JPS6148954A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
６３− の１ ＼
本発明は、電子機器等の被取付体にペレットマウント部
としての放熱板を絶縁して取付けるため放熱板の裏面ま
で外装樹脂材を被覆した完全樹脂封止型半導体装置のよ
うに、樹脂封止成形後、外装樹脂材からリードフレーム
のタイバー部が突出している半導体装置の該タイバー部
を樹脂封止成形後に切断する方法に関するものである。
としての放熱板を絶縁して取付けるため放熱板の裏面ま
で外装樹脂材を被覆した完全樹脂封止型半導体装置のよ
うに、樹脂封止成形後、外装樹脂材からリードフレーム
のタイバー部が突出している半導体装置の該タイバー部
を樹脂封止成形後に切断する方法に関するものである。
従来色技玉
樹脂封止型半導体装置は一般にペレ７）マウント部とし
ての放熱板の非ペレット固着側裏面を露出させて樹脂外
装している。そしてその放熱板の裏面をシャーシベース
や放熱器等の外部取付機器の平坦な面に密着させてアー
スした状態で実装しているが、近年は例えば、コレクタ
絶縁タイプのトランジスタのように、放熱板の裏面を外
部取付機器に絶縁し、かつ熱的には接続させて取付ける
絶縁タイプのものが普及しつつある。この絶縁タイプの
樹脂封止型半導体装置の実装は、従来のものが放熱板の
露出した裏面にシリコングリスを塗着した薄いマイカ板
を敷設したり等して放熱板を外部取付機器から絶縁して
いた技術に代るものである。つまり、この従来品の実装
は、マイカ坂を敷設したりシリコングリスを塗布する作
業が難かしい等の問題があるため、この問題を解決した
ものとして、放熱板を裏面も含めて全面的に樹脂封止し
たものが提案され実用化されている。
ての放熱板の非ペレット固着側裏面を露出させて樹脂外
装している。そしてその放熱板の裏面をシャーシベース
や放熱器等の外部取付機器の平坦な面に密着させてアー
スした状態で実装しているが、近年は例えば、コレクタ
絶縁タイプのトランジスタのように、放熱板の裏面を外
部取付機器に絶縁し、かつ熱的には接続させて取付ける
絶縁タイプのものが普及しつつある。この絶縁タイプの
樹脂封止型半導体装置の実装は、従来のものが放熱板の
露出した裏面にシリコングリスを塗着した薄いマイカ板
を敷設したり等して放熱板を外部取付機器から絶縁して
いた技術に代るものである。つまり、この従来品の実装
は、マイカ坂を敷設したりシリコングリスを塗布する作
業が難かしい等の問題があるため、この問題を解決した
ものとして、放熱板を裏面も含めて全面的に樹脂封止し
たものが提案され実用化されている。
この完全４Ａｆ Ｒｉ封止型半導体装貨の構造例を第４
図及び第５図に示すと、（１）ばペレットマウント部と
しての放熱板、（２）（２）−は放熱板（１）から外方
に延びる例えば３本のリードで、中央の１本の先端は放
熱Ｆ！（１）と一体化され、両側の２本の先端は放熱板
（１）の近傍に位置する。（３）は放熱板（１）上にマ
ウントされた半導体ペレット、（，１）（４）は半導体
ベレット（３）の表面電極とリード（２）（２）の先端
部とを電気的に接続する金泥１ｊＩＩ線、（５）は放熱
板（１）とリード先端部を含む要部を封止して成形され
たエポキシ樹脂等の外装４Ａｊ脂材である。
図及び第５図に示すと、（１）ばペレットマウント部と
しての放熱板、（２）（２）−は放熱板（１）から外方
に延びる例えば３本のリードで、中央の１本の先端は放
熱Ｆ！（１）と一体化され、両側の２本の先端は放熱板
（１）の近傍に位置する。（３）は放熱板（１）上にマ
ウントされた半導体ペレット、（，１）（４）は半導体
ベレット（３）の表面電極とリード（２）（２）の先端
部とを電気的に接続する金泥１ｊＩＩ線、（５）は放熱
板（１）とリード先端部を含む要部を封止して成形され
たエポキシ樹脂等の外装４Ａｊ脂材である。
放熱板（１）の裏面に被着された外装樹脂材（５）の一
部は、放熱性を損なわない程度の薄い絶縁用樹脂膜（６
）として形成される。しかもこの膜の厚さが不均一の場
合、放熱板（１）からの熱放散性も不均一となって一部
に熱が集まり熱的破壊が起きることがあるため、絶縁用
樹脂膜（６）の厚さは均一にする必要がある。
部は、放熱性を損なわない程度の薄い絶縁用樹脂膜（６
）として形成される。しかもこの膜の厚さが不均一の場
合、放熱板（１）からの熱放散性も不均一となって一部
に熱が集まり熱的破壊が起きることがあるため、絶縁用
樹脂膜（６）の厚さは均一にする必要がある。
そこで、上記完全８４脂封止型半導体装置は、第６図に
示すように複数の半導体装置のり一部（２）と放熱板（
１）をタイバー（７）（８）で一体化したリードフレー
ム（９）を使い、タイバー（８）とリード（２）により
放熱板（１）を上下金型で両端支持して位置決めし、放
熱板（１）の裏面の絶縁用樹脂膜（６）を金型のキャビ
ティ （図示せず）内で均一厚さにすべく形成する。そ
して、樹脂封止後、タイバー（８）とリード（２）を切
断して個々の半導体装置に分割する。
示すように複数の半導体装置のり一部（２）と放熱板（
１）をタイバー（７）（８）で一体化したリードフレー
ム（９）を使い、タイバー（８）とリード（２）により
放熱板（１）を上下金型で両端支持して位置決めし、放
熱板（１）の裏面の絶縁用樹脂膜（６）を金型のキャビ
ティ （図示せず）内で均一厚さにすべく形成する。そ
して、樹脂封止後、タイバー（８）とリード（２）を切
断して個々の半導体装置に分割する。
この分割は、例えば第７図に示すようにタイバー部（８
）の支持部（１０）を上下刃（１１）（１２）で挟み、
上刃（１１）をそのまま打ち降ろして支持部（１０）を
切断することにより行われところで、完全樹脂封止型半
導体装置の放熱板（１）を接続するタイバー部（８）を
切断する際、上述した従来のように上下刃（１１）
（１２）を用いてタイバー部（８）の支持部（１０）を
切り碇した場合、第８図に示すように切断後に支持部（
１０）の断片（１０’）が残る。しかも、このｉ’ｆ＋
片（１０”）は先端部が上刃（１１）の移動方向（下方
）にダした状恕になって残る。ところが、このように切
断後の支持部（１０）の断片（１０″）の先端がダして
くると、築９図に示すように被取付面に半導体装置を取
付けた場合、被取付面（アース面）と断片（１０’）の
先端との間の距離（７りが短くなり、しかも断片（１０
’）の先端は尖鋭になっているため放電し易（半導体装
置の絶縁耐圧が低下する危険性がある。
）の支持部（１０）を上下刃（１１）（１２）で挟み、
上刃（１１）をそのまま打ち降ろして支持部（１０）を
切断することにより行われところで、完全樹脂封止型半
導体装置の放熱板（１）を接続するタイバー部（８）を
切断する際、上述した従来のように上下刃（１１）
（１２）を用いてタイバー部（８）の支持部（１０）を
切り碇した場合、第８図に示すように切断後に支持部（
１０）の断片（１０’）が残る。しかも、このｉ’ｆ＋
片（１０”）は先端部が上刃（１１）の移動方向（下方
）にダした状恕になって残る。ところが、このように切
断後の支持部（１０）の断片（１０″）の先端がダして
くると、築９図に示すように被取付面に半導体装置を取
付けた場合、被取付面（アース面）と断片（１０’）の
先端との間の距離（７りが短くなり、しかも断片（１０
’）の先端は尖鋭になっているため放電し易（半導体装
置の絶縁耐圧が低下する危険性がある。
皿ユ点吏肱沃土玉太盗り主役
本発明はタイバー部により整列方向に連結された各ペレ
ットマウント部に半導体ベレットを固着すると共にペレ
ットマウント部近傍に位置するリード部と半導体ベレッ
トとを電気的に接続し、各半導体ベレットを含む主要部
を外装樹脂材にて樹脂封止成形した半導体装置における
上記タイバー部を切断する方法において、外装樹脂材内
に封止される上記タイバー部の一部に予め溝を設け、樹
脂封止成形後に外装樹脂材から突出しているタイバー部
を引っ張ることにより上記溝の部分からタイバー部を切
断するようにしたものである。
ットマウント部に半導体ベレットを固着すると共にペレ
ットマウント部近傍に位置するリード部と半導体ベレッ
トとを電気的に接続し、各半導体ベレットを含む主要部
を外装樹脂材にて樹脂封止成形した半導体装置における
上記タイバー部を切断する方法において、外装樹脂材内
に封止される上記タイバー部の一部に予め溝を設け、樹
脂封止成形後に外装樹脂材から突出しているタイバー部
を引っ張ることにより上記溝の部分からタイバー部を切
断するようにしたものである。
尖ｉ但
本発明の一実施例を第１図及び第２図を参照しながら以
下説明する。第１図は本発明に用いられるリードフレー
ム（１３）を示すもので、（１４）はペレットマウント
部としての放熱板、（１５）はリード部、そして（１６
）は支持部（１７）を介して放熱板（１４）を整列する
方向に連結するタイバー部であり、支持部（１７）には
切れ目の溝（１７’）が形成されている。この溝（１７
°）は放熱板（１４）の樹脂封止後、外装樹脂材の内部
にあるように支持部（１７）の所定位置に形成される。
下説明する。第１図は本発明に用いられるリードフレー
ム（１３）を示すもので、（１４）はペレットマウント
部としての放熱板、（１５）はリード部、そして（１６
）は支持部（１７）を介して放熱板（１４）を整列する
方向に連結するタイバー部であり、支持部（１７）には
切れ目の溝（１７’）が形成されている。この溝（１７
°）は放熱板（１４）の樹脂封止後、外装樹脂材の内部
にあるように支持部（１７）の所定位置に形成される。
即ち、リードフレーム（１３〉を用いると、放ｊ、さ板
（１４）と半導体ペレットを含む主要部の樹脂封止成形
時、金型（図示せず）にてタイバー部（１Ｇ） （支
持部（１７）を含む）とリード部（１５）とでリードフ
レーム（１３）を両翰支持することによりリードフレー
ム（１３）の上下位置を規制し、放熱板り１４）の裏面
の樹脂膜（６）の厚さを均一に形成することができる。
（１４）と半導体ペレットを含む主要部の樹脂封止成形
時、金型（図示せず）にてタイバー部（１Ｇ） （支
持部（１７）を含む）とリード部（１５）とでリードフ
レーム（１３）を両翰支持することによりリードフレー
ム（１３）の上下位置を規制し、放熱板り１４）の裏面
の樹脂膜（６）の厚さを均一に形成することができる。
（第２図（ａ）参照）次に、樹脂対土成形済のリードフ
レーム（１３）を金型から取り出し、第２図（ｂ）に示
すように外装樹脂材（５）から突出している支持部（１
７）をタイバー部（１６）と共にクランプＡ （１Ｂ）
で旧持し、かつ、外装樹脂材（５ンをクランプＢ （１
９）でクランプＡ （１Ｂ）の引っ張り方向に係止され
るように把持する。
レーム（１３）を金型から取り出し、第２図（ｂ）に示
すように外装樹脂材（５）から突出している支持部（１
７）をタイバー部（１６）と共にクランプＡ （１Ｂ）
で旧持し、かつ、外装樹脂材（５ンをクランプＢ （１
９）でクランプＡ （１Ｂ）の引っ張り方向に係止され
るように把持する。
この状態で第２図（Ｃ）に示すようにクランプＡ （１
８）を矢印方向に引っ張れば、タイバー部（１６）は支
持部（１７）の一部と共に溝（１７’）より引きちぎら
れるように切断される。
８）を矢印方向に引っ張れば、タイバー部（１６）は支
持部（１７）の一部と共に溝（１７’）より引きちぎら
れるように切断される。
この時、溝（１７°）は外装樹脂材（５）の内部にある
ため、支持部（１７）の破断面も第３図に示すように外
装樹脂材（５）の内部にある。
ため、支持部（１７）の破断面も第３図に示すように外
装樹脂材（５）の内部にある。
そこで、上記破断面と半導体装面の金属製被取付面（２
０）との間に放電が発生しなくなり半導体装置の絶縁耐
圧が向上する。
０）との間に放電が発生しなくなり半導体装置の絶縁耐
圧が向上する。
企ユ立肱来
本発明によれば、完全樹脂封止型半導体装置のように、
ペレットマウント部を含む主要部の樹脂封止成形時に、
ペレットマウント部を連結するタイバー部とリード部と
でリードフレームを両端支持しなければならない半導体
装置において、外装樹脂材内に封止される上記タイバー
部の一部に予め溝を設け、樹脂封止成形後に外装樹脂材
から突出しているタイバー部を引っ張る之とにより溝の
部分からタイバー部を切断するようにしたから、タイバ
ー部の破断面が外装樹脂材の内部にあって、この破断面
と半導体装置の被取付面との間に放電が発生しなくなり
半導体装置の絶縁耐圧が向上する。
ペレットマウント部を含む主要部の樹脂封止成形時に、
ペレットマウント部を連結するタイバー部とリード部と
でリードフレームを両端支持しなければならない半導体
装置において、外装樹脂材内に封止される上記タイバー
部の一部に予め溝を設け、樹脂封止成形後に外装樹脂材
から突出しているタイバー部を引っ張る之とにより溝の
部分からタイバー部を切断するようにしたから、タイバ
ー部の破断面が外装樹脂材の内部にあって、この破断面
と半導体装置の被取付面との間に放電が発生しなくなり
半導体装置の絶縁耐圧が向上する。
第１図は本発明の一実施例に含まれるリードフレームの
斜視図、第２図は本発明に係る半導体装置の製造方法の
一実施例による製造工程の説明図、第３図は本発明の一
実施「すにより製造された半導体装置の側面図、第４図
は完全樹脂封止型半導体装置の部分断面平面図で、第５
図はその側断面図、第６図は第・１図半導体装置のリー
ドフレームの部分平面図、第７図は２’ｉ’Ｎ ５図リ
ードフレームのペレットマウント部部を連結するタイバ
ー部を切断する工程の説明図、第８図は第７図の工程に
より製造された半導体装置の斜視図で、第９図はその側
面図である。 （３）−・半導体ペレット、（５） −・外装樹脂材、
１：１４） −ペレットマウント部、（１５） −リー
ド部、（１６）・・−タイバー部、（１７） −タイバ
ー会−３の一部、（１７“）・−ン葭。 序８図 層４図 帛５ＥＪ
斜視図、第２図は本発明に係る半導体装置の製造方法の
一実施例による製造工程の説明図、第３図は本発明の一
実施「すにより製造された半導体装置の側面図、第４図
は完全樹脂封止型半導体装置の部分断面平面図で、第５
図はその側断面図、第６図は第・１図半導体装置のリー
ドフレームの部分平面図、第７図は２’ｉ’Ｎ ５図リ
ードフレームのペレットマウント部部を連結するタイバ
ー部を切断する工程の説明図、第８図は第７図の工程に
より製造された半導体装置の斜視図で、第９図はその側
面図である。 （３）−・半導体ペレット、（５） −・外装樹脂材、
１：１４） −ペレットマウント部、（１５） −リー
ド部、（１６）・・−タイバー部、（１７） −タイバ
ー会−３の一部、（１７“）・−ン葭。 序８図 層４図 帛５ＥＪ
Claims (1)
- （１）タイバー部により整列方向に連結された各ペレッ
トマウント部に半導体ペレットを固着すると共にペレッ
トマウント部近傍に位置するリード部と半導体ペレット
とを電気的に接続し、各半導体ペレットを含む主要部を
外装樹脂材にて樹脂封止成形した半導体装置における上
記タイバー部を切断する方法において、外装樹脂材内に
封止される上記タイバー部の一部に溝を予め設け、樹脂
封止成形後に外装樹脂材から突出しているタイバー部を
引っ張ることにより上記溝の部分からタイバー部を切断
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17076384A JPS6148954A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17076384A JPS6148954A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6148954A true JPS6148954A (ja) | 1986-03-10 |
Family
ID=15910922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17076384A Pending JPS6148954A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6148954A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4312250A1 (en) * | 2022-07-28 | 2024-01-31 | STMicroelectronics S.r.l. | Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6156420A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-03-22 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-08-15 JP JP17076384A patent/JPS6148954A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6156420A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-03-22 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4312250A1 (en) * | 2022-07-28 | 2024-01-31 | STMicroelectronics S.r.l. | Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device |
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