JP2829567B2 - チップマウント型ｌｅｄ - Google Patents
チップマウント型ｌｅｄInfo
- Publication number
- JP2829567B2 JP2829567B2 JP6309466A JP30946694A JP2829567B2 JP 2829567 B2 JP2829567 B2 JP 2829567B2 JP 6309466 A JP6309466 A JP 6309466A JP 30946694 A JP30946694 A JP 30946694A JP 2829567 B2 JP2829567 B2 JP 2829567B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- resin
- terminal portion
- led
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプリント回路基板などに
取付ける際にチップマウント方式、即ち、素子側に設け
た取付足を回路基板の穴への挿入を行うことなく取付可
能としたＬＥＤ素子の構成に関するものである。
取付ける際にチップマウント方式、即ち、素子側に設け
た取付足を回路基板の穴への挿入を行うことなく取付可
能としたＬＥＤ素子の構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のチップマウント型ＬＥＤ
９０の構成の例を示すものが図７であり、例えばガラス
エポキシ積層板のプリント回路基板で形成されたリジッ
ド基板９１には、ＬＥＤ素子９２をマウントするための
パット９１ａ、このリジッド基板９１を回路基板（図示
は省略する）に取付けるための適宜に裏面側まで回り込
む端子部９１ｂ、前記パット９１ａと端子部９１ｂある
いはＬＥＤ素子９２と端子部９１ｂとを接続する導電部
９１ｃなどが敷設されている。
９０の構成の例を示すものが図７であり、例えばガラス
エポキシ積層板のプリント回路基板で形成されたリジッ
ド基板９１には、ＬＥＤ素子９２をマウントするための
パット９１ａ、このリジッド基板９１を回路基板（図示
は省略する）に取付けるための適宜に裏面側まで回り込
む端子部９１ｂ、前記パット９１ａと端子部９１ｂある
いはＬＥＤ素子９２と端子部９１ｂとを接続する導電部
９１ｃなどが敷設されている。
【０００３】そして、前記ＬＥＤ素子９２がマウントさ
れワイヤーボンドなどにより配線が行われた後のリジッ
ド基板９１は、図８に示すように金型８１、８２間に保
持されてエポキシ樹脂など注型樹脂の注入が行われて前
記ＬＥＤ素子９２を覆う樹脂ケース９３がリジッド基板
９１の略中央部に形成され、チップマウント型ＬＥＤ９
０として完成されるものとなる．
れワイヤーボンドなどにより配線が行われた後のリジッ
ド基板９１は、図８に示すように金型８１、８２間に保
持されてエポキシ樹脂など注型樹脂の注入が行われて前
記ＬＥＤ素子９２を覆う樹脂ケース９３がリジッド基板
９１の略中央部に形成され、チップマウント型ＬＥＤ９
０として完成されるものとなる．
【０００４】このときに、上記の樹脂ケース９３を形成
する際に注型樹脂が端子部９１ｂに達して表面に付着す
ると、後に行われるハンダ付けなどによる回路基板への
取付時に障害となるので、前記金型８１のリジッド基板
９１を収納する部分は、深さをリジッド基板９１の板厚
よりも僅かに浅いものとして、金型８１と金型８２とを
リジッド基板９１の上下面、即ち、端子部９１ｂに密着
させ、注型樹脂の回込みを生じないようにしている。
する際に注型樹脂が端子部９１ｂに達して表面に付着す
ると、後に行われるハンダ付けなどによる回路基板への
取付時に障害となるので、前記金型８１のリジッド基板
９１を収納する部分は、深さをリジッド基板９１の板厚
よりも僅かに浅いものとして、金型８１と金型８２とを
リジッド基板９１の上下面、即ち、端子部９１ｂに密着
させ、注型樹脂の回込みを生じないようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の構成のチップマウント型ＬＥＤ９０において
は、上記した端子部９１ｂの注型樹脂からの保護は専ら
にリジッド基板９１の板厚に頼るものであるので、この
板厚のバラツキにより完成品であるチップマウント型Ｌ
ＥＤ９０の品質が左右されるものとなっている。
た従来の構成のチップマウント型ＬＥＤ９０において
は、上記した端子部９１ｂの注型樹脂からの保護は専ら
にリジッド基板９１の板厚に頼るものであるので、この
板厚のバラツキにより完成品であるチップマウント型Ｌ
ＥＤ９０の品質が左右されるものとなっている。
【０００６】例えば、リジッド基板９１の板厚が過大で
あるときには、前記金型８１と金型８２とに挟まれたと
きの応力が大きいものとなり、リジッド基板９１にクラ
ックなどの破損を生じ、また、板厚が過小であるとき、
湾曲しているとき、或いは、板厚に部分的な寸法差を生
じているときなどには、その部分に注型樹脂が侵入して
端子部９１ｂの表面に膜面を生じるなどして回路基板へ
の取付が不確実なものとなり、品質が安定しない問題点
を生じ、この点の解決が課題とされるものとなってい
た。
あるときには、前記金型８１と金型８２とに挟まれたと
きの応力が大きいものとなり、リジッド基板９１にクラ
ックなどの破損を生じ、また、板厚が過小であるとき、
湾曲しているとき、或いは、板厚に部分的な寸法差を生
じているときなどには、その部分に注型樹脂が侵入して
端子部９１ｂの表面に膜面を生じるなどして回路基板へ
の取付が不確実なものとなり、品質が安定しない問題点
を生じ、この点の解決が課題とされるものとなってい
た。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は前記した従来の
課題を解決するための具体的な手段として、対峙する両
側端に上下面に渡る端子部が設けられたリジッド基板の
中央部にＬＥＤ素子をマウントし、このリジッド基板を
金型へセットして前記ＬＥＤ素子を覆う樹脂ケースを注
型樹脂の注入により形成するチップマウント型ＬＥＤに
おいて、前記リジッド基板の端子部または端子部と中央
部との間には金型へのセット時に該金型と密着して注型
樹脂が端子部に侵入すること防止する樹脂遮断部が形成
されていることを特徴とするチップマウント型ＬＥＤを
提供することで課題を解決するものである。
課題を解決するための具体的な手段として、対峙する両
側端に上下面に渡る端子部が設けられたリジッド基板の
中央部にＬＥＤ素子をマウントし、このリジッド基板を
金型へセットして前記ＬＥＤ素子を覆う樹脂ケースを注
型樹脂の注入により形成するチップマウント型ＬＥＤに
おいて、前記リジッド基板の端子部または端子部と中央
部との間には金型へのセット時に該金型と密着して注型
樹脂が端子部に侵入すること防止する樹脂遮断部が形成
されていることを特徴とするチップマウント型ＬＥＤを
提供することで課題を解決するものである。
【０００８】
【実施例】つぎに、本発明を図に示す一実施例に基づい
て詳細に説明する。図１に符号１で示すものは本発明に
係るチップマウント型ＬＥＤの第一実施例であり、この
チップマウント型ＬＥＤ１はガラスエポキシ積層板のプ
リント回路基板で形成されパット２ａ、端子部２ｂ、導
電部２ｃなどが設けられたリジッド基板２、前記パット
２ａにマウントされるＬＥＤ素子３、該ＬＥＤ素子３を
覆う樹脂ケース４で構成されるものである点は従来例の
ものと同様である。
て詳細に説明する。図１に符号１で示すものは本発明に
係るチップマウント型ＬＥＤの第一実施例であり、この
チップマウント型ＬＥＤ１はガラスエポキシ積層板のプ
リント回路基板で形成されパット２ａ、端子部２ｂ、導
電部２ｃなどが設けられたリジッド基板２、前記パット
２ａにマウントされるＬＥＤ素子３、該ＬＥＤ素子３を
覆う樹脂ケース４で構成されるものである点は従来例の
ものと同様である。
【０００９】ここで、本発明のチップマウント型ＬＥＤ
１においては、前記端子部２ｂを、それ以外の部分、即
ち、パット２ａ、導電部２ｃよりも前記リジッド基板２
の面から高く形成するものであり、これは、最初にリジ
ッド基板２面上にエッチングなど適宜な手段により同一
高さとしてパット２ａ、端子部２ｂ、導電部２ｃを形成
し、その後に端子部２ｂの部分のみに選択的に銅メッキ
を行うことで実施されるものである。
１においては、前記端子部２ｂを、それ以外の部分、即
ち、パット２ａ、導電部２ｃよりも前記リジッド基板２
の面から高く形成するものであり、これは、最初にリジ
ッド基板２面上にエッチングなど適宜な手段により同一
高さとしてパット２ａ、端子部２ｂ、導電部２ｃを形成
し、その後に端子部２ｂの部分のみに選択的に銅メッキ
を行うことで実施されるものである。
【００１０】図２は、上記の構成としたチップマウント
型ＬＥＤ１に対して樹脂ケース４を形成する工程を示す
ものであり、前記リジッド基板２は従来例と同様に上下
面から金型２１、金型２２に挟まれて、金型２２側に形
成されたキャビティ２２ａに注型樹脂の注入が行われ、
これにより樹脂ケース４が形成されるものとなる。
型ＬＥＤ１に対して樹脂ケース４を形成する工程を示す
ものであり、前記リジッド基板２は従来例と同様に上下
面から金型２１、金型２２に挟まれて、金型２２側に形
成されたキャビティ２２ａに注型樹脂の注入が行われ、
これにより樹脂ケース４が形成されるものとなる。
【００１１】このときに、金型２１、金型２２に挟まれ
る前記リジッド基板２は上記にも説明したように端子部
２ｂの部分が他の部分よりも高く形成されているので、
この端子部２ｂの部分が金型２１、金型２２に密着する
ものとなり、従って、端子部２ｂの部分に注型樹脂が流
れ込むことが確実に防止できるものとなる。
る前記リジッド基板２は上記にも説明したように端子部
２ｂの部分が他の部分よりも高く形成されているので、
この端子部２ｂの部分が金型２１、金型２２に密着する
ものとなり、従って、端子部２ｂの部分に注型樹脂が流
れ込むことが確実に防止できるものとなる。
【００１２】尚、この発明を成すための発明者による試
作、検討の結果では、前記端子部２ｂに対して銅メッキ
を２０μｍ程度の厚さで行うことで、上記の目的は確実
に達成できるものであり、従って、この第一実施例にお
いては前記端子部２ｂとリジッド基板２の表面とに生じ
る段差が樹脂遮断部５となるのである。
作、検討の結果では、前記端子部２ｂに対して銅メッキ
を２０μｍ程度の厚さで行うことで、上記の目的は確実
に達成できるものであり、従って、この第一実施例にお
いては前記端子部２ｂとリジッド基板２の表面とに生じ
る段差が樹脂遮断部５となるのである。
【００１３】図３は、本発明のチップマウント型ＬＥＤ
１の第二実施例であり、この第二実施例では前記リジッ
ド基板２の表面側の中央部であるパット２ａと、端子部
２ｂとの間に、例えば略Ｕ字状の溝として樹脂遮断部６
が設けられ、そしてリジッド基板２の裏面側の対象な位
置にも同様な構成の樹脂遮断部６が設けられ、前の第一
実施例のごとくに端子部２ｂには追加の銅メッキなどは
施されないものとしている。
１の第二実施例であり、この第二実施例では前記リジッ
ド基板２の表面側の中央部であるパット２ａと、端子部
２ｂとの間に、例えば略Ｕ字状の溝として樹脂遮断部６
が設けられ、そしてリジッド基板２の裏面側の対象な位
置にも同様な構成の樹脂遮断部６が設けられ、前の第一
実施例のごとくに端子部２ｂには追加の銅メッキなどは
施されないものとしている。
【００１４】図４は、上記の構成とした第二実施例での
樹脂ケース４を形成する工程を示すものであり、金型２
３および金型２４には前記樹脂遮断部６に嵌入し密接す
る例えば断面を三角形状とするダム部２３ａ、２４ａが
設けられ、金型２４に設けられたキャビティ２４ｂに注
入される注型樹脂が端子部２ｂに侵入するのを防止する
ものである。
樹脂ケース４を形成する工程を示すものであり、金型２
３および金型２４には前記樹脂遮断部６に嵌入し密接す
る例えば断面を三角形状とするダム部２３ａ、２４ａが
設けられ、金型２４に設けられたキャビティ２４ｂに注
入される注型樹脂が端子部２ｂに侵入するのを防止する
ものである。
【００１５】図５は、本発明のチップマウント型ＬＥＤ
１の第三実施例であり、この第三実施例では、前の第二
実施例と同様にリジッド基板２の表面および裏面側に例
えば略Ｕ字状の溝として樹脂遮断部７が設けられるもの
であるが、その設けられる位置は端子部２ｂの設けられ
る範囲内とされているものである。
１の第三実施例であり、この第三実施例では、前の第二
実施例と同様にリジッド基板２の表面および裏面側に例
えば略Ｕ字状の溝として樹脂遮断部７が設けられるもの
であるが、その設けられる位置は端子部２ｂの設けられ
る範囲内とされているものである。
【００１６】前記リジッド基板２には、前記した第二実
施例と同様なダム部が設けられた金型で樹脂ケース４が
形成されるもの（図４参照）となり、この第三実施例に
おいても樹脂遮断部７により注型樹脂が端子部２ｂに侵
入するのを防止するものである点は同様である。
施例と同様なダム部が設けられた金型で樹脂ケース４が
形成されるもの（図４参照）となり、この第三実施例に
おいても樹脂遮断部７により注型樹脂が端子部２ｂに侵
入するのを防止するものである点は同様である。
【００１７】更に加えて、この第三実施例においては、
図６に示すように回路基板１０に例えばハンダリフロー
により取付けるときには、前記樹脂遮断部７が端子部２
ｂ内に設けられていることで、この樹脂遮断部７はハン
ダ付けが可能なものとなり、裏面側の樹脂遮断部７にも
ハンダ１１が充填され係着さが行われるものとなり、係
着面積が増して固着性が一層に向上するものとなる。
図６に示すように回路基板１０に例えばハンダリフロー
により取付けるときには、前記樹脂遮断部７が端子部２
ｂ内に設けられていることで、この樹脂遮断部７はハン
ダ付けが可能なものとなり、裏面側の樹脂遮断部７にも
ハンダ１１が充填され係着さが行われるものとなり、係
着面積が増して固着性が一層に向上するものとなる。
【００１８】尚、上記の第二実施例あるいは第三実施例
においては、前記樹脂遮断部６、７は必要に応じて表面
あるいは裏面の何れか一方にのみ設けられても良いもの
であり、また、樹脂遮断部６、７は、例えば三角溝、四
角溝など上記したＵ字状以外の断面形状を有する溝状と
しても良いものである。
においては、前記樹脂遮断部６、７は必要に応じて表面
あるいは裏面の何れか一方にのみ設けられても良いもの
であり、また、樹脂遮断部６、７は、例えば三角溝、四
角溝など上記したＵ字状以外の断面形状を有する溝状と
しても良いものである。
【００１９】
【発明の効果】以上に説明したように本発明により、リ
ジッド基板の端子部または端子部と中央部との間には金
型へのセット時に該金型と密着して注型樹脂が端子部に
侵入すること防止する樹脂遮断部が形成されているチッ
プマウント型ＬＥＤとしたことで、樹脂ケースの形成時
に注型樹脂が漏れ出して端子部に達するのを防止し、こ
れにより端子部による回路基板への取付けが確実に行え
るものとして、この種のチップマウント型ＬＥＤの品質
向上に極めて優れた効果を奏するものである。
ジッド基板の端子部または端子部と中央部との間には金
型へのセット時に該金型と密着して注型樹脂が端子部に
侵入すること防止する樹脂遮断部が形成されているチッ
プマウント型ＬＥＤとしたことで、樹脂ケースの形成時
に注型樹脂が漏れ出して端子部に達するのを防止し、こ
れにより端子部による回路基板への取付けが確実に行え
るものとして、この種のチップマウント型ＬＥＤの品質
向上に極めて優れた効果を奏するものである。
【００２０】また、前記樹脂遮断部を背面側の端子部に
設けるものとすることで、回路基板への取付時には、こ
の樹脂遮断部にもハンダが充填されるものとして、取付
面積を増加させ、固着性が一層に向上させる効果も併せ
て奏するものとする。
設けるものとすることで、回路基板への取付時には、こ
の樹脂遮断部にもハンダが充填されるものとして、取付
面積を増加させ、固着性が一層に向上させる効果も併せ
て奏するものとする。
【図１】 本発明に係るチップマウント型ＬＥＤの第一
実施例を示す斜視図である。
実施例を示す斜視図である。
【図２】 第一実施例における樹脂ケースの形成工程を
示す略示的な断面図である。
示す略示的な断面図である。
【図３】 本発明に係るチップマウント型ＬＥＤの第二
実施例を示す斜視図である。
実施例を示す斜視図である。
【図４】 第二実施例における樹脂ケースの形成工程を
示す略示的な断面図である。
示す略示的な断面図である。
【図５】 本発明に係るチップマウント型ＬＥＤの第三
実施例を示す斜視図である。
実施例を示す斜視図である。
【図６】 第三実施例のチップマウント型ＬＥＤの回路
基板への取付状態を示す説明図である。
基板への取付状態を示す説明図である。
【図７】 従来例を示す斜視図である。
【図８】 従来例の樹脂ケースの形成工程を示す略示的
な断面図である。
な断面図である。
１……チップマウント型ＬＥＤ ２……リジッド基板 ２ａ……パット ２ｂ……端子部 ２ｃ……導電部 ３……ＬＥＤ素子 ４……樹脂ケース ５〜７……樹脂遮断部 １０……回路基板 ２１〜２４……金型 ２３ａ、２４ａ……ダム部
Claims (3)
- 【請求項１】 対峙する両側端に上下面に渡る端子部が
設けられたリジッド基板の中央部にＬＥＤ素子をマウン
トし、このリジッド基板を金型へセットして前記ＬＥＤ
素子を覆う樹脂ケースを注型樹脂の注入により形成する
チップマウント型ＬＥＤにおいて、前記リジッド基板の
端子部または端子部と中央部との間には金型へのセット
時に該金型と密着して注型樹脂が端子部に侵入すること
防止する樹脂遮断部が形成されていることを特徴とする
チップマウント型ＬＥＤ。 - 【請求項２】 前記樹脂遮断部は金型へのセット時に、
該金型が前記端子部に上下から密着するように、端子部
側を厚く形成されたリジッド基板との段差部であること
を特徴とする請求項１記載のチップマウント型ＬＥＤ。 - 【請求項３】 前記樹脂遮断部は金型へのセット時に、
該金型に設けられたライン状の凸部と嵌合するように前
記リジッド基板の端子部または端子部と中央部との間に
設けられた溝部であることを特徴とする請求項１記載の
チップマウント型ＬＥＤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6309466A JP2829567B2 (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | チップマウント型ｌｅｄ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6309466A JP2829567B2 (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | チップマウント型ｌｅｄ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148724A JPH08148724A (ja) | 1996-06-07 |
| JP2829567B2 true JP2829567B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=17993336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6309466A Expired - Lifetime JP2829567B2 (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | チップマウント型ｌｅｄ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2829567B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4211359B2 (ja) | 2002-03-06 | 2009-01-21 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US10340424B2 (en) | 2002-08-30 | 2019-07-02 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting diode component |
| US7224000B2 (en) * | 2002-08-30 | 2007-05-29 | Lumination, Llc | Light emitting diode component |
| JP4288931B2 (ja) * | 2002-11-11 | 2009-07-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| KR101161383B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2012-07-02 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법 |
| TWM329857U (en) * | 2007-08-21 | 2008-04-01 | Ko-Hsin Lee | LED package structure |
| JP5422906B2 (ja) * | 2008-04-09 | 2014-02-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US8593040B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-11-26 | Ge Lighting Solutions Llc | LED lamp with surface area enhancing fins |
| US9500355B2 (en) | 2012-05-04 | 2016-11-22 | GE Lighting Solutions, LLC | Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device |
-
1994
- 1994-11-21 JP JP6309466A patent/JP2829567B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08148724A (ja) | 1996-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3165078B2 (ja) | 表面実装部品の製造方法 | |
| JP2875139B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3694255B2 (ja) | Ｓｍｄ部品の構造および製造方法 | |
| JP2829567B2 (ja) | チップマウント型ｌｅｄ | |
| JP3281859B2 (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
| JPH0715918B2 (ja) | 半導体チップ実装用リード構造体 | |
| JP3426574B2 (ja) | 表面実装部品及びその製造方法 | |
| JPH04255264A (ja) | 混成集積回路 | |
| JPH0936155A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3126210B2 (ja) | 発光ダイオード装置の製造方法 | |
| JP2794262B2 (ja) | 電子回路パッケージ | |
| JP2000349222A (ja) | リードフレーム及び半導体パッケージ | |
| KR100237912B1 (ko) | 패키지 반도체, 그것을 이용한 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JP2696122B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3472601B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2784248B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3851541B2 (ja) | チップ部品およびその製造方法 | |
| JPH08340164A (ja) | Ｂｇａ型パッケージの面実装構造 | |
| JPH01146376A (ja) | チップｌｅｄ | |
| JPH01120856A (ja) | リードフレーム | |
| JP2671665B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2700257B2 (ja) | 配線基板付きリードフレームとその製造方法 | |
| JPH0222886A (ja) | 混成集積回路 | |
| JP2627812B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2917556B2 (ja) | 絶縁物封止型電子部品の製造方法 |