JPS62207615A - 樹脂封止用金型 - Google Patents
樹脂封止用金型Info
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- JPS62207615A JPS62207615A JP5088786A JP5088786A JPS62207615A JP S62207615 A JPS62207615 A JP S62207615A JP 5088786 A JP5088786 A JP 5088786A JP 5088786 A JP5088786 A JP 5088786A JP S62207615 A JPS62207615 A JP S62207615A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 39
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Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
トランジスタ等の半導体素子を樹脂モールド成形するた
めの金型であって、モールド用樹脂が収容されるキャビ
ティブロックを加圧し、上型および下型で構成される金
型の少なくとも表面に、該キャビティブロックより熱伝
導性の良い金属板、或いは金属棒等の良熱伝導性部材を
設けることで熱が素早く金型に接するキャビティブロッ
ク全体に伝達し、温度が均一になるようにしたもの。
めの金型であって、モールド用樹脂が収容されるキャビ
ティブロックを加圧し、上型および下型で構成される金
型の少なくとも表面に、該キャビティブロックより熱伝
導性の良い金属板、或いは金属棒等の良熱伝導性部材を
設けることで熱が素早く金型に接するキャビティブロッ
ク全体に伝達し、温度が均一になるようにしたもの。
本発明は半導体素子を樹脂モールド成形する際に用いる
金型構造に係り、特に金型内に設&ノたヒータより熱が
均一に成形部分全体に伝達するようにした金型構造に関
する。
金型構造に係り、特に金型内に設&ノたヒータより熱が
均一に成形部分全体に伝達するようにした金型構造に関
する。
トランジスタ等の半導体素子を形成した半導体チップを
容器内に封入する方法として、半導体チップを一括して
大量に封入するために、溶融した樹脂内に半導体チップ
を封入した後、樹脂を硬化させて成形する樹脂モールド
方法が用いられている。
容器内に封入する方法として、半導体チップを一括して
大量に封入するために、溶融した樹脂内に半導体チップ
を封入した後、樹脂を硬化させて成形する樹脂モールド
方法が用いられている。
このような樹脂モールドに用いる金型は、熱が均一に伝
達するようにし、この金型で加圧され、封止用樹脂が収
容されるキャビティブロックに均一に熱が伝達するよう
にすることが要望されている。
達するようにし、この金型で加圧され、封止用樹脂が収
容されるキャビティブロックに均一に熱が伝達するよう
にすることが要望されている。
このような樹脂封止装置について第11図を用いて説明
する。
する。
第11図は従来の樹脂封止装置の模式的な断面図で図示
するように、中央部に円筒状の軟粘性の樹脂1を圧入す
るための加圧部材2が挿入される開口部3を有し、マイ
カレックスのような断熱材4と樹脂を加熱するためのヒ
ータ5が設置された平板状の鉄製の金型の上型6が設け
られている。
するように、中央部に円筒状の軟粘性の樹脂1を圧入す
るための加圧部材2が挿入される開口部3を有し、マイ
カレックスのような断熱材4と樹脂を加熱するためのヒ
ータ5が設置された平板状の鉄製の金型の上型6が設け
られている。
更に上型6の下部には、圧入された樹脂を収容するため
の凹部7を有し、上型と下型とよりなり鉄製の対向した
一対の平板状のキャビティブロック8Aと8Bが設けら
れている。。
の凹部7を有し、上型と下型とよりなり鉄製の対向した
一対の平板状のキャビティブロック8Aと8Bが設けら
れている。。
更にキャビティブロック8Bの下部には、圧入された樹
脂を溶融するためのヒータ9とマイカレックスのような
断熱材10が設置された鉄製の平板状の金型の下型11
が設けられている。
脂を溶融するためのヒータ9とマイカレックスのような
断熱材10が設置された鉄製の平板状の金型の下型11
が設けられている。
ところで、鉄製の上型6と下型11とより成る金型は、
鉄が比較的熱伝導率が悪いために、熱が金型内に均一に
伝達し難く、特に上型6と下型11よりなる金型の周辺
部には熱が逃げやすいため、金型全体の温度が均一とな
らない。
鉄が比較的熱伝導率が悪いために、熱が金型内に均一に
伝達し難く、特に上型6と下型11よりなる金型の周辺
部には熱が逃げやすいため、金型全体の温度が均一とな
らない。
このモールド用樹脂は熱硬化性樹脂を用いているため、
金型の温度が均一でないと樹脂の流動性や硬化時間にむ
らが生じ、成形された樹脂に歪みが発生したり、樹脂の
成形不良等が発生し、樹脂封止された半導体装置が特性
不良となる。
金型の温度が均一でないと樹脂の流動性や硬化時間にむ
らが生じ、成形された樹脂に歪みが発生したり、樹脂の
成形不良等が発生し、樹脂封止された半導体装置が特性
不良となる。
そのため金型の温度が低くなる部分に発熱量の大きいヒ
ータを挿入したり、その部分に挿入されるヒータの数量
を増大させたりしていた。
ータを挿入したり、その部分に挿入されるヒータの数量
を増大させたりしていた。
然し、このような発熱量の異なるヒータを挿入する方法
では、ヒータの互換性がなく、発熱量の異なるヒータを
多数、予備ヒータとして保管して用意する必要があり煩
わしい。
では、ヒータの互換性がなく、発熱量の異なるヒータを
多数、予備ヒータとして保管して用意する必要があり煩
わしい。
また温度の低い箇所に多数本のヒータを挿入する方法で
もいま一つ゛金型が均一な温度となり難い。
もいま一つ゛金型が均一な温度となり難い。
本発明は上記した問題点を除去し、金型全体の温度分布
が均一となり、成形された樹脂に歪みが発生しないよう
にした金型の提供を目的とする。
が均一となり、成形された樹脂に歪みが発生しないよう
にした金型の提供を目的とする。
本発明の樹脂封止用金型は、互いに対向して設けられ合
わせられて封止を形成する上部キャビティブロックおよ
び下部キャビティブロックと、該上部キャビティブロッ
クを保持する上型と、該下部キャビティブロックを保持
する下型とを有する樹脂封止用金型に於いて、 前記上型および、または下型の少なくとも前記上部キャ
ビティブロックまたは下部キャビティブロックに接続さ
れる側に前記上部キャビティブロックまたは下部キャビ
ティブロックより熱伝導性の良い熱伝達部材を設ける。
わせられて封止を形成する上部キャビティブロックおよ
び下部キャビティブロックと、該上部キャビティブロッ
クを保持する上型と、該下部キャビティブロックを保持
する下型とを有する樹脂封止用金型に於いて、 前記上型および、または下型の少なくとも前記上部キャ
ビティブロックまたは下部キャビティブロックに接続さ
れる側に前記上部キャビティブロックまたは下部キャビ
ティブロックより熱伝導性の良い熱伝達部材を設ける。
本発明の樹脂封止用金型は、上型および下型より成る金
型に、咳金型より熱伝導性の良好な金属板、或いは金属
棒等の良熱伝達部材を金型内に設置することで、金型内
の熱が素早く金型の周辺部に到達し、キャビティブロッ
クの温度分布が均一になるようにする。
型に、咳金型より熱伝導性の良好な金属板、或いは金属
棒等の良熱伝達部材を金型内に設置することで、金型内
の熱が素早く金型の周辺部に到達し、キャビティブロッ
クの温度分布が均一になるようにする。
以下、図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に
説明する。
説明する。
第1図は本発明の一実施例の金型の下型とキャビティブ
ロックの下型とを組み合わせて模式的に示した平面図、
第2図は第1図のn−n ’線に沿った断面図、第3図
は第1図のm−at ”線に沿った断面図である。
ロックの下型とを組み合わせて模式的に示した平面図、
第2図は第1図のn−n ’線に沿った断面図、第3図
は第1図のm−at ”線に沿った断面図である。
第1図より第3回連に示すように、本実施例の金型の下
型21には、樹脂が圧入される開口部23が接触される
箇所を除いた上部表面に、鉄よりも熱伝導率の良い銅板
よりなる熱伝達部材24が設けられ、その上に鉄製のキ
ャビティブロックが接続される。
型21には、樹脂が圧入される開口部23が接触される
箇所を除いた上部表面に、鉄よりも熱伝導率の良い銅板
よりなる熱伝達部材24が設けられ、その上に鉄製のキ
ャビティブロックが接続される。
このようにすれば、溶融した樹脂による熱および下型2
1に埋設されたヒータ25より発生する熱が従来より素
早(、金型の下型21の広い領域に伝達することになり
、そのことで金型の下型21の周辺部の温度が、金型の
下型21の中央部の温度より低くなる現象が除去され、
金型と接続されたキャビティブロックの温度分布が均一
な状態となる。
1に埋設されたヒータ25より発生する熱が従来より素
早(、金型の下型21の広い領域に伝達することになり
、そのことで金型の下型21の周辺部の温度が、金型の
下型21の中央部の温度より低くなる現象が除去され、
金型と接続されたキャビティブロックの温度分布が均一
な状態となる。
尚、第2図および第3図で26はマイカレックスのよう
な断熱材で、27はキャビティブロックの熔融樹脂が収
容される凹部である。
な断熱材で、27はキャビティブロックの熔融樹脂が収
容される凹部である。
また本発明の金型の上型の平面図を第4図に、また第4
図のv−v ’線に沿った断面図を第5図に示す。
図のv−v ’線に沿った断面図を第5図に示す。
第4図、および第5図に示すように、本発明の上型28
の樹脂が圧入される開口部23を除いて、かつ前記した
第3図のキャビティブロック22が接触する領域を除い
た箇所には前記した鉄より熱伝導率の良い銅、銀等の金
属板を熱伝達部材29として上型28の下部表面に設け
、上型28のヒータ3oより発生する熱を上型28に均
一に伝達させるようにする。
の樹脂が圧入される開口部23を除いて、かつ前記した
第3図のキャビティブロック22が接触する領域を除い
た箇所には前記した鉄より熱伝導率の良い銅、銀等の金
属板を熱伝達部材29として上型28の下部表面に設け
、上型28のヒータ3oより発生する熱を上型28に均
一に伝達させるようにする。
ここで第5図の31はマイカレ・7クスより成る断熱部
材である。
材である。
また本発明の金型の第2の実施例の下型の平面図をキャ
ビティブロックと組み合わせて第6図に示し、第6図の
■−■°線に沿った断面図を第7図に示し、第6図の■
−■1線に沿った断面図を第8図に示す。
ビティブロックと組み合わせて第6図に示し、第6図の
■−■°線に沿った断面図を第7図に示し、第6図の■
−■1線に沿った断面図を第8図に示す。
第6図より第8回連に示すように、第1の実施例で示し
た金属板の代わりに熱伝導性の良い銅等の金属棒よりな
る熱伝達部材41をキャビティブロック42が接触する
箇所を除いた下型43の表面に埋設したり、或いは7字
状の金属棒よりなる熱伝達部材44をキャビティブロッ
クの開口部45の周辺部に挿入する構造を採っても良い
。この場合、金属棒よりなる熱伝達部材41.44の直
径が大きくなると、熱膨張率も大きくなるので金型の下
型43の表面近くに配置する。
た金属板の代わりに熱伝導性の良い銅等の金属棒よりな
る熱伝達部材41をキャビティブロック42が接触する
箇所を除いた下型43の表面に埋設したり、或いは7字
状の金属棒よりなる熱伝達部材44をキャビティブロッ
クの開口部45の周辺部に挿入する構造を採っても良い
。この場合、金属棒よりなる熱伝達部材41.44の直
径が大きくなると、熱膨張率も大きくなるので金型の下
型43の表面近くに配置する。
このようにすれば、金型の下型43内に設置されたヒー
タ46から発生する熱が素早く、均一に金型の下型43
内に伝達するので、下型43内の温度分布が均一となり
、したがって圧入された樹脂が均一な温度で加熱される
。
タ46から発生する熱が素早く、均一に金型の下型43
内に伝達するので、下型43内の温度分布が均一となり
、したがって圧入された樹脂が均一な温度で加熱される
。
尚、第7図、第8図で47は断熱材としてのマイカレッ
クスである。
クスである。
また第2実施例の金型の上型の平面図を第9図に示し、
そのx−x ’線に沿った断面図を第10図に示す。
そのx−x ’線に沿った断面図を第10図に示す。
図示するように本実施例の上型48は、前記した第8図
に示すキャビティブロック42と接触する箇所を除いた
領域の下部表面に銅等の熱伝導率の大きい金属棒よりな
る熱伝達部材49や、開口部45の周辺に7字状の金属
棒よりなる熱伝達部材50が設置され、上型48に設置
されたヒータ51から発生する熱を素早く上型に伝達す
ることで、上型48の温度分布を均一に保つようにして
いる。
に示すキャビティブロック42と接触する箇所を除いた
領域の下部表面に銅等の熱伝導率の大きい金属棒よりな
る熱伝達部材49や、開口部45の周辺に7字状の金属
棒よりなる熱伝達部材50が設置され、上型48に設置
されたヒータ51から発生する熱を素早く上型に伝達す
ることで、上型48の温度分布を均一に保つようにして
いる。
尚、第10図で52は断熱材としてのマイカレックスで
ある。
ある。
このような本発明の上型と下型とよりなる金型構造によ
れば、上型と下型とよりなる金型の温度分布は均一とな
り、そのため、樹脂の硬化速度が均一となり成形された
樹脂に歪みを発生することがなくなり、高信頼度の樹脂
モールド型半導体装置が得られる。
れば、上型と下型とよりなる金型の温度分布は均一とな
り、そのため、樹脂の硬化速度が均一となり成形された
樹脂に歪みを発生することがなくなり、高信頼度の樹脂
モールド型半導体装置が得られる。
以上述べたように本発明の樹脂封止用金型によれば、金
型内に設けられたヒータから発生する熱がキャビティブ
ロックに均一に伝達するため、この金型によって成形さ
れる樹脂に歪みが発生することが無くなり、本発明の金
型を用いて半導体チップを樹脂封止すれば、高信鱈度の
半導体装置が得られる効果がある。
型内に設けられたヒータから発生する熱がキャビティブ
ロックに均一に伝達するため、この金型によって成形さ
れる樹脂に歪みが発生することが無くなり、本発明の金
型を用いて半導体チップを樹脂封止すれば、高信鱈度の
半導体装置が得られる効果がある。
第1図は本発明の金型の下型、およびキャビティブロッ
クの平面図、 第2図は第1図のn−tr ’線に沿った断面図、第3
図は第1図のm−m ’線に沿った断面図、第4図は本
発明の金型の上型の平面図、第5図は第4図のv−v
’線に沿った断面図、第6図は本発明の第2実施例の金
型の下型およびキャビティブロックの平面図、 第7図は第6図の■−■9線に沿った断面図、第8図は
第6図の■−■1線に沿った断面図、第9図は本発明の
第2実施例の上型の平面図、第10図は第9図のx−x
’線に沿った断面図、第11図は従来の金型構造の模
式的な断面図、図に於いて、 21は下型、22はキャビティブロック、23は開口部
、24は熱伝達部材、25はヒータ、26は断熱部材、
27は凹部、28は上型、29は熱伝達部材、30はヒ
ータ、31は断熱部材、41は熱伝達部材、42はキャ
ビティブロック、43は下型、44は熱伝達部材、45
は開口部、46はヒータ、47は断熱材、48は上型、
49゜第 1 図 一21乙り。l−11ス射ドlz 成承dつ+1−II
口囚第2図 オ1国グト夏’ * I ;3さ・イを午面図第 3
図 +必Bll^ビ9の平面I日 第 4 図 第 5 図 7トR’jQ1qプ計2eフε利艷イ多1闇下’II!
F、tひ・キャヒ′ディ7”1ゴーI7乃呼(bGり第
6v4 瀬シ■−酉′線、ユ玲・h断面図 第 7 匁 才6ら■−■′線1;坩・r−酢面図 第 8 図 滞発epI/1才2方諸グJのと堂り平面囚第 9 図
クの平面図、 第2図は第1図のn−tr ’線に沿った断面図、第3
図は第1図のm−m ’線に沿った断面図、第4図は本
発明の金型の上型の平面図、第5図は第4図のv−v
’線に沿った断面図、第6図は本発明の第2実施例の金
型の下型およびキャビティブロックの平面図、 第7図は第6図の■−■9線に沿った断面図、第8図は
第6図の■−■1線に沿った断面図、第9図は本発明の
第2実施例の上型の平面図、第10図は第9図のx−x
’線に沿った断面図、第11図は従来の金型構造の模
式的な断面図、図に於いて、 21は下型、22はキャビティブロック、23は開口部
、24は熱伝達部材、25はヒータ、26は断熱部材、
27は凹部、28は上型、29は熱伝達部材、30はヒ
ータ、31は断熱部材、41は熱伝達部材、42はキャ
ビティブロック、43は下型、44は熱伝達部材、45
は開口部、46はヒータ、47は断熱材、48は上型、
49゜第 1 図 一21乙り。l−11ス射ドlz 成承dつ+1−II
口囚第2図 オ1国グト夏’ * I ;3さ・イを午面図第 3
図 +必Bll^ビ9の平面I日 第 4 図 第 5 図 7トR’jQ1qプ計2eフε利艷イ多1闇下’II!
F、tひ・キャヒ′ディ7”1ゴーI7乃呼(bGり第
6v4 瀬シ■−酉′線、ユ玲・h断面図 第 7 匁 才6ら■−■′線1;坩・r−酢面図 第 8 図 滞発epI/1才2方諸グJのと堂り平面囚第 9 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 互いに対向して設けられ合わせられて封止を形成する上
部キャビティブロックおよび下部キャビティブロックと
、該上部キャビティブロックを保持する上型(28)と
、該下部キャビティブロックを保持する下型(21)と
を有する樹脂封止用金型に於いて、 前記上型(28)および、または下型(21)の少なく
とも前記上部キャビティブロックまたは下部キャビティ
ブロックに接続される側に前記上部キャビティブロック
または下部キャビティブロックより熱伝導性の良い熱伝
達部材(24、29)を設けたことを特徴とする樹脂封
止用金型。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5088786A JPS62207615A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 樹脂封止用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5088786A JPS62207615A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 樹脂封止用金型 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62207615A true JPS62207615A (ja) | 1987-09-12 |
Family
ID=12871242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5088786A Pending JPS62207615A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 樹脂封止用金型 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62207615A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4872825A (en) * | 1984-05-23 | 1989-10-10 | Ross Milton I | Method and apparatus for making encapsulated electronic circuit devices |
JPH0338844A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-19 | Toowa Kk | 電子部品の樹脂封と成形用金型 |
US5415535A (en) * | 1993-02-12 | 1995-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor resin sealing apparatus |
EP0730937A1 (en) * | 1994-11-21 | 1996-09-11 | Apic Yamada Corporation | A resin molding machine with release film |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP5088786A patent/JPS62207615A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4872825A (en) * | 1984-05-23 | 1989-10-10 | Ross Milton I | Method and apparatus for making encapsulated electronic circuit devices |
JPH0338844A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-19 | Toowa Kk | 電子部品の樹脂封と成形用金型 |
US5415535A (en) * | 1993-02-12 | 1995-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor resin sealing apparatus |
EP0730937A1 (en) * | 1994-11-21 | 1996-09-11 | Apic Yamada Corporation | A resin molding machine with release film |
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