JPH0419805Y2 - - Google Patents
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- JPH0419805Y2 JPH0419805Y2 JP7583983U JP7583983U JPH0419805Y2 JP H0419805 Y2 JPH0419805 Y2 JP H0419805Y2 JP 7583983 U JP7583983 U JP 7583983U JP 7583983 U JP7583983 U JP 7583983U JP H0419805 Y2 JPH0419805 Y2 JP H0419805Y2
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- resin
- lead
- semiconductor element
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 32
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は樹脂封止型半導体装置の構造に関する
ものである。以下図面を参照して説明する。
ものである。以下図面を参照して説明する。
第１図はこの種の従来装置の断面図で図におい
て１は金属板部１ａ、リード引出部１ｂ及びリー
ド線部１ｃより成る金属フレーム、２はダイオー
ド、トランジスタ等の半導体チツプ、３は接続子
で以上金属板部１ａ乃至接続子３により半導体素
子部を形成する。４は半導体素子部及びリード引
出部１ｂを樹脂成形法により封止する樹脂部、４
ｈは外部取付用螺子孔、５はフイン等の放熱体で
ある。この構造によればリード引出部１ｂは図示
の如く立上り部が形成されているためにリード線
部１ｃは該装置をフイン５等に取付けた時に該フ
インとリード線部１ｃ間の沿面距離Ｓを充分大き
くできると同時に樹脂部４内の半導体素子部特に
金属板部１ａがフイン取付時に該フイン５に近接
するため放熱効果が大きい等の利点がある。然し
乍らその反面樹脂部４において半導体素子２を基
準（境）として上部の樹脂厚ａと下部樹脂厚ｂが
異なる（ａ＞ｂ）ために上部及び下部で樹脂の収
縮力が異なり、外形が反り易く、又沿面距離を大
きくしようとすると樹脂部が厚くなり必要以上の
樹脂量を要する等の欠点がある。本考案は樹脂部
のリード線引出部の厚みを半導体素子部の厚さよ
り厚く構成することにより叙上の欠点を一挙に解
消するようにしたものである。以下図面により説
明する。第２図ａ，ｂ，ｃは本考案の一実施例構
造を示す樹脂封止前の平面図、封止後の平面図及
びｂ図Ａ−A′断面拡大図で従来例と同一符号は
同等部分を示し、又図ではブリツジ型半導体装置
に適用した例を示す。この装置は先ず金属板を打
抜加工して所要金属フレームを形成した後、プレ
ス加工等により立上り部及び折曲げ部を形成す
る。次いで所要の金属板部１ａ上にダイオードチ
ツプ２ａ乃至２ｄを置き更に２つのチツプ２ａ，
２ｂ又は２ｃ，２ｄと１つの金属板に跨がつて接
続子３を載せ、夫々半田付等により一体化して半
導体素子部を形成する。（第２図ａ）。次に通常の
トランスフアモールド法により半導体素子部及び
リード引出部１ｂを樹脂封止する。この時図示の
ように樹脂部４の一面に段差ｄ等の変形部４ｃを
設けてリード引出部の樹脂部４ａの厚みを半導体
素子部の樹脂部４ｂより厚く形成する。又、樹脂
部４ｂにおいて半導体素子部がほゞ中間部に位置
するように配置すれば、半導体素子２を基準にし
て上部樹脂厚ａと下部樹脂厚ｂがほゞ等しい（ａ
≒ｂ）関係に形成できる。このように構成すれば 外部取付時リード線の沿面距離を大きくでき
る。
て１は金属板部１ａ、リード引出部１ｂ及びリー
ド線部１ｃより成る金属フレーム、２はダイオー
ド、トランジスタ等の半導体チツプ、３は接続子
で以上金属板部１ａ乃至接続子３により半導体素
子部を形成する。４は半導体素子部及びリード引
出部１ｂを樹脂成形法により封止する樹脂部、４
ｈは外部取付用螺子孔、５はフイン等の放熱体で
ある。この構造によればリード引出部１ｂは図示
の如く立上り部が形成されているためにリード線
部１ｃは該装置をフイン５等に取付けた時に該フ
インとリード線部１ｃ間の沿面距離Ｓを充分大き
くできると同時に樹脂部４内の半導体素子部特に
金属板部１ａがフイン取付時に該フイン５に近接
するため放熱効果が大きい等の利点がある。然し
乍らその反面樹脂部４において半導体素子２を基
準（境）として上部の樹脂厚ａと下部樹脂厚ｂが
異なる（ａ＞ｂ）ために上部及び下部で樹脂の収
縮力が異なり、外形が反り易く、又沿面距離を大
きくしようとすると樹脂部が厚くなり必要以上の
樹脂量を要する等の欠点がある。本考案は樹脂部
のリード線引出部の厚みを半導体素子部の厚さよ
り厚く構成することにより叙上の欠点を一挙に解
消するようにしたものである。以下図面により説
明する。第２図ａ，ｂ，ｃは本考案の一実施例構
造を示す樹脂封止前の平面図、封止後の平面図及
びｂ図Ａ−A′断面拡大図で従来例と同一符号は
同等部分を示し、又図ではブリツジ型半導体装置
に適用した例を示す。この装置は先ず金属板を打
抜加工して所要金属フレームを形成した後、プレ
ス加工等により立上り部及び折曲げ部を形成す
る。次いで所要の金属板部１ａ上にダイオードチ
ツプ２ａ乃至２ｄを置き更に２つのチツプ２ａ，
２ｂ又は２ｃ，２ｄと１つの金属板に跨がつて接
続子３を載せ、夫々半田付等により一体化して半
導体素子部を形成する。（第２図ａ）。次に通常の
トランスフアモールド法により半導体素子部及び
リード引出部１ｂを樹脂封止する。この時図示の
ように樹脂部４の一面に段差ｄ等の変形部４ｃを
設けてリード引出部の樹脂部４ａの厚みを半導体
素子部の樹脂部４ｂより厚く形成する。又、樹脂
部４ｂにおいて半導体素子部がほゞ中間部に位置
するように配置すれば、半導体素子２を基準にし
て上部樹脂厚ａと下部樹脂厚ｂがほゞ等しい（ａ
≒ｂ）関係に形成できる。このように構成すれば 外部取付時リード線の沿面距離を大きくでき
る。
半導体素子部の樹脂厚が上下にほぼ均等なた
めに該素子の発熱による該樹脂の収縮が均等に
なり該樹脂部の反りが防止でき外部取付時の安
定性が良く放熱効果も向上する。
めに該素子の発熱による該樹脂の収縮が均等に
なり該樹脂部の反りが防止でき外部取付時の安
定性が良く放熱効果も向上する。
半導体素子部の樹脂厚を薄くできるので上部
樹脂部からの放熱効果が良好となり又不要な樹
脂を省略できるので原価低減が可能であり、し
かも軽量化が達成できる等の利点がある。
樹脂部からの放熱効果が良好となり又不要な樹
脂を省略できるので原価低減が可能であり、し
かも軽量化が達成できる等の利点がある。
第３図は本考案の他の実施例構造を示す断面図
でこの実施例は装置の両端よりリード線１Ｃ，１
C′を引出し又リード線を折曲げ金属板１ａに半田
等により接続した例を示す。なお、樹脂部の変形
（段差等）は必ずしもリード引出部に対応せしめ
る必要はなく本案要旨の範囲で容易に変更し得る
ことは明白である。
でこの実施例は装置の両端よりリード線１Ｃ，１
C′を引出し又リード線を折曲げ金属板１ａに半田
等により接続した例を示す。なお、樹脂部の変形
（段差等）は必ずしもリード引出部に対応せしめ
る必要はなく本案要旨の範囲で容易に変更し得る
ことは明白である。
以上の説明から明らかなように本考案によれば
樹脂部の反りが防止でき、しかも装置の経済化、
軽量化が達成できる等実用上の効果は大きい。
樹脂部の反りが防止でき、しかも装置の経済化、
軽量化が達成できる等実用上の効果は大きい。
第１図は従来構造図、第２図、第３図は本考案
の実施例構造図である。図において１は金属フレ
ーム、１ａ及び１ｂ，１ｃはその金属板部及びリ
ード引出部、リード線部、２，２ａ乃至２ｄは半
導体チツプ、３は接続子、４，４ａ，４ｂは樹脂
部、４ｃは変形部、５は放熱体である。
の実施例構造図である。図において１は金属フレ
ーム、１ａ及び１ｂ，１ｃはその金属板部及びリ
ード引出部、リード線部、２，２ａ乃至２ｄは半
導体チツプ、３は接続子、４，４ａ，４ｂは樹脂
部、４ｃは変形部、５は放熱体である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 金属板、半導体チツプ及び接続子等により形
成された半導体素子部と、前記金属板にリード
引出部を介して接続されたリード線と、前記半
導体素子部及びリード引出部を樹脂封止する樹
脂部を備えた半導体装置において、前記リード
引出部に立上り部を設けると共に前記樹脂部の
前記リード引出部の厚みを半導体素子部の厚さ
より厚く構成し、且つ前記半導体素子を基準と
して上部樹脂厚ａと下部樹脂厚ｂをほゞ等しく
設定したことを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。 (2) 樹脂部の一面を平面形状とすると共に他面に
段差を設けてリード引出部を厚くするようにし
たことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
(1)項記載の樹脂封止型半導体装置。 (3) 金属板、リード引出部及びリード線を同一金
属フレームで形成したことを特徴とする実用新
案登録請求の範囲第(1)項又は第(2)項記載の樹脂
封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7583983U JPS59180450U (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7583983U JPS59180450U (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59180450U JPS59180450U (ja) | 1984-12-01 |
| JPH0419805Y2 true JPH0419805Y2 (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=30205898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7583983U Granted JPS59180450U (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59180450U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5620773B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2014-11-05 | 新電元工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1983
- 1983-05-20 JP JP7583983U patent/JPS59180450U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59180450U (ja) | 1984-12-01 |
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