JPS62131525A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62131525A JPS62131525A JP27223185A JP27223185A JPS62131525A JP S62131525 A JPS62131525 A JP S62131525A JP 27223185 A JP27223185 A JP 27223185A JP 27223185 A JP27223185 A JP 27223185A JP S62131525 A JPS62131525 A JP S62131525A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- cavity
- heat sink
- semiconductor device
- filled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
崖１」１１月１土顆
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ペレ
ットをマウントした放熱板の外部放熱器等への取付面を
含む放熱板全面を樹脂にて被覆外装した絶縁型半導体装
置の製造方法に関する。
ットをマウントした放熱板の外部放熱器等への取付面を
含む放熱板全面を樹脂にて被覆外装した絶縁型半導体装
置の製造方法に関する。
丈来二反玉
絶縁型半導体装置は半導体ベレットをマウントした放熱
板の裏面（取付面）を外装樹脂で被覆絶縁したもので、
外部放熱器等へ絶縁スペーサを介することなく直接取付
は可能であるため最近多用されている。
板の裏面（取付面）を外装樹脂で被覆絶縁したもので、
外部放熱器等へ絶縁スペーサを介することなく直接取付
は可能であるため最近多用されている。
この種半導体装置の製造方法の一例を第４図から説明す
る０図において１，２は樹脂モールド装置の上下金型で
、３，４はそれぞれ上下金型１゜２の衝合面に形成した
キャビティを示す。５は下金型２からキャビティ４内に
植立され、上端部が上下金型１．２の衝合時に上金型１
に穿設した穴６に嵌合するロンド、７は樹脂（図示せず
）乞ガイドするランナ、８はランナ７とキャビティ３゜
４とを連通ずるゲートを示す。
る０図において１，２は樹脂モールド装置の上下金型で
、３，４はそれぞれ上下金型１゜２の衝合面に形成した
キャビティを示す。５は下金型２からキャビティ４内に
植立され、上端部が上下金型１．２の衝合時に上金型１
に穿設した穴６に嵌合するロンド、７は樹脂（図示せず
）乞ガイドするランナ、８はランナ７とキャビティ３゜
４とを連通ずるゲートを示す。
また９は半導体ベレット１０をマウントした放熱板で一
端部に舌片（９ａ）を有し、主面に取付穴（９ｂ）を穿
設している。１１は複数本−組のリードで、一本のり一
ドｌｌａは放熱板９に機械的、電気的に接続され、図示
例では符号１１ｂで示す他のリードは一端が半導体ペレ
ット１０の近傍に配置されて、金属細線１２を介してペ
レット１０上の電極に電気的に接続されている。リード
１１付き放熱板９は取付穴９ｂにロッド５を貫通させて
上金型２上に載置され、放熱板９の舌片９ａとリード１
１の中間部とを上下金型１．２で挟持し、型締めした後
、ランナ７、ゲート８を介しキャビティ３，４内に樹脂
を注入する。ここで放熱板９はキャビティ３，４内で舌
片９ａとリード１１によって支持されているため、放熱
板９の取付面９ｄとキャビティ４の間隔が一定に保たれ
る。
端部に舌片（９ａ）を有し、主面に取付穴（９ｂ）を穿
設している。１１は複数本−組のリードで、一本のり一
ドｌｌａは放熱板９に機械的、電気的に接続され、図示
例では符号１１ｂで示す他のリードは一端が半導体ペレ
ット１０の近傍に配置されて、金属細線１２を介してペ
レット１０上の電極に電気的に接続されている。リード
１１付き放熱板９は取付穴９ｂにロッド５を貫通させて
上金型２上に載置され、放熱板９の舌片９ａとリード１
１の中間部とを上下金型１．２で挟持し、型締めした後
、ランナ７、ゲート８を介しキャビティ３，４内に樹脂
を注入する。ここで放熱板９はキャビティ３，４内で舌
片９ａとリード１１によって支持されているため、放熱
板９の取付面９ｄとキャビティ４の間隔が一定に保たれ
る。
このようにして樹脂外装された後、舌片９ａの樹脂外装
部から露出した部分を切断除去して、第５図に示す半導
体装置を得る。図中１３は樹脂外装部、９ｃは放熱板９
の露出部を示す。
部から露出した部分を切断除去して、第５図に示す半導
体装置を得る。図中１３は樹脂外装部、９ｃは放熱板９
の露出部を示す。
が１° しようとする口 左
第５図半導体装置は放熱板９の取付面９ｄ側の樹脂厚が
一定で、熱抵抗が小さく、電気的絶縁も良好であるが、
舌片９ａの切断跡９Ｃが露出している上、切断によるパ
リ （図示せず）が放熱板９の取付面９ｄ側に延びて形
成されるため、この半導体装置を外部放熱器に取付けた
ときにパリと放熱器の間隔が小さくなって、耐圧が低下
するという問題があった。
一定で、熱抵抗が小さく、電気的絶縁も良好であるが、
舌片９ａの切断跡９Ｃが露出している上、切断によるパ
リ （図示せず）が放熱板９の取付面９ｄ側に延びて形
成されるため、この半導体装置を外部放熱器に取付けた
ときにパリと放熱器の間隔が小さくなって、耐圧が低下
するという問題があった。
そのためパリの方向を放熱板９の取付面と反対方向に延
びるように形成することも考えられるが、第５図から分
かるように放熱板９上面側の樹脂厚（７！、）は取付面
９ｄ側の樹脂厚（りに比較して薄く、切断時に応力で樹
脂がクラックしたり、樹脂剥離し易いため、実施は困難
であった。
びるように形成することも考えられるが、第５図から分
かるように放熱板９上面側の樹脂厚（７！、）は取付面
９ｄ側の樹脂厚（りに比較して薄く、切断時に応力で樹
脂がクラックしたり、樹脂剥離し易いため、実施は困難
であった。
。 占を”ンするための
本発明は上記問題点を解決することを目的として提案さ
れたもので、半導体ベレットをマウントした放熱板を樹
脂モールド金型のキャビティ内に、キャビティ内壁との
間に間隙をもって収容し、キャビティ内に樹脂を注入し
て放熱板全面を樹脂被覆するようにした半導体装置の製
造方法において、上記放熱板の半導体ペレットがマウン
トされていない面とこの面と対向するキャビティ内壁と
の間の間隔を所定の間隔に規制して、キャビティ内に第
１の樹脂を注入し、第１の樹脂が未硬化時に、前記間隔
規制を解除して第２の樹脂をキャビティ内に注入するよ
うにしたことを特徴とする。
れたもので、半導体ベレットをマウントした放熱板を樹
脂モールド金型のキャビティ内に、キャビティ内壁との
間に間隙をもって収容し、キャビティ内に樹脂を注入し
て放熱板全面を樹脂被覆するようにした半導体装置の製
造方法において、上記放熱板の半導体ペレットがマウン
トされていない面とこの面と対向するキャビティ内壁と
の間の間隔を所定の間隔に規制して、キャビティ内に第
１の樹脂を注入し、第１の樹脂が未硬化時に、前記間隔
規制を解除して第２の樹脂をキャビティ内に注入するよ
うにしたことを特徴とする。
大−立一興
以下に本発明の実施例を第１図乃至第３図から説明する
。図において、第４図及び第５図と同一符号は同一物を
示し説明を省略する。
。図において、第４図及び第５図と同一符号は同一物を
示し説明を省略する。
本発明は、舌片のない放熱板９′を用い、上下金型のキ
ャビティ内で放熱板９′の位置規制する手段の動作と関
連してキャビティ内への樹脂の注入を制御するようにし
た点が、従来からの製造方法と異なる。
ャビティ内で放熱板９′の位置規制する手段の動作と関
連してキャビティ内への樹脂の注入を制御するようにし
た点が、従来からの製造方法と異なる。
即ち、第１図において、１４は下金型２ からロッド５
と平行に延びキャビティ４内に突出退入し、キャビティ
４と放熱板９′の取付面の間隔を規制する第１の間隔規
制手段、１５は上金型１からロッド５と平行に延びキャ
ビティ３内に突出退入して放熱板９′を上方から押圧し
、第１の間隔規制手段１４による放熱板９′と下金型２
の間隔規制を確実にする第２の間隔規制手段を示す。
と平行に延びキャビティ４内に突出退入し、キャビティ
４と放熱板９′の取付面の間隔を規制する第１の間隔規
制手段、１５は上金型１からロッド５と平行に延びキャ
ビティ３内に突出退入して放熱板９′を上方から押圧し
、第１の間隔規制手段１４による放熱板９′と下金型２
の間隔規制を確実にする第２の間隔規制手段を示す。
以下、この動作を説明する。先ず、第２図に示すように
半導体ベレットをマウントし、ペレット１０とリード１
１とを電気的に接続した放熱板９′を下金型２のキャビ
ティ４に収容する。この時第１の間隔規制手段１４の先
端部をキャビティ底面から所定の長さ突出させてお（こ
とにより、放熱板９′とキャビティ４との間隔は所定の
間隔以上となる。
半導体ベレットをマウントし、ペレット１０とリード１
１とを電気的に接続した放熱板９′を下金型２のキャビ
ティ４に収容する。この時第１の間隔規制手段１４の先
端部をキャビティ底面から所定の長さ突出させてお（こ
とにより、放熱板９′とキャビティ４との間隔は所定の
間隔以上となる。
次に、上金型１を下金型２に衝合し、第１図に示すよう
に第２の間隔規制手段１５を弾性的にキャビティ３内に
突出させ放熱板９′の上面を押圧して放熱板９′とキャ
ビティ４の間隔を第１の間隔規制手段１４で規制された
間隔にする。そしてランナ７からゲート８を介してキャ
ビティ３，４内に樹脂１３を注入する。この樹脂注入の
初期段階で第３図に示すように樹脂１３は放熱板９′の
上下側面に回り込み、さらにリード１１方向に進行する
。ここで、樹脂１３が放熱板９′の取付面とキャビティ
４間に入り込むと第１の間隔規制手段１４をその上端が
キャビティ４の底面と面一乃至底面よりやや突出した位
置まで下げ、第２の間隔規制手段１５をその上端がキャ
ビティ３とほぼ面一な位置に上昇させる。この状態では
樹脂は未硬化状態であるため、新たな樹脂をゲート８か
ら注入すればキャビティ３，４内の樹脂はさらにリード
１１方向に進行する。このとき一旦樹脂が放熱板９′の
取付面とキャビティ４の間に入り込めば第１の間隔規制
手段を外しても樹脂自体がスペーサの役割をし、放熱板
９′の上下面から樹脂が進行するため間隔は一定に保た
れる。
に第２の間隔規制手段１５を弾性的にキャビティ３内に
突出させ放熱板９′の上面を押圧して放熱板９′とキャ
ビティ４の間隔を第１の間隔規制手段１４で規制された
間隔にする。そしてランナ７からゲート８を介してキャ
ビティ３，４内に樹脂１３を注入する。この樹脂注入の
初期段階で第３図に示すように樹脂１３は放熱板９′の
上下側面に回り込み、さらにリード１１方向に進行する
。ここで、樹脂１３が放熱板９′の取付面とキャビティ
４間に入り込むと第１の間隔規制手段１４をその上端が
キャビティ４の底面と面一乃至底面よりやや突出した位
置まで下げ、第２の間隔規制手段１５をその上端がキャ
ビティ３とほぼ面一な位置に上昇させる。この状態では
樹脂は未硬化状態であるため、新たな樹脂をゲート８か
ら注入すればキャビティ３，４内の樹脂はさらにリード
１１方向に進行する。このとき一旦樹脂が放熱板９′の
取付面とキャビティ４の間に入り込めば第１の間隔規制
手段を外しても樹脂自体がスペーサの役割をし、放熱板
９′の上下面から樹脂が進行するため間隔は一定に保た
れる。
このようにして、キャビティ３．４内に樹脂１３を充電
して樹脂外装された半導体装置は、放熱板の全周面が樹
脂で被覆され、リード以外に充電部が露出せず、また放
熱板の取付面側の樹脂の厚みも均一な半導体装置が製造
される。
して樹脂外装された半導体装置は、放熱板の全周面が樹
脂で被覆され、リード以外に充電部が露出せず、また放
熱板の取付面側の樹脂の厚みも均一な半導体装置が製造
される。
尚、本発明は上記実施例にのみ限定されることなく、例
えば、樹脂は同一のランナ、ゲートから連続的にキャビ
ティ内に送り込むだけでなく、例えば同一キャビティに
対し、ポット、ランチ、ゲートを２系列設け、キャビテ
ィ内で放熱板の間隔規制をしている状態で第１の樹脂を
注入し、第１の樹脂が未硬化状態で放熱板の間隔規制を
解除して第２の樹脂を注入するようにしてもよい。
えば、樹脂は同一のランナ、ゲートから連続的にキャビ
ティ内に送り込むだけでなく、例えば同一キャビティに
対し、ポット、ランチ、ゲートを２系列設け、キャビテ
ィ内で放熱板の間隔規制をしている状態で第１の樹脂を
注入し、第１の樹脂が未硬化状態で放熱板の間隔規制を
解除して第２の樹脂を注入するようにしてもよい。
また、放熱板をキャビティ内に収容した状態で放熱板の
取付面が第１の間隔規制手段に弾性的に当接するように
リードを形成しておけば、第２の間隔規制手段は省くこ
とができる。
取付面が第１の間隔規制手段に弾性的に当接するように
リードを形成しておけば、第２の間隔規制手段は省くこ
とができる。
泣−一見
以上のように、本発明によればキャビティ内の樹脂が流
動する部分で放熱板の間隔規制を行い、樹脂が未硬化状
態で放熱板の間隔規制を解除して、さらに樹脂を注入す
るようにしたからボイドの発生もなく、舌片のない放熱
板を用いて、全面を樹脂被覆でき、また放熱板取付面側
の樹脂の厚みを一定にすることができ、耐電圧の安定し
た半導体装置を製造することができる。
動する部分で放熱板の間隔規制を行い、樹脂が未硬化状
態で放熱板の間隔規制を解除して、さらに樹脂を注入す
るようにしたからボイドの発生もなく、舌片のない放熱
板を用いて、全面を樹脂被覆でき、また放熱板取付面側
の樹脂の厚みを一定にすることができ、耐電圧の安定し
た半導体装置を製造することができる。
第１図乃至第３図は本発明を説明するための樹脂モール
ド装置の金型の要部側断面図、第４図は従来の絶縁型半
導体装置の製造方法を説明するための樹脂モールド金型
の要部側断面図、第５図は第４図装置により製造された
半導体装置の側断面図である。 １．２・・・樹脂モールド金型 ３．４・・・キャビティ、９′・・・放熱板１０・・・
半導体ペレット、１３・・・樹脂１４．１５・・・間隔
規制手段 第１図 第２図
ド装置の金型の要部側断面図、第４図は従来の絶縁型半
導体装置の製造方法を説明するための樹脂モールド金型
の要部側断面図、第５図は第４図装置により製造された
半導体装置の側断面図である。 １．２・・・樹脂モールド金型 ３．４・・・キャビティ、９′・・・放熱板１０・・・
半導体ペレット、１３・・・樹脂１４．１５・・・間隔
規制手段 第１図 第２図
Claims (1)
- 半導体ペレットをマウントした放熱板を樹脂モールド金
型のキャビティ内に、キャビティ内壁との間に間隙をも
って収容し、キャビティ内に樹脂を注入して放熱板全面
を樹脂被覆するようにした半導体装置の製造方法におい
て、上記放熱板の半導体ペレットがマウントされていな
い面とこの面と対向するキャビティ内壁との間の間隔を
所定の間隔に規制して、キャビティ内に第１の樹脂を注
入し、第１の樹脂が未硬化時に、前記間隔規制を解除し
て第２の樹脂をキャビティ内に注入するようにしたこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27223185A JPS62131525A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27223185A JPS62131525A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62131525A true JPS62131525A (ja) | 1987-06-13 |
Family
ID=17510946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27223185A Pending JPS62131525A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62131525A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01292834A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体製造装置 |
| JPH02216838A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| US4954307A (en) * | 1987-12-31 | 1990-09-04 | Sanken Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing plastic encapsulated electronic semiconductor devices |
| JPH0316333U (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-19 | ||
| US5133921A (en) * | 1987-12-31 | 1992-07-28 | Sanken Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing plastic encapsulated electronic semiconductor devices |
| JP2008238589A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Toyota Motor Corp | 固定子の樹脂モールド成形方法、固定子の樹脂モールド成形装置、及び固定子構造 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130129A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Nec Corp | 絶縁型半導体素子の樹脂封止方法 |
-
1985
- 1985-12-03 JP JP27223185A patent/JPS62131525A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130129A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Nec Corp | 絶縁型半導体素子の樹脂封止方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4954307A (en) * | 1987-12-31 | 1990-09-04 | Sanken Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing plastic encapsulated electronic semiconductor devices |
| US5133921A (en) * | 1987-12-31 | 1992-07-28 | Sanken Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing plastic encapsulated electronic semiconductor devices |
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| JPH02216838A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPH0316333U (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-19 | ||
| JP2008238589A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Toyota Motor Corp | 固定子の樹脂モールド成形方法、固定子の樹脂モールド成形装置、及び固定子構造 |
| JP4605172B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2011-01-05 | トヨタ自動車株式会社 | 固定子の樹脂モールド成形方法、及び固定子の樹脂モールド成形装置 |
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