴
は例えば放電加工等によって加工できるがこれに限定さ
れない。また、下金型は本実施例の構造に限定されず、
製造可能であれば例えば一体型のものであってもよい。
る金型の断面図（基板を装着した状態）、図２ （ｂ）
は下金型の上面図である。ランナ（２４）及びゲート（
２３）を経て各キャビティー（２９）に樹脂が流入され
る構造は従来と同様である。本発明品では、上金型（２
６）には装着したガラスチエポキシ基板の切欠き部の上
方にゲート溝が設けられ、下金型（２７）には切欠き部
に嵌合する突起部（２８）を設けられている。図３は本
発明の実施例に係る成形品の上面図及び断面図である。 成形品はゲート（３３）部の封止体と基板（３１）が分
離しており、離型時・ゲートカット時等にモジュール部
（３２）に余分な負荷を基板に与えない。従って、封止
材のクラックや基板（３１）との剥離を誘発しない。ま
た、突起部（２８）は基板（１１）の切欠き部（１４）
に嵌合しているため、樹脂流入時にガラスエポキシ基板
（１１）裏面への樹脂の侵入を防止することができる。 また、本実施例では、突起部（２８）の高さは基板（１
１）の厚さと同一（０．１０ｍｍ乃至０．２０ｍｍ程度
）で基板（１１）表面と面一をなすため、ゲート（２３
）を経て流入した樹脂は突起部（２８）及び基板（１１
）上を淀みなく通過でき円滑にキャビティー（２９）内
に充填される。 なお、本実施例においては、突起部
（２８）は下金型（２７）のゲート相当部分に設けた貫
通穴から裏面（図示しない）より棒材（２８）を突き出
すことによって形成される。棒材（２８）の他端は、例
えばねじ止め等の方法で固定され（図示しない）、突起
部（２８）の突き出し量は可変である。下金型の貫通穴
は例えば放電加工等によって加工できるがこれに限定さ
れない。また、下金型は本実施例の構造に限定されず、
製造可能であれば例えば一体型のものであってもよい。
【００１５】なお、本実施例により製造された薄型電子
機器を温度：２０℃、湿度：１００％、気圧：２ａｔｍ
の下で１２０時間蒸気加圧試験を行ったところ、不良
率は１％未満であり、本発明による製品の耐湿性が確認
されている。
機器を温度：２０℃、湿度：１００％、気圧：２ａｔｍ
の下で１２０時間蒸気加圧試験を行ったところ、不良
率は１％未満であり、本発明による製品の耐湿性が確認
されている。
【００１６】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、離
型時やゲートカット時に封止材のクラック発生や基板と
封止材の剥離を生じることはない。また、製品の耐湿性
を損なうことがないため長期間信頼性を確保することが
できる。即ち、ゲートカットをする際等に特別な装置・
操作・配慮を要することなく製造歩留り・製品の信頼性
を確保でき、量産性も向上するなど、大きな工業的効果
が得られる。
型時やゲートカット時に封止材のクラック発生や基板と
封止材の剥離を生じることはない。また、製品の耐湿性
を損なうことがないため長期間信頼性を確保することが
できる。即ち、ゲートカットをする際等に特別な装置・
操作・配慮を要することなく製造歩留り・製品の信頼性
を確保でき、量産性も向上するなど、大きな工業的効果
が得られる。
【００１７】なお、本実施例では標準ＩＣカード用モジ
ュールの封止に適用したが、薄型構造を有する他の電子
機器においても同様の効果が得られる。また、本実施例
のごとく薄型電子機器をガラスエポキシ基板に装着した
場合に限定せず、リードフレーム形式の電子機器を封止
する場合においても同様の効果が得られる。
ュールの封止に適用したが、薄型構造を有する他の電子
機器においても同様の効果が得られる。また、本実施例
のごとく薄型電子機器をガラスエポキシ基板に装着した
場合に限定せず、リードフレーム形式の電子機器を封止
する場合においても同様の効果が得られる。
【図１】本発明の実施例に係るＩＣカード用モジュール
の上面図である。
の上面図である。
【図２】本発明の実施例に係る金型の断面図及び下金型
の上面図である。
の上面図である。
【図３】本発明の実施例に係る成形後のＩＣカード用モ
ジュールの上面図である。
ジュールの上面図である。
【図４】樹脂封止後のＩＣカード用モジュールの上面図
及び断面図である。
及び断面図である。
【図５】従来の基板（素子実装・ワイヤボンディング済
み）の上面図である。
み）の上面図である。
【図６】従来の樹脂封止後の基板を示す図である。
（１１）…ガラスエポキシ基板、（１２）…ＣＰＵ、（
１３）…耐静電素子、（１４）…切欠き部、（１５）…
ボンディングワイヤ、（１６）…モジュール部、（２３
）…ゲート、（２４）…ランナ、（２６）…上金型、（
２７）…下金型、（２８）…突起部（棒材）、（２９）
…キャビティー、（３１）…ガラスエポキシ基板、（３
２）…モジュール部、（３３）…ゲート、（３４）…ラ
ンナ、（４１）…ガラスエポキシ基板、（４２）…ＣＰ
Ｕ、（４３）…耐静電素子、（４４）…ボンディングワ
イヤ、（４５）…封止材、（５１）…ガラスエポキシ基
板、（５２）…ＣＰＵ、（５３）…耐静電素子、（５４
）…ボンディングワイヤ、（５６）…モジュール部、（
６１）…ガラスエポキシ基板、（６２）…モジュール部
、（６３）…ゲート、（６４）…ランナ。
１３）…耐静電素子、（１４）…切欠き部、（１５）…
ボンディングワイヤ、（１６）…モジュール部、（２３
）…ゲート、（２４）…ランナ、（２６）…上金型、（
２７）…下金型、（２８）…突起部（棒材）、（２９）
…キャビティー、（３１）…ガラスエポキシ基板、（３
２）…モジュール部、（３３）…ゲート、（３４）…ラ
ンナ、（４１）…ガラスエポキシ基板、（４２）…ＣＰ
Ｕ、（４３）…耐静電素子、（４４）…ボンディングワ
イヤ、（４５）…封止材、（５１）…ガラスエポキシ基
板、（５２）…ＣＰＵ、（５３）…耐静電素子、（５４
）…ボンディングワイヤ、（５６）…モジュール部、（
６１）…ガラスエポキシ基板、（６２）…モジュール部
、（６３）…ゲート、（６４）…ランナ。
Claims (2)
- 【請求項１】 電子機器を搭載したモジュール部を有
するＩＣカード用基板おいて、その外周部に切欠き部を
設けたことを特徴とするＩＣカード用基板。 - 【請求項２】 上金型と下金型とからなる請求項１に
記載のＩＣカード用基板のモジュール部をトランスファ
ー成形により樹脂封止するのに用いる樹脂封止用金型に
おいて、上金型には前記突起部の上方にゲート溝を設け
、下金型には装着した基板の切欠き部と嵌合する突起部
を設けたことを特徴とする樹脂封止用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3037107A JPH04276414A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | Ｉｃカード用基板及びその樹脂封止用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3037107A JPH04276414A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | Ｉｃカード用基板及びその樹脂封止用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04276414A true JPH04276414A (ja) | 1992-10-01 |
Family
ID=12488377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3037107A Pending JPH04276414A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | Ｉｃカード用基板及びその樹脂封止用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04276414A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998044547A1 (fr) * | 1997-04-03 | 1998-10-08 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Procede de production d'un dispositif a semiconducteur |
| JP2008049595A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線基板とそれを用いた半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010232208A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-14 | Denso Corp | 電子装置の製造方法及び電子装置 |
| CN104105397A (zh) * | 2012-02-02 | 2014-10-15 | 松下电器产业株式会社 | 栽培系统 |
| US20150113356A1 (en) * | 2013-10-23 | 2015-04-23 | Etron Technology, Inc. | System-in-package module with memory |
| JP2019054296A (ja) * | 2019-01-10 | 2019-04-04 | 京セラ株式会社 | パワー半導体モジュール |
-
1991
- 1991-03-04 JP JP3037107A patent/JPH04276414A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998044547A1 (fr) * | 1997-04-03 | 1998-10-08 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Procede de production d'un dispositif a semiconducteur |
| US6110755A (en) * | 1997-04-03 | 2000-08-29 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2008049595A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線基板とそれを用いた半導体装置およびその製造方法 |
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| US10504603B2 (en) | 2013-10-23 | 2019-12-10 | Etron Technology, Inc. | System-in-package module with memory |
| JP2019054296A (ja) * | 2019-01-10 | 2019-04-04 | 京セラ株式会社 | パワー半導体モジュール |
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