JPS6156420A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の製造方法Info
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- JPS6156420A JPS6156420A JP59159047A JP15904784A JPS6156420A JP S6156420 A JPS6156420 A JP S6156420A JP 59159047 A JP59159047 A JP 59159047A JP 15904784 A JP15904784 A JP 15904784A JP S6156420 A JPS6156420 A JP S6156420A
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分舒
この発明は、樹Ｒ＊Ｔ４止占形半導体装置、特に短絡事
故が少なくかつ製造が容易な樹脂封止形半導体装置の製
造方法に１模する。
故が少なくかつ製造が容易な樹脂封止形半導体装置の製
造方法に１模する。
従来の技術
従来、一般的な電力用樹１１１封止形半導准裟置をζお
いては、半導体チップが接着された支持板の裏面には封
止樹脂が形成されていない。このため、この半導体装置
を外部放熱体シで取けけるに際しては、外部孜熱体との
間に絶縁シートを金主させなければ１士らず、取付作業
が煩・ルになった。そこで、支持板の良面にも封止樹脂
を形成する方法が提案された。このような樹脂は止技術
は８例えば、特開昭５７−１７８３５２号公報や特開昭
５．９−１４３５３８号公報で開示されている。
いては、半導体チップが接着された支持板の裏面には封
止樹脂が形成されていない。このため、この半導体装置
を外部放熱体シで取けけるに際しては、外部孜熱体との
間に絶縁シートを金主させなければ１士らず、取付作業
が煩・ルになった。そこで、支持板の良面にも封止樹脂
を形成する方法が提案された。このような樹脂は止技術
は８例えば、特開昭５７−１７８３５２号公報や特開昭
５．９−１４３５３８号公報で開示されている。
すなわち、リードフレームの一部を構成する支持板とに
半導体チップを電気伝導可能に接着したのち、半導体チ
ップは細線で外部リードと接読される。次に、リードフ
レームは金型に装着され、キャビティ内に融解苛詣が圧
入される。
半導体チップを電気伝導可能に接着したのち、半導体チ
ップは細線で外部リードと接読される。次に、リードフ
レームは金型に装着され、キャビティ内に融解苛詣が圧
入される。
このとき、キャビティ内で支持板が移ｄしないように、
支持板の各１４１ｊ部に連結された外部ＩＪ−１ドと細
条が金層で把持される。融解樹脂が固化したのち、リー
ドフレームが金型から取外され。
支持板の各１４１ｊ部に連結された外部ＩＪ−１ドと細
条が金層で把持される。融解樹脂が固化したのち、リー
ドフレームが金型から取外され。
リードフレームの所定部分が切断される。特開昭５７−
１７８３５２号では、ＮＪ条を折り曲げることによりこ
のり断を行うためて、封止樹脂の外面をまたぐようにし
て細条に小ＩＶＩ面部を形成している。
１７８３５２号では、ＮＪ条を折り曲げることによりこ
のり断を行うためて、封止樹脂の外面をまたぐようにし
て細条に小ＩＶＩ面部を形成している。
しかし、細条の切断面が封止樹脂の＞ｋ面に露出するこ
とには変うりない、そこで、特開昭５８−１４３５３８
号では、第１５図に示される通り、切（斬後の封止１討
詣の外面５０から突出した細条の一部を、封止樹脂のり
に面５０から窪む位置５１に細条の先端が来るように、
化学エツチング等の方法により細条端部を除去していた
。しかしこの方法は、製造工程が追加となってコストア
ップをまねき、しかも所望の化学エツチング等を量産的
に行うこと、自体に新たな技術を要するので、実用的と
は言い惟い。
とには変うりない、そこで、特開昭５８−１４３５３８
号では、第１５図に示される通り、切（斬後の封止１討
詣の外面５０から突出した細条の一部を、封止樹脂のり
に面５０から窪む位置５１に細条の先端が来るように、
化学エツチング等の方法により細条端部を除去していた
。しかしこの方法は、製造工程が追加となってコストア
ップをまねき、しかも所望の化学エツチング等を量産的
に行うこと、自体に新たな技術を要するので、実用的と
は言い惟い。
発明の概要
そこでこの発明は１．封止樹、１ｒ４の内部に細条の
！小断面部が位置するようにリードフレームをモー
ルドしたのち、この小断面部において引張力によって細
条を切断することにより、細条切断面が封止樹脂端面よ
り内側に窪んだ半導体装置を簡単に製造できる方法を提
供するものである。
！小断面部が位置するようにリードフレームをモー
ルドしたのち、この小断面部において引張力によって細
条を切断することにより、細条切断面が封止樹脂端面よ
り内側に窪んだ半導体装置を簡単に製造できる方法を提
供するものである。
実 施 例
以下図面について、この発明の詳細な説明する。本発明
で製造されるｉ＃ｉ詣封止形半導体装置は、第１図に示
されるリードフレームｌから１乍られる。リードフレー
ムエは２例えばトランジスタチップ等の半導体テップ２
が半田付けされた支持板３を有する。半導体チップ２は
、必要に応じて保護コート４を形成するシリコン對ｑ旨
で岐ｆ夏される。支持板３には、コレクタリード５が一
体成形される。コレクタリード５は。
で製造されるｉ＃ｉ詣封止形半導体装置は、第１図に示
されるリードフレームｌから１乍られる。リードフレー
ムエは２例えばトランジスタチップ等の半導体テップ２
が半田付けされた支持板３を有する。半導体チップ２は
、必要に応じて保護コート４を形成するシリコン對ｑ旨
で岐ｆ夏される。支持板３には、コレクタリード５が一
体成形される。コレクタリード５は。
ペースリード６とエミッタリード７と共に外部リードと
聡称され、タイバー８及び共通、１４１１条９により１
■角方向で互いに連結される。ペースリード６とエミッ
タリード７は、それぞれアルミニウムｍｌｏ、１１によ
り半導体チップ２の所定１正置へ接読される。
聡称され、タイバー８及び共通、１４１１条９により１
■角方向で互いに連結される。ペースリード６とエミッ
タリード７は、それぞれアルミニウムｍｌｏ、１１によ
り半導体チップ２の所定１正置へ接読される。
支持板３には、上記コレクタリード５に対し反対側へ伸
びる一対の細条１２，１３が一体に成形される。各細条
１２，１３の外端１ｄ、共通細条１４により直角方向で
互いに゛連結される。
びる一対の細条１２，１３が一体に成形される。各細条
１２，１３の外端１ｄ、共通細条１４により直角方向で
互いに゛連結される。
各ｉａ＋ １２ 、 １３ Ｋｄ、 ａｌａｘ ５ テ
示ＧレルＶｊｔ工捏での封止樹脂の端面１６から所定距
離だけ内側に離れた所に小断面部１７．１８が設けられ
る。この小断面部１７．１８は、後述の通り。
示ＧレルＶｊｔ工捏での封止樹脂の端面１６から所定距
離だけ内側に離れた所に小断面部１７．１８が設けられ
る。この小断面部１７．１８は、後述の通り。
種々の形状のものを選択することができる。小断面部１
７．１８には、細条の１７ＩＷｒ時に引張応力が集中す
る最小断面部１７ａ、 １８ａが形成される。
７．１８には、細条の１７ＩＷｒ時に引張応力が集中す
る最小断面部１７ａ、 １８ａが形成される。
なお、上記支持板３．外部リード及び細条１２゜１３な
どを有するリードフレーム１ｆｄ 、 第１ 図ではト
ランジスタ１個分のみが示されるが、実際には、多数の
支持板、外部リード及び細条がタイバー８と共通ＭＡ売
９，１４により平行に支持された金属製フレームである
。
どを有するリードフレーム１ｆｄ 、 第１ 図ではト
ランジスタ１個分のみが示されるが、実際には、多数の
支持板、外部リード及び細条がタイバー８と共通ＭＡ売
９，１４により平行に支持された金属製フレームである
。
リードフレームｌは、＃ｃ２図及び第３図に示される金
型１９内に装着される。第２図は、コレクタリード５の
中・Ｃ−線に沿う断面を示し、第３図はＪ細条１３の中
心１腺に沿う断面を示す。
型１９内に装着される。第２図は、コレクタリード５の
中・Ｃ−線に沿う断面を示し、第３図はＪ細条１３の中
心１腺に沿う断面を示す。
金型１・：ｌは、下型２０と上型２１とで構成され６リ
ードフレーム、１を収容するキャビティ２２を形成する
。小断面部のうちの最小断面部１７ａ。
ードフレーム、１を収容するキャビティ２２を形成する
。小断面部のうちの最小断面部１７ａ。
１８ａは、金型のキャビティ形成面からｉだけ内側に１
己置される。
己置される。
上述の通り金型１９にリードフレーム１が装着さ一部だ
のち、キャビティ２２円に熱硬化（生の融解エーメキン
ｉＪ詣が公知のトランスファモールド法によりゲート（
０図示せず）から圧入され６支持ｖｉ、３を含むリード
フレームエの一部分が尉指１５にＬり封屯される。
のち、キャビティ２２円に熱硬化（生の融解エーメキン
ｉＪ詣が公知のトランスファモールド法によりゲート（
０図示せず）から圧入され６支持ｖｉ、３を含むリード
フレームエの一部分が尉指１５にＬり封屯される。
Ｗ’１ｉ１５が固化したのち、リードフレーム１グ金型
１９から取出７Ｓれ、その時点でのリードフレーム１の
状態は、第４図に示される４次に。
１９から取出７Ｓれ、その時点でのリードフレーム１の
状態は、第４図に示される４次に。
細条１２． １３＋は、それらの」艙詣１５から突出す
る部分を利用して：ＪｉＱ１２．１３が延びる方向に引
張られること（でより、小断面部１７．１８のうちＤ最
小断面部１７ａ 、 １８ａにおいて切断さ１ｔ、共
通細条１４と細条１２，１３の一部が除去される。その
後、各外部リードを連結するタイバー８と共通細条９も
ブレスリ断によシ除去される。このように！！造された
半導体装置の１列は第５図に示され、細条１２，１３が
導出されでいた所に孔２３．２４が形成される。本出願
人はこの発明によるＩ！遣方法で実ｉ豪に謝詣吋止形半
導体装置を製造したが孔２３．２４の形状は細条１２，
１３が抜けた跡にほぼ等しく。
る部分を利用して：ＪｉＱ１２．１３が延びる方向に引
張られること（でより、小断面部１７．１８のうちＤ最
小断面部１７ａ 、 １８ａにおいて切断さ１ｔ、共
通細条１４と細条１２，１３の一部が除去される。その
後、各外部リードを連結するタイバー８と共通細条９も
ブレスリ断によシ除去される。このように！！造された
半導体装置の１列は第５図に示され、細条１２，１３が
導出されでいた所に孔２３．２４が形成される。本出願
人はこの発明によるＩ！遣方法で実ｉ豪に謝詣吋止形半
導体装置を製造したが孔２３．２４の形状は細条１２，
１３が抜けた跡にほぼ等しく。
孔２３．２４の周辺の樹脂１５に特住および外音の上で
問題にすべきクランク、そり等の異１；Ｓは全く発生し
なかった。
問題にすべきクランク、そり等の異１；Ｓは全く発生し
なかった。
第６図に示される通り、細条１３の端面２５は、樹脂の
端面１６より長さ！、たけ内側に窪与。
端面１６より長さ！、たけ内側に窪与。
そこに孔２４が形成される。従って、細条１３゜１４か
ら外部牧熱体２６までの沿面氾濫ｇ。はｔｏ、、、ｌ、
＋ｌ！と長くなり、絶縁不良が防止される。
“更に、孔２３．２４が小さいため、他の素子。
ら外部牧熱体２６までの沿面氾濫ｇ。はｔｏ、、、ｌ、
＋ｌ！と長くなり、絶縁不良が防止される。
“更に、孔２３．２４が小さいため、他の素子。
ｐｆｅ４ｙ“２ＲＡ”“ｔ ’ｌ ｔｒ ＠ ！１１［
ｈ ａｔ Ｒａ”°°１１４との接ｆ独による＠絡事故
も防止される。孔２３．２４には、＠は不良を完全に防
止するため、樹脂を充填してもよい。しかし、この４ｉ
指を充填しなくても実用上は問題条まない。
ｈ ａｔ Ｒａ”°°１１４との接ｆ独による＠絡事故
も防止される。孔２３．２４には、＠は不良を完全に防
止するため、樹脂を充填してもよい。しかし、この４ｉ
指を充填しなくても実用上は問題条まない。
第７図ないし第１４図は、１１々の形状を有する細条の
小断面部の例が示される。第７図の例では５内側に先細
のテーパ部３０を樹１ｉの４面１６まで細条１３に形成
しかつ引張力に対向するＩＮ ｇ ３１が設けられる。
小断面部の例が示される。第７図の例では５内側に先細
のテーパ部３０を樹１ｉの４面１６まで細条１３に形成
しかつ引張力に対向するＩＮ ｇ ３１が設けられる。
第８図は菱形の孔３２を細条Ｊ３に形成した例；及び第
９図は円形の孔３３を形成した例を示す。第１０図は、
テーパ部３０が樹脂外ｓ′！で伸びる例を示す、第１【
・辺は、肩部が３１と３４で２段の例で、第１２図！−
１： 、 −条１３の厚さを部分的に薄くして小１針
面部１８を形成する例を示す。第１３図は、Ｍジに１３
に加えられる引張力に対向する力を更に・血ｆヒするた
め、樹脂が充填される孔３５を小断面部分より支持板１
則の細条１３に形成する例で。
９図は円形の孔３３を形成した例を示す。第１０図は、
テーパ部３０が樹脂外ｓ′！で伸びる例を示す、第１【
・辺は、肩部が３１と３４で２段の例で、第１２図！−
１： 、 −条１３の厚さを部分的に薄くして小１針
面部１８を形成する例を示す。第１３図は、Ｍジに１３
に加えられる引張力に対向する力を更に・血ｆヒするた
め、樹脂が充填される孔３５を小断面部分より支持板１
則の細条１３に形成する例で。
第１４Ｉ２１は、同様の理由で拙東１３にコイニング囲
ち線状の切込３６全形成したｆ２１１を示す。
ち線状の切込３６全形成したｆ２１１を示す。
なお、上記実施例で１はトランジスタについて説明した
つ：５ この説明はダイオード、サイクスタ等、！ＩＩ
（Ｄ土、４体装置にも応用できることは明らかである
。
つ：５ この説明はダイオード、サイクスタ等、！ＩＩ
（Ｄ土、４体装置にも応用できることは明らかである
。
発明の効果
上述の通り、この発明は、封止ｊｉ１ｉｆ！の内部に細
条の小断面部が実質的に位置するように１７ ＋ドフレ
ームを樹脂封止したのち、この小断面部において、−染
を引張力によって切断する工、陛を採用した。このため
、細条の切断樋に更に細条の端面を内側に窪まぜる工程
を必要とせず、細条の切ｔＱ？のみで簡単に半導体装置
の短＝ｒｔ ＜ｙ改や毛２球不良を１．１実に防止でき
る１発れた：ＪＪ果が号られる。したがって、半導体装
ｔ！ｔを大量生産−ｒる壜台Ｊ 製造コストの低減や良
品率の向上に寄与するところ大である。
条の小断面部が実質的に位置するように１７ ＋ドフレ
ームを樹脂封止したのち、この小断面部において、−染
を引張力によって切断する工、陛を採用した。このため
、細条の切断樋に更に細条の端面を内側に窪まぜる工程
を必要とせず、細条の切ｔＱ？のみで簡単に半導体装置
の短＝ｒｔ ＜ｙ改や毛２球不良を１．１実に防止でき
る１発れた：ＪＪ果が号られる。したがって、半導体装
ｔ！ｔを大量生産−ｒる壜台Ｊ 製造コストの低減や良
品率の向上に寄与するところ大である。
第１図は１本発明の製造方法に使用する＋１−ドフレー
ムの１部平面図；；π２図及びｇ３図は。 このリードフレームを金型に装着して樹脂封１ヒしたと
きのそれぞれコレクタリード及び細条・Ｉ〕中心線に沿
うＶＩ面図；、窮４図は、全型から取出されたリードフ
レームの斜Ｎｌ ｔ’Ｊ ； ４ ｓ図゛儂１本発明の
製造方去で作られた半導体装置のｊ１１図；、；に６図
は、この列１龜し／ｌ′Ｓ部の部分的拡大断面ｉ７（］
；消７図、第８図、第９図、４１０図、第１１図。 第１２図、５ｇ１３図及び第１４図は、細条の小面図で
−らる。 １・・・リードフレーム、 ２・・・半導体チップ、
３・・・支持板、５，６．７・・・外部リード、工
２゜１３・・・畑条、 １５・・・封止樹脂、
１７．１８・・・小断酊部、 １７ａ、 １８ｈ
・・・小断面部のうちの最小所面部、 １９・・・金
型、２２・・・キャビティ特許出願人 サンケン電気株
式会社 第４図 第５図 第６図 第７１！ｌ ＄８図 第９図 第１０図 第１１図、１第１２図
第１３図 第１４図手続補正書 昭和６０イト ９ 月２４０ 特許庁長官 宇 賀 道 部数 １ ’ＩＴ 件ノｎ ｍ 昭和５９ 手持、
：’ｒ願第１５９０４７１３３ 補正こ・する省 ｔｌｒ作との関係 １ν許１１１願人住所（居所
〕 氏名（名称） サンケン電気株式会社６ 補正により
増加する発明の数 （１）明細書第８頁第６行の「製造したが」を「製造し
たが、」と補正する。 （２）同第８頁第１７行の「キャビネット２は」を「キ
ャビネット又は」と補正する。 （３）同第９頁第１９行の「サイクスタ」を「サイリス
タ」と補正する。 （４）同第１０頁第１６行の「１部平面」を「一部平面
」と補正する。 」１
ムの１部平面図；；π２図及びｇ３図は。 このリードフレームを金型に装着して樹脂封１ヒしたと
きのそれぞれコレクタリード及び細条・Ｉ〕中心線に沿
うＶＩ面図；、窮４図は、全型から取出されたリードフ
レームの斜Ｎｌ ｔ’Ｊ ； ４ ｓ図゛儂１本発明の
製造方去で作られた半導体装置のｊ１１図；、；に６図
は、この列１龜し／ｌ′Ｓ部の部分的拡大断面ｉ７（］
；消７図、第８図、第９図、４１０図、第１１図。 第１２図、５ｇ１３図及び第１４図は、細条の小面図で
−らる。 １・・・リードフレーム、 ２・・・半導体チップ、
３・・・支持板、５，６．７・・・外部リード、工
２゜１３・・・畑条、 １５・・・封止樹脂、
１７．１８・・・小断酊部、 １７ａ、 １８ｈ
・・・小断面部のうちの最小所面部、 １９・・・金
型、２２・・・キャビティ特許出願人 サンケン電気株
式会社 第４図 第５図 第６図 第７１！ｌ ＄８図 第９図 第１０図 第１１図、１第１２図
第１３図 第１４図手続補正書 昭和６０イト ９ 月２４０ 特許庁長官 宇 賀 道 部数 １ ’ＩＴ 件ノｎ ｍ 昭和５９ 手持、
：’ｒ願第１５９０４７１３３ 補正こ・する省 ｔｌｒ作との関係 １ν許１１１願人住所（居所
〕 氏名（名称） サンケン電気株式会社６ 補正により
増加する発明の数 （１）明細書第８頁第６行の「製造したが」を「製造し
たが、」と補正する。 （２）同第８頁第１７行の「キャビネット２は」を「キ
ャビネット又は」と補正する。 （３）同第９頁第１９行の「サイクスタ」を「サイリス
タ」と補正する。 （４）同第１０頁第１６行の「１部平面」を「一部平面
」と補正する。 」１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）支持板と、該支持板の一端に連結された外部リード
と、上記支持板の他端に連結された細条とを有し、かつ
該細条の一部に小断面部が形成されると共に、上記支持
板上に半導体チップが電気的導通可能に接着されたリー
ドフレームを準備する工程； 上記細条の小断面部が金型内のキャビティ形成面から実
質的に所定距離だけ内側に配置されるように上記リード
フレームを金型に装着する工程； 上記金型のキャビティ内に融解樹脂を圧入する工程； 上記融解樹脂の固化後、上記リードフレームを上記金型
から取出す工程； 上記細条にその導出方向への引張力を作用させて、上記
細条の小断面部で上記細条を切断する工程； を含むことを特徴とする樹脂封止形半導体装置の製造方
法。 （２）上記細条の小断面部は上記金型内のキャビティ形
成面から所定距離だけ内側の位置に置かれる最小断面部
を有し、該最小断面部において上記細条が切断されるこ
とを特徴とする 特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止形半導体装置の製
造方法。 （３）上記細条の小断面部は、上記支持板側に先細のテ
ーパ部が形成させることを特徴とする特許請求の範囲第
１項又は第２項記載の樹脂封止形半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59159047A JPS6156420A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59159047A JPS6156420A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1086912A Division JPH0249445A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
| JP8691089A Division JPH01315147A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
| JP1086911A Division JPH0249444A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
| JP1086909A Division JPH01309338A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6156420A true JPS6156420A (ja) | 1986-03-22 |
| JPH0254665B2 JPH0254665B2 (ja) | 1990-11-22 |
Family
ID=15685065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59159047A Granted JPS6156420A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6156420A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6148954A (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-10 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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| JPS63291446A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
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| JPS6442825A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-15 | Sanken Electric Co Ltd | Manufacture of resin sealed semiconductor device |
| JPS6441145U (ja) * | 1987-09-08 | 1989-03-13 | ||
| EP0545487A3 (en) * | 1991-12-05 | 1994-06-08 | Cons Ric Microelettronica | Semiconductor device encapsulated in resin and electrically insulated having improved insulation characteristics and related manufacturing process |
Citations (1)
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-
1984
- 1984-07-31 JP JP59159047A patent/JPS6156420A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60172346U (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-15 | 新電元工業株式会社 | 樹脂密封型半導体装置 |
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| JPS6442825A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-15 | Sanken Electric Co Ltd | Manufacture of resin sealed semiconductor device |
| JPH0579167B2 (ja) * | 1987-08-10 | 1993-11-01 | Sanken Electric Co Ltd | |
| JPS6441145U (ja) * | 1987-09-08 | 1989-03-13 | ||
| EP0545487A3 (en) * | 1991-12-05 | 1994-06-08 | Cons Ric Microelettronica | Semiconductor device encapsulated in resin and electrically insulated having improved insulation characteristics and related manufacturing process |
| US5766985A (en) * | 1991-12-05 | 1998-06-16 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | Process for encapsulating a semiconductor device having a heat sink |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0254665B2 (ja) | 1990-11-22 |
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