JP2671665B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2671665B2 JP2671665B2 JP3264321A JP26432191A JP2671665B2 JP 2671665 B2 JP2671665 B2 JP 2671665B2 JP 3264321 A JP3264321 A JP 3264321A JP 26432191 A JP26432191 A JP 26432191A JP 2671665 B2 JP2671665 B2 JP 2671665B2
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- semiconductor device
- base plate
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に使用する
外装となる合成樹脂性のケースの構造に関する。
外装となる合成樹脂性のケースの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来の半導体装置の側断面図、図
９はこの半導体装置を構成する電極の正面図および側面
図である。これらの図において、２は金属性の放熱ベー
ス板で、このベース板２上には、絶縁基板３が実装され
ている。絶縁基板３には、半導体素子４が半田付けされ
ており、リードワイヤ５によって絶縁基板３上の配線パ
ターンと電気的に接続されている。７は、半導体素子４
等を覆うケースで、断面がコの字状を呈し側面部８およ
び上面部９とからなり、側面部８がベース２に取り付け
られている。上面部９には、樹脂封止用の注入口１０と
中央部に電極取付部１１とが備えられており、電極取付
部１１には、貫通した電極挿入部１２が設けられてい
る。電極１５は、その詳細を図９に示すように、プレス
によって成形加工された板状の導電部材からなり、一端
に第１の折曲部１６と中央部に湾曲部１７および切り起
こされた爪２０と他端に第２の折曲部１８とを有する。
９はこの半導体装置を構成する電極の正面図および側面
図である。これらの図において、２は金属性の放熱ベー
ス板で、このベース板２上には、絶縁基板３が実装され
ている。絶縁基板３には、半導体素子４が半田付けされ
ており、リードワイヤ５によって絶縁基板３上の配線パ
ターンと電気的に接続されている。７は、半導体素子４
等を覆うケースで、断面がコの字状を呈し側面部８およ
び上面部９とからなり、側面部８がベース２に取り付け
られている。上面部９には、樹脂封止用の注入口１０と
中央部に電極取付部１１とが備えられており、電極取付
部１１には、貫通した電極挿入部１２が設けられてい
る。電極１５は、その詳細を図９に示すように、プレス
によって成形加工された板状の導電部材からなり、一端
に第１の折曲部１６と中央部に湾曲部１７および切り起
こされた爪２０と他端に第２の折曲部１８とを有する。
【０００３】以下、組立方法を説明する。まず、ベース
２上に絶縁基板３を実装し、絶縁基板３上に半導体素子
４を半田付けして、リードワイヤ５を接続する。次に、
ケース７の電極挿入部１２に電極１５の折曲げられる前
の第２の折曲部１８を挿入し、爪２０を電極挿入部１２
の一方の内壁１２ａに係合させて、電極１２をケース７
に固定し、しかるのちに第２の折曲部１８を折曲げる。
さらに、ケース７をベース２に取り付ける。このとき、
電極１５の第１の折曲部１６は絶縁基板３に面接触し、
予め塗布しておいた半田を加熱することによって、絶縁
基板３の配線パターンと電気的に接触させる。最後に、
ケース７の樹脂注入口１０から樹脂を注入して樹脂封止
を行う。
２上に絶縁基板３を実装し、絶縁基板３上に半導体素子
４を半田付けして、リードワイヤ５を接続する。次に、
ケース７の電極挿入部１２に電極１５の折曲げられる前
の第２の折曲部１８を挿入し、爪２０を電極挿入部１２
の一方の内壁１２ａに係合させて、電極１２をケース７
に固定し、しかるのちに第２の折曲部１８を折曲げる。
さらに、ケース７をベース２に取り付ける。このとき、
電極１５の第１の折曲部１６は絶縁基板３に面接触し、
予め塗布しておいた半田を加熱することによって、絶縁
基板３の配線パターンと電気的に接触させる。最後に、
ケース７の樹脂注入口１０から樹脂を注入して樹脂封止
を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した合
成樹脂で形成されたケース７を、図１０に示すように下
金型３０と上金型３１とで成型する場合、下金型３０と
上金型３１とを密着させ、その密着させた両金型３０、
３１の隙間に液状にした樹脂を流し込み、樹脂が凝固し
たのち、金型を開いて金型３０、３１から凝固した樹
脂、すなわちケース７を取り出す。このとき、ケース７
を取り出し易くするために、金型３０、３１には抜き勾
配といわれる傾斜が全体に施されており、抜きピン３０
ａによって成型される電極挿入部１２の内壁１２ａにも
傾斜が施される。このため、この両内壁１２ａの一方に
爪２０が係合して電極挿入部１２に固定される電極１５
は、図１１に示すように他方の内壁１２ａに密着して傾
斜して固定されることとなる。この傾斜は、電極挿入部
１２とベース２との距離が長くなるほど大きなズレを生
じ信頼性の低い半導体装置が製造されることとなる。こ
のため、従来においては、電極挿入後の電極の傾斜を考
慮しなければならず、半導体を設計する際に細心の注意
を必要としたり、電極に垂直の外力が加わらずに接触不
良を起こすといった問題が発生していた。本発明は上記
した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、成型時金型からケースを外すときは
容易に取り外すことができると共に、電極の傾斜を防止
した半導体装置を提供することにある。
成樹脂で形成されたケース７を、図１０に示すように下
金型３０と上金型３１とで成型する場合、下金型３０と
上金型３１とを密着させ、その密着させた両金型３０、
３１の隙間に液状にした樹脂を流し込み、樹脂が凝固し
たのち、金型を開いて金型３０、３１から凝固した樹
脂、すなわちケース７を取り出す。このとき、ケース７
を取り出し易くするために、金型３０、３１には抜き勾
配といわれる傾斜が全体に施されており、抜きピン３０
ａによって成型される電極挿入部１２の内壁１２ａにも
傾斜が施される。このため、この両内壁１２ａの一方に
爪２０が係合して電極挿入部１２に固定される電極１５
は、図１１に示すように他方の内壁１２ａに密着して傾
斜して固定されることとなる。この傾斜は、電極挿入部
１２とベース２との距離が長くなるほど大きなズレを生
じ信頼性の低い半導体装置が製造されることとなる。こ
のため、従来においては、電極挿入後の電極の傾斜を考
慮しなければならず、半導体を設計する際に細心の注意
を必要としたり、電極に垂直の外力が加わらずに接触不
良を起こすといった問題が発生していた。本発明は上記
した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、成型時金型からケースを外すときは
容易に取り外すことができると共に、電極の傾斜を防止
した半導体装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明に係る半導体装置は、ベース板上に実装した
絶縁基板と、この絶縁基板上に半田付けされた半導体素
子と、全体が合成樹脂で形成されかつ貫通した挿入部が
設けられ前記ベース板にこのベース板を覆うようにして
取り付けられたケースと、このケースの挿入部に挿入さ
れこの挿入部の内壁に係合する爪を有すると共に一端が
ケースの外部に露呈し他端が前記絶縁基板に立設して固
定された電極とからなり、前記電極の爪を電極の表裏に
一対設けたものである。また、本発明に係る半導体装置
は、ベース板上に実装した絶縁基板と、この絶縁基板上
に半田付けされた半導体素子と、全体が合成樹脂で形成
されかつ貫通した挿入部が設けられ前記ベース板にこの
ベース板を覆うようにして取り付けられたケースと、こ
のケースの挿入部に挿入されこの挿入部の内壁に係合す
る爪を有すると共に一端がケースの外部に露呈し他端が
前記絶縁基板に立設して固定された電極とからなり、前
記挿入部の内壁のうち前記電極の爪が係合しない方の内
壁に抜き勾配を設けずに垂直に形成したものである。ま
た、本発明に係る半導体装置は、ベース板上に実装した
絶縁基板と、この絶縁基板上に半田付けされた半導体素
子と、全体が合成樹脂からなり内部に一対の挟持壁が一
体形成され前記ベース板にこのベース板を覆うようにし
て取り付けられたケースと、このケース内に収納されこ
のケースの挟持壁に係合する爪を有すると共に一端がケ
ースの外部に露呈し他端が前記絶縁基板に立設して固定
された電極とからなり、前記電極の爪を電極の表裏に一
対設けたものである。また、本発明に係る半導体装置
は、ベース板上に実装した絶縁基板と、この絶縁基板上
に半田付けされた半導体素子と、全体が合成樹脂からな
り内部に一対の挟持壁が一体形成され前記ベース板にこ
のベース板を覆うようにして取り付けられたケースと、
このケース内に収納されこのケースの挟持壁に係合する
爪を有すると共に一端がケースの外部に露呈し他端が前
記絶縁基板に立設して固定された電極とからなり、前記
一対の挟持壁のうち前記電極の爪が係合しない方の挟持
壁に抜き勾配を設けずに垂直に形成したものである。
に、本発明に係る半導体装置は、ベース板上に実装した
絶縁基板と、この絶縁基板上に半田付けされた半導体素
子と、全体が合成樹脂で形成されかつ貫通した挿入部が
設けられ前記ベース板にこのベース板を覆うようにして
取り付けられたケースと、このケースの挿入部に挿入さ
れこの挿入部の内壁に係合する爪を有すると共に一端が
ケースの外部に露呈し他端が前記絶縁基板に立設して固
定された電極とからなり、前記電極の爪を電極の表裏に
一対設けたものである。また、本発明に係る半導体装置
は、ベース板上に実装した絶縁基板と、この絶縁基板上
に半田付けされた半導体素子と、全体が合成樹脂で形成
されかつ貫通した挿入部が設けられ前記ベース板にこの
ベース板を覆うようにして取り付けられたケースと、こ
のケースの挿入部に挿入されこの挿入部の内壁に係合す
る爪を有すると共に一端がケースの外部に露呈し他端が
前記絶縁基板に立設して固定された電極とからなり、前
記挿入部の内壁のうち前記電極の爪が係合しない方の内
壁に抜き勾配を設けずに垂直に形成したものである。ま
た、本発明に係る半導体装置は、ベース板上に実装した
絶縁基板と、この絶縁基板上に半田付けされた半導体素
子と、全体が合成樹脂からなり内部に一対の挟持壁が一
体形成され前記ベース板にこのベース板を覆うようにし
て取り付けられたケースと、このケース内に収納されこ
のケースの挟持壁に係合する爪を有すると共に一端がケ
ースの外部に露呈し他端が前記絶縁基板に立設して固定
された電極とからなり、前記電極の爪を電極の表裏に一
対設けたものである。また、本発明に係る半導体装置
は、ベース板上に実装した絶縁基板と、この絶縁基板上
に半田付けされた半導体素子と、全体が合成樹脂からな
り内部に一対の挟持壁が一体形成され前記ベース板にこ
のベース板を覆うようにして取り付けられたケースと、
このケース内に収納されこのケースの挟持壁に係合する
爪を有すると共に一端がケースの外部に露呈し他端が前
記絶縁基板に立設して固定された電極とからなり、前記
一対の挟持壁のうち前記電極の爪が係合しない方の挟持
壁に抜き勾配を設けずに垂直に形成したものである。
【０００６】
【作用】本発明においては、電極の表裏に設けた一対の
爪が電極挿入部の傾斜した両内壁に係合して電極は垂直
となる。また、電極挿入部の一方の垂直な内壁に電極が
密着して電極は垂直となる。
爪が電極挿入部の傾斜した両内壁に係合して電極は垂直
となる。また、電極挿入部の一方の垂直な内壁に電極が
密着して電極は垂直となる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。図１は本発明に係る半導体装置の側断面図、図２は
本発明に係る半導体装置の電極の正面図と側面図であ
る。これらの図において、従来技術と同一の構成につい
ては同一の符号を付し詳細な説明は省略する。本発明の
特徴とするところは、図２に示すように電極１５の爪２
０を表裏に一対設けた点にある。このような構成とする
事により、爪２０が電極挿入部１２の抜き勾配が設けら
れた両内壁１２ａに係合するので、ケース７に付与され
た勾配の大きさに関係なく電極１５の傾斜をなくすこと
ができる。したがって、絶縁基板３との半田付けにより
接合される第１の折曲部１６の平面度および位置精度が
高まり、半田厚みを均一にし、位置ずれを防止すること
ができる。
る。図１は本発明に係る半導体装置の側断面図、図２は
本発明に係る半導体装置の電極の正面図と側面図であ
る。これらの図において、従来技術と同一の構成につい
ては同一の符号を付し詳細な説明は省略する。本発明の
特徴とするところは、図２に示すように電極１５の爪２
０を表裏に一対設けた点にある。このような構成とする
事により、爪２０が電極挿入部１２の抜き勾配が設けら
れた両内壁１２ａに係合するので、ケース７に付与され
た勾配の大きさに関係なく電極１５の傾斜をなくすこと
ができる。したがって、絶縁基板３との半田付けにより
接合される第１の折曲部１６の平面度および位置精度が
高まり、半田厚みを均一にし、位置ずれを防止すること
ができる。
【０００８】図３は、本発明の第２の実施例を示し、
（ａ）は要部側断面図、（ｂ）は要部底面図である。こ
れらの図において、第２の実施例の特徴とするところ
は、電極挿入部１２の一方の内壁１２ａのみに抜き勾配
を設け、他方の内壁１２ｂには抜き勾配を設けずに、垂
直に形成されている点にある。この場合、片方に抜き勾
配を設けなくても、他方に抜き勾配を設けていれば、成
型品であるケース７は容易に型抜きができる。一方、電
極１５には爪２０が１つ設けられており、この爪２０を
電極挿入部１２の抜き勾配を設けた内壁１２ａに係合さ
せることにより、電極１５は他方の内壁１２ｂに密着し
て垂直に取り付けられる。
（ａ）は要部側断面図、（ｂ）は要部底面図である。こ
れらの図において、第２の実施例の特徴とするところ
は、電極挿入部１２の一方の内壁１２ａのみに抜き勾配
を設け、他方の内壁１２ｂには抜き勾配を設けずに、垂
直に形成されている点にある。この場合、片方に抜き勾
配を設けなくても、他方に抜き勾配を設けていれば、成
型品であるケース７は容易に型抜きができる。一方、電
極１５には爪２０が１つ設けられており、この爪２０を
電極挿入部１２の抜き勾配を設けた内壁１２ａに係合さ
せることにより、電極１５は他方の内壁１２ｂに密着し
て垂直に取り付けられる。
【０００９】図４は、本発明の第３の実施例を示す要部
底面図である。この第３の実施例においては、第２の実
施例における１２ａ側のみの抜き勾配を１２ｂ側にも櫛
歯状の抜き勾配１２ｃを設けている。このような構成と
する事により、電極１５は抜き勾配が設けられていない
内壁１２ｂに密着して垂直に取り付けられると共に、抜
き勾配１２ｃによりケース７の型抜きがより容易とな
る。
底面図である。この第３の実施例においては、第２の実
施例における１２ａ側のみの抜き勾配を１２ｂ側にも櫛
歯状の抜き勾配１２ｃを設けている。このような構成と
する事により、電極１５は抜き勾配が設けられていない
内壁１２ｂに密着して垂直に取り付けられると共に、抜
き勾配１２ｃによりケース７の型抜きがより容易とな
る。
【００１０】図５は、本発明の第４の実施例を示す半導
体装置の平面図および側面図、図６は図５（ａ）のVI-V
I線断面図、図７は図５（ａ）のVII-VII線断面図であ
る。これらの図において、電極２５は、ケース７の外部
に露呈する第１の接点部２６と絶縁基板３と接合される
第２の接点部２８とこれらを連結する連結部２７とから
なり、略クランク状に形成されている。第１の接点部２
６は、ケース７の上面部９に穿設したスリット２９から
ケース７の外部に導出され、また連結部２７の一方側の
面の２個所に、爪２７ａが設けられている。
体装置の平面図および側面図、図６は図５（ａ）のVI-V
I線断面図、図７は図５（ａ）のVII-VII線断面図であ
る。これらの図において、電極２５は、ケース７の外部
に露呈する第１の接点部２６と絶縁基板３と接合される
第２の接点部２８とこれらを連結する連結部２７とから
なり、略クランク状に形成されている。第１の接点部２
６は、ケース７の上面部９に穿設したスリット２９から
ケース７の外部に導出され、また連結部２７の一方側の
面の２個所に、爪２７ａが設けられている。
【００１１】この爪２７ａに対応した位置に、一対の挟
持片３０、３１が上面部９から一体的に設けられ、一方
側の挟持片、すなわち爪２７ａ側の挟持片３１には抜き
勾配３１ａが設けられ、他方側の挟持片３０には抜き勾
配が設けらておらず垂直な面３０ａが形成されている。
したがって、電極２５は垂直な面３０ａに密着して、第
２の接点部２８は絶縁基板３に垂直に立設して接合され
る。なお、本実施例において、電極２５の爪２７ａを連
結部２７の表裏に一対設けることにより、両挟持片３
０、３１に抜き勾配を設けても、電極２５は垂直に保持
される。
持片３０、３１が上面部９から一体的に設けられ、一方
側の挟持片、すなわち爪２７ａ側の挟持片３１には抜き
勾配３１ａが設けられ、他方側の挟持片３０には抜き勾
配が設けらておらず垂直な面３０ａが形成されている。
したがって、電極２５は垂直な面３０ａに密着して、第
２の接点部２８は絶縁基板３に垂直に立設して接合され
る。なお、本実施例において、電極２５の爪２７ａを連
結部２７の表裏に一対設けることにより、両挟持片３
０、３１に抜き勾配を設けても、電極２５は垂直に保持
される。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
極挿入部あるいは電極挟持片の電極の爪側だけに抜き勾
配を設け、他方には抜き勾配を設けずに垂直な面とし、
あるいは、電極の爪を表裏に一対設けたので、電極が垂
直にかつ位置ずれせずに接合でき、このため半田厚みを
均一にすることができ、これにより接合強度が増し、信
頼性の高い半導体装置を提供することができる効果があ
る。
極挿入部あるいは電極挟持片の電極の爪側だけに抜き勾
配を設け、他方には抜き勾配を設けずに垂直な面とし、
あるいは、電極の爪を表裏に一対設けたので、電極が垂
直にかつ位置ずれせずに接合でき、このため半田厚みを
均一にすることができ、これにより接合強度が増し、信
頼性の高い半導体装置を提供することができる効果があ
る。
【図１】本発明に係る半導体装置の側断面図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の電極を示し、（ａ）
は正面図、（ｂ）は側面図である。
は正面図、（ｂ）は側面図である。
【図３】本発明に係る半導体装置の第２の実施例を示
し、（ａ）は要部側断面図、（ｂ）は要部底面図であ
る。
し、（ａ）は要部側断面図、（ｂ）は要部底面図であ
る。
【図４】本発明に係る半導体装置の第３の実施例の要部
底面図である。
底面図である。
【図５】本発明に係る第４の実施例を示し、（ａ）は平
面図、（ｂ）は側面図である。
面図、（ｂ）は側面図である。
【図６】図５（ａ）のVI-VI線断面図である。
【図７】図５（ａ）のVII-VII線断面図である。
【図８】従来の半導体装置の側断面図である。
【図９】従来の半導体装置の電極を示し、（ａ）は正面
図、（ｂ）は側面図である。
図、（ｂ）は側面図である。
【図１０】一般的な半導体装置の成型方法を示す側断面
図である。
図である。
【図１１】従来の半導体装置の電極の取付状態を示す要
部側断面図である。
部側断面図である。
２ ベース板 ３ 絶縁基板 ４ 半導体素子 ７ ケース １２ 電極挿入部 １５ 電極 ２０ 爪 ２５ 電極 ３０ 挟持片 ３１ 挟持片
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉松 直樹 福岡県福岡市西区今宿東一丁目１番１号 福菱セミコンエンジニアリング株式会 社内 (56)参考文献 特開 昭61−187349（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】 ベース板上に実装した絶縁基板と、この
絶縁基板上に半田付けされた半導体素子と、全体が合成
樹脂で形成されかつ貫通した挿入部が設けられ前記ベー
ス板にこのベース板を覆うようにして取り付けられたケ
ースと、このケースの挿入部に挿入されこの挿入部の内
壁に係合する爪を有すると共に一端がケースの外部に露
呈し他端が前記絶縁基板に立設して固定された電極とか
らなる半導体装置において、前記電極の爪を電極の表裏
に一対設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 ベース板上に実装した絶縁基板と、この
絶縁基板上に半田付けされた半導体素子と、全体が合成
樹脂で形成されかつ貫通した挿入部が設けられ前記ベー
ス板にこのベース板を覆うようにして取り付けられたケ
ースと、このケースの挿入部に挿入されこの挿入部の内
壁に係合する爪を有すると共に一端がケースの外部に露
呈し他端が前記絶縁基板に立設して固定された電極とか
らなる半導体装置において、前記挿入部の内壁のうち前
記電極の爪が係合しない方の内壁に抜き勾配を設けずに
垂直に形成したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 ベース板上に実装した絶縁基板と、この
絶縁基板上に半田付けされた半導体素子と、全体が合成
樹脂からなり内部に一対の挟持壁が一体形成され前記ベ
ース板にこのベース板を覆うようにして取り付けられた
ケースと、このケース内に収納されこのケースの挟持壁
に係合する爪を有すると共に一端がケースの外部に露呈
し他端が前記絶縁基板に立設して固定された電極とから
なる半導体装置において、前記電極の爪を電極の表裏に
一対設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 ベース板上に実装した絶縁基板と、この
絶縁基板上に半田付けされた半導体素子と、全体が合成
樹脂からなり内部に一対の挟持壁が一体形成され前記ベ
ース板にこのベース板を覆うようにして取り付けられた
ケースと、このケース内に収納されこのケースの挟持壁
に係合する爪を有すると共に一端がケースの外部に露呈
し他端が前記絶縁基板に立設して固定された電極とから
なる半導体装置において、前記一対の挟持壁のうち前記
電極の爪が係合しない方の挟持壁に抜き勾配を設けずに
垂直に形成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3264321A JP2671665B2 (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3264321A JP2671665B2 (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109916A JPH05109916A (ja) | 1993-04-30 |
| JP2671665B2 true JP2671665B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=17401559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3264321A Expired - Lifetime JP2671665B2 (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2671665B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0969603A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置、その外装ケースとその製造方法 |
-
1991
- 1991-10-14 JP JP3264321A patent/JP2671665B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05109916A (ja) | 1993-04-30 |
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