JPH0579167B2 - - Google Patents
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- JPH0579167B2 JPH0579167B2 JP62200313A JP20031387A JPH0579167B2 JP H0579167 B2 JPH0579167 B2 JP H0579167B2 JP 62200313 A JP62200313 A JP 62200313A JP 20031387 A JP20031387 A JP 20031387A JP H0579167 B2 JPH0579167 B2 JP H0579167B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
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- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、トランジスタ、ダイオード、サイリ
スタ、集積回路等の樹脂封止型半導体装置、特に
支持板の裏面側にも樹脂層を有する半導体装置の
製造方法に関するものである。
スタ、集積回路等の樹脂封止型半導体装置、特に
支持板の裏面側にも樹脂層を有する半導体装置の
製造方法に関するものである。
［従来の技術］
支持板の裏面にも樹脂層が薄く形成された樹脂
封止型半導体装置は公知である。この様に支持板
の裏面にも樹脂層を設けると、放熱板に対する絶
縁分離を容易に達成することができる。上述の如
く支持板の裏面にも樹脂層を形成するためには、
支持板を成形空所内で所定の間隔だけ浮かせて樹
脂封止する必要がある。支持板を安定的に浮かせ
るために例えば特開昭61−56420号公報にあるよ
うに、支持板に外部リードの他に位置決めリード
を設け、外部リードと位置決めリードで支持板を
両持ち支持して位置決めする方法が知られてい
る。
封止型半導体装置は公知である。この様に支持板
の裏面にも樹脂層を設けると、放熱板に対する絶
縁分離を容易に達成することができる。上述の如
く支持板の裏面にも樹脂層を形成するためには、
支持板を成形空所内で所定の間隔だけ浮かせて樹
脂封止する必要がある。支持板を安定的に浮かせ
るために例えば特開昭61−56420号公報にあるよ
うに、支持板に外部リードの他に位置決めリード
を設け、外部リードと位置決めリードで支持板を
両持ち支持して位置決めする方法が知られてい
る。
次に、第８図及び第９図を参照して従来の樹脂
封止型パワートランジスタの製造方法を説明す
る。金属板をプレス加工したものであるリードフ
レームは、支持板１と、この支持板１の一端面１
ａに連結されたコレクタリードとして機能する連
結外部リード２と、連結外部リード２に並置され
たエミツタ及びベースリードとして機能する２本
の非連結外部リード３，４と、支持板１の一端面
１ａと反対側の他端面１ｂに連結された２本の位
置決めリード５，６と、連結外部リード２及び非
連結外部リード３，４を相互に連結するタイバー
７及び連結細条８と、位置決めリード５，６を相
互に連結する位置決めリード連結細条９とを有す
る。タイバー７及び連結細条８は各外部リード２
〜４に直交する方向に延び、位置決めリード連係
細条９は位置決めリード５，６に直交する方向に
延びている。支持板１には取付孔１０が設けら
れ、位置決めリード５，６には小断面積部１１が
得られるように貫通孔１２がそれぞれ設けられて
いる。なお、図示はされていないが支持板１等は
複数個並置され、タイバー７、連結細条８，９に
よつて共通に支持されている。
封止型パワートランジスタの製造方法を説明す
る。金属板をプレス加工したものであるリードフ
レームは、支持板１と、この支持板１の一端面１
ａに連結されたコレクタリードとして機能する連
結外部リード２と、連結外部リード２に並置され
たエミツタ及びベースリードとして機能する２本
の非連結外部リード３，４と、支持板１の一端面
１ａと反対側の他端面１ｂに連結された２本の位
置決めリード５，６と、連結外部リード２及び非
連結外部リード３，４を相互に連結するタイバー
７及び連結細条８と、位置決めリード５，６を相
互に連結する位置決めリード連結細条９とを有す
る。タイバー７及び連結細条８は各外部リード２
〜４に直交する方向に延び、位置決めリード連係
細条９は位置決めリード５，６に直交する方向に
延びている。支持板１には取付孔１０が設けら
れ、位置決めリード５，６には小断面積部１１が
得られるように貫通孔１２がそれぞれ設けられて
いる。なお、図示はされていないが支持板１等は
複数個並置され、タイバー７、連結細条８，９に
よつて共通に支持されている。
この樹脂封止型パワートランジスタを作製する
時には、まずリードフレームの支持板１上にパワ
ートランジスタチツプから成る半導体チツプ１３
を固着し、内部リード１４，１５によつて半導体
チツプ１３を非連結外部リード３，４の端部に電
気的に接続して半導体チツプ・リードフレーム組
立体を得る。
時には、まずリードフレームの支持板１上にパワ
ートランジスタチツプから成る半導体チツプ１３
を固着し、内部リード１４，１５によつて半導体
チツプ１３を非連結外部リード３，４の端部に電
気的に接続して半導体チツプ・リードフレーム組
立体を得る。
次に、成形型（図示せず）に組立体を配置し、
点線で示す位置に樹脂封止体１６を設ける。この
時、支持板１の裏面にも樹脂層を設けるために、
外部リード２，３，４と位置決めリード５，６と
によつて支持板１を両持ち支持し、支持板１を成
形空所中に浮かして配置した状態で樹脂を注入す
る。これにより、第９図に示す如く上面側樹脂層
１６ａと下面側樹脂層１６ｂとを有する樹脂封止
体１６を得ることができる。
点線で示す位置に樹脂封止体１６を設ける。この
時、支持板１の裏面にも樹脂層を設けるために、
外部リード２，３，４と位置決めリード５，６と
によつて支持板１を両持ち支持し、支持板１を成
形空所中に浮かして配置した状態で樹脂を注入す
る。これにより、第９図に示す如く上面側樹脂層
１６ａと下面側樹脂層１６ｂとを有する樹脂封止
体１６を得ることができる。
次に、不要になつた位置決めリード５，６を除
去するために、第９図に示す如くフツク１７を位
置決めリード連結細条９と樹脂封止体１６の端面
１８との間の空所１９に挿入し、支持板１に相対
的に矢印２０で示す位置決めリード５，６の導出
方向に引張ることによつて位置決めリード５，６
を小断面積部１１で破断する。しかる後、タイバ
ー７及び連係細条８も切断で除去し、樹脂封止型
パワートランジスタを完成させる。
去するために、第９図に示す如くフツク１７を位
置決めリード連結細条９と樹脂封止体１６の端面
１８との間の空所１９に挿入し、支持板１に相対
的に矢印２０で示す位置決めリード５，６の導出
方向に引張ることによつて位置決めリード５，６
を小断面積部１１で破断する。しかる後、タイバ
ー７及び連係細条８も切断で除去し、樹脂封止型
パワートランジスタを完成させる。
［発明が解決すべき問題点］
ところで、従来方法では、フツク１７をガイド
リード連結細条９と樹脂封止体１６との間に挿入
しているので、位置決めリード５，６の長さを例
えば３mm程度に長く形成してフツク１７を挿入す
ることができる空所１９を得ることが必要にな
り、必然的にリードフレームが大型化し、且つコ
スト高になつた。フツク挿入空所１９を狭く形成
することも考えられるが、あまり狭くすると、フ
ツク１７が樹脂封止体１６に接触し、樹脂封止体
１６が損傷する。
リード連結細条９と樹脂封止体１６との間に挿入
しているので、位置決めリード５，６の長さを例
えば３mm程度に長く形成してフツク１７を挿入す
ることができる空所１９を得ることが必要にな
り、必然的にリードフレームが大型化し、且つコ
スト高になつた。フツク挿入空所１９を狭く形成
することも考えられるが、あまり狭くすると、フ
ツク１７が樹脂封止体１６に接触し、樹脂封止体
１６が損傷する。
また、樹脂封止体１６を形成するための金型の
形状の単純化及び金型に対するリードフレームの
配置の作業性の向上が要求されているが、従来の
方法ではこれ等の要求を十分に応えることができ
なかつた。
形状の単純化及び金型に対するリードフレームの
配置の作業性の向上が要求されているが、従来の
方法ではこれ等の要求を十分に応えることができ
なかつた。
そこで、本発明の目的は、リードフレームの小
型化、樹脂封止体の損傷防止、金型の形状の単純
化及び金型に対するリードフレームの配置の作業
性の向上が可能な樹脂封止型半導体装置の製造方
法を提供することにある。
型化、樹脂封止体の損傷防止、金型の形状の単純
化及び金型に対するリードフレームの配置の作業
性の向上が可能な樹脂封止型半導体装置の製造方
法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
上記目的を達成するための本発明は、実施例を
示す図面の符号を参照して説明すると、支持板１
と、前記支持板１と一端又はこの近傍に連結され
ている連結外部リード２と、前記連結外部リード
２と同一側に配置されているが、前記支持板１の
前記一端又はこの近傍に直接に連結はされていな
い単数又は複数の非連結外部リード３，４と、前
記支持板１の他端又はこの近傍に連結されている
単数又は複数の位置決めリード５，６と、前記位
置決めリード５，６に連係され、前記位置決めリ
ード５，６の導出方向に対して直角な方向に延び
ている連結細条９とを備え、且つ前記位置決めリ
ード５，６には引張りによる破断が可能な小断面
積部１１が設けられ、前記連結細条９には貫通孔
２１，２２が設けられているリードフレームと、
前記リードフレームの前記支持板１の上に固着さ
れ、且つ前記連結外部リード２及び前記非連結外
部リード３，４に電気的に接続されている半導体
チツプとの組立体２３を用意する工程と、上金型
２４と下金型２５とを用意し、前記上金型２４と
下金型２５とで形成される成形空所２６に前記支
持板１と前記半導体チツプ１３と前記連結外部リ
ード２及び前記非連結外部リード３，４の一部と
前記位置決めリード５，６の全部を配置すると共
に前記連結外部リード２と前記非連結外部リード
３，４と前記連結細条９とを前記上金型２４と前
記下金型２５とで挟持し、且つ前記連結細条９の
一方の端面９ａが前記成形空所２６に露出するよ
うに前記連結細条９を配置して前記成形空所２６
に樹脂を注入することにより樹脂封止体１６を形
成する工程、前記連結細条９の前記貫通孔２１，
２２にフツク３２をかけて前記支持板１に相対的
に前記位置決めリード５，６を引張ることによつ
て前記位置決めリード５，６を前記小断面積部１
１にて破談する工程とを有することを特徴とする
樹脂封止型半導体装置の製造方法に係わるもので
ある。
示す図面の符号を参照して説明すると、支持板１
と、前記支持板１と一端又はこの近傍に連結され
ている連結外部リード２と、前記連結外部リード
２と同一側に配置されているが、前記支持板１の
前記一端又はこの近傍に直接に連結はされていな
い単数又は複数の非連結外部リード３，４と、前
記支持板１の他端又はこの近傍に連結されている
単数又は複数の位置決めリード５，６と、前記位
置決めリード５，６に連係され、前記位置決めリ
ード５，６の導出方向に対して直角な方向に延び
ている連結細条９とを備え、且つ前記位置決めリ
ード５，６には引張りによる破断が可能な小断面
積部１１が設けられ、前記連結細条９には貫通孔
２１，２２が設けられているリードフレームと、
前記リードフレームの前記支持板１の上に固着さ
れ、且つ前記連結外部リード２及び前記非連結外
部リード３，４に電気的に接続されている半導体
チツプとの組立体２３を用意する工程と、上金型
２４と下金型２５とを用意し、前記上金型２４と
下金型２５とで形成される成形空所２６に前記支
持板１と前記半導体チツプ１３と前記連結外部リ
ード２及び前記非連結外部リード３，４の一部と
前記位置決めリード５，６の全部を配置すると共
に前記連結外部リード２と前記非連結外部リード
３，４と前記連結細条９とを前記上金型２４と前
記下金型２５とで挟持し、且つ前記連結細条９の
一方の端面９ａが前記成形空所２６に露出するよ
うに前記連結細条９を配置して前記成形空所２６
に樹脂を注入することにより樹脂封止体１６を形
成する工程、前記連結細条９の前記貫通孔２１，
２２にフツク３２をかけて前記支持板１に相対的
に前記位置決めリード５，６を引張ることによつ
て前記位置決めリード５，６を前記小断面積部１
１にて破談する工程とを有することを特徴とする
樹脂封止型半導体装置の製造方法に係わるもので
ある。
［発明の作用及び効果］
本発明は次の作用効果を有する。
(イ) 連結細条９と樹脂封止体１６との間に位置決
めリード５，６の切断のためのフツクを挿入す
ることが不要になるので、位置決めリード５，
６を短くしてリードフレームの小型化を図るこ
とができる。
めリード５，６の切断のためのフツクを挿入す
ることが不要になるので、位置決めリード５，
６を短くしてリードフレームの小型化を図るこ
とができる。
(ロ) 連結細条９形成空所２６に露出させるように
上下の金型２４，２５で狭持するので、上下の
金型２４，２５に連結細条９のための溝を設け
ることが不要になり、金型２４，２５の形状を
単純にすることができる。また、金型２４，２
５に対するリードフレームの配置が容易にな
る。
上下の金型２４，２５で狭持するので、上下の
金型２４，２５に連結細条９のための溝を設け
ることが不要になり、金型２４，２５の形状を
単純にすることができる。また、金型２４，２
５に対するリードフレームの配置が容易にな
る。
［実施例］
次に、第１図〜第７図を参照して本発明の実施
例に係わる樹脂封止型パワートランジスタの製造
方法を説明する。但し、第１図〜第７図で符号１
〜１６で示すものは、第８図及び第９図で同一符
号で示すものと実質的に同一であるので、その説
明を省略する。
例に係わる樹脂封止型パワートランジスタの製造
方法を説明する。但し、第１図〜第７図で符号１
〜１６で示すものは、第８図及び第９図で同一符
号で示すものと実質的に同一であるので、その説
明を省略する。
まず、第１図に示すリードフレームを用意す
る。第１図のリードフレームの大部分は第８図の
従来のリードフレームと同一に構成されている。
第１図のリードフレームと第８図のリードフレー
ムとの相違点は、位置決めリード連結細条９に２
つの貫通孔２１，２２が設けられていること、位
置決めリード５，６の長さが約１mmであり、第８
図の約1/3とされていることである。なお、２つ
の貫通孔２１，２２は位置決めリード５，６の延
長線上に配設されている。
る。第１図のリードフレームの大部分は第８図の
従来のリードフレームと同一に構成されている。
第１図のリードフレームと第８図のリードフレー
ムとの相違点は、位置決めリード連結細条９に２
つの貫通孔２１，２２が設けられていること、位
置決めリード５，６の長さが約１mmであり、第８
図の約1/3とされていることである。なお、２つ
の貫通孔２１，２２は位置決めリード５，６の延
長線上に配設されている。
次に、支持板１に半導体チツプ１３をろう設
し、内部リード１４，１５によつて半導体チツプ
１３を非連結外部リード３，４に電気的に接続
し、第８図と同様に半導体チツプ・リードフレー
ム組立体２３を得る。
し、内部リード１４，１５によつて半導体チツプ
１３を非連結外部リード３，４に電気的に接続
し、第８図と同様に半導体チツプ・リードフレー
ム組立体２３を得る。
次に、第２図に示す如く、成形用の上金型２４
と下金型２５とに組立体２３を配置する。この
時、外部リード２，３，４及び位置決めリード
５，６の連結細条９及びタイバー７を上下の金型
２４，２５で挟持する。これにより、支持板１は
両持ち支持された状態になり、成形空所２６内に
安定的に位置決めされる。即ち、支持板１の下面
と下金型２５との間に微小間〓２７を正確に得る
ことができる。上下の金型２４，２５に対する組
立体２３の配置において従来と異なる点は、成形
空所２６に位置決めリード連係細条９の端面９ａ
及びタイバー７の端面７ａを露出させていること
である。即ち、位置決めリード連結細条９及びタ
イバー７を形成空所２６の形成に利用しているこ
とである。従つて、金型２４，２５の成形空所２
６を形成する縁部近傍の対向面が平坦面に形成さ
れている。
と下金型２５とに組立体２３を配置する。この
時、外部リード２，３，４及び位置決めリード
５，６の連結細条９及びタイバー７を上下の金型
２４，２５で挟持する。これにより、支持板１は
両持ち支持された状態になり、成形空所２６内に
安定的に位置決めされる。即ち、支持板１の下面
と下金型２５との間に微小間〓２７を正確に得る
ことができる。上下の金型２４，２５に対する組
立体２３の配置において従来と異なる点は、成形
空所２６に位置決めリード連係細条９の端面９ａ
及びタイバー７の端面７ａを露出させていること
である。即ち、位置決めリード連結細条９及びタ
イバー７を形成空所２６の形成に利用しているこ
とである。従つて、金型２４，２５の成形空所２
６を形成する縁部近傍の対向面が平坦面に形成さ
れている。
次に、ランナ２８、ゲート２９を通じて成形空
所２６に樹脂を注入し、周知のトランスフアーモ
ールド法で第３図に示す樹脂封止体１６を形成す
る。位置決めリード連結細条９は樹脂封止体１６
の端面１８に接しているので、これ等の間に第８
図の空所１９に相当するものが生じていない。
所２６に樹脂を注入し、周知のトランスフアーモ
ールド法で第３図に示す樹脂封止体１６を形成す
る。位置決めリード連結細条９は樹脂封止体１６
の端面１８に接しているので、これ等の間に第８
図の空所１９に相当するものが生じていない。
次に、第４図に示すように、金型２４，２５と
類似の形状の抑え型３０，３１とフツク３２と、
受け台３３とを用意し、第５図に示す如く上抑え
型３０の突出部３４を外部リード連結細条８の貫
通孔８ａに挿入すると共に、取付孔３５に突出部
３６を挿入して上抑え型３０と下抑え型３１とで
樹脂封止体１６を含む本体部分を安定的に固定す
る。一方、フツク３２の突出部３７を位置決めリ
ード連結細条９の貫通孔２１，２２にそれぞれ挿
入し、且つフツク３２と受け台３３とで位置決め
リード連結細条９を挟持する。
類似の形状の抑え型３０，３１とフツク３２と、
受け台３３とを用意し、第５図に示す如く上抑え
型３０の突出部３４を外部リード連結細条８の貫
通孔８ａに挿入すると共に、取付孔３５に突出部
３６を挿入して上抑え型３０と下抑え型３１とで
樹脂封止体１６を含む本体部分を安定的に固定す
る。一方、フツク３２の突出部３７を位置決めリ
ード連結細条９の貫通孔２１，２２にそれぞれ挿
入し、且つフツク３２と受け台３３とで位置決め
リード連結細条９を挟持する。
次に、矢印３８に示す位置決めリード５，６の
導出方向にフツク３２及び受け台３３を抑え型３
０，３１に相対的に移動し、位置決めリード５，
６を引張ることによつて位置決めリード５，６の
小断面積部１１を破断させる。これにより、第６
図に示す如く樹脂封止体１６から位置決めリード
５，６及び位置決めリード連結細条９を除去した
ものが得られる。
導出方向にフツク３２及び受け台３３を抑え型３
０，３１に相対的に移動し、位置決めリード５，
６を引張ることによつて位置決めリード５，６の
小断面積部１１を破断させる。これにより、第６
図に示す如く樹脂封止体１６から位置決めリード
５，６及び位置決めリード連結細条９を除去した
ものが得られる。
しかる後、抑え型３０，３１から組立体を取り
出し、タイバー７及び連結細条８を切断で除去す
ることによつて第７図に示す樹脂封止型パワート
ランジスタが完成する。完成したトランジスタに
おいては、第９図の場合と同様に支持板１の下面
側も樹脂封止体１６が設けられ、且つ位置決めリ
ード５，６の破断面が樹脂封止体１６の端面１８
の孔３９の奥に位置するので、優れた絶縁耐圧を
有する。
出し、タイバー７及び連結細条８を切断で除去す
ることによつて第７図に示す樹脂封止型パワート
ランジスタが完成する。完成したトランジスタに
おいては、第９図の場合と同様に支持板１の下面
側も樹脂封止体１６が設けられ、且つ位置決めリ
ード５，６の破断面が樹脂封止体１６の端面１８
の孔３９の奥に位置するので、優れた絶縁耐圧を
有する。
本実施例は次の利点を有する。
(1) フツク３２の突出部３７を貫通孔２１，２２
に挿入して位置決めリード５，６を引張るの
で、従来のフツク１７を挿入する空所１９に相
当するものを設ける必要がなく、樹脂封止体１
６の端面１８を位置決めリード連結細条９の端
面９ａに密着させることが可能になる。このた
め、位置決めリード５，６を短く形成し、リー
ドフレームの小型化、低コスト化を図ることが
できる。
に挿入して位置決めリード５，６を引張るの
で、従来のフツク１７を挿入する空所１９に相
当するものを設ける必要がなく、樹脂封止体１
６の端面１８を位置決めリード連結細条９の端
面９ａに密着させることが可能になる。このた
め、位置決めリード５，６を短く形成し、リー
ドフレームの小型化、低コスト化を図ることが
できる。
(2) フツク３２を樹脂封止体１６の端面１８から
離れた貫通孔２１，２２に挿入するので、樹脂
封止体１６を損傷するおそれが少なくなる。
離れた貫通孔２１，２２に挿入するので、樹脂
封止体１６を損傷するおそれが少なくなる。
(3) 位置決めリード連結細条９の端面９ａ及びタ
イバー７の端面７ａが成形空所２６を形成する
ように金型２４，２５にリードフレームを配置
するので、金型２４，２５の成形空所２６に隣
接する対向面に、外部リード２，３，４及びガ
イドリード５，６に対応する凹凸を設けること
が不要になり、金型２４，２５の形状を単純化
することができる。又、金型２４，２５に対す
るリードフレームの配置も容易になる。
イバー７の端面７ａが成形空所２６を形成する
ように金型２４，２５にリードフレームを配置
するので、金型２４，２５の成形空所２６に隣
接する対向面に、外部リード２，３，４及びガ
イドリード５，６に対応する凹凸を設けること
が不要になり、金型２４，２５の形状を単純化
することができる。又、金型２４，２５に対す
るリードフレームの配置も容易になる。
(4) 貫通孔２１，２２をガイドリード５，６の延
長線上に配置したもので、引張りの力がガイド
リード５，６の小断面積部分１１に良好に伝わ
り、この破断を容易に達成することができる。
長線上に配置したもので、引張りの力がガイド
リード５，６の小断面積部分１１に良好に伝わ
り、この破断を容易に達成することができる。
［変形例］
本発明は上述の実施例に限定されるものではな
く、例えば次の成形が可能なものである。
く、例えば次の成形が可能なものである。
(1) パワートランジスタに限ることなく、ダイオ
ード、サイリスタ、ICにも適用可能である。
ード、サイリスタ、ICにも適用可能である。
(2) 位置決めリード５，６の上面の一部を露出さ
せる凹所を有するように樹脂封支体１６を形成
してもよい。この場合には位置決めリード５，
６を破断させる時にこれが延びる方向に引張る
のみでなく、支持板１に相対的にガイドリード
連結細条９を上方に移動させ、位置決めリード
５，６を上方に屈曲させながら引張つてもよ
い。
せる凹所を有するように樹脂封支体１６を形成
してもよい。この場合には位置決めリード５，
６を破断させる時にこれが延びる方向に引張る
のみでなく、支持板１に相対的にガイドリード
連結細条９を上方に移動させ、位置決めリード
５，６を上方に屈曲させながら引張つてもよ
い。
(3) 受け台３３を使用しないでフツク３２のみで
位置決めリード連結細条９を引張つてもよい。
位置決めリード連結細条９を引張つてもよい。
(4) ２本の位置決めリード５，６の代りに中心線
上に１本の位置決めリードを設けることができ
る。
上に１本の位置決めリードを設けることができ
る。
(5) 外部リード２及び位置決めリード５，６を支
持板１の端面から導出する代りに、端面よりも
少し中に入つた端面近傍領域から導出すること
ができる。
持板１の端面から導出する代りに、端面よりも
少し中に入つた端面近傍領域から導出すること
ができる。
第１図は本発明の実施例に係わる半導体チツ
プ・リードフレーム組立体を示す平面図、第２図
は第１図の組立体を金型に配置した状態を第１図
の−線に相当する断面で示す断面図、第３図
は第１図の組立体に樹脂封止体を設けたものを示
す斜視図、第４図は第３図の組立体から位置決め
リードを破断で除去するための装置を示す分解断
面図、第５図は第３図の組立体を破断装置に配置
した状態を示す断面図、第６図は第５図の位置決
めりードを破断した後の状態を示す断面図、第７
図は完成した樹脂封止型パワートランジスタを示
す斜視図、第８図は従来の半導体チツプ・リード
フレーム組立体を示す平面図、第９図は樹脂封止
後の組立体から位置決めリードを除去する状態を
第８図の−線に相当する部分で示す断面図で
ある。 １……支持板、２……連結外部リード、３，４
……非連結外部リード、５，６……位置決めリー
ド、９……ガイドリード連結細条、１１……小断
面積部、１３……半導体チツプ、１６……樹脂封
止体、２１，２２……貫通孔。
プ・リードフレーム組立体を示す平面図、第２図
は第１図の組立体を金型に配置した状態を第１図
の−線に相当する断面で示す断面図、第３図
は第１図の組立体に樹脂封止体を設けたものを示
す斜視図、第４図は第３図の組立体から位置決め
リードを破断で除去するための装置を示す分解断
面図、第５図は第３図の組立体を破断装置に配置
した状態を示す断面図、第６図は第５図の位置決
めりードを破断した後の状態を示す断面図、第７
図は完成した樹脂封止型パワートランジスタを示
す斜視図、第８図は従来の半導体チツプ・リード
フレーム組立体を示す平面図、第９図は樹脂封止
後の組立体から位置決めリードを除去する状態を
第８図の−線に相当する部分で示す断面図で
ある。 １……支持板、２……連結外部リード、３，４
……非連結外部リード、５，６……位置決めリー
ド、９……ガイドリード連結細条、１１……小断
面積部、１３……半導体チツプ、１６……樹脂封
止体、２１，２２……貫通孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持板１と、前記支持板１の一端又はこの近
傍に連結されている連結外部リード２と、前記連
結外部リード２と同一側に配置されているが、前
記支持板１の前記一端又はこの近傍に直接に連結
はされていない単数又は複数の非連結外部リード
３，４と、前記支持板１の他端又はこの近傍に連
結されている単数又は複数の位置決めリード５，
６と、前記位置決めリード５，６に連結され、前
記位置決めリード５，６の導出方向に対して直角
な方向に延びている連結細条９とを備え、且つ前
記位置決めリード５，６には引張りによる破断が
可能な小断面積部１１が設けられ、前記連結細条
９には貫通孔２１，２２が設けられているリード
フレームと、前記リードフレームの前記支持板１
の上に固着され、且つ前記連結外部リード２及び
前記非連結外部リード３，４に電気的に接続さて
いる半導体チツプとの組立体２３を用意する工程
と、 上金型２４と下金型２５とを用意し、前記上金
型２４と下金型２５とで形成される成形空所２６
に前記支持板１と前記半導体チツプ１３と前記連
結外部リード２及び前記非連結外部リード３，４
の一部と前記位置決めリード５，６の全部を配置
すると共に前記連結外部リード２と前記非連結外
部リード３，４と前記連結細条９とを前記上金型
２４と前記下金型２５とで狭持し、且つ前記連結
細条９の一方の端面９ａが前記成形空所２６に露
出するように前記連結細条９を配置して前記成形
空所２６に樹脂を注入することにより樹脂封止体
１６を形成する工程と、 前記連結細条９の前記貫通孔２１，２２にフツ
ク３２をかけて前記支持板１に相対的に前記位置
決めリード５，６を引張ることによつて前記位置
決めリード５，６を前記小断面積部１１にて破断
する工程とを有することを特徴とする樹脂封止型
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20031387A JPS6442825A (en) | 1987-08-10 | 1987-08-10 | Manufacture of resin sealed semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20031387A JPS6442825A (en) | 1987-08-10 | 1987-08-10 | Manufacture of resin sealed semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6442825A JPS6442825A (en) | 1989-02-15 |
| JPH0579167B2 true JPH0579167B2 (ja) | 1993-11-01 |
Family
ID=16422233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20031387A Granted JPS6442825A (en) | 1987-08-10 | 1987-08-10 | Manufacture of resin sealed semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6442825A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0173946U (ja) * | 1987-11-05 | 1989-05-18 | ||
| DE59005028D1 (de) * | 1990-06-30 | 1994-04-21 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Lötverbinder und Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltung mit diesem Lötverbinder. |
| DE10109936B3 (de) * | 2001-02-26 | 2005-02-24 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Vereinzeln eines verpackten elektronischen Bauteils und eines dafür geeigneten Systemträgerbandes |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6156420A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-03-22 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-08-10 JP JP20031387A patent/JPS6442825A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6156420A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-03-22 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6442825A (en) | 1989-02-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |